CN112768948B - 天线模块、双频带天线装置及电子设备 - Google Patents

天线模块、双频带天线装置及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112768948B
CN112768948B CN202110181259.0A CN202110181259A CN112768948B CN 112768948 B CN112768948 B CN 112768948B CN 202110181259 A CN202110181259 A CN 202110181259A CN 112768948 B CN112768948 B CN 112768948B
Authority
CN
China
Prior art keywords
antenna
disposed
integrated circuit
antenna module
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110181259.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112768948A (zh
Inventor
柳正基
金尚显
张胜九
金锡庆
金洪忍
金楠基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority to CN202110181259.0A priority Critical patent/CN112768948B/zh
Publication of CN112768948A publication Critical patent/CN112768948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112768948B publication Critical patent/CN112768948B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/16—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
    • H01Q9/28—Conical, cylindrical, cage, strip, gauze, or like elements having an extended radiating surface; Elements comprising two conical surfaces having collinear axes and adjacent apices and fed by two-conductor transmission lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
    • H01Q5/30—Arrangements for providing operation on different wavebands
    • H01Q5/307—Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way
    • H01Q5/342—Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way for different propagation modes
    • H01Q5/35—Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way for different propagation modes using two or more simultaneously fed points
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/16—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
    • H01Q9/28—Conical, cylindrical, cage, strip, gauze, or like elements having an extended radiating surface; Elements comprising two conical surfaces having collinear axes and adjacent apices and fed by two-conductor transmission lines
    • H01Q9/285—Planar dipole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
    • H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
    • H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
    • H01Q1/526—Electromagnetic shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/062—Two dimensional planar arrays using dipole aerials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/20—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart the units being spaced along or adjacent to a curvilinear path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/30—Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole
    • H01Q9/42—Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole with folded element, the folded parts being spaced apart a small fraction of the operating wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/24195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251—Disposition
    • H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Support Of Aerials (AREA)

Abstract

公开了一种天线模块、双频带天线装置及电子设备，所述天线模块包括：连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；IC，设置在连接构件的第一表面上并且电连接到连接构件的至少一个布线层；以及天线封装件，设置在连接构件的第二表面上并且包括第一天线构件和馈电过孔，其中，连接构件包括：馈电线，具有电连接到连接构件的至少一个布线层的对应布线的第一端；第二天线构件，电连接到馈电线的第二端，并且被构造为发送或接收射频(RF)信号；及接地构件，在朝向连接构件的第一表面或第二表面的方向上与馈电线分开。

Description

天线模块、双频带天线装置及电子设备
本申请是申请日为2018年09月19日，申请号为201811092450.2，题为“天线模块、双频带天线装置及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本申请涉及一种天线模块、一种双频带天线装置及电子设备。
背景技术
目前，已经对包括第5代(5G)通信系统的毫米波(mmWave)通信系统进行积极地研究，正在积极地进行对能够顺利地实施毫米波通信的天线模块的商业化的研究。
传统上，提供毫米波通信环境的天线模块使用这样的结构，在该结构中，集成电路(IC)和天线设置在板上并且通过同轴电缆彼此连接，以满足在高频处的高水平的天线性能(例如，发送和接收速率、增益及方向性)。
然而，这样的结构会引起天线布局空间的减少、对天线形状的自由度的限制、天线与IC之间干扰的增加以及天线模块的尺寸和成本的增加。
发明内容
提供该发明内容来以简要的形式介绍将在下面在具体实施方式中进一步描述的选择的构思。该发明内容不意图确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意图用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面中，一种天线模块包括：连接构件，包括至少一个布线层和至少一个绝缘层；集成电路(IC)，设置在所述连接构件的第一表面上并且电连接到所述连接构件的至少一个布线层；以及天线封装件，设置在所述连接构件的第二表面上，并且包括：第一天线构件，被构造为发送或接收射频(RF)信号；及多个第一馈电过孔，每个第一馈电过孔具有电连接到所述第一天线构件中的对应第一天线构件的第一端和电连接到所述连接构件的至少一个布线层的对应布线的第二端，其中，所述连接构件还包括：馈电线，具有电连接到所述连接构件的至少一个布线层的对应布线的第一端；第二天线构件，电连接到所述馈电线的第二端，并且被构造为发送或接收RF信号；及第一接地构件，在朝向所述连接构件的所述第一表面或所述第二表面的方向上与所述馈电线分开。
所述第二天线构件可以是包括第一极子和第二极子的偶极子，所述馈电线可以包括电连接到所述第一极子的第一馈电线和电连接到所述第二极子的第二馈电线，并且所述第一接地构件可以具有比所述第一馈电线与所述第二馈电线之间的距离大并且比所述第一极子和所述第二极子的总偶极子长度小的宽度。
所述第二天线构件可以具有通过所述第二天线构件的特性确定的固有频带和通过所述第一接地构件的宽度确定的扩展频带。
所述连接构件还可以包括第二接地构件，所述第二接地构件在与所述第一接地构件与所述馈电线分开所沿的方向相反的方向上与所述馈电线分开，使得所述馈电线设置在所述第一接地构件与所述第二接地构件之间。
所述连接构件还可以包括：第三接地构件，在朝向所述连接构件的所述第一表面或所述第二表面的方向上与所述第二天线构件分开；以及第四接地构件，在与所述第三接地构件与所述第二天线构件分开所沿的方向相反的方向上与所述第二天线构件分开，使得所述第二天线构件设置在所述第三接地构件与所述第四接地构件之间，所述第三接地构件和所述第四接地构件中的一者可以设置在与所述第一接地构件相同的高度上，所述第三接地构件和所述第四接地构件中剩余的一者可以设置在与所述第二接地构件相同的高度上。
所述连接构件还可以包括：第三接地构件，在朝向所述连接构件的第一表面或第二表面的方向上与所述第二天线构件分开；以及第四接地构件，在与所述第三接地构件与所述第二天线构件分开所沿的方向相反的方向上与所述第二天线构件分开，使得所述第二天线构件设置在所述第三接地构件与所述第四接地构件之间。
所述连接构件还可以包括第五接地构件，所述第五接地构件被设置为比所述第二天线构件靠近所述连接构件，并且将所述第三接地构件和所述第四接地构件彼此连接，所述第五接地构件可以设置为阻挡在所述第二天线构件的一部分与所述第一接地构件之间，并且在所述第二天线构件的剩余部分与所述第一接地构件之间敞开。
所述第二天线构件可以是包括第一极子和与所述第一极子分开的第二极子的偶极子，所述第三接地构件可以具有在所述第一极子和所述第二极子之间延伸的第一间隙，并且所述第四接地构件可以具有在所述第一极子与所述第二极子之间延伸的第二间隙。
所述连接构件还可以包括将所述第一极子和所述第二极子中的一者连接到所述第三接地构件和所述第四接地构件中的一者的极子过孔。
所述连接构件还可以包括导向构件，所述导向构件设置在所述第三接地构件与所述第四接地构件之间，延伸跨过所述第一间隙和所述第二间隙，并且与所述第二天线构件分开。
所述连接构件还可以包括电连接在所述馈电线与所述第二天线构件之间的第二馈电过孔，所述第一接地构件可以与所述第二馈电过孔的侧表面分开。
所述连接构件还可以包括电连接在所述馈电线与所述第二天线构件之间的阻抗转换线，所述第一接地构件可以在朝向所述连接构件的所述第一表面或所述第二表面的方向上与所述阻抗转换线分开。
所述连接构件还可以包括：接地层，在所述连接构件中设置在与所述馈电线相同的高度上，并且与所述馈电线分开；以及屏蔽过孔，从所述接地层延伸，以阻挡在所述连接构件的至少一个布线层与所述第二天线构件之间。
所述天线封装件还可以包括：介电层，围绕所述多个第一馈电过孔中的每个的侧表面，并且具有比所述连接构件的至少一个绝缘层的高度大的高度；以及镀覆构件，设置在围绕所述多个第一馈电过孔中的每个的侧表面的所述介电层中。
在另一总体方面中，一种双频带天线装置包括：第一馈电线，具有电连接到集成电路(IC)的第一端；第二馈电线，具有电连接到IC的第一端；第一极子，电连接到所述第一馈电线的第二端，并被构造为发送或接收射频(RF)信号；第二极子，电连接到所述第二馈电线的第二端，并被构造为发送或接收所述RF信号；第一接地构件，在第一方向上与所述第一馈电线和所述第二馈电线分开；以及第二接地构件，在与所述第一方向相反的第二方向上与所述第一馈电线和所述第二馈电线分开，其中，所述第一接地构件和所述第二接地构件中的每个具有比所述第一馈电线与所述第二馈电线之间的距离大并且比所述第一极子和所述第二极子的总偶极子长度小的宽度，并且所述第一极子和所述第二极子具有偶极子的固有频带以及通过所述第一接地构件的宽度和所述第二接地构件的宽度确定的与所述固有频带不同的扩展频带。
所述双频带天线装置还可以包括：第一臂构件，覆盖所述第一极子的上侧和下侧；第二臂构件，覆盖所述第二极子的上侧和下侧；以及极子过孔，将所述第一臂构件和所述第一极子彼此连接。
在另一总体方面中，一种天线模块包括：连接构件，包括布线层；馈电线，连接到所述连接构件的布线层中的布线；第一天线构件，连接到所述馈电线，并被构造为发送第一射频(RF)信号和接收第二RF信号中的一者或两者；以及第一接地构件，连接到所述连接构件的布线层，所述第一接地构件与所述馈电线分开，并且设置在所述第一接地构件所连接的所述布线层与所述第一天线构件之间。
所述天线模块还可以包括与所述第一天线构件和所述第一接地构件分开的第二接地构件。
所述第一接地构件可以为所述第一接地构件所连接的所述布线层的延伸部，并且可以在朝向第一天线构件的第一方向上延伸，并且所述第一天线构件还可以被构造为在第一方向上发送所述第一RF信号和在与所述第一方向相反的方向上接收所述第二RF信号中的一者或两者。
所述天线模块还可以包括设置在所述连接构件的表面上的天线封装件，所述天线封装件包括：第二天线构件，被构造为在与所述第一方向不同的第二方向上发送第三RF信号和在与所述第二方向相反的方向上接收第四RF信号中的一者或两者；以及连接构件，将所述第二天线构件连接到所述连接构件的布线层中的布线，其中，所述第三RF信号可以与所述第一RF信号相同或不同，所述第四RF信号可以与所述第二RF信号相同或不同。
在另一总体方面中，一种天线模块包括：第一天线构件，设置在所述天线模块的中央部分中，所述第一天线构件面对第一方向；第一天线装置，沿着所述天线模块的外围的第一部分设置，所述第一天线装置中的每个包括：第一馈电线，朝向所述天线模块的所述外围的所述第一部分延伸；第二天线构件，连接到所述第一馈电线并且与所述天线模块的所述外围的所述第一部分大体上平行地延伸，所述第二天线构件面对与所述第一方向不同的第二方向；以及第一接地构件，与所述第一馈电线分开，并且朝向所述天线模块的所述外围的所述第一部分延伸。
所述天线模块还可以包括沿着所述天线模块的所述外围的第二部分设置的第二天线装置，所述天线模块的所述外围的所述第二部分与所述天线模块的所述外围的所述第一部分毗邻并且与所述天线模块的所述外围的所述第一部分形成小于180°的角度，所述第二天线装置中的每个包括：第二馈电线，朝向所述天线模块的所述外围的所述第二部分延伸；第三天线构件，连接到所述第二馈电线，并且与所述天线模块的所述外围的所述第二部分大体上平行地延伸，所述第三天线构件面对与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向；以及第二接地构件，与所述第二馈电线分开并且朝向所述天线模块的所述外围的所述第二部分延伸。
所述天线模块还可以包括：第一片式天线和第一偶极子天线，设置在所述第一天线构件与所述天线模块的所述外围的所述第一部分之间，所述第一片式天线和所述第一偶极子天线面对所述第二方向；以及第二片式天线和第二偶极子天线，设置在所述第一天线构件与所述天线模块的所述外围的所述第二部分之间，所述第二片式天线和所述第二偶极子天线面对所述第三方向。
在另一总体方面中，一种电子设备包括：壳体；上述天线模块，设置在所述壳体中，使得所述天线模块的所述外围的第一部分与所述壳体的第一侧边界相邻，并且所述天线模块的所述外围的所述第二部分与所述壳体的第二侧边界相邻；以及集成电路(IC)，被构造为接收基带信号并从所述基带信号产生射频(RF)信号，其中，所述第一天线构件中的每个连接到所述IC以从所述IC接收RF信号，并且被构造为在所述第一方向上发送所述RF信号，所述第二天线构件中的每个连接到所述IC以从所述IC接收所述RF信号，并且被构造为在所述第二方向上发送所述RF信号，所述第三天线构件中的每个连接到所述IC以从所述IC接收所述RF信号，并且被构造为在所述第三方向上发送所述RF信号。
其他特征和方面将通过以下具体实施方式、附图和权利要求而明显。
附图说明
图1是示出天线模块的示例的示图。
图2是示出包括第二接地构件的天线模块的示例的示图。
图3是示出包括第三接地构件和第四接地构件的天线模块的示例的示图。
图4是示出包括第五接地构件的天线的示例和接地构件的宽度的示图。
图5是示出包括馈电过孔的天线模块的示例的示图。
图6是示出包括多个偶极子的天线模块的示例的示图。
图7是示出包括接地层和多个屏蔽过孔的天线模块的示例的示图。
图8是示出包括具有不同形状的接地层的天线模块的示例的示图。
图9是示出包括导向构件的天线模块的示例的示图。
图10是示出包括具有不同形状的折叠偶极子和导向构件的天线模块的示例的示图。
图11A和图11B是示出双频带天线装置的示例的示图。
图12是示出包括集成电路(IC)和天线封装件的天线模块的示例的示图。
图13是示出包括IC封装件的天线模块的示例的示图。
图14是示出天线模块和双频带天线装置的布局位置的示例的示图。
图15A和图15B是分别示出作为天线模块和双频带天线装置的频率的函数的S参数和增益的曲线图。
图16A和图16B是示出在电子设备中的天线模块的布局的示例的示图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标号表示相同的元件。附图可以不按比例，为了清楚、说明和方便起见，附图中元件的相对尺寸、比例和描绘可以被夸大。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、装置和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、装置和/或系统的各种改变、修改及等同物将是明显的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，在理解本申请的公开内容后可做出将是明显的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域已知的特征的描述。
这里所描述的特征可按照不同的形式实现，并且将不被解释为受限于这里所描述的示例。更确切地说，提供这里所描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是明显的实现这里所描述的方法、装置和/或系统的多个可行方式中的一些方式。
在整个说明书，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或者“结合到”另一元件时，该元件可以直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或者直接“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或者“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的其他元件。
尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例的教导的情况下，这里所描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分还可以被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，这里可以使用诸如“上方”、“上面”、“下方”以及“下部”的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意图包含除了图中所描绘的方位以外设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的设备翻转，则描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件随后将被定位为相对于另一元件在“下方”或“下面”。因而，术语“上方”根据设备的空间方位包括上方和下方两种方位。设备也可以按照其他方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并且将对这里使用的空间相对术语做出相应解释。
这里使用的术语仅用于描述各种示例，并且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示的形状的变型。因而，这里所描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间所发生的形状的改变。
这里所描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容后将是明显的各种方式进行组合。此外，尽管这里所描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容后将是明显的其他构造是可能的。
图1是示出天线模块的示例的示图。
参照图1，天线模块包括连接构件200a。连接构件200a包括至少一个布线层和至少一个绝缘层，并且具有其上设置有集成电路(IC)(图1中未示出)的第一表面(例如，下表面)以及其上设置有天线封装件(图1中未示出)的第二表面(例如，上表面)。
天线封装件被实施为关于连接构件200a是同质或异质的，并且在连接构件200a的设置有天线封装件的第二表面(例如，上表面)面对的第一方向上发送或接收射频(RF)信号。在图1中所示的示例中，天线封装件在垂直于连接构件200a的第二表面(例如，上表面)的竖直方向上发送或接收RF信号。因此，天线模块在第一方向上形成辐射图案，使得在第一方向上发送或接收RF信号。
参照图1，天线模块包括馈电线110a、天线构件120a和接地构件130a，接地构件130a能够使天线模块在连接构件200a的侧表面面对的第二方向上形成辐射图案以在第二方向上发送或接收RF信号。在图1中示出的示例中，天线模块在垂直于连接构件200a的左侧表面的水平方向上发送或接收RF信号。也就是说，天线模块全方位地扩展RF信号的发送和接收方向。
馈电线110a电连接到连接构件200a的至少一个布线层。也就是说，馈电线110a通过连接构件200a的至少一个布线层将RF信号发送到IC，并且通过连接构件200a的至少一个布线层(可以与馈电线发送RF信号所通过的所述至少一个布线层相同或不同)从IC接收RF信号。
天线构件120a电连接到馈电线110a，并且被构造为发送或接收RF信号。在图1中所示的示例中，天线构件120a是包括第一极子和第二极子的偶极子。第一极子和第二极子分别电连接到馈电线110a的第一馈电线和第二馈电线。
天线构件120a具有通过天线构件120a的特性(例如，极子长度、极子厚度、极子之间的距离、极子与连接构件200a的侧表面之间的距离以及绝缘层的介电常数)确定的固有频带(例如，28GHz)。
接地构件130a在朝向连接构件200a的第一表面(例如，向下方向)或第二表面(例如，向上方向)的方向上与馈电线110a分开。
接地构件130a电磁耦合到天线构件120a，并且根据接地构件130a的特性(例如，宽度、长度、厚度、接地构件130a与馈电线110a之间的距离以及接地构件130a与天线构件120a之间的电隔离程度)而影响天线构件120a的频率特性。
在一个示例中，接地构件130a使天线构件120a具有扩展频带(例如，38GHz)。在其中天线构件120a的扩展频带与天线构件120a的固有频带相似的另一示例中，接地构件130a改善了天线构件120a的固有频带的带宽或增益。
因此，图1的天线模块改善了在天线构件120a发送或接收RF信号所沿的第二方向上的天线性能(例如，发送和接收速率、增益、带宽和方向性)，并且能够在第二方向上进行双频带发送和接收。
图1的天线模块还包括阻抗转换线115a、第三接地构件140a和第五接地构件145a。
阻抗转换线115a电连接在馈电线110a与天线构件120a之间。例如，阻抗转换线115a具有与馈电线110a的厚度不同的厚度，使得阻抗转换线115a具有与馈电线110a的阻抗不同的阻抗。在图1中所示的示例中，阻抗转换线115a直接连接到天线构件120a，但是根据天线模块的设计，阻抗转换线115a可以连接到馈电线110a的一端，或者可以与连接构件200a的中心相邻地设置。
第三接地构件140a在朝向连接构件200a的第一表面(例如，下表面)的方向上与天线构件120a分开。第三接地构件140a电磁耦合到天线构件120a，以改善天线构件120a的增益或者发送和接收速率。
在图1中所示的示例中，第三接地构件140a包括以与天线构件120a的形状(例如，图1中所示的示例中的偶极子)对应的间隙分开的多个接地图案，并且具有等于或大于天线构件120a的宽度的宽度以与天线构件120a的整个下表面完全相对。
第五接地构件145a沿着第三接地构件140a的最接近连接构件200a的边缘从第三接地构件140a的端部在向上方向上延伸。在图1中所示的示例中，第五接地构件145a被设置为阻挡在天线构件120a的一部分(例如，偶极子的端部)与接地构件130a之间，并且在天线构件120a的剩余部分(例如，偶极子的起始部分)与接地构件130a之间敞开。因此，可以精确地调整接地构件130a与天线构件120a的电磁耦合，并可以改善天线构件120a与连接构件200a的至少一个布线层之间的隔离。
图2是示出包括第二接地构件的天线模块的示例的示图。
参照图2，天线模块还包括在朝向连接构件200a的第二表面(例如，上表面)的方向上与馈电线110a分开的第二接地构件135a，使得馈电线110a和/或阻抗转换线115a设置在接地构件130a与第二接地构件135a之间。
第二接地构件135a电磁耦合到天线构件120a，并且根据第二接地构件135a的特性(例如，宽度、长度、厚度、第二接地构件135a与馈电线110a之间的距离以及第二接地构件135a与天线构件120a之间的电隔离程度)而影响天线构件120a的频率特性。
第二接地构件135a可以具有与接地构件130a相同的形状，或者可以具有与接地构件130a的形状不同的形状，或者可以根据设计因素(例如，连接构件200a的详细布线布局、在连接构件200a上是否安装IC封装件、天线构件120a的特性、通过天线构件120a发送或接收的RF信号的频率特性、制造天线模块的工艺、天线模块的整体尺寸以及天线模块的制造成本)而省略。
根据上述设计因素，也可以省略图1中所示的第三接地构件140a和第五接地构件145a中的一者或两者。
图3是示出包括第三接地构件和第四接地构件的天线模块的示例的示图。
参照图3，天线模块还包括在朝向连接构件200a的第二表面(例如，上表面)的方向上与天线构件120a分开的第四接地构件155a。第三接地构件140a可以设置在与接地构件130a相同的高度上，第四接地构件155a可以设置在与第二接地构件135a相同的高度上。第五接地构件145a将第三接地构件140a和第四接地构件155a彼此连接。第四接地构件155a电磁耦合到天线构件，以改善天线构件的增益或者发送和接收速率。
另外，由于天线构件120a设置在第三接地构件140a与第四接地构件155a之间，因此改善了天线构件120a的辐射图案的方向性。
图4是示出包括第五接地构件的天线模块的示例和接地构件的宽度的示图。
参照图4，天线模块的第五接地构件145b被实施为其中多个过孔沿着直线设置并且彼此平行的结构。然而，这仅是一个示例，可以以其他方式布置多个过孔。
在图4中所示的示例中，接地构件130a的宽度与第五接地构件145b的第一过孔的位置匹配，也就是说，第五接地构件145b的第一过孔为第五接地构件145b的最接近馈电线110a的过孔。
在一个示例中，接地构件130a具有小的宽度(例如，L)以增加天线构件120a的扩展频带。在另一示例中，接地构件具有大的宽度(例如，L+M/2+M/2)以减小天线构件120a的扩展频带。
图5是示出包括馈电过孔的天线模块的示例的示图。
参照图5，天线模块还包括电连接在馈电线110a与天线构件120b之间的馈电过孔110b。接地构件130a在朝向连接构件200a的侧表面的方向上与馈电过孔110b分开。
馈电过孔110b能够使天线构件120b相对于接地构件130a设置在比图1至图4中所示的天线构件120a低的位置处，并且根据天线模块的设计也设置在连接构件200a的第一表面(例如，下表面)下方。因此，天线构件120b在比图1至图4中所示的天线构件120a低的位置处形成辐射图案，从而能够使天线模块的RF信号的发送和接收方向被更有效地扩展。
图5的天线模块还包括从接地构件130a的下表面向下延伸到第三接地构件140b的上表面的接地过孔131a，以将接地构件130a连接到第三接地构件140b。
图6是示出包括多个偶极子的天线模块的示例的示图。
参照图6，天线模块包括彼此平行设置的多个天线构件120a和120b。多个天线构件120a和120b通过馈电过孔110b彼此电连接。
另外，天线模块还包括在向下方向上与多个天线构件120a和120b分别分开的多个第三接地构件140a和140b。
因此，由于由多个天线构件120a和120b中的每个占据的空间可以有效地分布在连接构件200a中，因此天线模块进一步改善了天线性能并且防止天线模块的过度尺寸扩展。
图7是示出包括接地层和多个屏蔽过孔的天线模块的示例的示图。
参照图7，天线模块包括在连接构件中设置在与馈电线110a相同的高度处并且与馈电线110a分开的接地层225a。
接地层225a相对于天线构件120a用作反射器。也就是说，接地层225a改善了天线构件120a的天线性能。
另外，天线模块还包括从接地层225a向上延伸的多个屏蔽过孔245a，以阻挡在布线层210a与天线构件120a之间。
多个屏蔽过孔245a减少了布线层210a的RF信号的传输损耗，相对于天线构件120a用作反射器，并且改善天线构件120a与布线层210a之间的隔离。
图8是示出包括具有不同形状的接地层的天线模块的示例的示图。
参照图8，接地层225b的最接近天线构件120a并与接地构件130a交叉的边界的一部分比图7中所示的示例靠近连接构件的中心，从而增加了接地构件130a的长度。因此，由于接地构件130a的长度被延长，因此天线构件120a和第三接地构件140a可以设置为比图7中所示的示例靠近连接构件的中心，从而能够使连接构件的面积减小。因此，天线模块的尺寸也可以减小。
在图8中所示的示例中，接地层225b具有通过去除图7中所示的接地层225a的局部区域而获得的形状。局部区域的宽度与接地构件130a的宽度对应，局部区域的长度可以根据天线构件120a的布局位置、频带和连接构件的详细布线布局中的任意一种或者两种或更多种的任意组合来改变。
图9是示出包括导向构件的天线模块的示例的示图。
参照图9，天线模块还包括导向构件125a，导向构件125a在朝向连接构件200a的第二表面(例如，上表面)的方向上与第三接地构件140c分开，延伸跨过第三接地构件140c中的间隙，并且在远离连接构件200a的方向上与天线构件120a分开。在一个示例中，导向构件125a设置在与天线构件120a相同的高度上，但是不限于此。
导向构件125a电磁耦合到天线构件120a，以改善天线构件120a的增益或带宽。导向构件125a具有比天线构件120a的总偶极子长度小的长度，天线构件120a与导向构件125a之间的电磁耦合随着导向构件125a的长度减小而增加。因此，进一步改善了天线构件120a的方向性。
图10是示出包括具有不同形状的折叠偶极子和导向构件的天线模块的示例的示图。
参照图10，包括在天线模块中的天线构件120c是折叠偶极子，包括在天线模块中的导向构件125b被弯曲。
如果必要，则第三接地构件140c的尺寸大于图9中所示的第三接地构件140c的尺寸，以容纳天线构件120c的扩展的形状和导向构件125b的扩展的形状。
图11A和图11B是示出双频带天线装置的示例的示图。
参照图11A，双频带天线装置包括馈电线110d、阻抗转换线115d、极子120d、臂构件130d和135d以及接地构件(图11A中未示出，但例如参见图1至图10)。
馈电线110d电连接到IC(图11A中未示出)。馈电线110d包括具有两侧对称结构的第一馈电线和第二馈电线。
极子120d被电连接到馈电线110d并且被构造为发送或接收RF信号。极子120d具有通过极子120d的特性确定的固有频带。在图11A中所示的示例中，极子120d被实施为具有两侧对称结构的第一极子和第二极子。
接地构件在朝向连接构件(图11A中未示出，但例如参见图1至图10)的上表面或下表面的方向上与馈电线110d分开，并且具有比馈电线110d的第一馈电线与第二馈电线之间的距离大的宽度，并且比极子120d的第一极子和第二极子的总偶极子长度小。
接地构件电磁耦合到极子120d，接地构件的宽度影响极子120d的频率特性，以向极子120d提供扩展的频带。
因此，双频带天线装置能够在具有简化的结构的同时发送和接收在扩展的频带内的双频带RF信号。
臂构件130d和135d与极子120d的背对表面相对，以电磁耦合到极子120d。例如，臂构件130d和135d可以覆盖极子120d的上侧和下侧。
参照图11B，双频带天线装置还包括将臂构件135d与极子120d彼此连接的极子过孔150a。
极子过孔150a调整在极子120d中流动的电流的方向。例如，极子过孔150a调整极子120d的第一极子和第二极子中的一者的电距离，使得极子120d的第一极子和第二极子中的每一者的电流方向或相位是相同的。
极子过孔150a可以包括在图1至图10中所示的天线模块中以将天线构件与第三接地构件或第四接地构件彼此连接，并且执行与通过图11A和图11B的双频带天线装置中的极子过孔150a执行的功能相同的功能。
图12是示出包括集成电路(IC)和天线封装件的天线模块的示例的示图。
参照图12，天线模块具有其中天线封装件和连接构件彼此连接的异质结构。也就是说，在通过利用使得能够改善天线封装件的天线性能的特性和使得能够设置连接构件的电路图案或集成电路(IC)的特性两者来改善天线性能(例如，发送和接收速率、增益和方向性)的同时，天线模块可以小型化。
连接构件包括至少一个布线层1210b和至少一个绝缘层1220b。连接构件包括连接到至少一个布线层1210b的布线过孔1230b和连接到布线过孔1230b的连接焊盘1240b。连接焊盘1240b可以具有与铜重新分布层(RDL)相似的结构。在图12中所示的示例中，天线封装件设置在连接构件的上表面上。
天线封装件包括多个导向构件1110b、多个天线构件1115b、多个馈电过孔1120b、介电层1140b、包封构件1150b和镀覆构件1160b。
多个导向构件1110b设置为与天线模块的一个表面(在图12中所示的示例中的天线模块的上表面)相邻，并且与设置在多个导向构件1110b下方的多个天线构件1115b中的对应天线构件一起接收RF信号或者发送由IC 1301b产生的RF信号。
根据天线封装件的设计，多个导向构件1110b可以被省略，或者至少一个附加的导向构件可以进一步设置在多个导向构件1110b中的每个的上方。
多个天线构件1115b电磁耦合到设置在多个天线构件1115b上方的多个导向构件1110b，并且与多个导向构件1110b中的对应导向构件一起接收RF信号或者发送由IC 1301b产生的RF信号。在一个示例中，多个天线构件1115b具有与多个导向构件1110b中的对应导向构件的形状相似的形状(例如，贴片天线)。
多个馈电过孔1120b电连接到多个天线构件1115b以提供用于RF信号的路径。多个馈电过孔1120b具有比连接构件的至少一个绝缘层1220b的厚度大的长度。因此，改善了RF信号的传输效率。
介电层1140b围绕多个馈电过孔1120b中的每个的侧表面。介电层1140b具有比连接构件的至少一个绝缘层1220b的高度大的高度。天线封装件的天线性能随着介电层1140b的高度和/或宽度增加而改善，天线封装件提供了在多个天线构件1115b的RF信号的发送和接收操作中有利的边界条件(例如，小的制造公差、短的电长度、光滑表面、大尺寸的介电层和对介电常数的调整)。
在一个示例中，介电层1140b和至少一个绝缘层1220b利用如下材料制成：诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂、其中热固性树脂或热塑性树脂与无机填料一起浸在诸如玻璃纤维(或者玻璃布或玻璃织物)的芯材料中的树脂，例如，半固化片、味之素积聚膜(ABF，Ajinomoto Build up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)、可光成像介电(PID)树脂、通用覆铜层压板(CCL)、玻璃基绝缘材料或陶瓷基绝缘材料。
介电层1140b具有比连接构件的至少一个绝缘层1220b的介电常数Dk大的介电常数。在一个示例中，介电层1140b利用具有大介电常数(例如，5或更大)的玻璃、陶瓷或硅制成，连接构件的至少一个绝缘层1220b利用具有相对小的介电常数的覆铜层压板(CCL)或半固化片制成。
包封构件1150b设置在介电层1140b上，并且改善多个天线构件1115b和多个导向构件1110b的抵抗冲击或氧化的耐久性。在一个示例中，包封构件1150b利用可光成像包封剂(PIE)、味之素积聚膜(ABF)或环氧树脂成型化合物(EMC)制成，但不限于此。
镀覆构件1160b设置在围绕多个馈电过孔1120b中的每个的侧表面的介电层1140b中。也就是说，镀覆构件1160b形成分别对应于多个天线构件1115b的多个腔，以提供用于通过多个天线构件1115b发送和接收RF信号的边界条件。
IC 1301b、电源管理集成电路(PMIC)1302b以及多个无源组件1351b、1352b和1353b设置在连接构件的下表面上。然而，这仅是一个示例，设置在连接构件的下表面上的组件不限于这些组件。
IC 1301b产生发送到多个天线构件1115b的RF信号，并且从多个天线构件1115b接收RF信号。
PMIC 1302b产生电力，并且通过连接构件的至少一个布线层1210b将产生的电力传输到IC 1301b。
多个无源组件1351b、1352b和1353b向IC 1301b和PMIC 1302b中的一个或两个提供阻抗。例如，多个无源组件1351b、1352b和1353b可以包括电容器(例如，多层陶瓷电容器(MLCC))、电感器和片式电阻器的任意一者或任意组合。
在图12中所示的示例中，IC 1301b、电源管理集成电路(PMIC)1302b以及多个无源组件1351b、1352b和1353b通过电连接结构1260b和钝化层1250b连接到连接构件，但电连接结构1260b和钝化层1250b可以根据IC 1301b、电源管理集成电路(PMIC)1302b以及多个无源组件1351b、1352b和1353b的设计而被省略。
连接构件包括天线装置100e，天线装置100e包括馈电线110e、连接到馈电线110e的第二天线构件(图12中未示出)、接地构件130e和第二接地构件135e。馈电线110e、第二天线构件、接地构件130e和第二接地构件135e分别与以上参照图1至图11B描述的馈电线、天线构件、接地构件和第二接地构件相似，天线装置100e还可以包括以上参照图1至图11B描述的阻抗转换线、第三接地构件、第四接地构件和第五接地构件、接地层以及屏蔽过孔。
根据天线封装件的设计，天线封装件可实施为与连接构件是同质的。例如，天线封装件可以包括多个天线构件和多个馈电过孔，每个天线构件通过连接构件的层中的金属图案实施，每个馈电过孔通过连接构件的在竖直方向上连接在一起的多个过孔来实施。可以根据介电层1140b的特性来确定天线封装件是否被实施为与连接构件是同质的。
图13是示出包括IC封装件的天线模块的示例的示图。
参照图13，IC封装件包括IC 1300a、包封IC 1300a的至少一部分的包封剂1305a、设置为使得其第一侧表面面对IC 1300a的芯构件1355a以及包括至少一个布线层1310a和绝缘层280a的连接构件。IC封装件的连接构件电连接到IC1300a和芯构件1355a，并且连接到如图13中所示的另一连接构件或者天线封装件。
连接IC封装件的连接构件包括至少一个布线层1210a、至少一个绝缘层1220a、布线过孔1230a、连接焊盘1240a和钝化层1250a。天线封装件包括多个导向构件1110a、1110b、1110c和1110d、多个天线构件1115a、1115b、1115c和1115d、多个馈电过孔1120a、1120b、1120c和1120d、多个腔1130a、1130b、1130c和1130d、介电层1140a、包封构件1150a以及镀覆构件1170a。
IC封装件连接到上述连接构件。通过包括在IC封装件中的IC 1300a产生的第一RF信号通过至少一个布线层1310a发送到天线封装件，以从天线封装件在向上方向上发送，通过天线封装件在向下方向上接收的第一RF信号通过至少一个布线层1310a发送到IC1300a。
IC封装件还包括设置在IC 1300a的上表面和/或下表面上的连接焊盘1330a。设置在IC 1300a的上表面上的连接焊盘1330a电连接到至少一个布线层1310a，设置在IC 1300a的下表面上的连接焊盘1330a通过布线层1320a电连接到芯构件1355a或芯镀覆构件1365a。芯镀覆构件1365a提供用于IC 1300a的接地区域。
芯构件1355a包括与IC封装件的连接构件接触的芯介电层356a、设置在芯介电层356a的上表面和/或下表面上的芯布线层1359a以及穿透芯介电层356a并电连接到芯布线层1359a和连接焊盘1330a的至少一个芯过孔1360a。至少一个芯过孔1360a电连接到诸如焊料球、引脚或焊盘(land)的电连接结构1340a。
因此，芯构件1355a从其下表面接收基带信号和/或电力，并且可以通过连接构件的至少一个布线层1310a将基带信号和/或电力发送到IC 1300a。
IC 1300a使用基带信号和/或电力产生毫米波(mmWave)频带的RF信号。例如，IC1300a接收具有低频率的基带信号并执行基带信号的频率转换、放大、滤波相位控制和电力产生，并且考虑到高频特性可以利用化合物半导体(例如，GaAs)或元素半导体(例如，Si)制成。
IC封装件还包括电连接到至少一个布线层1310a的对应布线的无源组件1350a。无源组件1350a设置在由芯构件1355a提供的容纳空间1306a中，并且向IC 1300a和/或至少一个第二天线构件提供阻抗。在一个示例中，无源组件1350a包括多层陶瓷电容器(MLCC)、电感器或片式电阻器。
IC封装件包括设置在芯构件1355a的侧表面上的芯镀覆构件1365a和370a。芯镀覆构件1365a和370a提供用于IC 1300a的接地区域，并且将由IC1300a产生的热辐射到外部或者去除由IC 1300a产生的噪声。
根据IC封装件和天线封装件的设计，IC封装件和天线封装件可以彼此独立地制造，然后连接到一起，或者可以制造为单个单元。即，可以省略将IC封装件和天线封装件连接到一起的单独的工艺。
在图13中所示的示例中，IC封装件通过电连接结构1290a和钝化层285a连接到连接构件，但是电连接结构1290a和钝化层285a可以根据IC封装件的设计而被省略。
连接构件包括天线装置100f，天线装置100f包括馈电线110f、连接到馈电线110f的第二天线构件(图13中未示出)、接地构件130f和第二接地构件135f。馈电线110f、第二天线构件、接地构件130f和第二接地构件135f分别与以上参照图1至图11B描述的馈电线、天线构件、接地构件和第二接地构件相似，天线装置100f还可以包括以上参照图1至图11B描述的阻抗转换线、第三接地构件、第四接地构件和第五接地构件、接地层以及屏蔽过孔。
图14是示出天线模块和双频带天线装置的布局位置的示例的示图。
参照图14，天线模块包括多个导向构件1110d、腔1130d、介电层1140d、镀覆构件1160d、多个片式天线1170c和1170d以及多个偶极子天线1175c和1175d。
多个导向构件1110d与设置在多个导向构件1110d之下的对应的天线构件(图14中未示出，但与图12中的天线构件1115b以及图13中的天线构件1115a、1115b、1115c和1115d相似)一起在z轴方向上发送和接收RF信号。多个导向构件1110d和设置在多个导向构件1110d之下的多个天线构件的数量、布局和形状不限于任意特定构造。例如，多个导向构件1110d可以具有圆形形状，而不是如图14中所示的方形形状，多个导向构件1110d的数量可以是两个、三个或五个或者更多个，而不是如图14中所示的四个。
多个片式天线1170c和1170d设置为与天线封装件的边缘相邻并在z轴方向上延伸。多个片式天线1170c和1170d中的一些片式天线在x轴方向上发送和接收RF信号，多个片式天线1170c和1170d中的剩余片式天线在y轴方向上发送和接收RF信号。由于多个片式天线1170c和1170d设置在天线封装件中，因此天线模块显著地减少了由于多个片式天线1170c和1170d的数量增加而引起的尺寸增大的问题。
