CN112768959B - 天线组件和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种天线组件及电子设备，天线组件包括第一天线单元、第二天线单元、第二隔离器件及第一接近感测器件，第一天线单元包括第一辐射体及电连接第一辐射体的第一射频前端单元，第二天线单元包括第二辐射体、第二射频前端单元及至少一个第一隔离器件，第一隔离器件电连接于第二辐射体与第二射频前端单元之间，第二辐射体与第一辐射体之间形成第一缝隙，并通过第一缝隙与第一辐射体容性耦合；第二隔离器件的一端电连接于第二辐射体与第一隔离器件之间或电连接第二辐射体；第一接近感测器件电连接于第二隔离器件的另一端。本申请提供了一种提高通信质量及利于整机小型化的天线组件及电子设备。

Description

天线组件和电子设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种天线组件和电子设备。

背景技术

随着技术的发展，手机等具有通信功能电子设备的普及度越来越高，且功能越来越强大。电子设备中通常包括天线组件以实现电子设备的通信功能。如何在提高电子设备的通信质量的同时还能够促进电子设备的小型化，成为需要解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种提高通信质量及利于整机小型化的天线组件及电子设备。

第一方面，本申请实施例提供一种天线组件，包括：

第一天线单元，用于收发第一频段的电磁波信号，所述第一天线单元包括第一辐射体及电连接所述第一辐射体的第一射频前端单元；

第二天线单元，用于收发第二频段的电磁波信号，所述第二频段的最大值小于所述第一频段的最小值，所述第二天线单元包括第二辐射体、第二射频前端单元及至少一个第一隔离器件，所述第一隔离器件电连接于所述第二辐射体与所述第二射频前端单元之间，用于隔离待测主体靠近第二辐射体时产生的第一感应信号及导通所述第二频段的电磁波信号，所述第二辐射体与所述第一辐射体之间形成第一缝隙，并通过所述第一缝隙与所述第一辐射体容性耦合；

第二隔离器件，所述第二隔离器件的一端电连接于所述第二辐射体与所述第一隔离器件之间或电连接所述第二辐射体，所述第二隔离器件用于隔离所述第二频段的电磁波信号及导通所述第一感应信号；及

第一接近感测器件，电连接于所述第二隔离器件的另一端，用于感测所述第一感应信号的大小。

第二方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括控制器及所述的天线组件，所述控制器用于根据所述第一接近感测器件检测到所述待测主体与所述第二辐射体之间的接近状态，调整所述第一天线单元、所述第二天线单元及所述第三天线单元中的至少一者的功率。

本申请实施例提供的天线组件，通过设计第一天线单元的第一辐射体与第二天线单元与第二辐射体之间形成第一缝隙，其中，第一天线单元用于收发相对较高频段的电磁波信号，第二天线单元用于收发相对较低频段的电磁波信号，一方面，使得天线组件工作时第一辐射体与第二辐射体能够容性耦合，以产生更多模式，提高天线组件的频宽，另一方面，第一天线单元和第二天线单元的频段一中高一低，有效地提高第一天线单元与第二天线单元之间的隔离度，利于天线组件辐射所需频段的电磁波信号，由于第一天线单元和第二天线单元之间的辐射体实现可了相互复用，实现多天线单元共体，所以天线组件在增加频宽的同时，还能够减小天线组件的整体体积，利于电子设备的整体小型化；进一步地，复用天线组件上的辐射体为人体等待测主体靠近的感应电极，并通过第一隔离器件、第二隔离器件分别对感应信号和电磁波信号进行隔离，实现了天线组件的通信性能和感应待测主体的作用，进一步地提高电子设备的器件利用率，减小电子设备的整体体积。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是图1提供的电子设备的分解示意图；

图3是本申请实施例提供的一种天线组件的结构示意图；

图4是图3提供的第一种天线组件的电路结构示意图；

图5是图4提供的第一天线单元工作的几种谐振模式的回波损耗曲线图；

图6是本申请实施例提供的第一种第一调频滤波电路的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的第二种第一调频滤波电路的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的第三种第一调频滤波电路的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的第四种第一调频滤波电路的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的第五种第一调频滤波电路的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的第六种第一调频滤波电路的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的第七种第一调频滤波电路的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的第八种第一调频滤波电路的结构示意图；

图14是图4提供的第二天线单元工作的几种谐振模式的回波损耗曲线图；

图15是图3提供的第二种天线组件的电路结构示意图；

图16是图3提供的第三种天线组件的电路结构示意图；

图17是图3提供的第四种天线组件的电路结构示意图；

图18是图3提供的第五种天线组件的电路结构示意图；

图19是图4提供的第三天线单元工作的几种谐振模式的回波损耗曲线图；

图20是图4提供的第一天线单元的等效电路图；

图21是图3提供的第四种天线组件的电路结构示意图；

图22是图4提供的第二天线单元的等效电路图；

图23是图3提供的第五种天线组件的电路结构示意图；

图24是图2中的中框的结构示意图；

图25是本申请实施例提供的第一种天线组件设于壳体上的结构示意图；

图26是本申请实施例提供的第二种天线组件设于壳体上的结构示意图；

图27是本申请实施例提供的第三种天线组件设于壳体上的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请所列举的实施例之间可以适当的相互结合。

请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备1000的结构示意图。电子设备1000可以为电话、电视、平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、耳机、手表、可穿戴设备、基站、车载雷达、客户前置设备(Customer Premise Equipment，CPE)等能够收发电磁波信号的设备。以电子设备1000为手机为例，为了便于描述，以电子设备1000处于第一视角为参照进行定义，电子设备1000的宽度方向定义为X向，电子设备1000的长度方向定义为Y向，电子设备1000的厚度方向定义为Z向。箭头所指示的方向为正向。

请参阅图2，电子设备1000包括天线组件100。天线组件100用于收发射频信号，以实现电子设备1000的通讯功能。天线组件100的至少部分器件设于电子设备1000的主板200上。可以理解的，电子设备1000还包括显示屏300、电池400、壳体500、摄像头、麦克风、受话器、扬声器、人脸识别模组、指纹识别模组等等能够实现手机的基本功能的器件，在本实施例中不再赘述。

请参阅图3，天线组件100包括第一天线单元10、第二天线单元20及参考地极40。第一天线单元10用于收发第一频段的电磁波信号。第二天线单元20用于收发第二频段的电磁波信号。其中，第一频段与第二频段为不同的频段。具体的，第一频段的最小值大于第二频段的最大值。例如，第一频段为中高频段(Middle High Band，MHB)和超高频段(Ultra HighBand，UHB)，第二频段为低频段(Lower Band，LB)。其中，低频段为低于1000MHz，中高频段为1000MHz-3000MHz，超高频段为3000MHz-10000Mhz。换言之，第一天线单元10和第二天线单元20为收发不同频段的天线单元，如此，天线组件100的频宽较大。

请参阅图4，第一天线单元10至少包括第一辐射体11及第一射频前端单元61。第一辐射体11电连接第一射频前端单元61。第一射频前端单元61至少包括第一信号源12、第一调频滤波电路M1。

本申请对于第一辐射体11的形状不做具体的限定。第一辐射体11的形状包括但不限于条状、片状、杆状、线状、涂层、薄膜等。本实施例中，第一辐射体11为长条形。

第一辐射体11包括相对设置的第一接地端G1及第一耦合端H1，以及设于第一接地端G1与第一耦合端H1之间的第一馈电点A。

第一接地端G1电连接参考地极40。参考地极40包括第一参考地极GND1。第一接地端G1电连接第一参考地极GND1。

第一调频滤波电路M1设于第一馈电点A与第一信号源12之间。具体的，第一信号源12电连接第一调频滤波电路M1的输入端，第一调频滤波电路M1的输出端电连接至第一辐射体11的第一馈电点A。第一信号源12用于产生激励信号(也称为射频信号)，第一调频滤波电路M1用于过滤第一信号源12传送的激励信号的杂波，得到中高频及超高频频段的激励信号，并将该中高频及超高频频段的激励信号传送至第一辐射体11，以使第一辐射体11收发第一频段的电磁波信号。

请参阅图4，第二天线单元20包括第二辐射体21、第二射频前端单元62及至少一个第一隔离器件71。天线组件还包括至少一个第二隔离器件72。第二射频前端单元62包括第二信号源22、第二调频滤波电路M2。第一射频前端单元61所电连接的参考地极与第二射频前端单元62所电连接的参考地极可为同一个参考地极。

第一隔离器件71设于第二辐射体21与第二射频前端单元62之间。第一隔离器件71用于隔离待测主体靠近第二辐射体21时产生的第一感应信号及对所述第二频段的电磁波信号导通。

第二隔离器件72的一端电连接于第二辐射体21与第一隔离器件71之间或第二辐射体21。第二隔离器件72用于隔离第二频段的电磁波信号及对第一感应信号导通。

第一接近感测器件81电连接于第二隔离器件72的另一端。第一接近感测器件81用于感测第一感应信号的大小。本实施例中，待测主体为人体，由于待测主体表面具有电荷，当待测主体靠近第二辐射体21时，第二辐射体21表面的电荷发生变化，表现为第一感应信号变化。

具体的，第一隔离器件71包括隔离电容，第二隔离器件72包括隔离电感。其中，待测主体靠近第二辐射体21时，第二辐射体21产生的第一感应信号为直流信号。电磁波信号为交流信号。通过在第二辐射体21与第二射频前端单元62之间设置第一隔离器件71，以使第一感应信号不会经第二辐射体21流向第二射频前端单元62，以影响第二天线单元20的信号收发。第一隔离器件71使得第二辐射体21相对于直流信号呈“悬浮”状态，来感应人体靠近时带来的电容变化。通过在第一接近感测器件81与第二辐射体21之间设置第二隔离器件72，以使电磁波信号不会经第二辐射体21流向第一接近感测器件81，提高第一接近感测器件81对于第一感应信号的感测效率。本申请对于第一接近感测器件81的具体结构不做限定，第一接近感测器件81包括但不限于为用于感测电容变化或电感变化的传感器。

本申请对于第二辐射体21的形状不做具体的限定。第二辐射体21的形状包括但不限于条状、片状、杆状、涂层、薄膜等。本实施例中，第二辐射体21为长条形。

请参阅图4，第二辐射体21包括相对设置的第二耦合端H2及第三耦合端H3，以及设于第二耦合端H2及第三耦合端H3之间的第二馈电点C。

第二耦合端H2与第一耦合端H1之间间隔设置，形成第一缝隙101。换言之，第二辐射体21与第一辐射体11之间形成第一缝隙101。第一辐射体11与第二辐射体21之间通过第一缝隙101容性耦合。“容性耦合”是指，第一辐射体11与第二辐射体21之间产生电场，第一辐射体11的信号能够通过电场传递至第二辐射体21，第二辐射体21的信号能够通过电场传递至第一辐射体11，以使第一辐射体11与第二辐射体21即使在断开的状态下也能够实现电信号导通。

本申请对于第一缝隙101的尺寸不做具体的限定，本实施例中，第一缝隙101的尺寸小于或等于2mm，但不限于此尺寸，以便于第一辐射体11与第二辐射体21之间形成容性耦合。

本申请对于第一辐射体11、第二辐射体21的具体形成方式不做具体的限定。第一辐射体11为柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)天线辐射体或者为激光直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)天线辐射体、或者为印刷直接成型(Print DirectStructuring，PDS)天线辐射体、或者为金属枝节等；所述第二辐射体21为FPC天线辐射体或者为LDS天线辐射体、或者为PDS天线辐射体、或者为金属枝节等。

具体的，第一辐射体11、第二辐射体21的材质皆为导电材质，具体的材质包括但不限于金属、透明导电氧化物(例如氧化铟锡ITO)、碳纳米管、石墨烯等等。本实施例中，第一辐射体11的材质为金属材质，例如，银、铜等。

第二调频滤波电路M2设于第二馈电点C与第二信号源22之间。具体的，第二信号源22电连接第二调频滤波电路M2的输入端，第二调频滤波电路M2的输出端电连接至第二辐射体21。第二信号源22用于产生激励信号，第二调频滤波电路M2用于过滤第二信号源22传送的激励信号的杂波，得到低频段的激励信号，并将该低频段的激励信号传送至第二辐射体21，以使第二辐射体21收发第二频段的电磁波信号。

当天线组件100应用于电子设备1000中时，第一信号源12、第二信号源22、第一调频滤波电路M1、第二调频滤波电路M2皆可设置在电子设备1000的主板200上。在本实施方式中，第一调频滤波电路M1及第二调频滤波电路M2的设置可是第一天线单元10及第二天线单元20收发不同频段的电磁波信号，从而提高第一天线单元10及第二天线单元20的隔离度。换而言之，第一调频滤波电路M1及第二调频滤波电路M2还可隔离第一天线单元10收发的电磁波信号及第二天线单元20收发的电磁波信号互不干扰。

第一天线单元10用于产生多个第一谐振模式。而且，至少一个第一谐振模式由第一辐射体11与第二辐射体21容性耦合产生。

请参阅图5，多个第一谐振模式至少包括第一子谐振模式a、第二子谐振模式b、第三子谐振模式c及第四子谐振模式d。需要说明的是，多个第一谐振模式还包括除上述列举出来的谐振模式之外的其他模式，以上的四种谐振模式仅仅是相对效率较高的模式。

其中，第二子谐振模式b、第三子谐振模式c皆由第一辐射体11和第二辐射体21耦合产生。第一子谐振模式a的频段、第二子谐振模式b的频段、第三子谐振模式c的频段及第四子谐振模式d的频段分别对应第一子频段、第二子频段、第三子频段及第四子频段。在一实施方式中，第一子频段为1900～2000MHz之间；第二子频段为2600～2700MHz之间；第三子频段为3800～3900MHz之间；第四子频段为4700～4800MHz之间。换言之，多个第一谐振模式的电磁波信号位于中高频段(1000MHz-3000MHz)和超高频段内(3000MHz-10000MHz)。通过调节上述的谐振模式的谐振频点，可实现第一天线单元10对于中高频、超高频的全覆盖，及在所需频段得到较高的效率。

由上可知，当第一天线单元10不具有耦合天线单元时，第一天线单元10产生第一子谐振模式a和第四子谐振模式d。当第一天线单元10与第二天线单元20耦合时，第一天线单元10不仅仅产生第一子谐振模式a、第四子谐振模式d，还产生第二子谐振模式b、第三子谐振模式c，如此，可知天线组件100的频宽增加。

由于第一辐射体11及第二辐射体21间隔设置且相互耦合，也即，第一辐射体11及第二辐射体21共口径。当天线组件100工作时，第一信号源12产生的第一激励信号可经由第一辐射体11耦合到第二辐射体21上。换而言之，第一天线单元10工作时不但可以利用第一辐射体11并且可以利用第二天线单元20中的第二辐射体21来收发电磁波信号，从而使得第一天线单元10可以工作在较宽的频段。同样地，第二辐射体21及第一辐射体11间隔设置且相互耦合，当天线组件100工作时，第二信号源22产生的第二激励信号也可经由第二辐射体21耦合到第一辐射体11上，换而言之，第二天线单元20工作时不但可以利用第二辐射体21并且还可以利用第一天线单元10中的第一辐射体11来收发电磁波信号，从而使得第二天线单元20可工作在较宽的频段。由于第二天线单元20工作时不但可利用第二辐射体21并且可利用第一辐射体11，第一天线单元10工作时不但可利用第一辐射体11还可利用第二辐射体21，不仅提高了天线组件100的辐射性能，还实现了辐射体的复用，也实现了空间的复用，有利于减小天线组件100的尺寸，利于减小电子设备1000的整体体积。

本申请实施例提供的天线组件100，通过设计第一天线单元10的第一辐射体11与第二天线单元20与第二辐射体21之间形成第一缝隙101，其中，第一天线单元10用于收发相对较高频段的电磁波信号，第二天线单元20用于收发相对较低频段的电磁波信号，一方面，使得天线组件100工作时第一辐射体11与第二辐射体21能够容性耦合，以产生更多模式，提高天线组件100的频宽，另一方面，第一天线单元10和第二天线单元20的频段一中高一低，有效地提高第一天线单元10与第二天线单元20之间的隔离度，利于天线组件100辐射所需频段的电磁波信号，由于第一天线单元10和第二天线单元20之间的辐射体实现可了相互复用，实现多天线单元共体，所以天线组件100在增加频宽的同时，还能够减小天线组件100的整体体积，利于电子设备1000的整体小型化；进一步地，复用天线组件100上的辐射体为检测人体等待测主体靠近的感应电极，并通过第一隔离器件71、第二隔离器件72分别对感应信号和电磁波信号进行隔离，实现了天线组件100的通信性能和感应待测主体的作用，进一步地提高电子设备1000的器件利用率，减小电子设备1000的整体体积。

相关技术中需要较多的天线单元或者需要增加辐射体的长度，才能支持到第一子谐振模式至第四子谐振模式，从而导致天线组件的体积较大。本申请实施例中的天线组件100中无需额外设置天线单元来支持第二子谐振模式b、第三子谐振模式c，因此，天线组件100的体积较小。设置额外的天线支持第二子谐振模式b以及设置额外的天线支持第三子谐振模式c还可导致天线组件100的成本较高；当天线组件100应用于电子设备1000中时增加了天线组件100与其他器件的堆叠难度。本申请实施例中天线组件100不需要额外设置天线来支持第二子谐振模式b、第三子谐振模式c，因此，天线组件100的成本较低；当天线组件100应用于电子设备1000中堆叠难度较低。此外，设置额外的天线支持第二子谐振模式b以及设置额外的天线支持第三子谐振模式c还可导致天线组件100的射频链路插损增加。本申请中天线组件100可减少射频链路插损。

第一天线单元10和第二天线单元20形成收发不同频段的电磁波的实施方式包括但不限于以下实施方式。

具体的，第一信号源12和第二信号源22可以为同一个信号源，也可以为不同的信号源。

在一种可能的实施方式中，第一信号源12和第二信号源22可以为同一个信号源。该同一个信号源分别朝向第一调频滤波电路M1和第二调频滤波电路M2发射激励信号，第一调频滤波电路M1为阻低频通中高超高频的滤波电路。第二调频滤波电路M2为阻中高超高频通低频的滤波电路。所以激励信号的中高超高频部分经第一调频滤波电路M1流向第一辐射体11，使得第一辐射体11收发第一频段的电磁波信号。激励信号的低频频部分经第二调频滤波电路M2流向第二辐射体21，以使第二辐射体21收发第二频段的电磁波信号。

在另一种可能的实施方式中，第一信号源12和第二信号源22为不同的信号源。第一信号源12和第二信号源22可集成为一个芯片或单独封装的芯片。第一信号源12用于产生第一激励信号，第一激励信号经由第一调频滤波电路M1加载在第一辐射体11上，以使得第一辐射体11收发第一频段的电磁波信号。第二信号源22用于产生第二激励信号，第二激励信号经由第二调频滤波电路M2加载在第二辐射体21上，以使得第二辐射体21收发第二频段的电磁波信号。

可以理解的，第一调频滤波电路M1包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第一调频滤波电路M1可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第一调频滤波电路M1的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而调节第一调频滤波电路M1的滤波范围，从而可使得第一天线单元10收发第一频段的电磁波信号。同样地，第二调频滤波电路M2包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第二调频滤波电路M2可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第二调频滤波电路M2的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而调节第二调频滤波电路M2的滤波范围，从而可使得第二天线单元20收发第二频段的电磁波信号。第一调频滤波电路M1及第二调频滤波电路M2也可称为匹配电路。

请一并参阅图6至图13，图6-图13分别为各个实施方式提供的第一调频滤波电路M1的示意图。第一调频滤波电路M1包括以下一种或多种电路。

请参阅图6，第一调频滤波电路M1包括电感L0与电容C0串联形成的带通电路。

请参阅图7第一调频滤波电路M1包括电感L0与电容C0并联形成的带阻电路。

请参阅图8第一调频滤波电路M1包括电感L0、第一电容C1、及第二电容C2。电感L0与第一电容C1并联，且第二电容C2电连接电感L0与第一电容C1电连接的节点。

请参阅图9，第一调频滤波电路M1包括电容C0、第一电感L1、及第二电感L2。电容C0与第一电感L1并联，且第二电感L2电连接电容C0与第一电感L1电连接的节点。

请参阅图10，第一调频滤波电路M1包括电感L0、第一电容C1、及第二电容C2。电感L0与第一电容C1串联，且第二电容C2的一端电连接电感L0未连接第一电容C1的第一端，第二电容C2的另一端电连接第一电容C1未连接电感L0的一端。

请参阅图11，第一调频滤波电路M1包括电容C0、第一电感L1、及第二电感L2。电容C0与第一电感L1串联，第二电感L2的一端电连接电容C0未连接第一电感L1的一端，第二电感L2的另一端电连接第一电感L1未连接电容C0的一端。

请参阅图12，第一调频滤波电路M1包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、及第二电感L2。第一电容C1与第一电感L1并联，第二电容C2与第二电感L2并联，且第二电容C2与第二电感L2并联形成的整体的一端电连接第一电容C1与第一电感L1并联形成的整体的一端。

请参阅图13，第一调频滤波电路M1包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、及第二电感L2，第一电容C1与第一电感L1串联形成第一单元111，第二电容C2与第二电感L2串联形成第二单元112，且第一单元111与第二单元112并联。

请参阅图14，第二天线单元20在工作时产生第二谐振模式。该第二谐振模式的频段位于1000MHz以下，例如，500～1000MHz。通过调节上述的谐振模式的谐振频点，可实现第二天线单元20对于低频的全覆盖，及在所需频段得到较高的效率。如此，第二天线单元20可收发低频段的电磁波信号，例如，4G(也称Long Term Evolution，LTE)与5G(也称NewRadio，NR)的所有低频段的电磁波信号。第二天线单元20和第一天线单元10同时工作时，可同时覆盖4G、5G所有低频段、中高频段、超高频段的电磁波信号，包括LTE-1/2/3/4/7/32/40/41，NR-1/3/7/40/41/77/78/79、Wi-Fi 2.4G、Wi-Fi 5G、GPS-L1、GPS-L5等，实现超宽带载波聚合(Carrier Aggregation，CA)及4G无线接入网与5G-NR的双连接(LTE NR DoubleConnect，ENDC)组合。

请参阅图15，第一天线单元10还包括第三隔离器件73。所述第三隔离器件73设于所述第一辐射体11与所述第一射频前端单元61之间及第一接地端G1与第一参考地极GND1之间，用于隔离所述待测主体靠近所述第一辐射体11时产生的第二感应信号及导通所述第一频段的电磁波信号。具体的，第三隔离器件73包括隔离电容。第三隔离器件73用于使第一辐射体11相对于直流信号为“悬浮”状态。

在第一种可能的实施方式中，请参阅图15，所述第二感应信号用于通过所述第一辐射体11与所述第二辐射体21的耦合作用使所述第二辐射体21产生子感应信号，所述第一接近感测器件81还用于感测所述子感应信号的大小。

本实施方式中，第一辐射体11与第二辐射体21皆作为感应待测主体靠近的感应电极，且第一辐射体11的接近感应路径为第一辐射体11、第二辐射体21至第一接近感测器件81。换言之，当待测主体靠近第一辐射体11时，第一辐射体11产生第二感应信号，该第二感应信号通过耦合作用使第二辐射体21产生子感应信号，这样第一接近感测器件81也能够感应到第一辐射体11处的待测主体。无需使用两个接近感测器件81，还充分利用了第一辐射体11与第二辐射体21之间的耦合作用及第一接近感测器件81，使第一辐射体11与第二辐射体21在接近检测时也能够复用，增加了器件的利用率，减小器件数量，进一步地促进电子设备1000集成化和小型化。

进一步地，请参阅图16，所述天线组件100还包括第四隔离器件74。所述第四隔离器件74的一端电连接于所述第一辐射体11与所述第三隔离器件73之间或电连接所述第一辐射体11，用于隔离所述第一频段的电磁波信号及导通所述第二感应信号。具体的，第四隔离器件74包括隔离电感。

在第二种可能的实施方式中，请参阅图16，所述天线组件100还包括第二接近感测器件82，所述第二接近感测器件82电连接于所述第四隔离器件74的另一端，用于感测所述第二感应信号的大小。具体的，第一辐射体11和第二辐射体21皆为感应待测主体靠近的感应电极，且第一辐射体11的接近感应路径与第二辐射体21的接近感应路径相互独立，可以准确地检测到待测主体靠近第一辐射体11或第二辐射体21，进而及时地响应上述的靠近行为。具体的，待测主体靠近第一辐射体11时，第一辐射体11产生的第二感应信号为直流信号。电磁波信号为交流信号。通过在第一辐射体11与第一射频前端单元61之间设置第三隔离器件73，以使第二感应信号不会经第一辐射体11流向第一射频前端单元61，以影响第一天线单元10的信号收发。通过在第二接近感测器件82与第一辐射体11之间设置第四隔离器件74，以使电磁波信号不会经第一辐射体11流向第二接近感测器件82，提高第二接近感测器件82对于第二感应信号的感测效率。

在其他实施方式中，可以利用第二辐射体21与第一辐射体11的耦合将第二辐射体21的感应信号经过第一辐射体11传输至第二接近感测器件82。

在第三种可能的实施方式中，请参阅图17，所述第四隔离器件74的另一端电连接所述第一接近感测器件81。所述第一辐射体11与所述第二辐射体21容性耦合时产生耦合感应信号。所述第一接近感测器件81还用于在所述待测主体靠近所述第一辐射体11和/或所述第二辐射体21时感应所述耦合感应信号的变化量。

具体的，第一辐射体11与第二辐射体12之间耦合时产生恒定电场，表现为产生稳定的耦合感应信号。当人体靠近该恒定电场时，该恒定电场会发生变化，表现为耦合感应信号的变化，根据耦合感应信号的变化量来检测人体的靠近。

本实施方式，第一辐射体11与第二辐射体12同时作为感应电极，可对于第一辐射体11所对应的区域、第二辐射体12所对应的区域及第一缝隙101所对应的区域内具有人体靠近时进行准确检测。无需使用两个接近感测器件81，还充分利用了第一辐射体11与第二辐射体21之间的耦合作用及第一接近感测器件81，使第一辐射体11与第二辐射体21在接近检测时也能够复用，增加了器件的利用率，减小器件数量，进一步地促进电子设备1000集成化和小型化。

本申请对于第二接近感测器件82的具体结构不做限定，第二接近感测器件82包括但不限于为用于感测电容变化或电感变化的传感器。

进一步地，天线组件100还包括第三天线单元30。第三天线单元30用于收发第三频段的电磁波信号。第三频段的最小值大于第二频段的最大值。可选的，第三频段等于第一频段；或者，第三频段与第一频段一部分重合，另一部分不重合；或者，第三频段与第一频段完全不重合，且第三频段的最小值大于第一频段的最大值；或者，第一频段与第三频段完全不重合，且第一频段的最小值大于第三频段的最大值。本实施例中，第一频段和第三频段的范围皆为1000～10000MHz。

请参阅图18，第三天线单元30包括第三辐射体31、第三射频前端单元63及第五隔离器件75。第三射频前端单元63包括第三信号源32、第三调频滤波电路M3。第一射频前端单元61的参考地极40、第二射频前端单元62所电连接的参考地极及第三射频前端单元63所电连接的参考地极为同一个参考地极。

所述天线组件100还包括第六隔离器件76及第三接近感测器件83。所述第三隔离器件73设于所述第三辐射体31与所述第三射频前端单元63之间及设于第二接地端G2与第二参考地极GND2之间，用于隔离所述待测主体靠近所述第三辐射体31时产生的第三感应信号及导通所述第三频段的电磁波信号。所述第六隔离器件76的一端电连接所述第三辐射体31与所述第三隔离器件73之间，用于隔离所述第三频段的电磁波信号及导通所述第三感应信号。所述第三接近感测器件83电连接于所述第六隔离器件76的另一端，用于感测所述第三感应信号的大小。

具体的，第五隔离器件75包括隔离电容，第六隔离器件76包括隔离电感。其中，待测主体靠近第三辐射体31时，第三辐射体31产生的第三感应信号为直流信号。电磁波信号为交流信号。通过在第三辐射体31与第三射频前端单元63之间设置第五隔离器件75，以使第三感应信号不会经第三辐射体31流向第三射频前端单元63，以影响第三天线单元30的信号收发。通过在第三接近感测器件83与第三辐射体31之间设置第六隔离器件76，以使电磁波信号不会经第三辐射体31流向第三接近感测器件83，提高第三接近感测器件83对于第三感应信号的感测效率。

本申请对于第三接近感测器件83的具体结构不做限定，第三接近感测器件83包括但不限于为用于感测电容变化或电感变化的传感器。

如此，上述的第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31中的任意一者或多者都可以作为感测待测主体(如人体)接近时的感应电极。

第三辐射体31与第二辐射体21之间形成第二缝隙102。第三辐射体31通过第二缝隙102与第二辐射体21容性耦合。具体的，第三辐射体31包括设于两端的第四耦合端H4和第二接地端G2，以及设于第四耦合端H4和第二接地端G2之间的第三馈电点E。第四耦合端H4与第三耦合端H3之间形成第二缝隙102。其中，第三调频滤波电路M3的一端电连接第三馈电点E，第三调频滤波电路M3的另一端电连接第三信号源32。可选的，天线组件100应用于电子设备1000时，第三信号源32、第三调频滤波电路M3皆设于主板200上。可选的，第三信号源32与第一信号源12、第二信号源22为同一个信号源，或者，第三信号源32与第一信号源12、第二信号源22为不同的信号源。第三调频滤波电路M3用于过滤第三信号源32传送的射频信号的杂波，以使第三天线单元30收发第三频段的电磁波信号。参考地极40包括第二参考地极GND2。第二接地端G2电连接第二参考地极GND2。

可以理解的，第三辐射体31作为感应人体靠近的感应电极，其具体的感应路径可以与第二辐射体21的感应路径相互独立、或通过与第二辐射体21耦合作用后传输至第一接近感测器件81、或通过与第二辐射体21形成容性耦合时产生耦合感应信号，并将该耦合感应信号传输至第一接近感测器件81。具体的实施方式可以参考第一辐射体11作为感应电极的实施方式，在此不再赘述。

第三天线单元30用于产生多个第三谐振模式。至少一个第三谐振模式由第二辐射体21与第三辐射体31容性耦合产生。

请参阅图19，多个第三谐振模式至少包括第五子谐振模式e、第六子谐振模式f、第七子谐振模式g及第八子谐振模式h。需要说明的是，多个第三谐振模式还包括除上述列举出来的谐振模式之外的其他模式，以上的四种谐振模式仅仅是相对效率较高的模式。

其中，第六子谐振模式f、第七子谐振模式g的电磁波皆由第三辐射体31和第二辐射体21耦合产生。第五子谐振模式e的频段、第六子谐振模式f的频段、第七子谐振模式g的频段及第八子谐振模式h的频段分别对应第五子频段、第六子频段、第七子频段及第八子频段。在一实施方式中，第五子频段为1900～2000MHz之间；第六子频段为2600～2700MHz之间；第七子频段为3800～3900MHz之间；第八子频段为4700～4800MHz之间。换言之，多个第三谐振模式位于中高频段(1000MHz-3000MHz)和超高频段内(3000MHz-10000MHz)。通过调节上述的谐振模式的谐振频点，可实现第三天线单元30对于中高频、超高频的全覆盖，及在所需频段得到较高的效率。

可选的，第三天线单元30的结构与第一天线单元10的结构相同。第三天线单元30、第二天线单元20之间的容性耦合作用与第一天线单元10、第二天线单元20之间的容性耦合作用相同。如此可知，当天线组件100工作时，第三信号源32产生的第三激励信号可经由第三辐射体31耦合到第二辐射体21上。换而言之，第三天线单元30工作时不但可以利用第三辐射体31并且可以利用第二天线单元20中的第二辐射体21来收发电磁波信号，从而使得第三天线单元30在不额外增设辐射体的基础上增加其工作频宽。

由于第一天线单元10、第二天线单元20及第三天线单元30分别为收发中高超高频、低频、中高超高频，如此，第一天线单元10与第二天线单元20之间、第二天线单元20与第三天线单元30之间通过频段隔离，以避免相互之间的信号干扰，第一天线单元10与第三天线单元30之间通过物理间距隔离，以避免相互之间的信号干扰，以便于控制天线组件100收发所需频段的电磁波信号。

此外，第一天线单元10和第三天线单元30可以设于电子设备1000上的不同的方位或位置，以便于在不同的场景下进行切换，例如，在电子设备1000在横屏与竖屏之间切换时可切换第一天线单元10和第三天线单元30，或者，第一天线单元10被遮挡时切换至第三天线单元30，在第三天线单元30被遮挡时切换至第一天线单元10，以在不同的场景下皆可以具有较好的中高超高频的电磁波的收发。

本实施例以天线组件100具有第一天线单元10、第二天线单元20、第三天线单元30为例，实现4G、5G所有低频段、中高频段、超高频段的电磁波信号覆盖的调谐方式进行举例说明。

请参阅图20，第二辐射体21包括第一耦合点C`。第一耦合点C`位于第二耦合端H2与第三耦合端H3之间。第一耦合点C`到第二辐射体21的端部的部分用于与其他相邻的辐射体耦合。

请参阅图20，第一隔离器件71包括第一隔离电容C3。第一隔离电容C3电连接于第一耦合点C`与参考地极40之间。第一隔离电容C3用于隔离第一感应信号经第一耦合点C`进入参考地极40，影响电磁波信号的收发。

当第一耦合点C`设于靠近第二耦合端H2的位置时，第一耦合点C`与第二耦合端H2之间的第二辐射体21与第一辐射体11耦合。进一步的，第一耦合点C`与第二耦合端H2之间形成第一耦合段R1。第一耦合段R1用于与第一辐射体11进行容性耦合。第一耦合段R1的长度为1/4λ1。其中，λ1为第一频段对应的电磁波信号的波长。

当第一耦合点C`设于靠近第三耦合端H3的位置时，第一耦合点C`与第三耦合端H3之间的第二辐射体21与第三辐射体31耦合。第一耦合点C`与第三耦合端H3之间形成第二耦合段R2。第二耦合段R2用于与第三辐射体31进行容性耦合。第二耦合段R2的长度为1/4λ2。其中，λ2为第三频段对应的电磁波信号的波长。

本申请实施例中，以第一耦合点C`为靠近第二耦合端H2为例进行举例说明，当然，以下第一耦合点C`的设置也适用于靠近第三耦合端H3的情况。

第一耦合点C`用于接地，如此，第一信号源12发射的第一激励信号经第一调频滤波电路M1的滤波后从第一馈电点A传送至第一辐射体11，激励信号在第一辐射体11上具有不同的作用方式，例如，第一激励信号从第一馈电点A朝向第一接地端G1作用，并在第一接地端G1入参考地极40，形成一条天线回路；第一激励信号从第一馈电点A朝向第一耦合端H1作用，经第一缝隙101耦合至第二耦合端H2与第一耦合点C`，并从第一耦合点C`入参考地极40，形成另一条耦合的天线回路。

具体的，第一天线单元10工作在第一接地端G1至第一耦合端H1的基模时产生第一子谐振模式a。具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第一接地端G1与第二耦合端H2之间时产生第一子谐振模式a，在第一子谐振模式a对应的谐振频点具有较高的效率，进而提高电子设备1000在第一子谐振模式a对应的谐振频点处的通信质量。

请参阅图20及图21，第一射频前端单元61还包括第一调频电路T1。在一实施方式中，第一调频电路T1用于匹配调节，具体的，第一调频电路T1的一端电连接第一调频滤波电路M1，第一调频电路T1的另一端接地。在另一实施方式中，第一调频电路T1用于口径调节，具体的第一调频电路T1的一端电连接于第一接地端G1与第一馈电点A之间，第一调频电路T1的另一端接地。以上的两种连接方式，第一调频电路T1皆通过调节第一辐射体11的阻抗，用于调节第一子谐振模式a的谐振频点。

在一实施方式中，第一调频电路T1包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第一调频电路T1可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第一调频电路T1的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第一辐射体11的阻抗进行调节，进而调节第一子谐振模式a的谐振频点。

具体的，第一子谐振模式a对应的谐振频点位于1900～2000MHz之间。当电子设备1000需要收发1900～2000MHz之间的电磁波信号时，调节第一调频电路T1的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一天线单元10工作在第一子谐振模式a。当电子设备1000需要收发1800～1900MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第一调频电路T1的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一子谐振模式a的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发2000～2100MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第一调频电路T1的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一子谐振模式a的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第一调频电路T1的调频参数可实现第一天线单元10在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第一调频电路T1的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第一调频电路T1包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第一调频电路T1的调频参数，进而调节第一辐射体11的阻抗，以调节第一子谐振模式a的谐振频点。

第一天线单元10工作在第一耦合段R1的基模时产生第二子谐振模式b。第二子谐振模式b的谐振频点大于第一子谐振模式a的谐振频点。具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第二耦合端H2与第一耦合点C`之间时产生第二子谐振模式b，在第二子谐振模式b对应的谐振频点具有较高的效率，进而提高电子设备1000在第二子谐振模式b对应的谐振频点处的通信质量。

请参阅图4及图20，第二射频前端单元62还包括第二调频电路M2`。第二调频电路M2`用于口径调节，具体的，第二调频电路M2`的一端电连接第一耦合点C`，第二调频电路M2`远离第一耦合点C`的一端用于接地。第二调频电路M2`通过调节第一耦合段R1的阻抗，以调节第二子谐振模式b的谐振频点。

在一实施方式中，第二调频电路M2`包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第二调频电路M2`可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第二调频电路M2`的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第一耦合段R1的阻抗进行调节，进而使第一天线单元10收发第二子谐振模式b的谐振频点或附近谐振频点的电磁波信号。

具体的，第二子谐振模式b对应的谐振频点位于2600～2700MHz之间。当电子设备1000需要收发2600～2700MHz之间的电磁波信号时，调节第二调频电路M2`的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一天线单元10工作在第二子谐振模式b。当电子设备1000需要收发2500～2600MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第二调频电路M2`的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二子谐振模式b的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发2700～2800MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第二调频电路M2`的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二子谐振模式b的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第二调频电路M2`的调频参数可实现第一天线单元10在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第二调频电路M2`的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第二调频电路M2`包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第二调频电路M2`的调频参数，进而调节第一耦合段R1的阻抗，以调节第二子谐振模式b的谐振频点。

第一天线单元10工作在第一馈电点A至第一耦合端H1的基模时产生第三子谐振模式c。第三子谐振模式c的谐振频点大于第三子谐振模式c的谐振频点。

具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第一馈电点A至第一耦合端H1之间时产生第三子谐振模式c，在第三子谐振模式c对应的谐振频点具有较高的收发效率，进而提高电子设备1000在第三子谐振模式c对应的谐振频点处的通信质量。

请参阅图4及图22，第二辐射体21还包括第一调频点B。第一调频点B位于第二耦合端H2与第一耦合点C`之间。所述第一隔离器件71包括第二隔离电容C4。所述第二隔离电容C4的一端电连接所述第一调频点B。第二隔离电容C4用于对第一调频点B处进行第一感应信号的隔离。

第一射频前端单元61还包括第三调频电路T2。在一实施方式中，第三调频电路T2用于口径调节，具体的，第三调频电路T2的一端电连接所述第二隔离电容C4的另一端，第三调频电路T2的另一端接地。在另一实施方式中，第三调频电路T2用于匹配调节，具体的，第三调频电路T2的一端电连接第二调频电路M2`，第三调频电路T2的另一端接地。第三调频电路T2用于调节第二子谐振模式b的谐振频点和第三子谐振模式c的谐振频点。

第三调频电路T2通过调节第二耦合端H2与第一耦合点C`之间的部分第一辐射体11的阻抗，以调节第三子谐振模式c的谐振频点。

在一实施方式中，第三调频电路T2包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第三调频电路T2可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第三调频电路T2的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第二耦合端H2与第一耦合点C`之间的部分第一辐射体11的阻抗进行调节，进而使第一天线单元10收发第三子谐振模式c的谐振频点或附近谐振频点的电磁波信号。

具体的，第三子谐振模式c对应的谐振频点位于3800～3900MHz之间。当电子设备1000需要收发3800～3900MHz之间的电磁波信号时，调节第三调频电路T2的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第一天线单元10工作在第三子谐振模式c。当电子设备1000需要收发3700～3800MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第三调频电路T2的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第三子谐振模式c的电磁波信号的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发3900～4000MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第三调频电路T2的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第三子谐振模式c的电磁波信号的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第三调频电路T2的调频参数可实现第一天线单元10在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第三调频电路T2的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第三调频电路T2包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第三调频电路T2的调频参数，进而调节第二耦合端H2与第一耦合点C`之间的部分第一辐射体11的阻抗，以调节第三子谐振模式c的谐振频点。

第一天线单元10工作在第一接地端G1至第一耦合端H1的3次模时产生第四子谐振模式d。

具体的，第一信号源12产生的第一激励信号作用于第一馈电点A至第一耦合端H1之间时还产生第四子谐振模式d，在第四子谐振模式d对应的谐振频点具有较高的收发效率，进而提高电子设备1000在第四子谐振模式d对应的谐振频点处的通信质量。第四子谐振模式d的谐振频点大于第三子谐振模式c的谐振频点。相类似地，第三调频电路T2可以调节第四子谐振模式d对应的谐振频点。

可选的，第二馈电点C为第一耦合点C`。第二调频电路M2`可为第二调频滤波电路M2。如此，将第一耦合点C`作为第二馈电点C，以使得第一耦合点C`既可以作为第二天线单元20的馈电还可以作为与第一天线单元10的耦合天线单元，增加了天线的结构紧凑性。当然，在其他实施方式中，第二馈电点C可设于第一耦合点C`与第三耦合端H3之间。

第二信号源22产生的第二激励信号经第二调频电路M2`滤波和调节之后作用于第一调频点B与第三耦合端H3之间，以产生第二谐振模式。

进一步地，请参阅图4及图22，第二辐射体21还包括第二调频点D。第二调频点D位于第二馈电点C与第三耦合端H3之间。第一隔离器件71包括第三隔离电容C5。第三隔离电容C5的一端电连接第二调频点D。第三隔离电容C5用于对第二调频点D处进行第一感应信号的隔离。

第二射频前端单元62还包括第四调频电路T3。在一实施方式中，第四调频电路T3用于口径调节，具体的，第四调频电路T3的一端电连接第三隔离电容C5的另一端，第四调频电路T3的另一端接地。

请参阅图23，在另一实施方式中，第二调频电路M2`的一端电连接第二调频电路M2`，第四调频电路T3的另一端接地。第四调频电路T3通过调节第一调频点B与第三耦合端H3之间的阻抗，用于调节第二谐振模式的谐振频点。

其中，第一调频点B与第三耦合端H3之间的长度可以约为第二频段的电磁波的波长的四分之一，以使第二天线单元20具有较高的辐射效率。

此外，第一调频点B接地、第一耦合点C`为第二馈电点C，以使第二天线单元20为倒F天线，该天线形式，通过调节第二馈电点C的位置可以方便地调节第二天线单元20的阻抗匹配。

在一实施方式中，第四调频电路T3包括但不限于串联和/或并联设置的电容、电感、电阻等，第四调频电路T3可包括多个串联和/或并联的电容、电感、电阻形成的支路，及控制多个支路的通断的开关。通过控制不同开关的通断，可以调节第四调频电路T3的选频参数(包括电阻值、电感值及电容值)，进而对于第一调频点B与第三耦合端H3之间的部分第二辐射体21的阻抗进行调节，进而使第二天线单元20收发第二谐振模式的谐振频点或附近谐振频点的电磁波信号。

在一实施方式中，请参阅图14，当电子设备1000需要收发700～750MHz之间的电磁波信号时，调节第四调频电路T3的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二天线单元20工作在第二谐振模式。当电子设备1000需要收发500～600MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第四调频电路T3的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第三子振模式的谐振频点朝向低频段偏移。当电子设备1000需要收发800～900MHz之间的电磁波信号时，进一步调节第四调频电路T3的调频参数(例如电阻值、电容值、电感值)，以使第二谐振模式的谐振频点朝向高频段偏移。如此，通过调节第四调频电路T3的调频参数可实现第二天线单元20在较宽频段的频率覆盖。

本申请对于第四调频电路T3的具体结构不做具体的限定，对于其调节方式也不做具体的限定。

在另一实施方式中，第四调频电路T3包括但不限于可变电容。通过调节变电容的电容值，以调节第四调频电路T3的调频参数，进而调节第一调频点B与第三耦合端H3之间的部分第二辐射体21的阻抗，以调节第二谐振模式的谐振频点。

第二调频点D的位置为上述的第一耦合点C`靠近第三耦合端H3时所在的位置。所以，第二调频点D与第三耦合端H3之间形成第二耦合段R2。第二耦合段R2与第三辐射体31通过第二缝隙102进行耦合，以产生第六子谐振模式f、第七子谐振模式g。

由上述可知，通过设置调频电路及调频电路的参数进行调节，可使第一天线单元10在中高频段、超高频段进行全覆盖，使第二天线单元20在低频段进行全覆盖，使第三天线单元30在中高频段、超高频段进行全覆盖，如此，实现了天线组件100在低频段、中高频段及超高频段之间进行全覆盖，实现通信功能增强；天线单元之间的辐射体复用，可使得天线组件100的整体尺寸较小，促进整机的小型化。

可以理解的，上述实施方式中列举了第一隔离器件71的具体结构，第一天线单元10的第三隔离器件73、第三天线单元30的第五隔离器件75可参考第二天线单元20的第一隔离器件71。

在一实施方式中，请参阅图2及图24，天线组件100的部分集成于壳体500上，具体的，天线组件100的参考地极40、信号源、调频电路设于主板200上。第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31集成为壳体500的一部分。进一步地，壳体500包括中框501及电池盖502。其中，显示屏300、中框501及电池盖502依次盖合连接。第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31嵌设于中框501上，以形成中框501的一部分。

可选的，请参阅图24及图25，中框501包括多段金属段503及间隔相邻两个金属段503之间的绝缘段504。多段金属段503形成第一辐射体11、第二辐射体21积第三辐射体31，第一辐射体11与第二辐射体21之间的绝缘段504为第一缝隙101，第二辐射体21与第三辐射体31之间的绝缘段504为第二缝隙102。或者，第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31嵌设于电池盖502上，以形成电池盖502的一部分。

可选的，当第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31嵌设于中框501上，以形成中框501的一部分时，第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31的表面可覆盖一层绝缘且对应电磁波透过率较高的膜层。既可以使得第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31更靠近待测主体，提高检测准确性，还可以使得第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31与待测主体绝缘。

在另一实施方式中，请参阅图26，天线组件100设于壳体500内。天线组件100的参考地极40、信号源、调频电路设于主板200上。第一辐射体11、第二辐射体21及第三辐射体31可成型于柔性电路板上并贴合于壳体500的内表面等位置。

请参阅图25，壳体500包括依次首尾相连的第一边51、第二边52、第三边53和第四边54。第一边51与第三边53相对设置。第二边52与第四边54相对设置。第一边51的长度小于第二边52的长度。相邻的两个边的连接处形成壳体500的拐角。

在一实施方式中，请参阅图25，第一辐射体11和第二辐射体21的一部分设于或靠近第一边51，第二辐射体21的另一部分和第三辐射体31设于或靠近第二边52。具体的，第一辐射体11设于壳体500的第一边51或沿第一边51设置。第二辐射体21设于第一边51、第二边52及两者之间的拐角。第三辐射体31设于壳体500的第二边52或沿第二边52设置。

电子设备1000还包括控制器(未图示)。所述控制器用于根据所述第一接近感测器件81检测到所述待测主体与所述第二辐射体21之间的接近状态时调整第一天线单元10、所述第二天线单元20、第三天线单元30中至少一者的功率。具体的，所述控制器还用于在所述待测主体与所述第二辐射体21之间的距离小于预设阈值时，控制所述第二天线单元20的功率减小，进而降低所述待测主体对于电磁波的比吸收率。预设阈值例如0～5cm内。本申请对于第二天线单元20的功率减小的具体值不做具体的限定，例如可以减小至额定功率的80％、60％、50％，甚至是关闭第二天线单元20。所述控制器还用于在所述待测主体与所述第二辐射体21之间的距离大于预设阈值时，控制所述第二天线单元20的功率增加，以提高天线组件100的通信质量。申请对于第二天线单元20的功率减小的具体值不做具体的限定，例如恢复至额定功率。

具体的，所述控制器还用于在所述待测主体靠近所述第一辐射体11时，控制所述第一天线单元10的功率减小及控制所述第三天线单元30的功率增加，进而降低所述待测主体对于电磁波的比吸收率及确保天线组件100的通信质量；所述控制器还用于在所述待测主体靠近所述第三辐射体31时，控制所述第三天线单元30的功率减小及控制所述第一天线单元10的功率增加，进而降低所述待测主体对于电磁波的比吸收率及确保天线组件100的通信质量。

进一步地，用户沿竖直方向握持电子设备1000时，第一边51为远离地面的边，第三边53为靠近地面的边。当用户接打电话时，用户的头部靠近第一边51。控制器在用户的头部靠近第一边51接听电话时，控制所述第一天线单元10的功率减小及控制所述第三天线单元30的功率增加。控制器可控制设于第二边52的第三天线单元30主要收发中高频、超高频的电磁波，可降低所述待测主体头部附近的电磁波收发功率，进而降低所述待测主体对于电磁波的比吸收率。

控制器用于在显示屏300处于竖屏显示状态时控制第一天线单元10的功率大于第三天线单元30的功率。具体的，显示屏300处于竖屏显示状态或用户沿竖直方向握持电子设备1000时，手指一般遮挡第二边52和第四边54，此时，控制器可控制设于第一边51的第一天线单元10主要收发中高频、超高频的电磁波，以避免设于第二边52的第三天线单元30被手指遮挡而无法收发中高频、超高频的电磁波，影响电子设备1000的中高频、超高频通信质量。

控制器还用于在显示屏300处于横屏显示状态时控制第三天线单元30的功率大于第一天线单元10的功率。具体的，显示屏300处于横屏显示状态或用户沿水平方向握持电子设备1000时，手指一般遮挡第一边51和第三边53，此时，控制器可控制设于第二边52的第三天线单元30主要收发中高频、超高频的电磁波，以避免设于第一边51的第一天线单元10被手指遮挡而无法收发中高频、超高频的电磁波，影响电子设备1000的中高频、超高频通信质量。

在另一实施方式中，请参阅图27，第一天线单元10、第二天线单元20、第三天线单元30皆设于壳体500的同一边。

以上所述是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (17)

1.一种天线组件，其特征在于，包括：

第一天线单元，所述第一天线单元用于产生多个第一谐振模式，用于收发第一频段的电磁波信号，所述第一天线单元包括第一辐射体及电连接所述第一辐射体的第一射频前端单元；所述第一辐射体包括依次排列的第一接地端、第一馈电点及第一耦合端，所述第一接地端用于接地；

第二天线单元，用于收发第二频段的电磁波信号，所述第二频段的最大值小于所述第一频段的最小值，所述第二天线单元包括第二辐射体、第二射频前端单元及至少一个第一隔离器件，所述第一隔离器件电连接于所述第二辐射体与所述第二射频前端单元之间，用于隔离待测主体靠近所述第二辐射体时产生的第一感应信号及对所述第二频段的电磁波信号导通；所述第二辐射体包括第二耦合端及第一耦合点，所述第二耦合端与所述第一耦合端之间形成第一缝隙，并通过所述第一缝隙与所述第一辐射体容性耦合；所述第一耦合点位于所述第二耦合端远离所述第一耦合端的一侧；所述第一耦合点通过所述第一隔离器件接地，所述第一耦合点与所述第二耦合端之间形成第一耦合段，所述第一耦合段用于与所述第一辐射体进行容性耦合；所述第一谐振模式包括工作在所述第一耦合段之间的基模；

第二隔离器件，所述第二隔离器件的一端电连接于所述第二辐射体与所述第一隔离器件之间或电连接所述第二辐射体，所述第二隔离器件用于隔离所述第二频段的电磁波信号及导通所述第一感应信号；

第一接近感测器件，电连接于所述第二隔离器件的另一端，用于感测所述第一感应信号的大小；及

第三天线单元，所述第三天线单元用于产生多个第三谐振模式，以收发第三频段的电磁波信号，所述第三频段的最小值大于所述第二频段的最大值，所述第三天线单元包括第三辐射体，所述第三辐射体位于所述第二辐射体远离所述第一辐射体的一端，并与所述第二辐射体之间形成第二缝隙，所述第三辐射体与所述第二辐射体之间通过所述第二缝隙容性耦合；至少一个所述第三谐振模式由所述第二辐射体与所述第三辐射体容性耦合产生。

2.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述第二天线单元用于产生至少一个第二谐振模式，至少一个所述第一谐振模式由所述第一辐射体与所述第二辐射体容性耦合形成。

3.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第一频段的最小值大于或等于1000MHz，所述第二频段的最大值小于1000MHz，所述第三频段的最小值大于或等于1000MHz。

4.如权利要求1～3任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述第一隔离器件包括隔离电容，所述第二隔离器件包括隔离电感。

5.如权利要求1～4任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述第一天线单元还包括第三隔离器件，所述第三隔离器件电连接于所述第一辐射体与所述第一射频前端单元之间，用于隔离所述待测主体靠近所述第一辐射体时产生的第二感应信号及导通所述第一频段的电磁波信号。

6.如权利要求5所述的天线组件，其特征在于，所述第二感应信号用于通过所述第一辐射体与所述第二辐射体的耦合作用使所述第二辐射体产生子感应信号，所述第一接近感测器件还用于感测所述子感应信号的大小。

7.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件还包括第四隔离器件，所述第四隔离器件的一端电连接于所述第一辐射体与所述第三隔离器件之间或电连接所述第一辐射体，用于隔离所述第一频段的电磁波信号及导通所述第二感应信号，所述第四隔离器件的另一端用于输出所述第二感应信号。

8.如权利要求7所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件还包括第二接近感测器件，所述第二接近感测器件电连接于所述第四隔离器件的另一端，用于感测所述第二感应信号的大小。

9.如权利要求7所述的天线组件，其特征在于，所述第四隔离器件的另一端电连接所述第一接近感测器件，所述第一辐射体与所述第二辐射体容性耦合时产生耦合感应信号，所述第一接近感测器件还用于在所述待测主体靠近所述第一辐射体和/或所述第二辐射体时感应所述耦合感应信号的变化量。

10.如权利要求2～3任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述第一射频前端还包括第一信号源及第一调频滤波电路；所述第一调频滤波电路的一端电连接所述第一馈电点，所述第一调频滤波电路的另一端电连接所述第一信号源；所述第一调频滤波电路用于过滤所述第一信号源发射的射频信号中的杂波。

11.如权利要求10所述的天线组件，其特征在于，多个所述第一谐振模式包括第一子谐振模式、第二子谐振模式、第三子谐振模式及第四子谐振模式；

所述第一天线单元工作在所述第一接地端至所述第一耦合端的基模时产生所述第一子谐振模式；

所述第一天线单元工作在所述第一耦合段的基模时产生所述第二子谐振模式；所述第一天线单元工作在所述第一馈电点至所述第一耦合端的基模时产生所述第三子谐振模式；

所述第一天线单元工作在所述第一接地端至所述第一耦合端的3次模时产生所述第四子谐振模式；

其中，所述第一子谐振模式的谐振频率、所述第二子谐振模式的谐振频率、所述第三子谐振模式的谐振频率及所述第四子谐振模式的谐振频率依次增大。

12.如权利要求11所述的天线组件，其特征在于，所述第一射频前端单元还包括第一调频电路，所述第一调频电路的一端电连接所述第一调频滤波电路，所述第一调频电路的另一端接地；和/或，所述第一调频电路的一端电连接于所述第一接地端与所述第一馈电点之间，所述第一调频电路的另一端接地，所述第一调频电路用于调节所述第一子谐振模式的谐振频率；和/或，

所述第二射频前端单元还包括第二调频电路，所述第二调频电路电连接所述第一耦合点，所述第二调频电路远离所述第一耦合点的一端用于接地，所述第二调频电路用于调节所述第二子谐振模式的谐振频率；和/或，

所述第二辐射体还包括第一调频点，所述第一调频点位于所述第二耦合端与所述第一耦合点之间；所述第二射频前端单元还包括第三调频电路，所述第三调频电路的一端电连接所述第一隔离器件和/或所述第二调频电路，所述第三调频电路的另一端接地；所述第三调频电路用于调节所述第二子谐振模式的谐振频率和所述第三子谐振模式的谐振频率。

13.如权利要求12所述的天线组件，其特征在于，所述第二辐射体还包括第二馈电点及第三耦合端；所述第三耦合端与所述第二耦合端为所述第二辐射体的相对两端，所述第二馈电点位于所述第二耦合端与所述第三耦合端之间；其中，所述第二馈电点为所述第一耦合点；

所述第二射频前端单元还包括第二信号源及第二调频滤波电路，所述第二调频滤波电路为所述第二调频电路，所述第二信号源电连接所述第二调频滤波电路远离所述第二馈电点的一端，所述第二调频滤波电路用于过滤所述第二信号源发射的射频信号的杂波；

所述第二天线单元工作在所述第一调频点至所述第三耦合端的基模时产生所述第二谐振模式。

14.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，所述第二辐射体还包括第二调频点；所述第二调频点位于所述第二馈电点与所述第三耦合端之间；

所述第二射频前端单元还包括第四调频电路，所述第四调频电路的一端电连接所述第一隔离器件和/或所述第二调频电路，所述第四调频电路的另一端接地；所述第四调频电路用于调节所述第二谐振模式的谐振频点。

15.一种电子设备，其特征在于，包括控制器及如权利要求1～14任意一项所述的天线组件，所述控制器用于根据所述第一接近感测器件检测到所述待测主体与所述第二辐射体之间的接近状态调整所述第一天线单元、所述第二天线单元及所述第三天线单元中的至少一个的功率。

16.如权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述控制器用于在所述待测主体与所述第二辐射体之间的距离小于或等于预设阈值时，控制所述第二天线单元的功率减小，还用于在所述待测主体与所述第二辐射体之间的距离大于所述预设阈值时，控制所述第二天线单元的功率增加。

17.如权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括壳体，所述壳体包括依次首尾相连的第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边与所述第三边相对设置，所述第二边与所述第四边相对设置，所述第一边的长度小于所述第二边的长度，所述第一辐射体和所述第二辐射体的一部分设于或靠近所述第一边，所述第二辐射体的另一部分和所述第三辐射体设于或靠近所述第二边；或者，所述第一辐射体、所述第二辐射体、所述第三辐射体皆设于或靠近所述壳体的同一边；

所述控制器还用于在所述待测主体靠近所述第一辐射体时，控制所述第一天线单元的功率减小，及控制所述第三天线单元的功率增加；及用于在所述待测主体靠近所述第三辐射体时，控制所述第三天线单元的功率减小，及控制所述第一天线单元的功率增加。