CN112786650A - 显示设备及制造显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

示例性实施例涉及一种显示设备，所述显示设备包括：发射彼此不同颜色的光的第一像素、第二像素和第三像素，在所述第一像素的第一显示元件上的第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层上的第二绝缘层。所述第一绝缘层限定对应于所述第一显示元件的第一开口部分，所述第二绝缘层限定对应于所述第一开口部分的第一开口，并且所述第一开口部分具有在第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第一延伸部分。

Description

显示设备及制造显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月11日提交的第10-2019-0143665号韩国专利申请的优先权，并享有其所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于本文中。
技术领域
一个或多个示例性实施例涉及一种显示设备和一种制造显示设备的方法，并且更具体地涉及一种具有改善的颜色再现性的显示设备和一种制造该显示设备的简单方法。
背景技术
显示设备可视地显示数据。显示设备可以用作诸如移动电话的小尺寸产品中的显示器，或者诸如电视的大尺寸产品中的显示器。
显示设备包括通过接收电信号而发光从而在外部显示图像的多个像素。每个像素包括显示元件。例如，在有机发光显示设备中，显示元件是有机发光二极管(“OLED”)。
最近，显示设备的使用已经增加，并且已经尝试了用于改善显示设备的质量的各种设计。特别地，随着显示设备的分辨率的提高，已经积极地开展研究从而改善显示设备中的每一个像素的颜色再现。
发明内容
然而，根据相关技术的一种显示设备和一种制造显示设备的方法，每个制造工艺所花费的时间(即，节拍时间)取决于像素布置而增加。
一个或多个示例性实施例包括一种可以通过简单的制造方法来制造并且具有改善的颜色再现性的显示设备，以及一种制造该显示设备的方法。然而，上述技术特征是示例性的，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从该描述将是显而易见的或者可以通过实践本公开的所呈现的示例性实施例而获悉。
根据一个或多个示例性实施例，一种显示设备包括：发射彼此不同颜色的光的第一像素、第二像素和第三像素；在所述第一像素的第一显示元件上的第一绝缘层，所述第一绝缘层限定对应于所述第一显示元件的第一开口部分；在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层限定对应于所述第一开口部分的第一开口；设置在所述第一开口中的第一颜色转换层，所述第一颜色转换层包括用于将入射光转换为第一颜色光的第一量子点；以及在所述第一颜色转换层上的第一过滤器层，其中，所述第一开口部分具有在第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第一延伸部分。
所述显示设备可以进一步包括：对应于所述第二像素的第二显示元件并且包括用于将所述入射光转换为第二颜色光的第二量子点的第二颜色转换层；以及在所述第二颜色转换层上的第二过滤器层。第一绝缘层可以进一步限定对应于所述第二像素的所述第二显示元件的第二开口部分，所述第二绝缘层可以进一步限定对应于所述第二开口部分的第二开口，所述第二颜色转换层可以位于所述第二开口中，并且所述第二开口部分可以包括在与所述第一方向相反的第二方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第二延伸部分。
所述显示设备还可以包括：对应于所述第三像素的第三显示元件并且包括用于散射所述入射光的散射颗粒的透射层；以及在所述透射层上的第三过滤层，其中，所述第一绝缘层可以进一步限定对应于所述第三像素的所述第三显示元件的第三开口部分，所述第二绝缘层可以进一步限定对应于所述第三开口部分的第三开口，所述透射层可以位于所述第三开口中，并且所述第三开口部分可以包括在所述第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第三延伸部分。
所述第一延伸部分、所述第二延伸部分和所述第三延伸部分可以在所述第一方向或所述第二方向上具有相同的宽度。
所述第一像素的第一发射区域、所述第二像素的第二发射区域和所述第三像素的第三发射区域可以在平面图中具有正方形形状。
将所述第一发射区域、所述第二发射区域和所述第三发射区域中的一个的中心连接到其它两个发射区域的中心的延伸线可以在平面图中彼此交叉。
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个可以包括遮光材料。
所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面可以具有疏水性。
所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面可以是倾斜的。
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可以被彼此整合地提供。
所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面可以具有疏水性。
所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面可以是倾斜的。
根据一个或多个示例性实施例，一种制造显示设备的方法包括：制造显示单元；制造滤色器单元；以及将所述显示单元结合到所述滤色器单元，其中，所述滤色器单元的所述制造包括：在上基板上形成遮光层；在由所述遮光层限定的孔中形成第一过滤器层；在所述遮光层上形成限定第一开口的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成限定第一开口部分的第一绝缘层，其中，所述第一开口部分具有在第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第一延伸部分；以及在所述第一开口中形成第一颜色转换层，所述第一颜色转换层包括用于将入射光转换为第一颜色光的第一量子点。
所述方法可以进一步包括：处理所述第二绝缘层的表面以具有疏水性，其中，所述表面可以被所述第一延伸部分暴露。
所述方法可以进一步包括：处理所述第二绝缘层的表面以是倾斜的，其中，所述表面可以被所述第一延伸部分暴露。
所述第一绝缘层的所述形成和所述第二绝缘层的所述形成可以同时执行。
所述第一绝缘层的所述形成和所述第二绝缘层的所述形成可以通过使用半色调掩模执行。
所述方法可以进一步包括：处理所述第二绝缘层的表面以具有疏水性，其中，所述表面可以被所述第一延伸部分暴露。
所述第一颜色转换层的所述形成可以通过喷墨印刷方法执行。
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个可以包括遮光材料。
附图说明
通过下述结合附图进行的描述，本公开的某些示例性实施例的上述和其它方面、特征和优点将变得更加明显，其中：
图1是根据示例性实施例的显示设备的立体图；
图2是根据示例性实施例的显示设备的截面图；
图3是示出根据示例性实施例的显示设备的一部分的放大图；
图4是根据示例性实施例的显示设备的平面图；
图5是根据示例性实施例的滤色器单元的截面图；
图6是根据示例性实施例的滤色器单元中的第一像素的截面图；
图7是根据示例性实施例的滤色器单元中的第一延伸部分的截面图；
图8和图9是根据另一示例性实施例的滤色器单元的截面图；
图10是根据示例性实施例的显示设备的截面图；和
图11A至图11F是说明根据示例性实施例的一种制造显示设备的方法的工艺的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施例，示例性实施例的实例在附图中说明，附图类似的参考数字始终是指类似的元件。在这方面，本示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为仅限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述示例性实施例以解释本描述的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、a、b和c的全部、或其变形。
下面将参照附图更详细地描述示例性实施例。与附图编号无关，相同或对应的那些组件被赋予相同的参考数字，并且省略多余的解释。
尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述各种组件，但是这样的组件不限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件和另一个组件区分开。
除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
在本说明书中，应当理解，术语“包含”、“具有”和“包括”旨在指示在本说明书中公开的特征、数目、步骤、动作、组件、部件或其组合的存在，并且不旨在排除可以存在或可以添加一个或多个其它特征、数目、步骤、动作、组件、部件或其组合的可能性。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，附图中的部件的尺寸可能被夸大。换句话说，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的部件的尺寸和厚度，因此下述示例性实施例不限于此。
当某个示例性实施例可以不同地实施时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在说明书中，短语“A和/或B”表示A、B、或A和B。此外，短语“A和B中的至少一个”表示A、B、或A和B。
在下面的示例性实施例中，当层、区域或元件等被称为“连接”时，将理解的是它们可以直接连接，或者在层、区域或元件之间可以存在中间部分。例如，当层、区域或元件等被称为“电连接”时，它们可以直接电连接，或者层、区域或元件可以间接电连接并且可以存在中间部分。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的一个或多个示例性实施例。
图1是根据示例性实施例的显示设备1的立体图。
参照图1，显示设备1包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA显示图像，并且非显示区域NDA不显示图像。显示设备1可以通过使用从显示区域DA发射的光来提供图像。
在图1中，显示设备1包括具有正方形形状的显示区域DA，但是本发明不限于此。在示例性实施例中，显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状、或者诸如三角形、四边形、五边形等的多边形形状。另外，图1中的显示设备1包括平板显示设备，但是显示设备1可以实现为各种类型，例如，柔性显示设备、可折叠显示设备、可卷曲显示设备等。
在下文中，根据示例性实施例的显示设备1被描述为作为示例的有机发光显示设备，但是根据本发明的显示设备不限于此。在另一示例性实施例中，显示设备可以包括无机发光显示器、无机电致发光(“EL”)显示设备或量子点发光显示设备。例如，包括在显示设备1中的显示元件的发光层可以包括：有机材料；无机材料；量子点；有机材料和量子点；无机材料和量子点；或者，有机材料、无机材料和量子点。
多个像素P可以设置在显示区域DA中。在说明书中，每个像素P可以表示发射与其它像素的颜色不同颜色的光的子像素，并且每个像素P可以是例如红色(R)子像素、绿色(G)子像素、和蓝色(B)子像素中的一个。
图2是根据示例性实施例的显示设备1的截面图，并且图3是部分地示出根据示例性实施例的显示设备1的放大图。图3示出了第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B的放大图。
参照图2，显示设备1包括显示单元DU和面对显示单元DU的滤色器单元CU。显示单元DU可以包括在基板100上的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以分别在基板100上发射彼此不同颜色的光。例如，第一像素P1可以发射红光Lr，并且第二像素P2可以发射绿光Lg，第三像素P3可以发射蓝光Lb。
第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以包括分别包含一个有机发光二极管OLED的第一显示元件OLED1、第二显示元件OLED2和第三显示元件OLED3。在示例性实施例中，第一显示元件OLED1、第二显示元件OLED2和第三显示元件OLED3可以发射蓝光。在另一示例性实施例中，第一显示元件OLED1、第二显示元件OLED2和第三显示元件OLED3可以分别发射红光、绿光和蓝光。
滤色器单元CU可以包括滤色器部分300R、300G和300B。从第一显示元件OLED1、第二显示元件OLED2和第三显示元件OLED3发射的光在分别经过滤色器部分300R、300G和300B后，可以作为红光Lr、绿光Lg和蓝光Lb从显示设备1释放。
滤色器部分300R、300G和300B可以直接在上基板160上。滤色器部分300R、300G和300B可以分别包括后面将参照图5进行描述的第一颜色转换层120R和第一过滤器层110R、第二颜色转换层120G和第二过滤器层110G、以及透射层120B和第三过滤器层110B。
这里，“直接在上基板160上”可以表示当制造滤色器单元CU时，第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B直接形成在上基板160上。之后，在第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B分别面对第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的同时，显示单元DU和滤色器单元CU可以彼此结合。图2示出了显示单元DU和滤色器单元CU经由粘合层ADH彼此结合。粘合层ADH可以包括例如光学透明粘合剂(“OCA”)，但是本发明不限于此。在另一示例性实施例中，可以省略粘合层ADH。
在参照图3前，在示例性实施例中，第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G可以包括量子点材料。量子点的核可以选自由下述组成的组：II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以选自由下述组成的组：CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS以及选自由它们的混合物形成的组的二元化合物；AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS以及选自由它们的混合物形成的组的三元化合物；以及HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe以及选自由它们的混合物形成的组的四元化合物。
III-V族化合物可以选自由下述组成的组：GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb以及选自由它们的混合物形成的组的二元化合物；GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNAs、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb以及选自由它们的混合物形成的组的三元化合物；以及GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb以及选自由它们的混合物形成的组的四元化合物。
IV-VI族化合物可以选自由下述组成的组：SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe以及选自由它们的混合物形成的组的二元化合物；SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe以及选自由它们的混合物形成的组的三元化合物；以及SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe以及选自由它们的混合物形成的组的四元化合物。IV族元素可以选自由下述组成的组：Si、Ge及其混合物。IV族化合物可以包括选自由下述组成的组的二元化合物：SiC、SiGe及其混合物。
这里，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于相同的颗粒中。另外，量子点可以具有一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核与壳之间的界面可以具有壳中元素的浓度朝向核的中心减小的浓度梯度。
在一些示例性实施例中，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括具有如上所述的纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以作为用于防止核的化学修饰和保持半导体特性的保护层和/或用于向量子点施加电泳特性的充电层。壳可以具有单层结构或多层结构。核与壳之间的界面可以具有壳中元素的浓度朝向量子点的中心减小的浓度梯度。量子点的壳可以包括金属或非金属材料的氧化物、半导体化合物、或其组合。
例如，金属或非金属材料的氧化物可以包括但不限于：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等；或者三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等。
半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是不限于此。
量子点可以具有大约45纳米(nm)或更小、例如大约40纳米或更小、具体地大约30纳米或更小的发光波长光谱的半最大值全宽(FWHM)，并且在上述范围内可以改善颜色纯度或颜色再现。另外，从量子点发射的光是全方位的，并且因此可以增大光学视角。
量子点可以具有任何形状，只要该形状在本领域中是通常使用的，并且具体地可以是球形、锥形、多臂或立方体的纳米颗粒，或者可以是纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米颗粒等。
量子点可以根据其粒径调节发射光的颜色，并且因此量子点可以发射各种颜色的光，例如蓝光、红光、绿光等。
参照图3，第一颜色转换层120R将蓝色入射光Lib转换为第一颜色光Lr(例如，红光Lr)。第一颜色转换层120R可以包括第一量子点121R和第一散射颗粒122R分散在其中的第一光敏聚合物123R。
第一量子点121R被蓝色入射光Lib激发，并且可以各向同性地发射具有比蓝光的波长长的波长的第一颜色光Lr。第一光敏聚合物123R可以包括透射光的有机材料。第一散射颗粒122R散射未被第一量子点121R吸收的蓝色入射光Lib，以使更多的第一量子点121R被激发，并且因此可以增加第一颜色转换层120R的颜色转换率。第一散射颗粒122R可以包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒。
第二颜色转换层120G将蓝色入射光Lib转换为第二颜色光Lg(例如，绿光Lg)。第二颜色转换层120G可以包括第二量子点121G和第二散射颗粒122G分散在其中的第二光敏聚合物123G。
第二量子点121G被蓝色入射光Lib激发，并且可以各向同性地发射具有比蓝光的波长长的波长的第二颜色光Lg。第二光敏聚合物123G包括透射光的有机材料，并且可以包括与第一光敏聚合物123R的材料相同的材料。第二散射颗粒122G散射未被第二量子点121G吸收的蓝色入射光Lib，以使更多的第二量子点121G被激发，并且因此可以增加第二颜色转换层120G的颜色转换率。第二散射颗粒122G可以包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒，并且可以包括与第一散射颗粒122R的材料相同的材料。
透射层120B透射蓝色入射光Lib，并且朝向上基板160发射蓝光Lb。透射层120B可以包括第三散射颗粒122B分散在其中的第三光敏聚合物123B。第三光敏聚合物123B可以包括例如透射光的有机材料，诸如硅树脂、环氧树脂等，并且可以包括与第一光敏聚合物123R和第二光敏聚合物123G的材料相同的材料。第三散射颗粒122B可以散射蓝色入射光Lib，并且可以包括与第一散射颗粒122R和第二散射颗粒122G的材料相同的材料。
图4和图5是分别部分地示出根据示例性实施例的显示设备和滤色器单元CU的平面图和截面图。
图4和图5分别示出了根据示例性实施例的滤色器单元CU的平面图和截面图，并且图5对应于沿图4的线B-B’截取的滤色器单元CU的截面。
参照图4和图5，根据示例性实施例的显示设备包括发射彼此不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。在示例性实施例中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以各自包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每一个可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
如上述参照图2所描述，显示设备1包括在显示单元DU上的滤色器单元CU。滤色器单元CU可以包括上基板160、第一绝缘层150、第二绝缘层140、遮光层130、第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B、第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B。
在图5中，为了便于描述，描述了各种层在+z方向上堆叠在上基板160上，但是根据示例性实施例的滤色器单元CU可以上下颠倒以附着到显示单元DU，如图10中所示。因此，将以在上基板160上的堆叠顺序描述层。
此外，假设根据示例性实施例的显示设备经由有机发光二极管OLED发射蓝光，并且因此可以在第三过滤器层110B上设置透射层120B，而不是颜色转换层。
上基板160可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、或者柔性或可弯曲的材料。当上基板160是柔性或可弯曲的时，上基板160可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。上基板160可以具有上述材料的单层或多层结构，并且该多层结构可以进一步包括无机层。在一些示例性实施例中，上基板160可以具有包括按有机材料/无机材料/有机材料的顺序的叠层的结构。
遮光层130以及第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B可以在上基板160的一个表面上。
遮光层130可以设置在第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B之间，以对应于非发射区域NEA(见图10)。遮光层130可以包括用于改善颜色清晰度和对比度的黑矩阵。遮光层130可以包括选自黑色颜料、黑色染料和黑色颗粒中的至少一种。在一些示例性实施例中，遮光层130可以包括诸如Cr、CrOX、Cr/CrOX、Cr/CrOX/CrNY、树脂(例如，碳颜料、RGB混合物颜料)、石墨、非Cr基材料等的材料。
第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B可以分别包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。通过第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B的光可以具有红、绿和蓝色的改善的颜色再现性。
第二绝缘层140可以限定分别暴露第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B的第一开口141R、第二开口141G和第三开口141B。第二绝缘层140可以包括例如有机材料。在示例性实施例中，第二绝缘层140可以包括遮光材料以用作遮光层。遮光材料可以包括例如选自黑色颜料、黑色染料、黑色颗粒和金属颗粒中的至少一种。
第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B可以分别设置在第一开口141R、第二开口141G和第三开口141B中。第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B可以具有图3的结构。
第一绝缘层150可以限定分别暴露第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B的第一开口部分151R、第二开口部分151G和第三开口部分151B。第一绝缘层150可以包括例如有机材料。在一些情况下，第一绝缘层150可以包括选自黑色颜料、黑色染料、黑色颗粒和金属颗粒中的至少一种以用作遮光层。
第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以分别包括第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B，并且可以进一步分别包括第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B(见图4的虚线部分)，尽管未在平面图中示出。
第一开口部分151R具有在第一方向(即，图4和图6中的+y方向)上延伸并且至少部分地暴露第二绝缘层140的第一延伸部分152R。在示例性实施例中，第一延伸部分152R在第一方向(+y方向)上的宽度W可以等于或大于第一开口141R在第一方向(+y方向)上的宽度的两倍，如图6中所示。然而，本发明不限于上述示例。
尽管上面描述了第一像素P1，但是第二像素P2和第三像素P3可以具有与第一像素P1的结构相同的结构。然而，第二像素P2的第二开口部分151G具有在第二方向(即，图4中的-y方向，与第一方向相反的方向)上延伸并且至少部分地暴露第二绝缘层140的第二延伸部分152G。在示例性实施例中，第二延伸部分152G在第二方向(-y方向)上的宽度可以等于或大于第二开口141G在第二方向(-y方向)上的宽度的两倍。然而，本发明不限于上述示例。
第一延伸部分152R、第二延伸部分152G和第三延伸部分152B可以具有相同的宽度。
从显示单元DU的发射层发射的光在穿过第一颜色转换层120R之后穿过的第一过滤器层110R中的区域被称为第一像素P1的第一发射区域EA1。第一发射区域EA1具有等于或小于第一过滤器层110R的面积的面积。除了第一像素P1之外，上述结构也可以应用于第二像素P2和第三像素P3。
参照图4，第一像素P1中的第一发射区域EA1、第二像素P2中的第二发射区域EA2和第三像素P3中的第三发射区域EA3可以各自在平面图中具有正方形形状。在下文中提及的发射区域和开口的正方形形状和矩形形状均是指在平面图中的形状。当发射区域具有正方形形状时，与发射区域具有矩形形状的情况相比，在像素的相对边缘处不起作用的光的量可以减少，而像素面积与发射区域具有矩形形状的情况相同。更详细地，从有机发光二极管OLED发射的光在所有方向上传播。随着光在所有方向上传播，光到达在第二绝缘层140中形成的开口。在比较例中，开口可以具有矩形形状。即，开口可以具有在第一方向(即，y方向)上的宽度和在垂直于第一方向的第二方向(即，x方向)上的宽度。取决于开口的宽度，不同量的光可以穿过开口。开口越宽，通过开口的光的量越大。因此，当在第一方向上的宽度大于在第二方向上的宽度时，在第二方向上发射的光的量可以小于在第一方向上发射的光的量。然而，当在第二绝缘层140中形成的开口与在本发明的一个实施例中类似地具有正方形形状时，在第一方向上的宽度和在第二方向上的宽度相同。因此，在第二方向上发射的光的量与在第一方向上发射的光的量相同。因此，防止了在特定方向上光的量的减少。因此，有可能增加通过开口的光的量，并且像素的面积可以与当开口具有矩形形状时的情况相同。当开口具有矩形形状时，如果垂直宽度(例如，在第一方向上的宽度)与水平宽度(例如，在第二方向上的宽度)之比为8:2，则像素的面积为16。同样的，当开口具有正方形形状时，垂直宽度与水平宽度之比可以是4:4，并且像素的面积变为16，类似于开口具有矩形形状的情况。
当第一像素P1的第一发射区域EA1、第二像素P2的第二发射区域EA2和第三像素P3的第三发射区域EA3在平面图中具有正方形形状时，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以设置为使得将第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的一个的中心连接到其它两个发射区域的中心的延伸线可以彼此交叉。如图4中所示，例如，将第二发射区域EA2的中心连接到第三发射区域EA3的中心的第一延伸线l和将第二发射区域EA2的中心连接到第一发射区域EA1的中心的第二延伸线l'可以彼此交叉。
图6是根据示例性实施例的滤色器单元CU中的第一像素P1的截面图。
详细地，图6示出了沿着图4的线A-A'截取的第一像素P1的截面。
遮光层130、第一过滤器层110R、第一绝缘层150、第二绝缘层140、以及设置在第一开口141R中并包括将入射光转换成第一颜色光(例如，红光)的第一量子点121R(参见图3)的第一颜色转换层120R可以在上基板160上。
第一开口部分151R具有在第一方向(即，+y方向)上延伸并且至少部分地暴露第二绝缘层140的第一延伸部分152R。在示例性实施例中，第一延伸部分152R在第一方向(即，+y方向)上的宽度W可以等于或大于第一开口141R在第一方向(即，+y方向)上的宽度的两倍。然而，本发明不限于上述示例。
图6示出了第一像素P1的截面，但是第二像素P2和第三像素P3可以具有与第一像素P1的截面相同的截面。然而，如图4中所示，第二像素P2的第二开口部分151G具有在第二方向(即，-y方向)上延伸并且至少部分地暴露第二绝缘层140的第二延伸部分152G。在示例性实施例中，第二延伸部分152G在第二方向(-y方向)上的宽度可以等于或大于第二开口141G在第二方向(-y方向)上的宽度的两倍。然而，本发明不限于上述示例。
第一延伸部分152R、第二延伸部分152G和第三延伸部分152B可以具有相同的宽度。
在示例性实施例中，第二绝缘层140的表面170可以是疏水的，其中表面170被第一延伸部分152R暴露。通过使用包括诸如CF4、SF6、NF3等的卤族元素的气体执行气体等离子体工艺或者通过氟涂层，可以获得是疏水的表面170。因为第二绝缘层140的被第一延伸部分152R暴露的表面170是疏水的，所以在制造第一颜色转换层120R的工艺中，第一颜色转换层120R可以仅形成在第一开口141R中。稍后将描述该工艺。
图7是根据示例性实施例的滤色器单元CU的截面图。
图7示出了在根据示例性实施例的滤色器单元CU中，第二绝缘层140的被第一延伸部分152R暴露的表面170具有倾斜。
参照图7，滤色器单元CU的结构如上述参照图6所描述，并且第二绝缘层140的被第一延伸部分152R暴露的表面170可以具有倾斜。参照图7的放大图，在第二绝缘层140中示出的虚拟线VS与上基板160平行，其中虚拟线VS从第一颜色转换层120R延伸。虚拟线VS与第二绝缘层140的表面之间可以具有一定的角度θ。角度θ可以为大约1°至大约2°，并且本发明不限于此。
根据参照图6和图7示出的示例性实施例，可以实现在每个制造工艺所花费的时间(即，节拍时间)方面没有损失的效果。在示例性实施例中，使用喷嘴的喷墨印刷方法可以用于形成第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B。如上述参照图4所描述，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以在平面图中具有正方形形状。当第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3具有正方形形状时，对应于第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3的第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B以及第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B也可以具有正方形形状，即使形状的尺寸可以不同。
在比较例中，与根据本发明的示例性实施例不同，当不提供第一延伸部分152R时，第一开口部分可以具有正方形形状，并且在这种情况下，布置在一行中的喷嘴的数量可能受限制，这可能导致每个制造工艺的节拍时间的增加以及生产良率的降低。
因此，在根据示例性实施例的显示设备中，滤色器单元CU中的第一绝缘层150的第一开口部分151R包括第一延伸部分152R，并且当第二绝缘层140的表面170(其中表面170由于第一延伸部分152R而暴露)具有疏水性或倾斜时，可以使用布置成一行(即，在y方向上布置)的许多喷嘴，并且因此可以实现在每个制造工艺的节拍时间方面没有损失的效果。
另外，当第二绝缘层140的被第一延伸部分152R和第二延伸部分152G暴露的表面170具有疏水性或倾斜时，通过喷嘴喷射的油墨可以流到第一开口141R和第二开口141G中以分别形成第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G，并且因此可以实现在材料方面没有损失的效果。
图8和图9是根据另一示例性实施例的滤色器单元CU的截面图。
详细地，图8和图9示出了滤色器单元CU的结构，其中第一绝缘层150和第二绝缘层140被整合地提供。
参照图8和图9，与第一绝缘层150和第二绝缘层140彼此分离的图6和图7不同，第一绝缘层150和第二绝缘层140可以整合。例如，使用半色调掩模通过相同工艺，可以同时制造第一绝缘层150和第二绝缘层140。
遮光层130、第一过滤器层110R、整合的绝缘层180和设置在第一开口141R中的第一颜色转换层120R可以设置在上基板160上。这里，整合的绝缘层180包括对应于第二绝缘层140的下层180b和对应于第一绝缘层150的上层180a。第一开口部分151R可以包括在第一方向(+y方向)上延伸并且至少部分地暴露整合的绝缘层180的下层180b的第一延伸部分152R。在示例性实施例中，第一延伸部分152R在第一方向(+y方向)上的宽度W可以等于或大于第一开口141R在第一方向(+y方向)上的宽度的两倍。
第一延伸部分152R、第二延伸部分152G和第三延伸部分152B可以具有相同的宽度，但是本发明不限于此。
除了第一绝缘层150和第二绝缘层140被整合之外，图8示出与图6的结构相同的结构，并且因此，整合的绝缘层180的下层180b的表面170可以具有疏水性，其中表面170被第一延伸部分152R暴露。通过使用包括诸如CF4、SF6、NF3等的卤族元素的气体执行气体等离子体工艺或者通过氟涂层，可以获得是疏水的表面。
除了第一绝缘层150和第二绝缘层140被整合之外，图9示出与图7的结构相同的结构，并且因此，整合的绝缘层180的下层180b的表面170可以具有倾斜，其中表面170被第一延伸部分152R暴露。
另外，整合的绝缘层180可以包括遮光材料。
图10是根据示例性实施例的显示设备的截面图。
参照图10，至少一个薄膜晶体管T1和连接至薄膜晶体管T1的显示元件可以在根据示例性实施例的显示设备的显示区域DA上。
在示例性实施例中，显示设备的显示区域DA包括多个像素，例如，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3，并且第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每一个包括发射区域EA。发射区域EA可以是光在其中被产生并发射到外部的区域。非发射区域NEA在发射区域EA之间，并且第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的发射区域EA可以由非发射区域NEA划分。
第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以发射彼此不同颜色的光。例如，第一像素P1可以发射红光，第二像素P2可以发射绿光，并且第三像素P3可以发射蓝光。在平面图中，每个像素的发射区域EA可以具有各种多边形形状或圆形形状，并且发射区域EA可以以各种方式布置，例如，条状布置、PenTile布置等。
此外，根据示例性实施例的显示设备可以包括分别对应于第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的发射区域EA的第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B。第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G可以包括量子点和金属纳米颗粒，并且透射层120B可以包括金属纳米颗粒。
例如，第一像素P1可以包括第一颜色转换层120R，第二像素P2可以包括第二颜色转换层120G，并且第三像素P3可以包括透射层120B。
在示例性实施例中，包括在第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G中的量子点的平均尺寸可以彼此不同。
在下文中，将根据图10中的堆叠顺序详细描述示例性实施例的显示设备。
图10示出了显示区域DA中的每一个像素中的像素电路的薄膜晶体管T1和存储电容器Cst。例如，薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管或开关薄膜晶体管。为了便于描述，图10的显示区域DA中的元件将根据堆叠顺序进行描述。
基板100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、或者柔性或可弯曲的材料。当基板100是柔性或可弯曲的时，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。基板100可以具有上述材料的单层或多层结构，并且该多层结构可以进一步包括无机层。在示例性实施例中，基板100可以具有包括按有机材料/无机材料/有机材料的顺序的叠层的结构。
可以在基板100和第一缓冲层111之间进一步设置阻挡层(未示出)。阻挡层可以防止或减少杂质从基板100等渗入半导体层A1中。阻挡层可以包括诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料、或者无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
偏置电极BSM可以在第一缓冲层111上以对应于薄膜晶体管T1。可以将电压施加到偏置电极BSM。另外，偏置电极BSM可以防止外部光到达半导体层A1。因此，可以使薄膜晶体管T1的特性稳定。在某些情况下，可以省略偏置电极BSM。
半导体层A1可以在第二缓冲层112上。半导体层A1可以包括非晶硅或多晶硅。在另一示例性实施例中，半导体层A1可以包括选自由下述组成的组的至少一种的氧化物：铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)。在一些示例性实施例中，半导体层A1可以包括氧化锌基材料，例如，氧化锌、氧化铟锌、氧化镓铟锌等。在另一示例性实施例中，半导体层A1可以包括包括ZnO和诸如铟、镓和锌的金属的氧化铟镓锌(“IGZO”)、氧化铟锡锌(“ITZO”)或氧化铟镓锡锌(“IGTZO”)半导体。半导体层A1可以包括沟道区以及在沟道区的相对侧的源极区和漏极区。半导体层A1可以具有单层或多层结构。
栅极电极G1在半导体层A1上方，栅绝缘层113位于栅极电极G1和半导体层A1之间，并且在平面图中栅极电极G1至少部分地与半导体层A1重叠。栅极电极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层或多层结构。作为示例，栅极电极G1可以包括包括Mo的单层。电容器Cst的第一电极CE1设置在与栅极电极G1相同的层上。第一电极CE1可以包括与栅极电极G1的材料相同的材料。
层间绝缘层115可以覆盖栅极电极G1和存储电容器Cst的第一电极CE1。层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的绝缘材料。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源极电极S1、漏极电极D1和数据线(未示出)可以在层间绝缘层115上。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源极电极S1、漏极电极D1和数据线可以包括包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。在一个示例性实施例中，第二电极CE2、源极电极S1、漏极电极D1和数据线具有包括按Ti/Al/Ti的顺序的叠层的多层结构。源极电极S1和漏极电极D1可以经由接触孔连接到半导体层A1的源极区或漏极区。
在平面图中，存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1交叠并且形成电容，层间绝缘层115位于第二电极CE2与第一电极CE1间。在这种情况下，层间绝缘层115可以用作存储电容器Cst的介电层。
存储电容器Cst的第二电极CE2、源极电极S1、漏极电极D1和数据线可以被无机保护层PVX覆盖。
无机保护层PVX可以具有包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的单层或多层结构。可以引入无机保护层PVX以覆盖和保护在层间绝缘层115上的一些布线。在基板100的部分区域(例如，外围区域的部分)中，与数据线通过相同制造工艺一起制造的布线(未示出)可以被暴露。由于在稍后将描述的像素电极310的图案化中使用的蚀刻剂，布线的暴露部分可能损坏。然而，由于根据示例性实施例的无机保护层PVX至少部分地覆盖数据线和与数据线一起制造的布线，因此可以防止在像素电极310的图案化期间对布线的损坏。
平坦化层118在无机保护层PVX上，并且有机发光二极管OLED可以在平坦化层118上。
平坦化层118可以包括包含有机材料的单层或多层结构，并且可以提供平坦化的上表面。平坦化层118可以包括一般的通用聚合物(苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟化物基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物及其混合物。
在基板100的显示区域DA中，有机发光二极管OLED在平坦化层118上。有机发光二极管OLED包括像素电极310、包括有机发光层的中间层320、以及相对电极330。
像素电极310可以是(半)透射电极或反射电极。在一些示例性实施例中，像素电极310可以包括反射层和设置在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物。透明或半透明电极层可以包括选自由下述组成的组中的至少一种：氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(“In2O3”)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)。在一些示例性实施例中，像素电极310可以包括按ITO/Ag/ITO的顺序的叠层。
像素限定层119可以在平坦化层118上。另外，像素限定层119增加了像素电极310的边缘与像素电极310上的相对电极330之间的距离，以防止在像素电极310边缘处的电弧的产生。
像素限定层119可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂组成的组中的一种或多种有机绝缘材料，并且可以通过旋涂法等来制造。
有机发光二极管OLED的中间层320可以包括有机发光层。有机发光层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发光层可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(“HTL”)、空穴注入层(“HIL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)的功能层可以选择性地布置在有机发光层下方以及在有机发光层上。中间层320可以被提供为若干块，使得每块对应于多个像素电极310中的每一个。然而，本发明不限于此。中间层320可以进行各种修改，即，可以提供为一体的以覆盖多个像素电极310。
在附图中，为第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每一个提供了中间层320，但是本发明不限于此。中间层320可以相对于第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3整合地形成为一体的。
在示例性实施例中，包括在第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的有机发光二极管OLED可以包括发射相同颜色光的有机发光层。例如，包括在第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的有机发光二极管OLED可以全部发射蓝光。
相对电极330可以是透射电极或反射电极。在一些示例性实施例中，相对电极330可以是透明或半透明电极，并且可以被提供为包括具有小的功函数的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物的金属薄膜。另外，可以在金属薄膜上方进一步提供诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(“TCO”)层。相对电极330布置在整个显示区域DA和外围区域PA中，并且布置在中间层320和像素限定层119上。相对电极330可以相对于多个有机发光二极管OLED整合地提供，以对应于多个像素电极310。
间隔物119S可以进一步提供在像素限定层119上用于防止掩模凹陷。间隔物119S可以与像素限定层119整合地制造。例如，间隔物119S和像素限定层119可以通过使用半色调掩模工艺在相同工艺中同时制造。
因为有机发光二极管OLED容易被外部湿气或氧气所损坏，所以有机发光二极管OLED可以由薄膜封装层400覆盖和保护。薄膜封装层400覆盖显示区域DA并且可以延伸到显示区域DA的外部。薄膜封装层400包括至少一层有机封装层和至少一层无机封装层。例如，薄膜封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410覆盖相对电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。尽管在附图中未示出，但是如果需要，可以在第一无机封装层410和相对电极330之间提供诸如覆盖层的其它层。由于第一无机封装层410沿着在其下方的结构形成，因此第一无机封装层410具有不平坦的上表面。有机封装层420覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同，有机封装层420可以具有平坦的上表面。详细地，有机封装层420可以使对应于显示区域DA的部分的上表面平坦化。有机封装层420可以包括选自由下述组成的组中的一种或多种材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
即使在薄膜封装层400中出现裂纹时，由于在薄膜封装层400中的多层结构，裂纹在第一无机封装层410和有机封装层420之间或有机封装层420和第二无机封装层430之间可以被断开。这样，可以防止或减少外部湿气或氧气通过其进入显示区域DA的渗透路径的产生。
在示例性实施例中，第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G以及透射层120B可以在上基板160上，面对基板100。
已经描述了显示设备，但是本公开不限于此。例如，制造显示设备的方法也可以包括在本公开的范围内。
图11A至图11F是示出根据示例性实施例的一种制造显示设备的方法中的工艺的截面图。
图11A至图11E示出了形成参照图6的滤色器单元CU的工艺。在图11A至图11E中，为了便于描述，描述了各种层在+z方向上堆叠在上基板160上，但是如图11F中所示，根据示例性实施例的制造完的滤色器单元CU可以上下颠倒以附着到显示单元DU。因此，将以在上基板160上的堆叠顺序描述各层。图11A至图11E示出基于第一像素P1的制造工艺，但是第二像素P2和第三像素P3也可以通过与第一像素P1的制造工艺相同的制造工艺来进行制造。
图11A是示出遮光层130和第一过滤器层110R形成在上基板160上的状态的截面图。
参照图11A，可以在上基板160上形成遮光层130和第一过滤器层110R。在示例性实施例中，形成限定孔的遮光层130，并且在遮光层130的孔中形成第一过滤器层110R。上基板160可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、或者柔性或可弯曲的材料。此外，上基板160可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
遮光层130可以在第一过滤器层110R、第二过滤器层110G和第三过滤器层110B之间以对应于非发射区域NEA。遮光层130可以包括黑矩阵，并且可以改善颜色清晰度和对比度。遮光层130可以包括选自黑色颜料、黑色染料和黑色颗粒中的至少一种。在一些示例性实施例中，遮光层130可以包括诸如Cr、CrOX、Cr/CrOX、Cr/CrOX/CrNY、树脂(例如，碳颜料、RGB混合颜料)、石墨、非Cr基材料等的材料。
与图11A不同，在另一示例性实施例中，遮光层130的上表面130a与第一过滤器层110R的上表面110Ra之间可以存在高度差。例如，第一过滤器层110R的上表面110Ra的高度可以大于遮光层130的上表面130a的高度，或者上表面110Ra和上表面130a可以彼此重叠。
图11B是示出在第二绝缘层140形成在图11A的遮光层130上之后的状态的截面图。
参照图11B，第一开口141R在第一方向(即，+y方向)上的宽度W1可以大于第一过滤器层110R在第一方向(即，+y方向)上的宽度W0。
此外，第二绝缘层140可以包括遮光材料。遮光材料可以包括例如选自黑色颜料、黑色染料、黑色颗粒和金属颗粒中的至少一种。
图11C是示出在第一绝缘层150形成在图11B的第二绝缘层140上并且第二绝缘层140的被第一延伸部分152R暴露的表面170形成为具有疏水性之后的状态的截面图。
参照图11C，第一开口部分151R在第一方向(即，+y方向)上的宽度W2可以大于第一开口141R在第一方向(即，+y方向)上的宽度W1。
第二绝缘层140的表面170可以通过使用包括诸如CF4、SF6、NF3等的卤族元素的气体的气体等离子体工艺或通过氟涂层形成，其中表面170被第一延伸部分152R暴露。由于第一开口部分151R和第一开口141R之间的差异而暴露的第二绝缘层140的其余表面也可以具有疏水性。
图11C示出了其中第二绝缘层140的被第一延伸部分152R暴露的表面170具有疏水性并且因此表面170可以如图7中所示倾斜的示例。另外，如图8和图9中所示，第一绝缘层150和第二绝缘层140可以彼此整合。例如，可以使用半色调掩模通过相同工艺同时制造第一绝缘层150和第二绝缘层140。
图11D是示出其中第一颜色转换层120R通过使用喷嘴N形成在限定于第二绝缘层140中的第一开口141R中的状态的截面图。
由于在图11C中形成的具有疏水性的表面，从喷嘴N喷射的油墨没有停留在第二绝缘层140的被第一延伸部分152R暴露的表面170上，而是流到第一开口141R中以形成第一颜色转换层120R，如图11D中所示。然而，本发明不限于此，也就是说，如上所述，除了具有疏水性的表面之外，还可以使用例如倾斜表面等的其它各种方式。
图11E是示出在形成第一颜色转换层120R之后的状态的截面图，并且图11F是示出其中通过如图11A至11E中所示工艺形成的滤色器单元CU结合到显示单元DU的状态的截面图。
