CN110854168A - 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。显示面板包括阵列基板、发光层及阴极层。阵列基板包括从下至上依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、彩膜层、平坦层、阳极层、光反射层以及像素定义层；所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元；在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽；所述光反射层设于所述第一凹槽内，用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元。本发明通过制作光反射层在其反射横向传播的光线时将传播方向修正为朝向所述子彩膜单元方向，使得反射的光线穿过子彩膜单元，可改善漏光、混色和发光效率低等问题。

Description

一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着背板解析度的不断提高，像素数量及子像素间间距不断减小，对于底发射型白光有机发光二极管(COA)发光时，光线需要通过平坦层和R/G/B彩膜，由于底发光白光有机发光二极管的平坦层一般是高穿透有机材料，光线传播的多向性，往往会导致不需要发光的像素由于相邻的像素发光而发光，首先表现为漏光，其次由于横向光路传播，导致发光效率降低和混色问题。

具体如图1所示，为现有的一种底发射型白光有机发光二极管阵列基板90的结构示意图，包括从下至上依次层叠设置的基板91、薄膜晶体管层92、彩膜层93、平坦层94、阳极层95以及像素定义层96。其中彩膜层93包括间隔分布的子彩膜单元931，阳极层95对应所述子彩膜单元931阵列的位置设于平坦层94上；像素定义层96设于平坦层94上并定义出像素区域961。光线(图1中用箭头表示)从像素区域961发出，穿过阳极层95并在平坦层94内向下传播，其中不可避免的存在横向光线，从而导致漏光、混色和发光效率低。

因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，通过设置光反射层阻挡并反射横向传播的光线，可改善漏光、混色和发光效率低等问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括从下至上依次层叠设置的衬底基板、薄膜晶体管层、彩膜层、平坦层、阳极层、光反射层以及像素定义层；具体地讲，所述薄膜晶体管层设于所述衬底基板上；所述彩膜层设于所述薄膜晶体管层上，所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元；所述平坦层设于所述彩膜层上，且在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽；所述阳极层对应所述子彩膜单元阵列的位置设于所述平坦层上；所述光反射层设于所述第一凹槽内，用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元；所述像素定义层对应所述第一凹槽的位置设于所述光反射层及所述平坦层上，并定义出像素区域。

进一步地，所述第一凹槽的横截面呈倒梯形。

进一步地，所述光反射层包括金属层，设于所述第一凹槽内。

进一步地，所述金属层的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

进一步地，所述光反射层还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层设于所述第一凹槽的侧壁和底面上形成第二凹槽，所述金属层设于所述第二凹槽的侧壁和底面上形成第三凹槽，所述像素定义层覆盖所述金属层并填充所述第三凹槽。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括步骤：

制作衬底基板；

制作薄膜晶体管层，在所述衬底基板上制作薄膜晶体管层；

制作彩膜层，在所述薄膜晶体管层上制作彩膜层，所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元；

制作平坦层，在所述彩膜层上制作平坦层，所述平坦层在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽；

制作阳极层，在对应所述子彩膜单元阵列的位置的所述平坦层上制作阳极层；

制作光反射层，在所述第一凹槽内制作光反射层，用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元；以及

制作像素定义层，在对应所述第一凹槽的位置的所述光反射层及所述平坦层上制作像素定义层，所述像素定义层定义出像素区域。

进一步地，所述制作光反射层包括步骤：

制作金属层，在所述第一凹槽内制作金属层；所述金属层的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

进一步地，所述制作光反射层还包括步骤：

制作氧化铟锡层，在所述第一凹槽的侧壁和底面上制作氧化铟锡层，所述氧化铟锡层形成第二凹槽；

其中所述制作金属层步骤包括在所述第二凹槽的侧壁和底面上制作所述金属层，所述金属层形成第三凹槽；

所述制作像素定义层步骤包括在所述第三凹槽内制作所述像素定义层，所述像素定义层覆盖所述金属层并填充所述第三凹槽。

进一步地，所述制作阳极层及所述制作光反射层包括步骤：

制作氧化铟锡层，在所述平坦层上制作氧化铟锡层，所述氧化铟锡层覆盖在所述第一凹槽的侧壁和底面上形成第二凹槽；

制作金属层，在所述氧化铟锡层上制作金属层，所述金属层覆盖在所述第二凹槽的侧壁和底面上形成第三凹槽；

制作光阻层，在所述金属层上制作光阻层并图案化，所述光阻层环绕所述第三凹槽设有第一刻蚀槽，所述光阻层包括所述第一刻蚀槽环绕的第一光阻层以及位于相邻所述第一刻蚀槽之间的第二光阻层，所述第二光阻层的厚度小于所述第一光阻层的厚度；

制作阳极层及光反射层，对所述金属层在对应所述第一刻蚀槽位置进行蚀刻形成第二刻蚀槽；对所述氧化铟锡层在对应所述第二刻蚀槽位置进行蚀刻；清除所述第二光阻层并对所述金属层进行蚀刻形成所述阳极层；清除所述第一光阻层形成所述光反射层。

本发明还提供一种显示面板，包括上述阵列基板、发光层以及阴极层；所述发光层设于所述像素区域内的所述阳极层上；所述阴极层设于所述发光层上。

本发明的有益效果在于，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，通过在阵列基板上制作光反射层，用于阻挡并反射横向传播的光线，并在光反射层下表面反射横向传播的光线时将其传播方向修正为朝向所述子彩膜单元方向，使得反射的光线穿过子彩膜单元，可改善漏光、混色和发光效率低等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种底发射型白光有机发光二极管阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例中一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例中一种阵列基板的制作方法的流程图；

图4为图3中所述制作光反射层步骤的流程图；

图5为图3中所述制作阳极层步骤及所述制作光反射层步骤的流程图；

图6为图3中所述制作光阻层步骤的半成品结构示意图；

图7为图3中所述制作阳极层及光反射层过程中形成第二刻蚀槽的半成品结构示意图；

图8为图3中所述制作阳极层及光反射层过程中蚀刻形成所述阳极层的半成品结构示意图；

图9为图3中所述制作阳极层及光反射层过程中形成所述光反射层的半成品结构示意图；

图10为本发明实施例中一种显示面板的结构示意图。

图中部件标识如下：

1、衬底基板，2、薄膜晶体管层，3、彩膜层，4、平坦层，5、阳极层，

6、光反射层，7、像素定义层，8、光阻层，10、阵列基板，

11、第一凹槽，12、第二凹槽，13、第三凹槽，20、发光层，

21、第一刻蚀槽，22、第二刻蚀槽，30、阴极层，31、子彩膜单元，

61、氧化铟锡层，62、金属层，71、像素区域，81、第一光阻层，

82、第二光阻层，100、显示面板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的部件以相似数字标号表示。本发明所提到的方向用语，例如，上、下、前、后、左、右、内、外、上表面、下表面、侧面、顶部、底部、前端、后端、末端等，仅是附图中的方向，只是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

当某些部件被描述为“在”另一部件“上”时，所述部件可以直接置于所述另一部件上；也可以存在一中间部件，所述部件置于所述中间部件上，且所述中间部件置于另一部件上。当一个部件被描述为“安装至”或“连接至”另一部件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个部件通过一中间部件间接“安装至”或“连接至”另一个部件。

请参阅图2所示，本发明实施例中提供一种阵列基板10，包括从下至上依次层叠设置的衬底基板1、薄膜晶体管层2、彩膜层3、平坦层4、阳极层5、光反射层6以及像素定义层7；具体地讲，所述薄膜晶体管层2设于所述衬底基板1上；所述彩膜层3设于所述薄膜晶体管层2上，所述彩膜层3包括间隔分布的子彩膜单元31；所述平坦层4设于所述彩膜层3上，且在对应相邻两所述子彩膜单元31之间的间隔位置设置有第一凹槽11；所述阳极层5对应所述子彩膜单元31阵列的位置设于所述平坦层4上；所述光反射层6设于所述第一凹槽11内，用于阻挡并反射所述平坦层4内横向传播的光线(在图2中用箭头表示)，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元31，可改善漏光、混色和发光效率低等问题；所述像素定义层7对应所述第一凹槽11的位置设于所述光反射层6及所述平坦层4上，并定义出像素区域71。所述像素定义层7包括常规非疏水性材料或疏水性材料。

本实施例中，所述第一凹槽11的横截面呈倒梯形，用于使所述光反射层6也呈倒梯形，从而所述光反射层6的下表面在反射横向传播的光线时将其传播方向修正为朝向所述子彩膜单元31方向(如图2中箭头所示)，可改善漏光、混色和发光效率低等问题。

本实施例中，所述光反射层6包括金属层62，设于所述第一凹槽11内。

本实施例中，所述金属层62的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

本实施例中，所述光反射层6还包括氧化铟锡层61，所述氧化铟锡层61设于所述第一凹槽11的侧壁和底面上形成第二凹槽12，所述金属层62设于所述第二凹槽12的侧壁和底面上形成第三凹槽13，所述像素定义层7覆盖所述金属层62并填充所述第三凹槽13。

请参阅图2和图3所示，本发明还提供一种阵列基板10的制作方法，包括以下步骤：

S1、制作衬底基板1；

S2、制作薄膜晶体管层2，在所述衬底基板1上制作薄膜晶体管层2；

S3、制作彩膜层3，在所述薄膜晶体管层2上制作彩膜层3，所述彩膜层3包括间隔分布的子彩膜单元31；

S4、制作平坦层4，在所述彩膜层3上制作平坦层4，所述平坦层4在对应相邻两所述子彩膜单元31之间的间隔位置设置有第一凹槽11；

S5、制作阳极层5，在对应所述子彩膜单元31阵列的位置的所述平坦层4上制作阳极层5；

S6、制作光反射层6，在所述第一凹槽11内制作光反射层6，用于阻挡并反射所述平坦层4内横向传播的光线，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元31，可改善漏光、混色和发光效率低等问题；以及

S7、制作像素定义层7，在对应所述第一凹槽11的位置的所述光反射层6及所述平坦层4上制作像素定义层7，所述像素定义层7定义出像素区域71。所述像素定义层7包括常规非疏水性材料或疏水性材料。

值得注意的是，请同时参考图2所示，所述第一凹槽11的横截面呈倒梯形，用于使所述光反射层6也呈倒梯形，从而所述光反射层6的下表面在反射横向传播的光线时将其传播方向修正为朝向所述子彩膜单元31方向，可改善漏光、混色和发光效率低等问题。

请参阅图4所示，本实施例中，所述制作光反射层6步骤S6包括步骤：

S62、制作金属层62，在所述第一凹槽11内制作金属层62；所述金属层62的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

请参阅图4所示，本实施例中，所述制作光反射层6步骤S6还包括步骤：

S61、制作氧化铟锡层61，在所述第一凹槽11的侧壁和底面上制作氧化铟锡层61，所述氧化铟锡层61形成第二凹槽12；

其中所述制作金属层62步骤S62包括在所述第二凹槽12的侧壁和底面上制作所述金属层62，所述金属层62形成第三凹槽13；

所述制作像素定义层7步骤S7包括在所述第三凹槽13内制作所述像素定义层7，所述像素定义层7覆盖所述金属层62并填充所述第三凹槽13。

请参阅图5-图9所示，在其他实施例中，所述制作阳极层5步骤S5及所述制作光反射层6步骤S6包括步骤：

S11、制作氧化铟锡层61，在所述平坦层4上制作氧化铟锡层61，所述氧化铟锡层61覆盖在所述第一凹槽11的侧壁和底面上形成第二凹槽12；

S12、制作金属层62，在所述氧化铟锡层61上制作金属层62，所述金属层62覆盖在所述第二凹槽12的侧壁和底面上形成第三凹槽13；

S13、制作光阻层8，在所述金属层62上制作光阻层8并图案化，如图6所示，所述光阻层8环绕所述第三凹槽13设有第一刻蚀槽21，所述光阻层8包括所述第一刻蚀槽21环绕的第一光阻层81以及位于相邻所述第一刻蚀槽21之间的第二光阻层82，所述第二光阻层82的厚度小于所述第一光阻层81的厚度；

S14、制作阳极层5及光反射层6，如图7所示，对所述金属层62在对应所述第一刻蚀槽21位置进行蚀刻形成第二刻蚀槽22；对所述氧化铟锡层61在对应所述第二刻蚀槽22位置进行蚀刻；如图8所示，清除所述第二光阻层82并对所述金属层62进行蚀刻形成所述阳极层5；如图9所示，清除所述第一光阻层81形成所述光反射层6。

请参阅图10所示，本发明还提供一种显示面板100，包括上述阵列基板10、发光层20以及阴极层30；所述发光层20设于所述像素区域71内的所述阳极层5上；所述阴极层30设于所述发光层20上。

其中，所述发光层20的制作方法包括蒸镀发光材料或喷墨打印发光材料。所述阴极层30优选为反射金属，用于反射所述发光层20发出的光，从而实现底发射；所述阴极层30的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

本公开实施例中的显示面板100可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实施例提供的显示面板100的工作原理，与前述阵列基板10的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述阵列基板10实施例，此处不再赘述。

本发明的有益效果在于，提供一种阵列基板10、显示面板100及阵列基板10的制作方法，通过在阵列基板10上制作光反射层6，用于阻挡并反射横向传播的光线，并在光反射层6下表面反射横向传播的光线时将其传播方向修正为朝向所述子彩膜单元31方向，使得反射的光线穿过子彩膜单元31，可改善漏光、混色和发光效率低等问题。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管层，设于所述衬底基板上；

彩膜层，设于所述薄膜晶体管层上，所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元；

平坦层，设于所述彩膜层上，且在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽；

阳极层，对应所述子彩膜单元阵列的位置设于所述平坦层上；

光反射层，设于所述第一凹槽内，用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元；以及

像素定义层，对应所述第一凹槽的位置设于所述光反射层及所述平坦层上，并定义出像素区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的横截面呈倒梯形。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光反射层包括：

金属层，设于所述第一凹槽内。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述光反射层还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层设于所述第一凹槽的侧壁和底面上形成第二凹槽，所述金属层设于所述第二凹槽的侧壁和底面上形成第三凹槽，所述像素定义层覆盖所述金属层并填充所述第三凹槽。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

制作衬底基板；

制作薄膜晶体管层，在所述衬底基板上制作薄膜晶体管层；

制作彩膜层，在所述薄膜晶体管层上制作彩膜层，所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元；

制作平坦层，在所述彩膜层上制作平坦层，所述平坦层在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽；

制作阳极层，在对应所述子彩膜单元阵列的位置的所述平坦层上制作阳极层；

制作光反射层，在所述第一凹槽内制作光反射层，用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线，使得反射的光线穿过所述子彩膜单元；以及

制作像素定义层，在对应所述第一凹槽的位置的所述光反射层及所述平坦层上制作像素定义层，所述像素定义层定义出像素区域。

7.根据权利要求6所述阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作光反射层包括步骤：

制作金属层，在所述第一凹槽内制作金属层；所述金属层的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。

8.根据权利要求7所述阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作光反射层还包括步骤：

制作氧化铟锡层，在所述第一凹槽的侧壁和底面上制作氧化铟锡层，所述氧化铟锡层形成第二凹槽；

其中所述制作金属层步骤包括在所述第二凹槽的侧壁和底面上制作所述金属层，所述金属层形成第三凹槽；

所述制作像素定义层步骤包括在所述第三凹槽内制作所述像素定义层，所述像素定义层覆盖所述金属层并填充所述第三凹槽。

9.根据权利要求6所述阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作阳极层及所述制作光反射层包括步骤：

制作氧化铟锡层，在所述平坦层上制作氧化铟锡层，所述氧化铟锡层覆盖在所述第一凹槽的侧壁和底面上形成第二凹槽；

制作金属层，在所述氧化铟锡层上制作金属层，所述金属层覆盖在所述第二凹槽的侧壁和底面上形成第三凹槽；

制作光阻层，在所述金属层上制作光阻层并图案化，所述光阻层环绕所述第三凹槽设有第一刻蚀槽，所述光阻层包括所述第一刻蚀槽环绕的第一光阻层以及位于相邻所述第一刻蚀槽之间的第二光阻层，所述第二光阻层的厚度小于所述第一光阻层的厚度；

制作阳极层及光反射层，对所述金属层在对应所述第一刻蚀槽位置进行蚀刻形成第二刻蚀槽；对所述氧化铟锡层在对应所述第二刻蚀槽位置进行蚀刻；清除所述第二光阻层并对所述金属层进行蚀刻形成所述阳极层；清除所述第一光阻层形成所述光反射层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

权利要求书1-5中任一项所述的阵列基板；

发光层，设于所述像素区域内的所述阳极层上；以及

阴极层，设于所述发光层上。

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