多个偶极子天线1175c和1175d设置在介电层1140d与包封构件(图14中未示出)之间以与天线封装件的边缘相邻设置。多个偶极子天线1175c和1175d中的一些偶极子天线在x轴方向上发送和接收RF信号，多个偶极子天线1175c和1175d中剩余偶极子天线在y轴方向上发送和接收RF信号。根据设计，多个偶极子天线1175c和1175d中的至少一些偶极子天线可以用单极天线替代。
另外，天线模块包括均包括馈电线、第二天线构件和接地构件的多个天线装置100c和100d。多个天线装置100c和100d中的一些天线装置在x轴方向上发送和接收RF信号，多个天线装置100c和100d中的剩余天线装置在y轴方向上发送和接收RF信号。
多个天线装置100c和100d可以布置为与天线模块的侧方向平行，并且可以被介电层1140c包封。例如，偶极子天线1175d和片式天线1170d可以布置在天线构件与天线装置100d之间。
图15A和图15B是分别示出作为天线模块和双频带天线装置的频率的函数的S参数和增益的曲线图。
参照图15A和图15B，在具有最短宽度的接地构件的第一情况510a和510b、具有第二短宽度的接地构件的第二情况520a和520b、具有第二长宽度的接地构件的第三情况530a和530b以及具有最长宽度的接地构件的第四情况540a和540b之中，第一情况510a和510b的扩展频带(大约41GHz)是最高的，第四情况540a和540b的扩展频带(大约36GHz)是最低的。因此，扩展频带随着接地构件的宽度增大而减小。
图16A和图16B是示出在电子设备中的天线模块的布局的示例的示图。
参照图16A，包括天线装置100g、导向构件1110g、介电层1140g和集成电路(IC)(图16A中未示出，但例如参见图12和图13)的天线模块在电子设备400g的基板300g上被设置为与电子设备400g的侧边界相邻。
电子设备400g可以是智能手机、个人数字助理、数码摄像机、数字照相机、网络系统、计算机、监视器、平板电脑、膝上型电脑、上网本、电视机、视频游戏机、智能手表或汽车组件，但不限于此。
通信模块310g和基带电路320g还被设置在基板300g上。通信模块310g包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器(例如，ROM)或闪存；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，CPU)、图形处理器(例如，GPU)、数字信号处理器、加密处理器、微处理器或微控制器；以及逻辑芯片，诸如模拟数字转换器或专用IC(ASIC)。然而，这些仅是示例，通信模块310g不限于此。
基带电路320g通过执行模拟信号的模拟数字转换、放大、滤波和频率转换来产生基带信号。从基带电路320g输入和输出的基带信号通过电缆被发送到天线模块。
例如，基带信号可以通过图13中所示的电连接结构1340a、芯过孔1360a和至少一个布线层1310a发送到天线模块的IC。IC将基带信号转换为毫米波(mmWave)带的RF信号。
参照图16B，均包括天线装置100h、导向构件1110h、介电层1140h和集成电路(IC)(图16B中未示出，但例如参见图12和图13)的两个天线模块设置在电子设备400h的基板300h上，使得天线模块中的一个被设置为在电子设备400h的一端处与电子设备400h的一个侧边界相邻，并且天线模块中的另一个被设置为在电子设备400h的相对端处与电子设备400h的相对侧边界相邻。通信模块310h和基带电路320h还设置在基板300h上。
这里公开的布线层、馈电线、馈电过孔、天线构件、接地构件、第二接地构件至第五接地构件、阻抗转换线、接地层、屏蔽过孔、极子过孔、接地过孔、导向构件、电连接结构和镀覆构件可以包括金属材料(例如，诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或者它们的任意两种或更多种的合金的导电材料)，并且可以通过镀覆方法(诸如，化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射、减成工艺、加成工艺、半加成工艺(SAP)或改进的半加成工艺(MSAP))来制成，但不限于此。
这里公开的RF信号可以具有根据Wi-Fi(电气与电子工程师协会(IEEE)802.11系列)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE 802.16移动宽带无线接入(MBWA)(系列)，IEEE802.20)、长期演进(LTE)、演进数据优化(EV-DO)、演进高速分组接入(HSPA+)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、GSM演进增强型数据速率(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强无线电信(DECT)、蓝牙、3G、4G、和5G协议以及任意其他无线和有线协议的格式，但不限于此。
在上述示例中，天线模块通过在彼此不同的第一方向和第二方向上形成用于RF信号的发送和接收的辐射图案使RF信号的发送和接收方向全方位地扩展，并且改善第二方向上的天线性能(例如，发送和接收速率、增益、带宽和方向性)或者使得能够在第二方向上进行双频带发送和接收。
另外，在改善RF信号的在第一方向和第二方向上的发送和接收性能的同时，天线模块被容易地小型化。
双频带天线装置在具有简化的结构的同时发送和接收双频带RF信号。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将明显的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。这里描述的示例仅将被视为描述性的含义，并非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行所描述的技术，和/或如果以不同的方式组合所描述的系统、架构、设备或者电路中的组件，和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、构造、设备或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物所限定，并且权利要求及其等同物范围内的所有改变将解释为被包含在本公开中。

Claims (20)

1.一种天线模块，包括：
贴片天线；
馈电过孔，结合到所述贴片天线；
集成电路，电连接到所述馈电过孔；
连接构件，设置在所述集成电路和所述贴片天线之间，所述连接构件包括接地层和布线构件，所述布线构件电连接到所述集成电路并且被所述接地层包围；
馈电线，电连接到所述布线构件；
偶极子天线，电连接到所述馈电线，并且设置在所述贴片天线和所述集成电路之间的第一高度上；
第一臂构件，设置在所述偶极子天线和所述集成电路之间的第二高度上，并且所述第一臂构件与所述偶极子天线和所述接地层间隔开；
第二臂构件，设置在所述偶极子天线和所述贴片天线之间的第三高度上并且在竖直方向上与所述偶极子天线的至少一部分叠置；以及
极子过孔，将所述第一臂构件与所述第二臂构件中的仅一者与所述偶极子天线连接，
其中，所述第一臂构件的至少一部分在竖直方向上与所述偶极子天线叠置。
2.根据权利要求1所述的天线模块，其中，所述第一臂构件的尺寸大于所述偶极子天线的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的天线模块，其中，所述第一臂构件和所述第二臂构件中的每者与所述连接构件分开。
4.根据权利要求1所述的天线模块，其中，所述馈电线的宽度比所述布线构件的宽度宽。
5.根据权利要求1所述的天线模块，其中，所述连接构件还包括屏蔽过孔，所述屏蔽过孔电连接到所述接地层并且被布置为围绕所述布线构件中的每个布线构件。
6.根据权利要求1所述的天线模块，其中，所述连接构件还包括屏蔽过孔，所述屏蔽过孔电连接到所述接地层并且沿着所述接地层的边界布置。
7.根据权利要求1所述的天线模块，其中，所述第一臂构件与所述偶极子天线之间的距离比所述贴片天线与所述接地层之间的距离短。
8.根据权利要求1所述的天线模块，所述天线模块还包括导向构件，在所述竖直方向上，所述导向构件与所述贴片天线间隔开并且与所述贴片天线的至少一部分叠置。
9.一种天线模块，包括：
贴片天线；
馈电过孔，结合到所述贴片天线；
集成电路，电连接到所述馈电过孔；
连接构件，设置在所述集成电路与所述贴片天线之间，所述连接构件包括接地层和布线构件，所述布线构件电连接到所述集成电路并且被所述接地层围绕；
馈电线，电连接到所述布线构件；
偶极子天线，电连接到所述馈电线，并且设置在所述贴片天线与所述集成电路之间的第一高度上；并且
其中，所述连接构件还包括屏蔽过孔，所述屏蔽过孔电连接到所述接地层并且沿着所述接地层的边界布置，并且所述屏蔽过孔设置在所述偶极子天线与所述布线构件之间。
10.根据权利要求9所述的天线模块，其中，所述屏蔽过孔被布置为围绕所述布线构件中的每个布线构件，并且
其中，所述馈电线的宽度比所述布线构件的宽度宽。
11.一种天线模块，包括：
连接构件，包括布线构件以及围绕所述布线构件的接地层；
贴片天线，设置在所述连接构件的第一表面上，所述贴片天线通过馈电过孔结合到所述布线构件；
布线过孔，连接到所述布线构件并且被构造为连接到设置在所述连接构件的与所述第一表面在竖直方向上相对的第二表面上的集成电路；