可以在基板100和上基板160之间进一步提供填充物500。填充物500可以缓冲外部压力等。填充物500可以包括有机材料，例如甲基硅酮、苯基硅酮、聚酰亚胺等。然而，一个或多个示例性实施例不限于此，并且填充物500可以包括诸如氨基甲酸酯基树脂、环氧基树脂或丙烯酸基树脂的有机密封剂，或者诸如硅酮的无机密封剂。
在根据示例性实施例的显示设备中，滤色器单元CU中的第一绝缘层150的第一开口部分151R包括第一延伸部分152R，并且当第二绝缘层140的表面170(其中表面170由于第一延伸部分152R而暴露)具有疏水性或倾斜时，可以使用布置成一行(在y方向上布置)的许多喷嘴，并且因此可以实现在每个制造工艺的节拍时间方面没有损失的效果。
另外，当第二绝缘层140的被第一延伸部分152R和第二延伸部分152G暴露的表面170具有疏水性或倾斜时，通过喷嘴喷射的油墨可以流到第一开口141R和第二开口141G中以分别形成第一颜色转换层120R和第二颜色转换层120G，并且因此可以实现在材料方面没有损失的效果。
根据上面的示例性实施例，可以实现在每个制造工艺的时间(即，节拍时间)方面没有损失的显示设备以及制造该显示设备的方法。然而，本公开的范围不限于上述效果。
应该理解的是，本文中所述示例性实施例应仅从描述的意义上考虑，并且不被考虑用于限制的目的。在每个示例性实施例中的特征或方面的描述典型地应被认为可用于其它示例性实施例中的其它类似特征或方面。尽管一个或多个示例性实施例已参照附图进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如下述权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
发射彼此不同颜色的光的第一像素、第二像素和第三像素；
在所述第一像素的第一显示元件上的第一绝缘层，所述第一绝缘层限定对应于所述第一显示元件的第一开口部分；
在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层限定对应于所述第一开口部分的第一开口；
设置在所述第一开口中的第一颜色转换层，所述第一颜色转换层包括用于将入射光转换为第一颜色光的第一量子点；以及
在所述第一颜色转换层上的第一过滤器层，
其中，所述第一开口部分具有在第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第一延伸部分。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备进一步包括：
对应于所述第二像素的第二显示元件的第二颜色转换层，所述第二颜色转换层包括用于将所述入射光转换为第二颜色光的第二量子点；以及
在所述第二颜色转换层上的第二过滤器层，
其中，所述第一绝缘层进一步限定对应于所述第二像素的所述第二显示元件的第二开口部分，
所述第二绝缘层进一步限定对应于所述第二开口部分的第二开口，
所述第二颜色转换层位于所述第二开口中，并且
所述第二开口部分包括在与所述第一方向相反的第二方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第二延伸部分。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述显示设备进一步包括：
对应于所述第三像素的第三显示元件的透射层，所述透射层包括用于散射所述入射光的散射颗粒；以及
在所述透射层上的第三过滤层，
其中，所述第一绝缘层进一步限定对应于所述第三像素的所述第三显示元件的第三开口部分，
所述第二绝缘层进一步限定对应于所述第三开口部分的第三开口，
所述透射层位于所述第三开口中，并且
所述第三开口部分包括在所述第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第三延伸部分。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一延伸部分、所述第二延伸部分和所述第三延伸部分在所述第一方向或所述第二方向上具有相同的宽度。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一像素的第一发射区域、所述第二像素的第二发射区域和所述第三像素的第三发射区域在平面图中具有正方形形状。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，将所述第一发射区域、所述第二发射区域和所述第三发射区域中的一个的中心连接到其它两个发射区域的中心的延伸线在平面图中彼此交叉。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个包括遮光材料。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面具有疏水性。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面是倾斜的。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层被彼此整合地提供。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面具有疏水性。
12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第二绝缘层的被所述第一延伸部分暴露的表面是倾斜的。
13.一种制造显示设备的方法，其中，所述方法包括：
制造显示单元；
制造滤色器单元；以及
将所述显示单元结合到所述滤色器单元，
其中，所述滤色器单元的所述制造包括：
在上基板上形成遮光层；
在由所述遮光层限定的孔中形成第一过滤器层；
在所述遮光层上形成限定第一开口的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成限定第一开口部分的第一绝缘层，其中，所述第一开口部分具有在第一方向上延伸并且至少部分地暴露所述第二绝缘层的第一延伸部分；以及
在所述第一开口中形成第一颜色转换层，所述第一颜色转换层包括用于将入射光转换为第一颜色光的第一量子点。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
处理所述第二绝缘层的表面以具有疏水性，
其中，所述表面被所述第一延伸部分暴露。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
处理所述第二绝缘层的表面以是倾斜的，
其中，所述表面被所述第一延伸部分暴露。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一绝缘层的所述形成和所述第二绝缘层的所述形成同时执行。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一绝缘层的所述形成和所述第二绝缘层的所述形成通过使用半色调掩模执行。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
处理所述第二绝缘层的表面以具有疏水性，
其中，所述表面被所述第一延伸部分暴露。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一颜色转换层的所述形成通过喷墨印刷方法执行。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个包括遮光材料。
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