CN112768235A - 一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法 - Google Patents

一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112768235A
CN112768235A CN202011538555.3A CN202011538555A CN112768235A CN 112768235 A CN112768235 A CN 112768235A CN 202011538555 A CN202011538555 A CN 202011538555A CN 112768235 A CN112768235 A CN 112768235A
Authority
CN
China
Prior art keywords
less
polypropylene
film
temperature
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011538555.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112768235B (zh
Inventor
杜伯学
冉昭玉
肖萌
许然然
刘浩梁
邢继文
范凯伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN202011538555.3A priority Critical patent/CN112768235B/zh
Publication of CN112768235A publication Critical patent/CN112768235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112768235B publication Critical patent/CN112768235B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/60Arrangements for transfer of electric power between AC networks or generators via a high voltage DC link [HVCD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,在干燥装置、双棍机、平板硫化机、缓慢冷却装置上进行:使用双棍机将聚丙烯母粒与有机结晶促进剂液体混合为混合物,混合温度为T2,185℃<T2<205℃,按质量分数有机结晶促进剂含量为x,0<x<0.05%;将混合物放入平板硫化机热压定型,定型时间为t2,5min<t2<20min,温度为T2,压强为n,20MPa<n<45MPa;保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从T2降温至T3,90℃<T3<140℃,冷却时间为t3,25min<t3<35min;取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至温度T4,20℃<T4<30℃,冷却时间为t4,15min<t4<30min,即得到聚丙烯改性薄膜。本发明提升薄膜击穿强度,避免绝缘失效故障的发生。

Description

一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法
技术领域
本发明涉及一种聚丙烯薄膜。特别是涉及一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法。
背景技术
高压直流金属化薄膜电容器在在换流站中起到滤波、电压支撑、均压和阻尼作用,是智能电网和新能源发电的核心装备。随着电压等级的升高,对于电容器用聚丙烯绝缘的耐压等级要求也逐渐提高,而聚丙烯薄膜的电气特性与其微观结构息息相关。在实际运行过程中,聚丙烯薄膜在电-热长期作用下,微观结构受到破坏,产生电弱点,可能最终引起绝缘故障,从而威胁到整个直流输电系统的安全稳定运行。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种可以实现聚丙烯薄膜结晶形态调控的电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法。
本发明所采用的技术方案是:一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,是在依次设置的干燥装置、双棍机、平板硫化机、缓慢冷却装置上进行,是通过促进聚丙烯分子链缠结,完善聚丙烯薄膜的微观晶区,限制载流子迁移,具体包括如下步骤:
1)使用双棍机将聚丙烯母粒与有机结晶促进剂液体混合为混合物,混合温度为T2,185℃<T2<205℃,按质量分数有机结晶促进剂含量为x,0<x<0.05%;
2)将混合物放入平板硫化机热压定型,定型时间为t2,5min<t2<20min,温度为T2,压强为n,20MPa<n<45MPa;
3)保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从T2降温至T3,90℃<T3<140℃,冷却时间为t3,25min<t3<35min;
4)取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至温度T4,20℃<T4<30℃,冷却时间为t4,15min<t4<30min,即得到聚丙烯改性薄膜。
步骤1)所述的有机结晶促进剂液体,是分子中含有亲无机基团和亲有机基团。
所述的有机结晶促进剂液体是γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷,或者是γ―氨丙基三乙氧基硅烷,或者是铝酸酯偶联剂DL-411。
本发明的一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,提供具有致密微观结构的薄膜改性方法,可以实现聚丙烯薄膜结晶形态调控,通过促进聚丙烯分子链缠结,对成核中心的增加以及对成核形貌的控制,完善聚丙烯薄膜的微观晶区,限制载流子迁移,实现对聚丙烯薄膜的结晶形态优化,提升薄膜击穿强度,避免绝缘失效故障的发生,达到提升薄膜电气性能的目的,操作简易且成本低廉。
附图说明
图1a是改性前聚丙烯薄膜微观结构;
图1b是改性后聚丙烯薄膜微观结构;
图2是聚丙烯薄膜改性优化方法工作过程示意图;
图3是原始聚丙烯薄膜及改性聚丙烯薄膜的直流击穿场强图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明的一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法做出详细说明。
本发明的一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,是在依次设置的干燥装置、双棍机、平板硫化机、缓慢冷却装置上进行。是通过促进聚丙烯分子链缠结,完善聚丙烯薄膜的微观晶区,限制载流子迁移,具体包括如下步骤:
1)使用双棍机将聚丙烯母粒与有机结晶促进剂液体混合为混合物,混合温度为T2,185℃<T2<205℃,按质量分数有机结晶促进剂含量为x,0<x<0.05%;
所述的有机结晶促进剂液体,是分子中含有亲无机基团和亲有机基团。所述的有机结晶促进剂液体是γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷,或者是γ―氨丙基三乙氧基硅烷,或者是铝酸酯偶联剂DL-411。
2)将混合物放入平板硫化机热压定型,定型时间为t2,5min<t2<20min,温度为T2,压强为n,20MPa<n<45MPa;
3)保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从T2降温至T3,90℃<T3<140℃,冷却时间为t3,25min<t3<35min;
4)取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至温度T4,20℃<T4<30℃,冷却时间为t4,15min<t4<30min,即得到聚丙烯改性薄膜。
下面给出实例:
实例1
1、使用双棍机将聚丙烯母粒与铝酸酯偶联剂DL-411液体混合,温度为190℃,聚丙烯母粒型号为海南石化生产的PPH-T03,铝酸酯偶联剂DL-411含量为0.01%(质量分数)。
2、将混合物放入平板硫化机热压10min定型,温度为190℃,压强为35MPa。
3、保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从190℃降温至120℃,冷却时间为30min。
4、取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至25℃,冷却时间为20min,即可得到聚丙烯改性薄膜。
实例2
1、使用双棍机将聚丙烯母粒与γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷液体混合,温度为186℃,聚丙烯母粒型号为海南石化生产的PPH-T03,γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷含量为0.03%(质量分数)。
2、将混合物放入平板硫化机热压5.1min定型,温度为186℃,压强为21MPa。
3、保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从186℃降温至91℃,冷却时间为26min。
4、取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至21℃,冷却时间为16min,即可得到聚丙烯改性薄膜。
实例3
1、使用双棍机将聚丙烯母粒与γ―氨丙基三乙氧基硅烷液体混合,温度为204℃,聚丙烯母粒型号为海南石化生产的PPH-T03,γ―氨丙基三乙氧基硅烷含量为0.049%(质量分数)。
2、将混合物放入平板硫化机热压19min定型,温度为204℃,压强为44.9MPa。
3、保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从204℃降温至139℃,冷却时间为34min。
4、取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至29℃,冷却时间为29min,即可得到聚丙烯改性薄膜。

Claims (3)

1.一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,是在依次设置的干燥装置、双棍机、平板硫化机、缓慢冷却装置上进行,其特征在于,是通过促进聚丙烯分子链缠结,完善聚丙烯薄膜的微观晶区,限制载流子迁移,具体包括如下步骤:
1)使用双棍机将聚丙烯母粒与有机结晶促进剂液体混合为混合物,混合温度为T2,185℃<T2<205℃,按质量分数有机结晶促进剂含量为x,0<x<0.05%;
2)将混合物放入平板硫化机热压定型,定型时间为t2,5min<t2<20min,温度为T2,压强为n,20MPa<n<45MPa;
3)保持压强不变,使用缓慢冷却装置,使得混合物从T2降温至T3,90℃<T3<140℃,冷却时间为t3,25min<t3<35min;
4)取出薄膜式样后,继续在缓慢冷却装置中冷却至温度T4,20℃<T4<30℃,冷却时间为t4,15min<t4<30min,即得到聚丙烯改性薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,其特征在于,步骤1)所述的有机结晶促进剂液体,是分子中含有亲无机基团和亲有机基团。
3.根据权利要求2所述的一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法,其特征在于,所述的有机结晶促进剂液体是γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷,或者是γ―氨丙基三乙氧基硅烷,或者是铝酸酯偶联剂DL-411。
CN202011538555.3A 2020-12-23 2020-12-23 一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法 Active CN112768235B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011538555.3A CN112768235B (zh) 2020-12-23 2020-12-23 一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011538555.3A CN112768235B (zh) 2020-12-23 2020-12-23 一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112768235A true CN112768235A (zh) 2021-05-07
CN112768235B CN112768235B (zh) 2022-05-17

Family

ID=75695800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011538555.3A Active CN112768235B (zh) 2020-12-23 2020-12-23 一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112768235B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114106375A (zh) * 2022-01-24 2022-03-01 天津大学 一种电容器聚丙烯薄膜高温击穿性能的提升方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050182175A1 (en) * 2002-05-14 2005-08-18 Treofan Germany Gmbh & Co. Kg Highly active $g(b)-nucleating additive for polypropylene
WO2007114647A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Samyoung Chemical Co., Ltd. Manufacturing method of ultra thin high temperature resistant polypropylene dielectric film for capacitor
CN101585928A (zh) * 2009-06-12 2009-11-25 武汉理工大学 一种聚丙烯β晶型成核剂的制备方法
US20120202905A1 (en) * 2009-10-20 2012-08-09 Treofan Germany Gmbh & Co. Kg NANOSCALE beta NUCLEATING AGENT FOR POLYPROPYLENE
CN109593271A (zh) * 2018-11-29 2019-04-09 天津大学 一种基于苯偶酰提高聚丙烯薄膜击穿场强的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050182175A1 (en) * 2002-05-14 2005-08-18 Treofan Germany Gmbh & Co. Kg Highly active $g(b)-nucleating additive for polypropylene
WO2007114647A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Samyoung Chemical Co., Ltd. Manufacturing method of ultra thin high temperature resistant polypropylene dielectric film for capacitor
CN101585928A (zh) * 2009-06-12 2009-11-25 武汉理工大学 一种聚丙烯β晶型成核剂的制备方法
US20120202905A1 (en) * 2009-10-20 2012-08-09 Treofan Germany Gmbh & Co. Kg NANOSCALE beta NUCLEATING AGENT FOR POLYPROPYLENE
CN109593271A (zh) * 2018-11-29 2019-04-09 天津大学 一种基于苯偶酰提高聚丙烯薄膜击穿场强的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WEI ZHANG ET AL: "Effect of the β-crystal formation in isotactic polypropylene used for eco-friendly insulating material", 《2017 1ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRICAL MATERIALS AND POWER EQUIPMENT》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114106375A (zh) * 2022-01-24 2022-03-01 天津大学 一种电容器聚丙烯薄膜高温击穿性能的提升方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112768235B (zh) 2022-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112768235B (zh) 一种电容器用聚丙烯薄膜结晶形貌优化方法
CN101597062B (zh) 多晶硅还原炉自动调功装置
CN102175942A (zh) 一种柔性直流输电mmc高压子模块的稳态运行试验方法
CN109004064B (zh) 一种p型电池片的制作方法
CN112873670B (zh) 一种基于结晶形貌调控的聚丙烯薄膜绝缘特性提升方法
CN114106375A (zh) 一种电容器聚丙烯薄膜高温击穿性能的提升方法
CN112521647B (zh) 基于光催化氧化表面接枝的聚丙烯薄膜绝缘特性提升方法
CN109206748B (zh) 聚丙烯基复合绝缘材料及制备方法
CN106496728A (zh) 一种高压电缆绝缘材料的制备方法
CN113321863A (zh) 一种在直流电缆用Al2O3/XLPE复合材料的制备方法
CN206060515U (zh) 一种改良西门子法启动电路
CN114986771B (zh) 一种同时提升聚丙烯电缆料断裂伸长率和介电强度的处理方法
CN117866251A (zh) 一种高击穿的热塑性聚氨酯弹性体-芴聚酯复合材料的制备方法及应用
CN110993732A (zh) 一种光伏电站现场组件修复方法
CN117467171A (zh) 一种热塑性聚氨酯弹性体-聚醚酰亚胺复合材料的制备方法及应用
CN110191519B (zh) 双工位电阻加热工艺及其系统
CN114188111B (zh) 一种gis/gil环氧树脂绝缘子的表面处理方法
CN114142043B (zh) 提高钒电池用电极电化学性能的方法
CN114864283B (zh) 一种高储能柔性无机薄膜及其制备方法
CN112735862A (zh) 基于表面接枝的聚丙烯薄膜绝缘特性优化系统及使用方法
CN114479460B (zh) 一种双层聚合物复合材料及其制备方法
CN117683350B (zh) 一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用
CN115232952B (zh) 一种高频组件中螺旋线制备方法
CN112844997A (zh) 一种用于燃料电池电堆端板的表面绝缘处理方法
CN115194977B (zh) 一种电容器用长链支化聚丙烯薄膜高温击穿性能提升方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant