CN112786640B - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。其中，阵列基板包括由阵列基板的中心至边缘依次排布的第一显示区和第二显示区，还包括衬底和依次设置于衬底一侧的像素驱动电路和多个电极，多个电极包括位于第一显示区的第一电极和位于第二显示区的第二电极，第二显示区中单位面积内第二电极的面积大于第一显示区中单位面积内第一电极的面积。本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，通过设置第二显示区中单位面积内第二电极的面积大于第一显示区中单位面积内第一电极的面积，降低第二电极的厚度，解决了由于从阵列基板边缘处加电导致的边缘处形成的电极更厚的问题，提高了Micro LED与阵列基板的键合良率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
微发光二极管(MicroLight Emitting Diode，Micro LED)显示器是一种将MicroLED以芯片的形式单独制作出来，然后通过巨量转移方法将其转移并键和到阵列基板的像素驱动电路上所构成的显示器，该种显示器具有显示性能好、体积小、功率低等优点，具有广泛的应用前景。
在将Micro-LED键和到阵列基板的像素驱动电路上时，可能会发生接触不良或者短路的现象，从而影响键和的良率。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，以提高键和良率。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括由所述阵列基板的中心向边缘依次排布的第一显示区和第二显示区；
所述阵列基板还包括衬底和依次设置于所述衬底一侧的像素驱动电路和多个电极，至少部分所述电极与所述像素驱动电路电连接；
多个所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区，所述第二电极位于所述第二显示区；
所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括多个微发光单元和第一方面所述的阵列基板；
所述微发光单元包括第三电极，所述第三电极通过至少部分所述电极与所述像素驱动电路电连接。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
第四方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，用于第一方面所述的阵列基板，所述制备方法包括：
在衬底一侧制备像素驱动电路；
在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧制备多个电极，其中，至少部分电极与所述像素驱动电路电连接，且多个所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区，所述第二电极位于所述第二显示区，所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积，所述第一显示区和所述第二显示区由所述阵列基板的中心向边缘依次排布。
本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，通过设置由阵列基板的中心向边缘排布的第一显示区和第二显示区，并设置第二显示区中单位面积内第二电极的面积大于第一显示区中单位面积内第一电极的面积，使得在电镀第二电极时对电解质溶液中金属离子的需求更大，进而使得电解质溶液中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极的反应速度变慢，进而降低第二电极的厚度，解决了由于加电电极从阵列基板的边缘处加电导致的阵列基板边缘处形成的电极更厚的问题，减小了第二电极与第一电极的厚度差距，使得阵列基板更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板的键合良率。
附图说明
图1为现有的一种显示面板的制备流程示意图；
图2为现有的一种显示面板的局部结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4为图3沿A-A’方向的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种电极的制备流程示意图；
图6为图5在B处的放大结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图8为图7沿C-C’方向的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图10为图9沿D-D’方向的剖面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图14为图13沿E-E’方向的剖面结构示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图16为图15沿F-F’方向的剖面结构示意图；
图17为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图18为图17沿G-G’方向的剖面结构示意图；
图19为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图20为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图21为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图22为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图23为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图24为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图25为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图26为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有的一种显示面板的制备流程示意图，图2为现有的一种显示面板的局部结构示意图。参见图1和图2，Micro LED晶片10在生长衬底11上单独制作出来，然后转运装置12利用范德华力粘附Micro LED晶片10，并将其按压到阵列基板13上，通过加热阵列基板13，使阵列基板13上像素驱动电路的金属连接电极14熔化，从而使得金属连接电极14与Micro LED晶片10的电极形成共晶结构，实现Micro LED晶片10和阵列基板11上像素驱动电路的连接。
发明人研究发现，由于阵列基板13和转运装置12都会有凹凸不平的情况，会存在一部分Micro LED晶片10与像素驱动电路的金属连接电极14接触时，另一部分Micro LED晶片10没有与金属连接电极14接触到的情况。具体的，如图2所示，存在阵列基板13部分区域的高度为h1，部分区域的高度为h2，其中，h1＞h2，将Micro-LED晶片10与金属连接电极14键合，高度为h1的区域金属连接电极14接触到Micro-LED晶片10时，高度为h2的区域金属连接电极14没有与金属连接电极14接触，从而使得高度为h2的区域中金属连接电极14无法与Micro LED晶片10连接，造成接触不良的问题。
继续参考图2，现有技术中通常采用厚度较大的金属连接电极14，在将Micro LED晶片10按压到阵列基板11上时，加大金属连接电极14熔化后的变形程度，以提升Micro LED晶片连接的概率，但是金属连接电极14变形程度较大容易造成Micro LED晶片的两个电极之间短路，影响显示面板的良率。
发明人继续研究发现，通过电镀工艺在未制备电极的阵列基板11上形成金属连接电极14时，会通过加电电极给阵列基板11加负电，使得阵列基板11上沉积一层金属，进而形成金属连接电极14。而通常加电电极从阵列基板的边缘处加电，由于电流从阵列基板11边缘传导至中间会有损耗，从而产生压降，使得阵列基板11边缘的电压高于阵列基板11中间的电压，且阵列基板11边缘的电流大于阵列基板11中间的电流，从而使得阵列基板11边缘处的成膜速度更快，进而形成的金属层的厚度更厚，导致最终形成的金属连接电极14在阵列基板11的边缘处较厚，在阵列基板11的中间处较薄，金属连接电极14的厚度不同导致了阵列基板11在不同区域的高度不同，进而影响Micro LED晶片与阵列基板的键合良率。
基于上述技术问题，本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括由阵列基板的中心向边缘依次排布的第一显示区和第二显示区，阵列基板还包括衬底和依次设置于衬底一侧的像素驱动电路和多个电极，至少部分电极与像素驱动电路电连接，多个电极包括第一电极和第二电极，第一电极位于第一显示区，第二电极位于第二显示区，第二显示区中单位面积内第二电极的面积大于第一显示区中单位面积内第一电极的面积。采用上述技术方案，通过设置由阵列基板的中心向边缘排布的第一显示区和第二显示区，并设置第二显示区中单位面积内第二电极的面积大于第一显示区中单位面积内第一电极的面积，使得在电镀第二电极时对电解质溶液中金属离子的需求更大，进而使得电解质溶液中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极的反应速度变慢，进而降低第二电极的厚度，解决了由于加电电极从阵列基板的边缘处加电导致的阵列基板边缘处形成的电极更厚的问题，减小了第二电极与第一电极的厚度差距，使得阵列基板更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板的键合良率。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图4为图3沿A-A’方向的剖面结构示意图，如图3和图4所示，本发明实施例提供的阵列基板20包括由阵列基板20的中心向边缘依次排布的第一显示区21和第二显示区22，阵列基板20还包括衬底30和依次设置于衬底30一侧的像素驱动电路31和多个电极32，至少部分电极32与像素驱动电路31电连接，多个电极32包括第一电极321和第二电极322，第一电极321位于第一显示区21，第二电极322位于第二显示区22，第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积。
具体的，如图3和图4所示，阵列基板20包括设置于衬底30一侧的像素驱动电路31,像素驱动电路31远离衬底30的一侧设置有多个电极32，部分电极32与像素驱动电路31电连接，后续将Micro LED等微发光单元通过该部分电极32与像素驱动电路31电连接，以使像素驱动电路31能够驱动微发光单元发光，实现画面显示功能。
图5为本发明实施例提供的一种电极的制备流程示意图，图6为图5在B处的放大结构示意图，如图5和图6所示，通过电镀工艺在未制备电极32(图中未标出)的阵列基板20上形成电极32。具体的，将未制备电极32的阵列基板20固定在夹具40上，并放置在电解质溶液42中，借助外界直流电的作用，在电解质溶液42中进行电解反应，从而使得阵列基板20的表面沉积金属层，进而形成电极32。
继续参考图5和图6，以电解质溶液42为硫酸铜镀液为例，电解质溶液42含有铜离子(Cu2+)，给阳极43加正电，并通过加电电极41给阴极(阵列基板20)加负电，铜离子(Cu2+)会在阴极(阵列基板20)还原(得到电子)沉积一层金属铜，进而形成电极32。
需要注意的是，本发明实施例仅以电镀金属铜为例，在其他实施例中，也可电镀其他金属层以形成电极32，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
继续参考图5和图6，发明人研究发现，通常加电电极41从阵列基板20的边缘处加电，由于电流从阵列基板20边缘传导至中间会有损耗，从而产生压降，使得阵列基板20边缘的电压高于阵列基板20中间的电压，且阵列基板20边缘的电流大于阵列基板20中间的电流，从而使得阵列基板20边缘处的电解反应更快，成膜速度更快，进而形成的金属层的厚度更厚，导致最终形成的电极32(图中未标出)在阵列基板20的边缘处较厚，在阵列基板20的中间处较薄，电极32的厚度不同导致阵列基板20在不同区域的高度不同，进而影响MicroLED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
继续参考图3-6，在阵列基板20上设置第一显示区21和第二显示区22，第一显示区21和第二显示区22由阵列基板20的中心向边缘排布，通过设置第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，由于电解质溶液42中金属离子的浓度一定，电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，当电镀第二电极322时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，减小第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高MicroLED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
本发明实施例提供的显示面板，通过设置由阵列基板20的中心向边缘排布的第一显示区21和第二显示区22，并设置第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，进而使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，解决了由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的电极32更厚的问题，减小了第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
继续参考图3和图4，可选的，像素驱动电路31包括多个第一驱动单元311和多个第二驱动单元312，第一驱动单元311位于第一显示区21，第二驱动单元312位于第二显示区22。第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，第二连接电极52的面积大于第一连接电极51的面积。
其中，第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量可与第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量相等，第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量也可与第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量不相等，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
继续参考图3和图4，本发明实施例以第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量与第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量相等为例，第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第一连接电极51与第一驱动单元311电连接，以使第一驱动单元311能够驱动微发光单元发光，实现第一显示区21的画面显示功能。同样，第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第二连接电极52与第二驱动单元312电连接，以使第二驱动单元312能够驱动微发光单元发光，实现第二显示区22的画面显示功能。
继续参考图3-6，通过设置第二连接电极52的面积大于第一连接电极51的面积，使得在电镀第二连接电极52时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，由于电解质溶液42中金属离子的浓度一定，电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，当电镀第二连接电极52时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二连接电极52对金属离子的消耗速度，会使电镀第二连接电极52的反应速度变慢，进而降低第二连接电极52的厚度，解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的第二连接电极52更厚的问题，减小了第二连接电极52与第一连接电极51的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图8为图7沿C-C’方向的剖面结构示意图，如图7和图8所示，可选的，像素驱动电路31包括多个第一驱动单元311和多个第二驱动单元312，第一驱动单元311位于第一显示区21，第二驱动单元312位于第二显示区22，第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，第二电极322还包括至少一个第二辅助电极54，第二辅助电极54分别与第二驱动单元312和第二连接电极52绝缘。
其中，如图7和图8所示，本发明实施例以第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量与第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量相等为例，第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，MicroLED等微发光单元可通过第一连接电极51与第一驱动单元311电连接，以使第一驱动单元311能够驱动微发光单元发光，实现第一显示区21的画面显示功能。同样，第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第二连接电极52与第二驱动单元312电连接，以使第二驱动单元312能够驱动微发光单元发光，实现第二显示区22画面显示功能。
继续参考图5-8，通过设置第二电极322还包括至少一个第二辅助电极54，增大第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，由于电解质溶液42中金属离子的浓度一定，电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，当电镀第二电极322时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的第二电极322更厚的问题，减小了第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
其中，第二辅助电极54分别与第二驱动单元312和第二连接电极52绝缘，从而避免相邻第二连接电极52之间发生短路，保证阵列基板20的稳定性。
需要注意的是，第二辅助电极54的数量、尺寸、形状和位置均可根据实际需求进行任意设置，只要能够增大第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积即可，本发明实施例仅以第二辅助电极54为矩形为例，在其他实施例中，第二辅助电极54还可以设置为圆形、其他任意多边形、网状等任意形状，可设置第二辅助电极54均匀排布，从而能够弱化第二辅助电极54在视觉上的突兀感，有助于提高画面显示效果。
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图10为图9沿D-D’方向的剖面结构示意图，如图9和图10所示，可选的，第一电极321还包括至少一个第一辅助电极53，第一辅助电极53分别与第一驱动单元311和第一连接电极51绝缘，第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积。
其中，如图9和图10所示，本发明实施例以第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量与第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量相等为例，第一电极321还包括至少一个第一辅助电极53，第一辅助电极53分别与第一驱动单元311和第一连接电极51绝缘，从而避免相邻第一连接电极51之间发生短路，保证阵列基板20的稳定性。
通过设置第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积，以使第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积较大，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，由于电解质溶液42中金属离子的浓度一定，电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，当电镀第二电极322时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的第二电极322更厚的问题，减小了第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
需要注意的是，可通过增加第二显示区22中第二辅助电极54的数量、增大第二显示区22中第二辅助电极54的面积、或其他任意方式实现第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
示例性的，如图9和图10所示，第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的数量与第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的数量相同，通过增大第二辅助电极54宽度来增大第二辅助电极54的面积，从而实现第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积。
图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图11所示，示例性的，第一辅助电极53的面积与第二辅助电极54的面积相同，通过增加第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的数量来实现第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积。
在其他实施例中，还可采用其他方式实现第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积，本发明实施例对此不作限定。
继续参考图9-11，可选的，第二连接电极52的面积大于或等于第一连接电极51的面积。
示例性的，如图9-11所示，以第二连接电极52的面积大于第一连接电极51的面积为例，在设置第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积较大的同时，使得第二连接电极52的面积大于第一连接电极51的面积，以进一步增大第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，由于电解质溶液42中金属离子的浓度一定，电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，当电镀第二电极322时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的第二电极322更厚的问题，减小了第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图12所示，示例性的，在设置第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积较大的同时，也可设置第二连接电极52的面积等于第一连接电极51的面积，本发明实施例对此不作限定。
图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图14为图13沿E-E’方向的剖面结构示意图，如图13和图14所示，可选的，本发明实施例提供的阵列基板20还包括过渡显示区23，过渡显示区23位于第一显示区21和第二显示区22之间，多个电极32包括过渡电极323，过渡电极323位于过渡显示区23。过渡显示区23中单位面积内过渡电极323的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，过渡显示区23中单位面积内过渡电极323的面积小于第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积。
具体的，继续参考图5和图6，发明人研究发现，加电电极41从阵列基板20的边缘处加电，由于电流从阵列基板20边缘传导至中间会有损耗，使得电压由阵列基板20边缘至中心逐渐降低，电流也由阵列基板20边缘至中心逐渐减小，从而使得阵列基板20由边缘至中心的成膜速度逐渐降低，进而形成的金属层由阵列基板20的边缘至中心逐渐减薄，导致最终形成的电极32由阵列基板20的边缘至中心逐渐减薄，电极32的厚度不同导致阵列基板20在不同区域的高度不同，进而影响Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
继续参考图13和图14，通过在第一显示区21和第二显示区22之间设置过渡显示区23，并设置过渡显示区23中单位面积内过渡电极323的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，过渡显示区23中单位面积内过渡电极323的面积小于第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积，使得在电镀过渡电极323时对电解质溶液42中金属离子的需求大于电镀第一电极321时对电解质溶液42中金属离子的需求，并小于电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求，由于电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，使得过渡电极323的成膜速度减慢的程度小于第二电极322的成膜速度减慢的程度，进而使阵列基板20不同区域的电极32厚度更加均匀，解决了由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的电极32更厚的问题，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
继续参考图13和图14，可选的，像素驱动电路31包括多个第一驱动单元311、多个第二驱动单元312和多个过渡驱动单元313，第一驱动单元311位于第一显示区21，第二驱动单元312位于第二显示区22，过渡驱动单元313位于过渡显示区23。第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，过渡电极323包括多个过渡连接电极55，过渡连接电极55与过渡驱动单元313一一对应连接，过渡连接电极55的面积大于第一连接电极51的面积，第二连接电极52的面积大于过渡连接电极55的面积。
其中，第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量、第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量以及过渡显示区23中单位面积内过渡驱动单元313的数量可以相等，也可以不相等，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
继续参考图13和图14，本发明实施例以第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量、第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量以及过渡显示区23中单位面积内过渡驱动单元313的数量相等为例，第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第一连接电极51与第一驱动单元311电连接，以使第一驱动单元311能够驱动微发光单元发光，实现第一显示区21的画面显示功能。第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第二连接电极52与第二驱动单元312电连接，以使第二驱动单元312能够驱动微发光单元发光，实现第二显示区22的画面显示功能。同样，过渡电极323包括多个过渡连接电极55，过渡连接电极55与过渡驱动单元313一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过过渡连接电极55与过渡驱动单元313电连接，以使过渡连接电极55能够驱动微发光单元发光，实现过渡显示区23的画面显示功能。
继续参考图13和图14，通过设置过渡连接电极55的面积大于第一连接电极51的面积，第二连接电极52的面积大于过渡连接电极55的面积，使得在电镀过渡连接电极55时对电解质溶液42中金属离子的需求大于电镀第一连接电极51时对电解质溶液42中金属离子的需求，并小于电镀第二连接电极52时对电解质溶液42中金属离子的需求，由于电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，使得过渡连接电极55的成膜速度减慢的程度小于第二连接电极52的成膜速度减慢的程度，进而使阵列基板20不同区域的电极32厚度更加均匀，解决了由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的电极32更厚的问题，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
图15为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图16为图15沿F-F’方向的剖面结构示意图，如图15和图16所示，可选的，像素驱动电路31包括多个第一驱动单元311、多个第二驱动单元312和多个过渡驱动单元313，第一驱动单元311位于所述第一显示区21，第二驱动单元312位于第二显示区22，过渡驱动单元313位于过渡显示区23。第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，过渡电极323包括多个过渡连接电极55，过渡连接电极55与过渡驱动单元313一一对应连接。第二电极322还包括至少一个第二辅助电极54，第二辅助电极54分别与第二驱动单元312和第二连接电极52绝缘，过渡电极323还包括至少一个过渡辅助电极56，过渡辅助电极56分别与过渡驱动单元313和过渡连接电极55绝缘，第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积。
其中，如图15和图16所示，本发明实施例以第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量、第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量以及过渡显示区23中单位面积内过渡驱动单元313的数量相等为例，第一电极321包括多个第一连接电极51，第一连接电极51与第一驱动单元311一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第一连接电极51与第一驱动单元311电连接，以使第一驱动单元311能够驱动微发光单元发光，实现第一显示区21的画面显示功能。第二电极322包括多个第二连接电极52，第二连接电极52与第二驱动单元312一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过第二连接电极52与第二驱动单元312电连接，以使第二驱动单元312能够驱动微发光单元发光，实现第二显示区22的画面显示功能。同样，过渡电极323包括多个过渡连接电极55，过渡连接电极55与过渡驱动单元313一一对应连接，Micro LED等微发光单元可通过过渡连接电极55与过渡驱动单元313电连接，以使过渡连接电极55能够驱动微发光单元发光，实现过渡显示区23的画面显示功能。
继续参考图15和图16，通过设置第二电极322还包括至少一个第二辅助电极54，过渡电极323还包括至少一个过渡辅助电极56，增大第二显示区22和过渡显示区23中单位面积内电极32的面积，使得第二显示区22和过渡显示区23在电镀电极32时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，会使电镀第二电极322和过渡电极323的反应速度变慢，进而降低第二电极322和过渡电极323的厚度，解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的电极32更厚的问题。其中，通过设置第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积，使得过渡电极323的成膜速度减慢的程度小于第二电极322的成膜速度减慢的程度，进而使阵列基板20不同区域的电极32厚度更加均匀，减小了第一电极321、第二电极322和过渡电极323的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
其中，第二辅助电极54分别与第二驱动单元312和第二连接电极52绝缘，从而避免相邻第二连接电极52之间发生短路，保证阵列基板20的稳定性。过渡辅助电极56分别与过渡驱动单元313和过渡连接电极55绝缘，从而避免相邻过渡连接电极55之间发生短路，保证阵列基板20的稳定性。
需要注意的是，第二辅助电极54和过渡辅助电极56的数量、尺寸、形状和位置均可根据实际需求进行任意设置，只要能够增大第二显示区22和过渡显示区23中单位面积内电极32的面积即可，本发明实施例仅以第二辅助电极54和过渡辅助电极56为矩形为例，在其他实施例中，第二辅助电极54和过渡辅助电极56还可以设置为圆形、其他任意多边形、网状等任意形状，可设置第二辅助电极54和过渡辅助电极56均匀排布，从而能够弱化第二辅助电极54和过渡辅助电极56在视觉上的突兀感，有助于提高画面显示效果。
并且，可通过增加第二显示区22中第二辅助电极54的数量、增大第二显示区22中第二辅助电极54的面积、或其他任意方式实现第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，此处不再赘述。
图17为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图18为图17沿G-G’方向的剖面结构示意图，如图17和图18所示，可选的，第一电极321还包括至少一个第一辅助电极53，第一辅助电极53分别与第一驱动单元311和第一连接电极51绝缘，过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积。
其中，如图17和图18所示，本发明实施例以第一显示区21中单位面积内第一驱动单元311的数量、第二显示区22中单位面积内第二驱动单元312的数量以及过渡显示区23中单位面积内过渡驱动单元313的数量相等为例，第一电极321还包括至少一个第一辅助电极53，第一辅助电极53分别与第一驱动单元311和第一连接电极51绝缘，从而避免相邻第一连接电极51之间发生短路，保证阵列基板20的稳定性。
通过设置过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积，以使电极32的面积由阵列基板20的中心至边缘依次增大，从而使得电极32的成膜速度由阵列基板20的中心至边缘的减慢程度依次增大，进而使阵列基板20不同区域的电极32厚度更加均匀，减小了第一电极321、第二电极322和过渡电极323的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
需要注意的是，可通过增加过渡显示区23中过渡辅助电极56的数量、增大过渡显示区23中过渡辅助电极56的面积、或其他任意方式实现过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，此处不再赘述。
继续参考图15-17，可选的，过渡连接电极55的面积大于或等于第一连接电极51的面积，第二连接电极52的面积大于或等于过渡连接电极55的面积。
示例性的，如图15-17所示，以过渡连接电极55的面积大于第一连接电极51的面积，第二连接电极52的面积大于过渡连接电极55的面积为例，在设置第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积，且过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积的同时，使得过渡连接电极55的面积大于第一连接电极51的面积，第二连接电极52的面积大于过渡连接电极55的面积，可进一步增大第一显示区21、第二显示区22以及过渡显示区23中单位面积内电极32的面积差距，有助于解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的电极32更厚的问题，并有助于减小第一电极321、第二电极322和过渡电极323的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
在其他实施例中，在第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积，且过渡显示区23中单位面积内过渡辅助电极56的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积的同时，也可设置过渡连接电极55的面积等于第一连接电极51的面积，第二连接电极52的面积等于过渡连接电极55的面积，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
图19为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图19所示，可选的，过渡显示区23包括至少一个过渡子显示区，至少一个过渡子显示区至少包括第一过渡子显示区231和第二过渡子显示区232，第二过渡子显示区232位于第一过渡子显示区231靠近阵列基板20的边缘的一侧，过渡电极323包括第一过渡电极3231和第二过渡电极3232，第一过渡电极3231位于第一过渡子显示区231，第二过渡电极3232位于第二过渡子显示区232。第一过渡子显示区231中单位面积内第一过渡电极3231的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，第二过渡子显示区232中单位面积内第二过渡电极3232的面积大于第一过渡子显示区231中单位面积内第一过渡电极3231的面积，第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积大于第二过渡子显示区232中单位面积内第二过渡电极3232的面积。
其中，通过设置过渡显示区23包括至少一个过渡子显示区，至少一个过渡子显示区至少包括第一过渡子显示区231和第二过渡子显示区232，并使第一过渡子显示区231中单位面积内第一过渡电极3231的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，第二过渡子显示区232中单位面积内第二过渡电极3232的面积大于第一过渡子显示区231中单位面积内第一过渡电极3231的面积，第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积大于第二过渡子显示区232中单位面积内第二过渡电极3232的面积，使得电极32的面积由阵列基板20的中心至边缘逐渐增大，从而使得电极32的成膜速度由阵列基板20的中心至边缘的减慢程度逐渐增大，减小了不同区域处电极32的厚度差距，有助于使阵列基板20更加平整，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
在其他实施例中，过渡显示区23可包括更多的过渡子显示区，从而有助于使阵列基板20更加平整，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
图20为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图，如图20所示，可选的，本发明实施例提供的阵列基板20还包括种子层24，种子层24用于电镀电极32，种子层24位于电极32靠近像素驱动电路31的一侧，且种子层24在衬底30所在平面的垂直投影与电极32在衬底30所在平面的垂直投影至少部分交叠。
其中，如图20所示，在像素驱动电路31远离衬底30的一侧设置种子层24，种子层24可采用金属材料，通过电镀工艺，电极32可由种子层24生长而成，种子层24为后续形成的电极32提供良好的导电层基础，并可提高电镀工艺或化学镀工艺的效率。
具体的，在制备阵列基板20时，先在衬底30一侧制备像素驱动电路31，再在像素驱动电路31远离衬底30的一侧设置一整层种子层24，然后在种子层24远离衬底30的一侧形成阻挡层，阻挡层包括镂空部，镂空部暴露部分种子层24。通过加电电极41给阵列基板20加负电，电流会经种子层24从阵列基板20的边缘传导至阵列基板20的中心，被阻挡层遮挡的种子层24不会形成电极32，被镂空部暴露的种子层24上形成电极32，从而通过调整阵列基板20不同区域的镂空部的面积，制备出不同面积的电极32，进而减小不同区域中电极32的厚度差异，使得阵列基板20更加平整，提高Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。后续去除阻挡层和被阻挡层覆盖的种子层24，以避免电极32之间短路。
图21为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图21所示，可选的，本发明实施例提供的阵列基板20为复合基板，复合基板包括子基板区201，一个子基板区201对应一个待形成的显示面板，至少一个子基板区201对应第一显示区21，至少另一个子基板区201对应第二显示区22。
其中，设置阵列基板20为复合基板，复合基板可为母板，母板为形成有像素驱动电路31的基板。具体的，在制备显示面板时，工业生产中会先在面积较大的母板上制备，然后通过切割分成多个显示面板，从而提高制备效率。
继续参考图21，复合基板包括多个子基板区201，一个子基板区201对应一个待形成的显示面板，即复合基板会分割为多个子基板区201，每个子基板区201在分割后形成一个显示面板。其中，至少一个子基板区201对应第一显示区21，至少另一个子基板区201对应第二显示区22，具体的，至少一个子基板区201与第一显示区21至少部分交叠，至少另一个子基板区201与第二显示区22至少部分交叠，例如，第一显示区21位于任一子基板区201内部，至少另一个子基板区201与第二显示区22至少部分交叠，或者，任意一个或多个子基板区201位于第一显示区21内部，至少另一个子基板区201与第二显示区22至少部分交叠。如图21所示，以一个子基板区201位于第一显示区21内部，至少另一个子基板区201与第二显示区22至少部分交叠为例，设置复合基板中心处的子基板区201位于第一显示区21内部，即将第一显示区21设置在复合基板的中心处，第一过渡子显示区231围绕第一显示区21设置，第二过渡子显示区232围绕第一过渡子显示区231设置，第二显示区22围绕第二过渡子显示区232设置，至少一个子基板区201与第二显示区22至少部分交叠，通过设置第一显示区21、第一过渡子显示区231、第二过渡子显示区232以及第二显示区22的电极32(图中未标出)依次增大，使得电极32的面积由阵列基板20的中心至边缘逐渐增大，以使电极32的成膜速度由阵列基板20的中心至边缘的减慢程度逐渐增大，进而减小不同区域处电极32的厚度差距，有助于使阵列基板20更加平整，进一步提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
需要注意的是，阵列基板20、子基板区201、第一显示区21、第一过渡子显示区231、第二过渡子显示区232以及第二显示区22的形状可根据实际需求分别进行设置，例如，如图19所示，阵列基板20、第一显示区21、第一过渡子显示区231、第二过渡子显示区232以及第二显示区22的边界可均为圆形；或者，如图21所示，阵列基板20和第二过渡子显示区232的边界为矩形、第一显示区21、第一过渡子显示区231以及第二显示区22的边界均为圆形；又或者，图22为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，如图22所示，阵列基板20、第一显示区21、第一过渡子显示区231、第二过渡子显示区232以及第二显示区22的边界可均为矩形，在其他实施例中，还可采用其他多边形等任意形状，本发明实施例对此不作限定。
继续参考图4，可选的，像素驱动电路31还包括层叠设置于衬底30一侧的有源层70、栅绝缘层GI、栅极层71、层间介质层IMD、绝缘中间层ILD、源漏电极层72以及平坦化层PLN，其中，有源层70、栅极层71和源漏电极层72可形成薄膜晶体管，从而实现驱动功能，在其他实施例中，本领域技术人员可根据实际需求设置像素驱动电路31的膜层结构，发明实施例对此不作限定。
继续参考图4，在衬底30靠近像素驱动电路31的一侧还设置有缓冲层Buffer，该缓冲层Buffer能够起到防震、缓冲和隔离的作用。
本发明实施例提供的阵列基板，通过使第二连接电极52的面积大于第一连接电极51的面积，或者使第二显示区22中单位面积内第二辅助电极54的面积大于第一显示区21中单位面积内第一辅助电极53的面积，以使第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积较大，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，由于电解质溶液42中金属离子的浓度一定，电解质溶液42中金属离子的补充速度一定，当电镀第二电极322时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，解决由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的第二电极322更厚的问题，减小了第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，提高了Micro LED等微发光单元与阵列基板20的键合良率。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，图23为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图23所示，本发明实施例提供的显示面板包括多个微发光单元80和上述任一实施例所提供的阵列基板20，微发光单元80包括第三电极81，第三电极81通过至少部分电极32与像素驱动电路31电连接。
示例性的，继续参考图23，微发光单元80包括第三电极81，通过将第三电极81与至少部分电极32键合，从而将微发光单元80与像素驱动电路31电连接，由于阵列基板20由中心向边缘排布有第一显示区21和第二显示区22，且第二显示区22中单位面积内第二电极322的面积大于第一显示区21中单位面积内第一电极321的面积，使得在电镀第二电极322时对电解质溶液42中金属离子的需求更大，进而使得电解质溶液42中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极322对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极322的反应速度变慢，进而降低第二电极322的厚度，解决了由于加电电极41从阵列基板20的边缘处加电导致的阵列基板20边缘处形成的电极32更厚的问题，减小了第二电极322与第一电极321的厚度差距，使得阵列基板20更加平整，从而提高了微发光单元80与阵列基板20的键合良率。
其中，第三电极81可包括阴极和阳极，相应的，电极32也包括阴极和阳极，可设置电极32中阴极和阳极的面积相同，从而使得阴极和阳极的厚度相当，使得阵列基板20更加平整，从而提高等微发光单元80与阵列基板20的键合良率。
其中，微发光单元80可以为微发光二极管(MicroLight Emitting Diode，MicroLED)，Micro LED具有显示性能好、体积小、功率低等优点，具有广泛的应用前景。
在其他实施例中，微发光单元80也可采用其他发光器件，本发明实施例对此不作限定。显示面板中还可包括用于实现显示功能的其他模块结构，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图24为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图24所示，该显示装置90包括本发明任意实施例所述的显示面板91，因此，本发明实施例提供的显示装置90具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置90可以为图24所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备上述任一实施例提供的阵列基板，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述，图25为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图，如图25所示，该方法包括如下步骤：
步骤110、在衬底一侧制备像素驱动电路。
步骤120、在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧制备多个电极，其中，至少部分电极与所述像素驱动电路电连接，且多个所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区，所述第二电极位于所述第二显示区，所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积，所述第一显示区和所述第二显示区由所述阵列基板的中心向边缘依次排布。
其中，在衬底一侧制备像素驱动电路，在像素驱动电路远离衬底的一侧制备多个电极，部分电极与像素驱动电路电连接，后续将Micro LED等微发光单元通过该部分电极与像素驱动电路电连接，以使像素驱动电路能够驱动微发光单元发光，实现画面显示功能。
在阵列基板上设置由阵列基板的中心向边缘排布的第一显示区和第二显示区，通过设置第二显示区中单位面积内第二电极的面积大于第一显示区中单位面积内第一电极的面积，使得在电镀第二电极时对电解质溶液中金属离子的需求更大，由于电解质溶液中金属离子的浓度一定，电解质溶液中金属离子的补充速度一定，当电镀第二电极时消耗金属离子的速度达到一定程度，使得电解质溶液中金属离子的补充速度不足以满足电镀第二电极对金属离子的消耗速度，会使电镀第二电极的反应速度变慢，进而降低第二电极的厚度，减小第二电极与第一电极的厚度差距，使得阵列基板更加平整，提高Micro LED等微发光单元与阵列基板的键合良率。
图26为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制备方法的流程示意图，如图26所示，可选的，在像素驱动电路31远离衬底30的一侧制备多个电极32，包括：
在像素驱动电路31远离衬底30的一侧形成种子层24。
在种子层24远离衬底30的一侧形成阻挡层25，阻挡层25包括镂空部251，镂空部251暴露部分种子层24。
在镂空部251暴露的种子层24上形成多个电极32。
去除阻挡层25和被阻挡层25覆盖的种子层24。
其中，如图26所示，在像素驱动电路31远离衬底30的一侧设置种子层24，种子层24可采用金属材料，通过电镀工艺，电极32可由种子层24生长而成，种子层24为后续形成的电极32提供良好的导电层基础，并可提高电镀工艺或化学镀工艺的效率。
具体的，在像素驱动电路31远离衬底30的一侧制备多个电极32时，在像素驱动电路31远离衬底30的一侧设置一整层种子层24，然后在种子层24远离衬底30的一侧形成阻挡层25，阻挡层25包括镂空部251，镂空部251暴露部分种子层24。通过加电电极给阵列基板加负电，电流会经种子层24从阵列基板的边缘传导至阵列基板的中心，被阻挡层25遮挡的种子层24不会形成电极32，被镂空部251暴露的种子层24上形成电极32，从而通过调整阵列基板不同区域的镂空部251的面积，制备出不同面积的电极32，进而减小不同区域中电极32的厚度差异，使得阵列基板更加平整，提高Micro LED等微发光单元与阵列基板的键合良率。后续去除阻挡层25和被阻挡层25覆盖的种子层24，以避免电极32之间短路。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (17)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括由所述阵列基板的中心向边缘依次排布的第一显示区和第二显示区；
所述阵列基板还包括衬底和依次设置于所述衬底一侧的像素驱动电路和多个电极，至少部分所述电极与所述像素驱动电路电连接；
多个所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区，所述第二电极位于所述第二显示区；
所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素驱动电路包括多个第一驱动单元和多个第二驱动单元，所述第一驱动单元位于所述第一显示区，所述第二驱动单元位于所述第二显示区；
所述第一电极包括多个第一连接电极，所述第一连接电极与所述第一驱动单元一一对应连接；所述第二电极包括多个第二连接电极，所述第二连接电极与所述第二驱动单元一一对应连接；
所述第二连接电极的面积大于所述第一连接电极的面积。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素驱动电路包括多个第一驱动单元和多个第二驱动单元，所述第一驱动单元位于所述第一显示区，所述第二驱动单元位于所述第二显示区；
所述第一电极包括多个第一连接电极，所述第一连接电极与所述第一驱动单元一一对应连接；所述第二电极包括多个第二连接电极，所述第二连接电极与所述第二驱动单元一一对应连接；
所述第二电极还包括至少一个第二辅助电极，所述第二辅助电极分别与所述第二驱动单元和所述第二连接电极绝缘。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极还包括至少一个第一辅助电极，所述第一辅助电极分别与所述第一驱动单元和所述第一连接电极绝缘；
所述第二显示区中单位面积内所述第二辅助电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一辅助电极的面积。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二连接电极的面积大于或等于所述第一连接电极的面积。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括过渡显示区，所述过渡显示区位于所述第一显示区和所述第二显示区之间；
多个所述电极包括过渡电极，所述过渡电极位于所述过渡显示区；
所述过渡显示区中单位面积内所述过渡电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积，所述过渡显示区中单位面积内所述过渡电极的面积小于所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素驱动电路包括多个第一驱动单元、多个第二驱动单元和多个过渡驱动单元，所述第一驱动单元位于所述第一显示区，所述第二驱动单元位于所述第二显示区，所述过渡驱动单元位于所述过渡显示区；
所述第一电极包括多个第一连接电极，所述第一连接电极与所述第一驱动单元一一对应连接；所述第二电极包括多个第二连接电极，所述第二连接电极与所述第二驱动单元一一对应连接；所述过渡电极包括多个过渡连接电极，所述过渡连接电极与所述过渡驱动单元一一对应连接；
所述过渡连接电极的面积大于所述第一连接电极的面积，所述第二连接电极的面积大于所述过渡连接电极的面积。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素驱动电路包括多个第一驱动单元、多个第二驱动单元和多个过渡驱动单元，所述第一驱动单元位于所述第一显示区，所述第二驱动单元位于所述第二显示区，所述过渡驱动单元位于所述过渡显示区；
所述第一电极包括多个第一连接电极，所述第一连接电极与所述第一驱动单元一一对应连接；所述第二电极包括多个第二连接电极，所述第二连接电极与所述第二驱动单元一一对应连接；所述过渡电极包括多个过渡连接电极，所述过渡连接电极与所述过渡驱动单元一一对应连接；
所述第二电极还包括至少一个第二辅助电极，所述第二辅助电极分别与所述第二驱动单元和所述第二连接电极绝缘；所述过渡电极还包括至少一个过渡辅助电极，所述过渡辅助电极分别与所述过渡驱动单元和所述过渡连接电极绝缘；
所述第二显示区中单位面积内所述第二辅助电极的面积大于所述过渡显示区中单位面积内所述过渡辅助电极的面积。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极还包括至少一个第一辅助电极，所述第一辅助电极分别与所述第一驱动单元和所述第一连接电极绝缘；
所述过渡显示区中单位面积内所述过渡辅助电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一辅助电极的面积。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板，其特征在于，
所述过渡连接电极的面积大于或等于所述第一连接电极的面积，所述第二连接电极的面积大于或等于所述过渡连接电极的面积。
11.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述过渡显示区包括至少一个过渡子显示区，至少一个所述过渡子显示区至少包括第一过渡子显示区和第二过渡子显示区，所述第二过渡子显示区位于所述第一过渡子显示区靠近所述阵列基板的边缘的一侧；
所述过渡电极包括第一过渡电极和第二过渡电极，所述第一过渡电极位于所述第一过渡子显示区，所述第二过渡电极位于所述第二过渡子显示区；
所述第一过渡子显示区中单位面积内所述第一过渡电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积，所述第二过渡子显示区中单位面积内所述第二过渡电极的面积大于所述第一过渡子显示区中单位面积内所述第一过渡电极的面积，所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积大于所述第二过渡子显示区中单位面积内所述第二过渡电极的面积。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括种子层，所述种子层用于电镀所述电极；
所述种子层位于所述电极靠近所述像素驱动电路的一侧，且所述种子层在所述衬底所在平面的垂直投影与所述电极在所述衬底所在平面的垂直投影至少部分交叠。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为复合基板，所述复合基板包括子基板区，一个所述子基板区对应一个待形成的显示面板，至少一个所述子基板区对应所述第一显示区，至少另一个所述子基板区对应所述第二显示区。
14.一种显示面板，其特征在于，包括多个微发光单元和权利要求1-13中任一项所述的阵列基板；
所述微发光单元包括第三电极，所述第三电极通过至少部分所述电极与所述像素驱动电路电连接。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14所述的显示面板。
16.一种阵列基板的制备方法，用于制备权利要求1-13任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底一侧制备像素驱动电路；
在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧制备多个电极，其中，至少部分电极与所述像素驱动电路电连接，且多个所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区，所述第二电极位于所述第二显示区，所述第二显示区中单位面积内所述第二电极的面积大于所述第一显示区中单位面积内所述第一电极的面积，所述第一显示区和所述第二显示区由所述阵列基板的中心向边缘依次排布。
17.根据权利要求16所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧制备多个电极，包括：
在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成种子层；
在种子层远离所述衬底的一侧形成阻挡层，所述阻挡层包括镂空部，所述镂空部暴露部分所述种子层；
在所述镂空部暴露的所述种子层上形成多个电极；
去除阻挡层和被阻挡层覆盖的种子层。
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