CN112802863A - 一种图像传感器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及图像传感器领域，尤其涉及图像传感器及其制备方法。所述制备方法，包括：在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；采用溶液涂布的方法，在底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在透明顶电极层的表面沉积封装层，得到图像传感器；导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。所述制备方法无需真空沉积系统，无需光刻图案化过程，能够实现大面积的图像传感器的制备。
Description
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域，尤其涉及一种图像传感器及其制备方法。
背景技术
基于非晶硅、硫化镉(CdS)和铟镓砷(InGaAs)等材料的高性能光电探测器既可以制成分立器件来使用，也可以通过微纳制造技术制成无源或者有源的阵列来使用。但基于无机半导体材料的光电探测技术存在的主要问题就是，在器件的生产过程中需要超高真空环境、高温退火和复杂的光刻工艺，再加上成本高昂的工艺生产线，严重阻碍了光探测器件与更多其他集成化产品的兼容性。在过去的二十年中，溶液处理有机光电探测器(OPDs)引起了广泛的关注，和无机探测器相比，它们具有溶解性强、加工面积大、机械柔韧性好、重量轻、室温工作温度低和成本低等固有优势，很好的弥补了商用无机探测器的缺点，受到了越来越多的关注。
OPDs的响应光谱范围主要由活性层中有机半导体的光子捕获范围决定。根据光响应带宽的不同，可将光输出器件分为宽带光输出器件和窄带光输出器件。宽带OPDs由于其在图像传感器、医疗成像、机器视觉和夜间监控等领域的广泛应用。同时，由于与柔性基板的兼容性优势，器件在柔性和可穿戴电子领域具有巨大的潜力。OPDs应用的另外一个重要的例子是X射线探测器，这是医学成像领域中已经成熟的数字放射照相技术。在间接转换探测器中，闪烁层将X射线光子转换成紫外光或可见光光子，然后由制备在刚性玻璃基板上的非晶硅光电探测器阵列(a-Si PD)检测。用溶液制备的OPD替换非晶硅PDs可以极大地简化制造过程，从而降低制造成本，非常适合应用于X射线医疗成像。
现有技术中，申请号为201710737228.2的中国专利公开了一种用于图像传感器的有机光电探测器，包括玻璃基片、玻璃基片上表面设置有ITO电极层，玻璃基片上表面上还自下而上依次涂覆有阳极缓冲层、前置吸收层、主体活性层、阴极缓冲层以及Al电极层。器件层数多，且还需要蒸镀技术实现器件功能层中的一种或者几种的制备，并没有充分发挥有机光电探测器的溶液法的制备优势；申请号为201710793569.1的中国专利公开了一种柔性有机光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括柔性基底、有机活性层和电极；有机活性层位于柔性基底上表面，电极位于有机活性层上面。但是并没有和TFT进行集成实现大面积图像传感器的制备；申请号为202010187834.3的中国专利公开了一种有机光电二极管、X射线探测器及其制备方法，采用溶液法制备有机光电二极管、有机薄膜晶体管，所述有机光电二极管包括自下而上依次叠置的第一导电传输层、P3HT:PCBM活性层、第二导电传输层和透明顶电极层层。该探测器同时含有第一导电传输层和第二导电传输层，所需的材料和工艺流程依然很多。
因此，如何实现有机光电探测器件和TFT像素阵列结构集成大面积图像传感器的制备以及简化制备过程，降低成本，是需要进一步解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制备方法，所述图像传感器的制备方法能够采用简单的制备过程实现大面积的图像传感器的制备，且成本低。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括以下步骤：
在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；
采用溶液涂布的方法，在所述底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在所述透明顶电极层的表面沉积封装层，得到所述图像传感器；
所述导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；
所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；
所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
优选的，制备所述导电传输层的过程包括以下步骤：
将导电传输层材料和有机溶剂混合，得到导电传输层材料溶液；
将所述导电传输层材料溶液涂布于所述底电极层表面，得到导电传输层材料液膜；
将所述导电传输层材料液膜进行加热处理，得到所述导电传输层。
优选的，当所述导电传输层材料包括无机纳米晶材料时，所述导电传输层材料溶液中的浓度为5～30mg/mL；
当所述导电传输层材料包括聚乙氧基乙烯亚胺时，所述导电传输层材料溶液中的聚乙氧基乙烯亚胺的质量浓度为0.1～1％。
优选的，所述导电传输层的厚度为20～80nm。
优选的，所述聚合物半导体材料与富勒烯衍生物的质量比为1：(1～4)；或所述聚合物半导体材料与非富勒烯衍生物的质量比为1：(1～4)。
优选的，制备所述有机活性层的过程包括以下步骤：
将有机活性层的材料和有机溶剂混合，得到有机活性层溶液；
将所述有机活性层溶液涂布在所述导电传输层表面，得到所述有机活性层。
优选的，所述有机活性层溶液的浓度为40～100mg/mL；
所述涂布的方式为旋涂、喷涂、狭缝涂布或喷墨打印。
优选的，所述有机活性层的厚度为100nm～5μm。
优选的，所述透明顶电极层的厚度为100～2000nm。
本发明还提供了上述技术方案所述的制备方法制备得到的图像传感器，包括依次层叠设置的TFT像素阵列结构、底电极、导电传输层、有机活性层、透明顶电极层和封装层；
所述导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；
所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；
所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括以下步骤：在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；采用溶液涂布的方法，在所述底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在所述透明顶电极层的表面沉积封装层，得到所述图像传感器；所述导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
与现有技术相比，本发明所述的制备方法具有以下优势：
1)通过有机材料或者无机纳米分散材料的溶液法薄膜制备，实现了有机光电探测器件和TFT阵列集成大面积图像传感器，且有机光电探测器除了底电极外所有薄膜无需经过光刻等工艺去图案化；
2)本发明采用PEDOT:PSS作为透明顶电极层，使其同时具有空穴传输和电极双重功能的薄膜，是其既起到了高效的空穴载流子输运功能，又充当了器件的顶电极，最终使图像传感器的光电流和暗电流达到甚至超过传统器件的水平；
3)本发明通过采用特定的导电传输层、有机活性层和透明顶电极层的材料使其能够通过选用溶液的形式制备得到各层，同时通过各层材料的能级级配来进一步提高图像传感器的信噪比
附图说明
图1为实施例1制备得到的图像传感器的结构示意图；
其中，1-衬底，2-TFT像素阵列结构，21-基底，22-栅极金属电极，23-源极金属电极，24-漏极金属电极，25-栅极绝缘层，26-光遮挡层，31-底电极层，32-导电传输层，33-有机活性层，34-透明顶电极层和4-封装层。
具体实施方式
本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括以下步骤：
在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；
采用溶液涂布的方法，在所述底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在所述透明顶电极层的表面沉积封装层，得到所述图像传感器；
所述导电传输层的材料为为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺(PEIE)；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；
所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；
所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
在本发明中，若无特殊说明，所有制备原料均为本领域技术人员熟知的市售产品。
本发明在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层。本发明对所述TFT像素阵列结构没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的常规结构即可。本发明对所述TFT像素阵列结构的制备过程没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。在本发明中，所述TFT像素阵列结构优选为带有衬底的TFT像素阵列结构；所述衬底的材质优选为玻璃衬底、有机衬底或半导体衬底。
进行溅射前，本发明优选对所述TFT像素阵列结构进行预处理；所述预处理优选包括依次进行的清洗、吹干和O2-等离子体处理。在本发明中，所述清洗优选为依次采用丙酮、酒精和去离子水各清洗15min；在本发明中，所述清洗优选在超声的条件下进行；本发明对所述超声的条件没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可；所述吹干优选为采用氮气吹干；所述O2-等离子体处理的时间优选为6min；本发明对所述O2-等离子体处理的其他条件没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的条件进行即可。
在本发明中，所述底电极层的材料优选为ITO、FTO或Mo。在本发明中，当所述底电极层的材料为ITO时，所述底电极层的厚度优选为100～200nm；当所述底电极层的材料为FTO时，所述底电极层的厚度优选为100～180nm；当所述底电极层的材料为Mo时，所述底电极层的厚度优选为50～100nm。本发明对所述溅射的过程没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程即可。
在本发明中，所述TFT像素阵列结构优选由包括基底、栅极金属电极、源极金属电极、漏极金属电极、栅极绝缘层和光遮挡层；所述基底和栅极金属电极之间通过栅极绝缘层隔开；所述源极金属电极与栅极金属电极部分连接，且未连接部分通过栅极绝缘层隔开；所述漏极金属电极与源极金属电极水平方向相对设置，所述漏极金属电极和栅极金属电极部分连接，且未连接部分通过栅极绝缘层隔开；所述光遮挡层与源极金属电极和漏极金属电极之间通过栅极绝缘层隔开；所述基底、栅极金属电极、源极金属电极(或漏极金属电极)和光遮挡层由下而上依次设置；所述源极金属电极部分裸露在所述TFT像素阵列结构表面；所述光遮挡层与所述裸露在所述TFT像素阵列结构表面的源极金属电极存在高度差(具体结构如图1所示)。在本发明中，所述底电极层覆盖在所述裸露在所述TFT像素阵列结构表面的源极金属电极表面，且所述底电极层的厚度与所述光遮挡层与所述裸露在所述TFT像素阵列结构表面的源极金属电极存在高度差相同。
得到底电极层后，本发明采用溶液涂布的方法，在所述底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在所述透明顶电极层的表面沉积封装层，得到所述图像传感器。
在本发明中，制备所述导电传输层的过程优选包括以下步骤：
将导电传输层材料和有机溶剂混合，得到导电传输层材料溶液；
将所述导电传输层材料溶液涂布于所述底电极层表面，得到导电传输层材料/有机溶剂液膜；
将所述导电传输层材料/乙醇液膜进行加热处理，得到所述导电传输层。
本发明将导电传输层材料和有机溶剂混合，得到导电传输层材料溶液。在本发明中，所述导电传输层材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；当所述导电传输层材料为上述具体物质中的两种以上时，本发明对上述具体物质的配比没有任何特殊的限定，按任意配比进行混合即可。在本发明中，当所述导电传输层材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种时，所述ZnO、Al:ZnO和SnO2的粒径独立的为10～30nm。在本发明中，所述Al:ZnO理解为Al掺杂的ZnO，本发明对所述Al的掺杂量没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的掺杂量即可。
在本发明中，所述有机溶剂优选为乙醇、丁醇、异丙醇和甲醇中的一种或几种；当所述有机溶剂为上述具体选择中的两种以上时，本发明对上述具体物质的配比没有任何特殊的限定，按任意配比进行混合即可。
本发明对所述混合的过程没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。
在本发明中，当所述导电传输层材料包括无机纳米晶材料时，所述导电传输层材料溶液中的浓度为5～30mg/mL，更优选为10～20mg/mL；当所述导电传输层材料包括聚乙氧基乙烯亚胺时，所述导电传输层材料溶液中的聚乙氧基乙烯亚胺的质量浓度为0.1～1％，更优选为0.3～0.7％。
得到导电传输层材料溶液后，本发明将所述导电传输层材料溶液涂布于所述底电极层表面，得到导电传输层材料液膜。
在本发明中，所述涂布的方式优选为旋涂；所述旋涂的转速优选为1000～6000rpm，更优选为2000～5000rpm。本发明对所述导电传输层材料溶液的涂布量没有任何特殊的限定，只要能够保证最终后续制备得到的导电传输层的厚度在20～80nm的范围内即可。
得到导电传输层材料液膜后，本发明将所述导电传输层材料液膜进行加热处理，得到所述导电传输层。在本发明中，所述加热处理的温度优选为70～100℃，更优选为80℃；所述加热处理的时间优选为3～10min，更优选为5～7min。
在本发明中，所述导电传输层的厚度优选为20～80nm，更优选为40～60nm。
在本发明中，制备所述有机活性层的过程优选包括以下步骤：
将有机活性层的材料和有机溶剂混合，得到有机活性层溶液；
将所述有机活性层溶液涂布在所述导电传输层表面，得到所述有机活性层。
本发明将有机活性层的材料和有机溶剂混合，得到有机活性层溶液。在本发明中，所述有机活性层的材料优选包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；在本发明中，所述聚合物半导体材料优选为P3HT、PTB7或PCDTBT；所述富勒烯衍生物优选为C60、PC61BM或PC71BM；所述非富勒烯衍生物优选为ITIC-2F、IDTBR或ITIC-Th。本发明对所述有机溶剂的种类没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的种类且能够保证能够溶解上述有机活性层的材料即可。在本发明中，所述聚合物半导体材料与富勒烯衍生物的质量比优选为1：(1～4)，更优选为1：(2～3)；或所述聚合物半导体材料与非富勒烯衍生物的质量比优选为1：(1～4)，更优选为1：(2～3)。
本发明对所述混合没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。
在本发明中，所述有机活性层溶液的浓度优选为40～100mg/mL，更优选为60～80mg/mL。
得到有机活性层溶液后，本发明将所述有机活性层溶液涂布在所述导电传输层表面，得到所述有机活性层。在本发明中，所述涂布的方式优选为旋涂、喷涂、狭缝涂布或喷墨打印；本发明对所述旋涂、喷涂、狭缝涂布和喷墨打印的过程均没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。
所述涂布完成后，本发明还优选包括干燥；所述干燥优选为自然干燥；在本发明中，所述自然干燥的目的是使有机溶剂挥发，得到有机活性层。
在本发明中，所述有机活性层的厚度优选为100nm～5μm，更优选为100～800nm。
在本发明中，所述透明顶电极层的制备过程优选包括以下步骤：
将PEDOT:PSS涂布在所述有机活性层表面后，加热，得到所述透明顶电极层。
在本发明中，所述涂布的方式优选为旋涂、喷涂、狭缝涂布或喷墨打印，更优选为喷墨打印；本发明对所述旋涂、喷涂、狭缝涂布和喷墨打印的过程均没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。
在本发明中，所述加热优选在空气中进行；所述加热的温度优选为90℃，时间优选为15min。
在本发明中，所述透明顶电极层的厚度优选为100～2000nm，更优选为200～1500nm，最优选为600～1000nm。
在本发明中，在所述透明顶电极层的表面沉积封装层中的沉积方式优选为原子层沉积(ALD)、离子体增强化学的气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)。本发明对所述ALD、PECVD、PVD或CVD的过程没有任何特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的沉积封装层的过程进行即可。在本发明的具体实施例中，所述沉积的温度具体为80℃或85℃。
在本发明中，所述封装层的材料优选为二氧化硅(SiO2)、三氧化二铝(Al2O3)和氮化硅的一种或几种；当所述封装层的材料为上述具体选择中的两种以上时，本发明对上述具体物质的配比没有任何特殊的限定，按任意配比进行混合即可。
在本发明中，所述封装层的厚度优选为50～300nm，更优选为100～200nm，最优选为150～180nm。
本发明还提供了上述技术方案所述的制备方法制备得到的图像传感器，包括依次层叠设置的TFT像素阵列结构、底电极层、导电传输层、有机活性层、透明顶电极层和封装层；
所述导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；
所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；
所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
在本发明中，所述导电传输层的厚度优选为20～80nm，更优选为40～60nm；所述有机活性层的厚度优选为100nm～5μm，更优选为100～800nm；所述透明顶电极层的厚度优选为100～2000nm，更优选为200～1500nm，最优选为600～1000nm；所述封装层的厚度优选为50～300nm，更优选为100～200nm，最优选为150～180nm。在本发明中，所述封装层的材料优选为二氧化硅(SiO2)、三氧化二铝(Al2O3)和氮化硅的一种或几种；当所述封装层的材料为上述具体选择中的两种以上时，本发明对上述具体物质的配比没有任何特殊的限定，按任意配比进行混合即可。
下面结合实施例对本发明提供的图像传感器及其制备方法进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
提供具有图1所示带有衬底1的TFT像素阵列结构2；
将所述TFT像素阵列结构依次采用丙酮、酒精和去离子水超声清洗15min，然后用氮气吹干，O2-等离子体处理6min，得到预处理后的TFT像素阵列结构；
采用溅射的方式，在所述预处理后的TFT像素阵列结构的源极金属电极表面沉积一层底电极层(ITO底电极层，厚度为200nm)，得到底电极层；
将ZnO纳晶和乙醇混合，得到浓度为30mg/mL的ZnO溶液；
将所述ZnO溶液旋涂(旋涂的转速为2500rpm)于所述底电极层表面，得到导电传输层材料/有机溶剂液膜；
将所述导电传输层材料/乙醇液膜加热至80℃烘烤5min，得到厚度为40nm的导电传输层；
将有机活性层的材料(配比为1：1的P3HT和PCBM)和氯苯混合，得到浓度为60mg/mL有机活性层溶液；
将所述有机活性层溶液旋涂在所述导电传输层表面，自然干燥，得到厚度为800nm的有机活性层；
采用喷墨打印的方式，将PEDOT:PSS印刷在所述有机活性层表面后，空气中90℃加热15min，得到厚度为200nm透明顶电极层；
采用PECVD沉积的方式，在所述透明顶电极层的表面沉积一层氮化硅封装层(沉积温度为85℃)，厚度为150nm，得到所述图像传感器。
实施例2
提供具有图1所示带有衬底1的TFT像素阵列结构2；
将所述TFT像素阵列结构依次采用丙酮、酒精和去离子水超声清洗15min，然后用氮气吹干，O2-等离子体处理6min，得到预处理后的TFT像素阵列结构；
采用溅射的方式，在所述预处理后的TFT像素阵列结构的源极金属电极表面沉积一层底电极层(ITO底电极层，厚度为200nm)，得到底电极层；
将PEIE和去离子水混合，得到质量浓度为0.37％的PEIE溶液；
将所述PEIE溶液旋涂(旋涂的转速为4000rpm)于所述底电极层表面，得到导电传输层材料/有机溶剂液膜；
将所述导电传输层材料薄膜加热至100℃烘烤10min，得到厚度为25nm的导电传输层；
将有机活性层的材料(配比为1：1的P3HT和PCBM)和氯苯混合，得到浓度为60mg/mL有机活性层溶液；
将所述有机活性层溶液旋涂在所述导电传输层表面，自然干燥，得到厚度为800nm的有机活性层；
采用旋转涂布的方式，将PEDOT:PSS涂布(转速1000rpm)在所述有机活性层表面后，空气中90℃加热15min，得到厚度为200nm透明顶电极层；
采用PECVD沉积的方式，在所述透明顶电极层的表面沉积一层氮化硅封装层(沉积温度为85℃)，厚度为150nm，得到所述图像传感器。
实施例3
提供具有图1所示带有衬底1的TFT像素阵列结构2；
将所述TFT像素阵列结构依次采用丙酮、酒精和去离子水超声清洗15min，然后用氮气吹干，O2-等离子体处理6min，得到预处理后的TFT像素阵列结构；
采用溅射的方式，在所述预处理后的TFT像素阵列结构的源极金属电极表面沉积一层底电极层(ITO底电极层，厚度为200nm)，得到底电极层；
将PEIE和去离子水混合，得到质量浓度为0.37％的PEIE溶液；
将所述PEIE溶液旋涂(旋涂的转速为4000rpm)于所述底电极层表面，得到导电传输层材料/有机溶剂液膜；
将所述导电传输层材料薄膜加热至100℃烘烤10min，得到厚度为5nm的导电传输层；
将有机活性层的材料(配比为1：3的PCDTBT和PCBM)和氯苯混合，得到浓度为60mg/mL有机活性层溶液；
将所述有机活性层溶液旋涂在所述导电传输层表面，自然干燥，得到厚度为800nm的有机活性层；
采用旋转涂布的方式，将PEDOT:PSS涂布(转速1000rpm)在所述有机活性层表面后，空气中90℃加热15min，得到厚度为200nm透明顶电极层；
采用ALD沉积的方式，在所述透明顶电极层的表面沉积一层氧化铝封装层(沉积温度为80℃)，厚度为150nm，得到所述图像传感器。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；
采用溶液涂布的方法，在所述底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在所述透明顶电极层的表面沉积封装层，得到所述图像传感器；
所述导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；
所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；
所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备所述导电传输层的过程包括以下步骤：
将导电传输层材料和有机溶剂混合，得到导电传输层材料溶液；
将所述导电传输层材料溶液涂布于所述底电极层表面，得到导电传输层材料液膜；
将所述导电传输层材料液膜进行加热处理，得到所述导电传输层。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当所述导电传输层材料包括无机纳米晶材料时，所述导电传输层材料溶液中的浓度为5～30mg/mL；
当所述导电传输层材料包括聚乙氧基乙烯亚胺时，所述导电传输层材料溶液中的聚乙氧基乙烯亚胺的质量浓度为0.1～1％。
4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述导电传输层的厚度为20～80nm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物半导体材料与富勒烯衍生物的质量比为1：(1～4)；
或所述聚合物半导体材料与非富勒烯衍生物的质量比为1：(1～4)。
6.如权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，制备所述有机活性层的过程包括以下步骤：
将有机活性层的材料和有机溶剂混合，得到有机活性层溶液；
将所述有机活性层溶液涂布在所述导电传输层表面，得到所述有机活性层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有机活性层溶液的浓度为40～100mg/mL；
所述涂布的方式为旋涂、喷涂、狭缝涂布或喷墨打印。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有机活性层的厚度为100nm～5μm。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明顶电极层的厚度为100～2000nm。
10.权利要求1～9任一项所述的制备方法制备得到的图像传感器，其特征在于，包括依次层叠设置的TFT像素阵列结构、底电极层、导电传输层、有机活性层、透明顶电极层和封装层；
所述导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；
所述有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；
所述透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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