偶极子天线，设置在所述贴片天线的高度与所述第二表面的高度之间，并且所述偶极子天线通过馈电线连接到所述布线构件；以及
第一臂构件和第二臂构件，在所述贴片天线的所述高度与所述第二表面的所述高度之间与所述偶极子天线和所述接地层间隔开，并且被设置为在竖直方向上分别在所述偶极子天线的上方和下方与所述偶极子天线叠置，
其中，所述天线模块还包括极子过孔，所述极子过孔将所述第一臂构件与所述第二臂构件中的仅一者与所述偶极子天线连接。
12.根据权利要求11所述的天线模块，其中，所述第一臂构件和所述第二臂构件中的每者的面积大于所述偶极子天线的面积。
13.根据权利要求11所述的天线模块，其中，所述馈电线的宽度大于所述布线构件的宽度。
14.根据权利要求11所述的天线模块，所述天线模块还包括屏蔽过孔，所述屏蔽过孔设置在所述接地层上，以围绕所述布线构件。
15.根据权利要求11所述的天线模块，所述天线模块还包括围绕所述馈电过孔的镀覆构件。
16.一种电子装置，包括：
壳体；以及
根据权利要求11-15中任一项所述的天线模块，设置在所述壳体中使得所述偶极子天线朝向所述壳体的侧表面设置，并且所述贴片天线面对所述壳体的前主表面或后主表面设置，
其中，所述集成电路被构造为接收基带信号并且根据所述基带信号产生射频信号，
其中，所述贴片天线结合到所述集成电路以从所述集成电路接收所述射频信号，并且所述贴片天线被构造为在第一方向上发送所述射频信号，并且
其中，所述偶极子天线连接到所述集成电路，以从所述集成电路接收所述射频信号，并且所述偶极子天线被构造为在第二方向上发送所述射频信号。
17.一种天线模块，包括：
连接构件，包括布线构件和围绕所述布线构件的接地层；
贴片天线，设置在所述连接构件的第一表面上，所述贴片天线通过馈电过孔结合到所述布线构件；
布线过孔，连接到所述布线构件并且被构造为连接到集成电路，所述集成电路设置在所述连接构件的在竖直方向上与所述第一表面相对的第二表面上；
偶极子天线，设置在所述贴片天线的高度和所述第二表面的高度之间，并且通过馈电线连接到所述布线构件；以及
屏蔽过孔，电连接到所述接地层并且沿着所述接地层的边界设置，
其中，所述屏蔽过孔设置在所述偶极子天线与所述布线构件之间。
18.根据权利要求17所述的天线模块，其中，所述屏蔽过孔被设置为面对所述布线构件，以及
其中，所述馈电线的宽度大于所述布线构件的宽度。
19.根据权利要求17所述的天线模块，所述天线模块还包括一个或更多个臂构件，所述一个或更多个臂构件在所述贴片天线的所述高度与所述第二表面的所述高度之间与所述偶极子天线和所述接地层间隔开，并且被设置为在竖直方向上在所述偶极子天线的上方、下方或者上方和下方两者与所述偶极子天线叠置。
20.一种电子装置，包括：
壳体；以及
根据权利要求17-19中任一项所述的天线模块，设置在所述壳体中使得所述偶极子天线朝向所述壳体的侧表面设置，并且所述贴片天线被设置为面对所述壳体的前主表面或后主表面，
其中，所述集成电路被构造为接收基带信号并且根据所述基带信号产生射频信号，
其中，所述贴片天线结合到所述集成电路以从所述集成电路接收所述射频信号，并且被构造为在第一方向上发送所述射频信号，并且
其中，所述偶极子天线连接到所述集成电路以从所述集成电路接收所述射频信号，并且所述偶极子天线被构造为在第二方向上发送所述射频信号。
CN202110181259.0A 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备 Active CN112768948B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110181259.0A CN112768948B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170179224A KR101939047B1 (ko) 2017-12-26 2017-12-26 안테나 모듈 및 듀얼밴드 안테나 장치
KR10-2017-0179224 2017-12-26
CN202110181259.0A CN112768948B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备
CN201811092450.2A CN109962340B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811092450.2A Division CN109962340B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112768948A CN112768948A (zh) 2021-05-07
CN112768948B true CN112768948B (zh) 2023-07-25

Family

ID=65280666

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110181259.0A Active CN112768948B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备
CN201811092450.2A Active CN109962340B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811092450.2A Active CN109962340B (zh) 2017-12-26 2018-09-19 天线模块、双频带天线装置及电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10770793B2 (zh)
JP (2) JP6641658B2 (zh)
KR (1) KR101939047B1 (zh)
CN (2) CN112768948B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10770795B2 (en) 2016-05-27 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Antenna device and method for manufacturing antenna device
KR102022354B1 (ko) 2017-12-26 2019-09-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈 및 안테나 장치
US10965030B2 (en) * 2018-04-30 2021-03-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna apparatus
KR102561724B1 (ko) * 2018-12-07 2023-07-31 삼성전자주식회사 안테나 모듈 및 그를 포함하는 전자 장치
KR102626886B1 (ko) 2019-02-19 2024-01-19 삼성전자주식회사 안테나 및 상기 안테나를 포함하는 전자 장치
KR102597392B1 (ko) 2019-02-28 2023-11-03 삼성전자주식회사 이중 대역을 지원하는 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
US11024982B2 (en) * 2019-03-21 2021-06-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna apparatus
JP6977754B2 (ja) * 2019-11-13 2021-12-08 Tdk株式会社 アンテナ装置及びこれを備える回路基板
WO2021121611A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Dual polarization connected antenna array
CN111048895B (zh) * 2019-12-24 2021-06-08 华南理工大学 一种封装基板分布式天线
KR20210122956A (ko) 2020-04-01 2021-10-13 삼성전자주식회사 다중 대역 안테나 장치
KR20220086755A (ko) * 2020-12-16 2022-06-24 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN115528418A (zh) * 2021-06-26 2022-12-27 华为技术有限公司 天线单元和电子设备
US20230087415A1 (en) 2021-09-17 2023-03-23 Htc Corporation Signal radiation device and antenna structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016067969A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及び回路モジュール
JP2016149687A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 富士通株式会社 アンテナ装置
CN106356611A (zh) * 2015-07-17 2017-01-25 三星电机株式会社 天线装置、基板模块及多频带天线
US9806422B2 (en) * 2013-09-11 2017-10-31 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3734666B2 (ja) 2000-02-28 2006-01-11 三菱電機株式会社 アンテナ装置及びこれを用いたアレーアンテナ
JP2002111208A (ja) 2000-09-29 2002-04-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層誘電体基板
US6567055B1 (en) * 2001-05-01 2003-05-20 Rockwell Collins, Inc. Method and system for generating a balanced feed for RF circuit
JP4318417B2 (ja) * 2001-10-05 2009-08-26 ソニー株式会社 高周波モジュール基板装置
KR100477278B1 (ko) 2002-05-15 2005-03-22 (주) 코산아이엔티 마이크로스트립 듀얼밴드 안테나
JP2006301827A (ja) 2005-04-19 2006-11-02 Aruze Corp 非接触ｉｃカードシステム、並びに非接触ｉｃカードの取付体
US7893878B2 (en) * 2006-12-29 2011-02-22 Broadcom Corporation Integrated circuit antenna structure
KR100820544B1 (ko) * 2006-08-29 2008-04-07 엘지이노텍 주식회사 Ｒｆｉｄ 태그 및 그 안테나
JP5853351B2 (ja) 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
CN102195143A (zh) * 2011-03-10 2011-09-21 东南大学 带倾角的宽带并馈全向天线阵
US9300053B2 (en) * 2011-08-12 2016-03-29 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Wide band embedded armor antenna using double parasitic elements
US8890750B2 (en) * 2011-09-09 2014-11-18 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Symmetrical partially coupled microstrip slot feed patch antenna element
KR101439001B1 (ko) 2013-01-25 2014-09-11 엘지이노텍 주식회사 안테나 장치 및 그의 급전 구조체
US9570809B2 (en) * 2013-06-06 2017-02-14 Qualcomm Incorporated Techniques for designing millimeter wave printed dipole antennas
US9819098B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-14 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations
US9912071B2 (en) 2014-01-08 2018-03-06 Qualcomm Incorporated Quasi-yagi-type antenna
KR102056411B1 (ko) * 2014-02-28 2019-12-16 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 빔 영역을 확장하기 위한 방법 및 장치
US9583842B2 (en) 2014-07-01 2017-02-28 Qualcomm Incorporated System and method for attaching solder balls and posts in antenna areas
KR102151425B1 (ko) 2014-08-05 2020-09-03 삼성전자주식회사 안테나 장치
US9620464B2 (en) 2014-08-13 2017-04-11 International Business Machines Corporation Wireless communications package with integrated antennas and air cavity
WO2016063759A1 (ja) 2014-10-20 2016-04-28 株式会社村田製作所 無線通信モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9806422B2 (en) * 2013-09-11 2017-10-31 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations
WO2016067969A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及び回路モジュール
JP2016149687A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 富士通株式会社 アンテナ装置
CN106356611A (zh) * 2015-07-17 2017-01-25 三星电机株式会社 天线装置、基板模块及多频带天线

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dual-band antenna with combination of printed dipole and aperture coupled rectangular patch antenna;Hossein Eskandari, Hamid Reza Hasani;《Microwave and Optical Technology Letters》;第1-3页 *
V形地平面反射结构新型印制偶极子天线;范志广,冉立新,陈抗生;浙江大学学报(工学版)(第09期);第18-21页 *
一种应用于WLAN/WiMAX的双频天线;常舒;李迎松;杨晓冬;;应用科技(第06期);第24-28页 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP7205042B2 (ja) 2023-01-17
KR101939047B1 (ko) 2019-01-16
US10770793B2 (en) 2020-09-08
US20200112100A1 (en) 2020-04-09
US10965028B2 (en) 2021-03-30
JP2020025296A (ja) 2020-02-13
CN109962340B (zh) 2021-03-09
CN112768948A (zh) 2021-05-07
CN109962340A (zh) 2019-07-02
US20190198995A1 (en) 2019-06-27
JP6641658B2 (ja) 2020-02-05
JP2019118095A (ja) 2019-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112768948B (zh) 天线模块、双频带天线装置及电子设备
JP7347732B2 (ja) アンテナ装置及びアンテナモジュール
CN109962332B (zh) 天线模块和天线装置
KR102058667B1 (ko) 안테나 장치 및 안테나 모듈
KR102117513B1 (ko) 안테나 장치 및 안테나 모듈
KR102314699B1 (ko) 안테나 장치
KR102307120B1 (ko) 안테나 장치
CN109873246B (zh) 天线设备及天线模块
KR102260373B1 (ko) 안테나 모듈 및 안테나 장치
KR102069235B1 (ko) 안테나 장치
KR102046471B1 (ko) 안테나 장치 및 안테나 모듈
CN112151966A (zh) 天线设备
KR102117459B1 (ko) 안테나 장치
CN112201938B (zh) 天线设备和电子装置
CN109873247B (zh) 天线设备及天线模块
KR102125085B1 (ko) 안테나 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant