CN112743446A - 一种用于石英晶体方片的外形修改方法 - Google Patents

一种用于石英晶体方片的外形修改方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112743446A
CN112743446A CN202011589117.XA CN202011589117A CN112743446A CN 112743446 A CN112743446 A CN 112743446A CN 202011589117 A CN202011589117 A CN 202011589117A CN 112743446 A CN112743446 A CN 112743446A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
grinding
lump
size
wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011589117.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112743446B (zh
Inventor
睢建平
郑文强
崔巍
段友峰
王作羽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Institute of Radio Metrology and Measurement
Original Assignee
Beijing Institute of Radio Metrology and Measurement
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Institute of Radio Metrology and Measurement filed Critical Beijing Institute of Radio Metrology and Measurement
Priority to CN202011589117.XA priority Critical patent/CN112743446B/zh
Publication of CN112743446A publication Critical patent/CN112743446A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112743446B publication Critical patent/CN112743446B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/006—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the speed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于石英晶体方片的外形修改方法，该方法的具体步骤为：步骤1、对晶片进行粘坨处理，形成晶片坨；步骤2、对所述晶片坨进行研磨，直至尺寸达到要求；步骤3、将所述晶片坨中的晶片分离并进行处理。本发明解决了传统外形修改通常需要制作新的石英晶体方片，在制作过程中修改尺寸，此方法存在制作周期长、成本高的问题。本发明提出了一种石英晶体方片的外形修改方法，具有制作周期短、加工方便、成本低的优势。

Description

一种用于石英晶体方片的外形修改方法
技术领域
本发明涉及一种外形修改方法，特别是一种用于石英晶体方片的外形修改方法。
背景技术
石英晶体的外形尺寸直接影响晶体谐振器的电阻、频率跳点等指标。特别是温补晶体用的高精度石英谐振器，多次项温度补偿电路对谐振器的跳点要求很高，由于采用寄存器控制多次项系数的方法，只能按多项式光滑曲线来形成所需要的控制电压，对于谐振器附加在光滑曲线上的突跳是不能补偿的。因此要求，频率温度特性曲线光滑，频率跳点不得超过要求温度频差的1/2。
随着石英谐振器外形尺寸的减小，由于石英晶体的固有特性，频率跳点受各种耦合振动的影响也会恶化，谐振器的频率跳点指标的实现难度大大增加。从而影响温补晶振的频率温度稳定性指标。降低晶振的跳点主要是通过改变石英晶片的宽厚比w/t，抑制其它振动模式的耦合振动。降低频率跳点通常是采用不同外形尺寸，目前最常用的方法是需要制作新的石英晶体方片，在制作过程中修改尺寸，此方法存在制作周期长、成本高的问题。
外形修改方法是利用化学研磨作用对晶体表面进行处理，使晶片表面较为平整，且能保护晶片不受损坏，使外形尺寸等指标达到理想的效果。另外，外形修改与外形修改相比，可大大降低抛光后晶体尺寸的散度，利于后续工序的进行。但目前常见的外形修改方法，采用的研磨液成分都是氟化铵和氟化氢铵，其研磨速度过快，容易造成晶片表面研磨不均匀，使抛光后的晶片表面不平整，对晶体的尺寸和稳定性产生不良影响。本发明提出了一种石英晶体方片的外形修改方法，具有制作周期短、加工方便、成本低的优势。
发明内容
本发明目的在于提供一种用于石英晶体方片的外形修改方法，解决传统外形修改方法通常需要制作新的石英晶体方片，在制作过程中修改尺寸，存在制作周期长、成本高的问题。
本发明提供的技术方案如下：
一种用于石英晶体方片的外形修改方法，包括以下步骤：
步骤1、对晶片进行粘坨处理，形成晶片坨；
步骤2、对所述晶片坨进行研磨，直至尺寸达到要求；
步骤3、将所述晶片坨中的晶片分离并进行处理。
进一步，步骤1具体包括：
将晶片按同一方向排列成一定长度的叠片，将与晶片大小一致的磨毛的玻璃片叠放在叠片的两端；将折成直角的衬纸铺放在直角器内，将叠片放在衬纸上；将少量松蜡剂浇在叠片上；将直角器放在烘箱内烘烤一段时间后取出；将熔化好的松蜡剂浇在叠片上；用镊子将叠片横向打散再挤紧，重复数次，使晶片间隙充满松蜡剂；用镊子将叠片调整整齐，挤紧，使晶片间无气泡，在晶片未完全冷却前，抽取衬纸将晶片移到直角器外侧边缘；待晶片完全冷却后，取下形成的晶片坨，除去衬纸，用小刀将晶片坨两端玻璃片上的松蜡剂刮干净。
进一步，所述烘箱的温度设定为150℃±5℃，烘烤时间为10～15min。
进一步，步骤2具体包括：
对晶片坨进行试研磨，在试研磨过程中添加研磨砂液；根据试研磨前后晶片的尺寸和试研磨时间计算研磨速度，根据研磨速度和需要修改的尺寸计算研磨时间；研磨时间到达后，对晶片进行测量，若其尺寸在研磨公差范围内即达到要求，若没有达到研磨公差范围，则需重复本步骤，直至符合要求。
进一步，根据试研磨前后晶片的尺寸和试研磨的研磨时间计算研磨速度，根据研磨速度和需要修改的尺寸计算研磨时间，具体包括：
设试研磨前晶片的尺寸为S1，试研磨时间为t，研磨后晶片的尺寸为S2；计算出研磨速度v＝(S1-S2)/t；设需要修改的尺寸为S，则研磨时间T＝(S-S2)/v。
进一步，所述外形修改研磨液的配制方法包括：320#白刚玉、3000#碳化硅分别和水按重量1：1混合，配制成320#研磨砂液、3000#研磨砂液。
进一步，步骤3具体包括：
将粘坨加热取下晶片；将晶片放入结晶皿中用烧开的纯净水冲洗，用无水乙醇脱水，再用电炉烘干。
进一步，在将粘坨加热取下晶片之前，还包括：将尺寸修改好的晶片坨冲洗干净，用10～30倍显微镜检查晶片坨是否有破边、崩边、锯齿状边缘和裂痕。
进一步，所述晶片为石英晶体方片，在用电炉烘干之后，还包括：用10～30倍显微镜检查晶片是否有破边、崩边、锯齿状边缘、裂痕。
本方法对石英晶体方片尺寸进行研磨修改，可使晶片边缘均匀平整，且能保护晶片不受损坏，使制作的晶体谐振器频率跳点等指标达到理想的效果，具有制作周期短、加工方便、成本低的优势。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种用于石英晶体方片的外形修改方法的步骤流程图。
具体实施方式
如图1所示，本发明实施例提供的一种用于石英晶体方片的外形修改方法，包括以下步骤：
110、对晶片进行粘坨处理，形成晶片坨；
具体的，步骤110具体包括：
将晶片按同一方向排列成一定长度的叠片，将与晶片大小一致的磨毛的玻璃片叠放在叠片的两端；将折成直角的衬纸铺放在直角器内，将叠片放在衬纸上；将少量松蜡剂浇在叠片上；将直角器放在烘箱内烘烤一段时间后取出；将熔化好的松蜡剂浇在叠片上；用镊子将叠片横向打散再挤紧，重复数次，使晶片间隙充满松蜡剂；用镊子将叠片调整整齐，挤紧，使晶片间无气泡，在晶片未完全冷却前，抽取衬纸将晶片移到直角器外侧边缘；待晶片完全冷却后，取下形成的晶片坨，除去衬纸，用小刀将晶片坨两端玻璃片上的松蜡剂刮干净。
可选地，在该实施例中，烘箱的温度设定为150℃±5℃，烘烤时间为10～15min。
120、对所述晶片坨进行研磨，直至尺寸达到要求；
具体的，步骤120具体包括：
对晶片坨进行试研磨，在试研磨过程中添加研磨砂液；根据试研磨前后晶片的尺寸和试研磨时间计算研磨速度，根据研磨速度和需要修改的尺寸计算研磨时间；研磨时间到达后，对晶片进行测量，若其尺寸在研磨公差范围内即达到要求，若没有达到研磨公差范围，则需重复本步骤，直至符合要求。其中，试研磨时，将研磨砂液均匀地刷在单盘机盘面上，用单盘机将晶片进行试研磨；用手压住晶片坨，保持不动，开始试研磨，适时添加研磨砂液，保持盘面湿润；研磨1分钟，取出后用纯净水冲洗，再用白绸布擦干，测量晶片的尺寸以算出研磨量。
该实施例中，利用研磨液的化学研磨作用对晶体表面进行处理，使晶片表面较为平整，且能保护晶片不受损坏，使外形尺寸等指标达到理想的效果，可大大降低抛光后晶体尺寸的散度，利于后续工序的进行。
目前常见的外形修改方法，采用的研磨液成分都是氟化铵和氟化氢铵，其研磨速度过快，容易造成晶片表面研磨不均匀，使抛光后的晶片表面不平整，对晶体的尺寸和稳定性产生不良影响。针对此问题，可选地，在该实施例中，配置320#研磨砂液、3000#研磨砂液两种研磨液，其中320#研磨砂液用于需要进行较大外形修改的研磨、3000#研磨砂液用于需要进行较小外形修改的研磨。外形修改研磨液的质量成分包括：320#白刚玉、3000#碳化硅和水分别按重量1：1混合，配制成320#研磨砂液、3000#研磨砂液。
可选地，在该实施例中，研磨时间的计算过程具体包括：
设试研磨前晶片的尺寸为S1，试研磨时间为t，研磨后晶片的尺寸为S2；计算出研磨速度v＝(S1-S2)/t；设需要修改的尺寸为S，则研磨时间T＝(S-S2)/v。
该实施例中，通过试研磨的方式精确计算研磨时间，按照研磨时间对研磨过程进行精确控制，可大大降低晶体尺寸的散度，利于后续工序的进行，并且大大缩短了制作周期，提高了制作效率。
130、将所述晶片坨中的晶片分离并进行处理。
具体的，步骤130具体包括：
将粘坨加热取下晶片；将晶片放入结晶皿中用烧开的纯净水冲洗，用无水乙醇脱水，再用电炉烘干。
可选地，在该实施例中，在将粘坨加热取下晶片之前，还包括：将尺寸修改好的晶片坨冲洗干净，用10～30倍显微镜检查晶片坨是否有破边、崩边、锯齿状边缘和裂痕。
在用电炉烘干之后，还包括：用10～30倍显微镜检查晶片是否有破边、崩边、锯齿状边缘、裂痕。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种用于石英晶体方片的外形修改方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、对晶片进行粘坨处理，形成晶片坨；
步骤2、对所述晶片坨进行研磨，直至尺寸达到要求；
步骤3、将所述晶片坨中的晶片分离并进行处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1具体包括：
将晶片按同一方向排列成一定长度的叠片，将与晶片大小一致的磨毛的玻璃片叠放在叠片的两端；将折成直角的衬纸铺放在直角器内，将叠片放在衬纸上；将少量松蜡剂浇在叠片上；将直角器放在烘箱内烘烤一段时间后取出；将熔化好的松蜡剂浇在叠片上；用镊子将叠片横向打散再挤紧，重复数次，使晶片间隙充满松蜡剂；用镊子将叠片调整整齐，挤紧，使晶片间无气泡，在晶片未完全冷却前，抽取衬纸将晶片移到直角器外侧边缘；待晶片完全冷却后，取下形成的晶片坨，除去衬纸，用小刀将晶片坨两端玻璃片上的松蜡剂刮干净。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘箱的温度设定为150℃±5℃，烘烤时间为10～15min。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2具体包括：
对晶片坨进行试研磨，在试研磨过程中添加研磨砂液；根据试研磨前后晶片的尺寸和试研磨时间计算研磨速度，根据研磨速度和需要修改的尺寸计算研磨时间；研磨时间到达后，对晶片进行测量，若其尺寸在研磨公差范围内即达到要求，若没有达到研磨公差范围，则需重复本步骤，直至符合要求。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据试研磨前后晶片的尺寸和试研磨的研磨时间计算研磨速度，根据研磨速度和需要修改的尺寸计算研磨时间，具体包括：
设试研磨前晶片的尺寸为S1，试研磨时间为t，研磨后晶片的尺寸为S2；计算出研磨速度v＝(S1-S2)/t；设需要修改的尺寸为S，则研磨时间T＝(S-S2)/v。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述外形修改研磨液的配制方法包括：320#白刚玉、3000#碳化硅分别和水按重量1：1混合，配制成320#研磨砂液、3000#研磨砂液。
7.根据权利要求4至6任一项所述的方法，其特征在于，步骤3具体包括：
将粘坨加热取下晶片；将晶片放入结晶皿中用烧开的纯净水冲洗，用无水乙醇脱水，再用电炉烘干。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在将粘坨加热取下晶片之前，还包括：将尺寸修改好的晶片坨冲洗干净，用10～30倍显微镜检查晶片坨是否有破边、崩边、锯齿状边缘和裂痕。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述晶片为石英晶体方片，在用电炉烘干之后，还包括：用10～30倍显微镜检查晶片是否有破边、崩边、锯齿状边缘、裂痕。
CN202011589117.XA 2020-12-29 2020-12-29 一种用于石英晶体方片的外形修改方法 Active CN112743446B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011589117.XA CN112743446B (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种用于石英晶体方片的外形修改方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011589117.XA CN112743446B (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种用于石英晶体方片的外形修改方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112743446A true CN112743446A (zh) 2021-05-04
CN112743446B CN112743446B (zh) 2022-05-20

Family

ID=75647613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011589117.XA Active CN112743446B (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种用于石英晶体方片的外形修改方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112743446B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1128842A (en) * 1978-06-26 1982-08-03 John W. Lebus Method of treating a quartz plate
US20110159785A1 (en) * 2009-12-28 2011-06-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of synthetic quartz glass substrates
CN201979396U (zh) * 2011-01-17 2011-09-21 江阴市江海光伏科技有限公司 一种石英晶片的研磨夹具
CN102765024A (zh) * 2012-08-09 2012-11-07 北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司 非磁性片状材料垂直度加工方法
CN105817967A (zh) * 2016-06-03 2016-08-03 东莞市远鸿电子科技有限公司 电容触控屏玻璃盖板cnc多片生产工艺
CN206790452U (zh) * 2017-05-15 2017-12-22 广东惠伦晶体科技股份有限公司 一种石英晶片的多工位粘坨装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1128842A (en) * 1978-06-26 1982-08-03 John W. Lebus Method of treating a quartz plate
US20110159785A1 (en) * 2009-12-28 2011-06-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of synthetic quartz glass substrates
CN201979396U (zh) * 2011-01-17 2011-09-21 江阴市江海光伏科技有限公司 一种石英晶片的研磨夹具
CN102765024A (zh) * 2012-08-09 2012-11-07 北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司 非磁性片状材料垂直度加工方法
CN105817967A (zh) * 2016-06-03 2016-08-03 东莞市远鸿电子科技有限公司 电容触控屏玻璃盖板cnc多片生产工艺
CN206790452U (zh) * 2017-05-15 2017-12-22 广东惠伦晶体科技股份有限公司 一种石英晶片的多工位粘坨装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙磊等: "超薄石英晶片超精密抛光实验的研究", 《机电工程》 *
赵文宏等: "石英晶片加工现状与发展", 《航空精密制造技术》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112743446B (zh) 2022-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3451363B1 (en) Method for manufacturing composite wafer
WO2018016314A1 (ja) 表面弾性波デバイス用複合基板及びその製造方法とこの複合基板を用いた表面弾性波デバイス
CN104272592B (zh) 复合基板及弹性波装置
CN103921205A (zh) 一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺
US10361357B2 (en) Piezoelectric oxide single crystal substrate
CN102019582B (zh) 8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺
TW201735278A (zh) 陶瓷基板、積層體及表面聲波元件
CN112743446B (zh) 一种用于石英晶体方片的外形修改方法
CN111230598B (zh) 一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法
CN105958961B (zh) 一种石英谐振器的制作方法
CN105070545B (zh) 一种单层电容器用BaTiO3陶瓷基片的表面处理方法
JPS58176802A (ja) 強誘電体基板の製造方法
JP5892552B2 (ja) 弾性表面波素子用タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法及びその弾性表面波素子用タンタル酸リチウム単結晶基板
CN105141271B (zh) 用于制造石英晶体谐振器的晶体基板的加工方法
JP2014040339A (ja) 圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法
CN106087066A (zh) 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法
CN103692337A (zh) 一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法
CN111893555B (zh) 一种单晶pbn坩埚处理工艺
CN112092223A (zh) 一种石英音叉晶片生产工艺
TW201829714A (zh) 陶瓷結合磨石
CN110340813A (zh) 一种单晶蓝宝石加工用磨具及其制备方法
CN107522407B (zh) 一种防静电低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用
TW201619081A (zh) 將玻璃倒角的方法
KR20100063409A (ko) 나노토포그래피가 개선된 웨이퍼의 제조 방법
JP7019052B2 (ja) 弾性表面波素子用基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant