CN112735998B - 激光掺杂设备 - Google Patents

激光掺杂设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112735998B
CN112735998B CN202011546807.7A CN202011546807A CN112735998B CN 112735998 B CN112735998 B CN 112735998B CN 202011546807 A CN202011546807 A CN 202011546807A CN 112735998 B CN112735998 B CN 112735998B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser doping
transfer
assembly
belt
mechanisms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011546807.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112735998A (zh
Inventor
蔡皓
陈超
何江玲
高云峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Han's Photovoltaic Equipment Co ltd
Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Han's Photovoltaic Equipment Co ltd
Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Han's Photovoltaic Equipment Co ltd, Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd filed Critical Shenzhen Han's Photovoltaic Equipment Co ltd
Priority to CN202011546807.7A priority Critical patent/CN112735998B/zh
Publication of CN112735998A publication Critical patent/CN112735998A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112735998B publication Critical patent/CN112735998B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明涉及一种激光掺杂设备，包括若干物料搬运机构、若干激光掺杂机构及中转机构，所述物料搬运机构用于上料，所述激光掺杂机构用于对工件进行激光掺杂，所述中转机构设于所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构之间，所述中转机构能够从所述物料搬运机构承接工件并将所述工件输送至任意一个所述激光掺杂机构。上述激光掺杂设备，通过中转机构对料盒进行再分配，动态响应多个产线的物料对接需求，提高了对接效率。例如，当其中一个激光掺杂机构出现故障需要进行维护时，中转机构可以将物料搬运机构传输来的料盒转移至其他正常运行的激光掺杂机构进行加工处理，避免出现料盒堆积，提高对接效率。

Description

激光掺杂设备
技术领域
本发明涉及光伏行业硅片加工设备技术领域，特别是涉及一种激光掺杂设备。
背景技术
在全球经济突飞猛进的今天，能源和环境一直是困扰世界各国发展的主要问题。随着煤炭、石油、天然气等主要传统能源因过度开采而面临枯竭的风险，并且这些能源对环境的负面影响越来越彰显，大力发展可再生的绿色能源已成为世界各国的共识。最近十几年来，光伏发电作为绿色能源的重要组成部分，正在加速替换传统能源。硅片是光伏发电的核心物料，其需求量随着行业发展一路走高。对硅片生产厂家来说，需要产能更高、成本更低、运行更稳定的硅片生产设备以满足行业发展要求。
激光掺杂设备是一种在硅片生产过程中用来做选择性重掺，以提高硅片光电转换效率的专用激光设备。目前在硅片生产中应用的激光掺杂设备的生产效率低，不能满足行业发展需求。
发明内容
基于此，有必要针对现有激光掺杂设备生产效率低的问题，提供一种激光掺杂设备。
一种激光掺杂设备，包括若干物料搬运机构、若干激光掺杂机构及中转机构，所述物料搬运机构用于上料，所述激光掺杂机构用于对工件进行激光掺杂，所述中转机构设于所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构之间，所述中转机构能够从所述物料搬运机构承接工件并将所述工件输送至任意一个所述激光掺杂机构。
在其中一个实施例中，工件为片状料材，多个所述工件堆叠放置于料盒中，所述激光掺杂机构能够对所述料盒中的工件逐一进行加工。
在其中一个实施例中，所述物料搬运机构还用于下料，所述中转机构包括运动组件和转移组件，所述运动组件用于驱动所述转移组件在所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构之间移动，以便所述转移组件由所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构的其中之一承接所述工件并于另一卸载所述工件。
在其中一个实施例中，所述转移组件包括座体、主动轴、张紧轴、皮带及电机，所述座体能够随所述运动组件移动，所述主动轴和所述张紧轴固定于所述座体上，所述皮带依次绕设于所述主动轴和所述张紧轴，所述电机用于驱动所述主动轴转动，所述皮带的传送方向与所述物料搬运机构的传输方向一致。
在其中一个实施例中，所述转移组件还包括制动气缸，所述制动气缸设于所述皮带的末端，用于使位于所述皮带上的工件停止向前传输或放行。
在其中一个实施例中，所述转移组件还包括位置传感器，所述位置传感器设于所述工件的传输路径上，当所述位置传感器检测到工件的到位信号时，所述制动气缸的推杆伸出。
在其中一个实施例中，所述转移组件还包括两个导向板，所述导向板安装于所述座体上，并位于所述皮带的一侧。
在其中一个实施例中，所述转移组件还包括对接惰轮，所述对接惰轮设于所述张紧轴上，位于所述皮带的起始端。
在其中一个实施例中，所述转移组件的个数为2个，分别为第一转移组件和第二转移组件，所述第一转移组件用于将待加工的工件由所述物料搬运机构转移至所述激光掺杂机构，所述第二转移组件用于将加工完毕的工件由所述激光掺杂机构转移至所述物料搬运机构。
在其中一个实施例中，所述运动组件能够做直线运动或圆周运动。
上述激光掺杂设备，通过中转机构对料盒进行再分配，动态响应多个产线的物料对接需求，提高了对接效率。例如，当其中一个激光掺杂机构出现故障需要进行维护时，中转机构可以将物料搬运机构传输来的料盒转移至其他正常运行的激光掺杂机构进行加工处理，避免出现料盒堆积，提高对接效率。
附图说明
图1为一实施例中激光掺杂设备的俯视图；
图2为图1所示激光掺杂设备中上料组件/下料组件的示意图；
图3为图1所示激光掺杂设备中转移组件的示意图；
图4为图1所示激光掺杂设备中激光掺杂机构的示意图；
图5为图4所示激光掺杂机构中Z轴升降组件的结构示意图；
图6为图4所示激光掺杂机构中伸缩皮带组件的结构示意图；
图7为图6所示伸缩皮带组件另一视角的结构示意图。
如下具体实施方法将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
多晶硅片或单晶硅片是光伏产业链中太阳能电池生产的基板材料，近年来光伏产业的迅猛发展极大促进了硅片制造技术和装备的提升。采用激光掺杂技术对硅片进行处理以形成SE结构(Selective Emitter，选择性发射极)，是提高太阳能电池转换效率的重要手段。
请参阅图1，图1示出了本发明一实施例中的激光掺杂设备的整体结构示意图。激光掺杂设备用于对上一工序传输来的硅片进行激光掺杂处理。硅片为片状料材，可以选择将硅片逐一运送至激光掺杂设备进行处理。也可选择将多个硅片堆叠放置于料盒中，激光掺杂设备能够对料盒中的硅片逐一进行加工。为方便理解本发明技术方案，在此以将多个硅片叠放于料盒中为例进行说明，应当理解，本发明的保护范围不限于此。
激光掺杂设备包括若干物料搬运机构10、若干激光掺杂机构20及中转机构30。中转机构30设于物料搬运机构10和激光掺杂机构20之间。物料搬运机构10用于承接上游工序传送来的盛满硅片的料盒，并将料盒传输至中转机构30。中转机构30用于将料盒输送至任意一个激光掺杂机构20，以便激光掺杂机构20对料盒中的硅片逐一进行加工。本发明激光掺杂设备包括多个激光掺杂机构20，多个激光掺杂机构20可独立作业，当其中一个或两个激光掺杂机构20出现故障需要维护时，其他处于正常工作状态的激光掺杂机构20仍然可以对接物料搬运机构10传输来的料盒，保证生产过程的持续进行，有效降低了停机的风险。
物料搬运机构10将料盒运送至中转机构30后，中转机构30可以将料盒传输至任意一个激光掺杂机构20。相较于采取将物料搬运机构10与激光掺杂机构20一一对应设置的方式，本发明通过中转机构30对料盒进行再分配，动态响应多个产线的物料对接需求，提高了对接效率。例如，当其中一个激光掺杂机构20出现故障需要进行维护时，中转机构30可以将物料搬运机构10传输来的料盒转移至其他正常运行的激光掺杂机构20进行加工处理，避免出现料盒堆积，提高对接效率。
在一实施例中，物料搬运机构10仅用于上料。物料搬运机构10包括上料组件11，请参阅图2，上料组件11包括两条平行设置的传送带111，传送带111在旋转电机112的驱动下将料盒转移至中转机构30的一侧。在其他实施例中，物料搬运机构10也可同时具备上料和下料功能。物料搬运机构10包括上料组件11和下料组件12，上料组件11和下料组件12的构造基本相同，二者的区别在于，上料组件11的传送带和下料组件12的传送带的传输方向相反。
中转机构30包括运动组件31和转移组件32，运动组件31用于驱动转移组件32在物料搬运机构10和激光掺杂机构20之间移动，以便转移组件32由物料搬运机构10和激光掺杂机构20的其中之一承接料盒并于另一卸载料盒。
在一实施例中，运动组件31能够做直线运动。多个物料搬运机构10并列排布于运动组件31的一侧，多个激光掺杂机构20并列排布于运动组件31的另一侧。设定物料搬运机构10的传输方向为第一方向(图1中的X方向)，运动组件31的传输方向为第二方向(图1中的Y方向)，第二方向与第一方向垂直。在其他实施例中，运动组件31能够做圆周运动，多个物料搬运机构10和多个激光掺杂机构20围绕运动组件31的运动轨迹排布。
转移组件32用于实现料盒在物料搬运机构10和运动组件31之间、以及运动组件31和激光掺杂机构20之间的衔接。在一实施例中，请参阅图3，转移组件32包括座体321、主动轴322、张紧轴323、皮带324及电机325。座体321能够随运动组件31移动，主动轴322和张紧轴323固定于座体321上，皮带324依次绕设于主动轴322和张紧轴323，电机325用于驱动主动轴322转动，皮带324的传送方向与物料搬运机构10的传输方向一致。转移组件32的工作流程如下：转移组件32的电机325启动，皮带324在电机325的驱动下开始运转；运动组件31驱动转移组件32运动，直至转移组件32与物料搬运机构10的传输通道相互对准，物料搬运机构10传输来的料盒转移至皮带324上并被运送到位。
转移组件32还包括制动气缸326，制动气缸326设于皮带324的末端，用于使位于皮带324上的料盒停止向前传输或放行。为避免料盒运动至皮带324的末端后，在惯性作用下继续运动而由皮带324掉落，通过在皮带324末端设置制动气缸326，制动气缸326的推杆伸出时，可阻止料盒由皮带324末端继续向前运动。当运动组件31带动转移组件32运动至与其中一个激光掺杂机构20相对准的位置时，制动气缸326的推杆缩回，以将料盒放行。在一些实施例中，可在皮带324的末端两侧分别设置1个制动气缸326，两个制动气缸326相对设置，避免料盒发生偏移。
转移组件32还包括位置传感器(图未示)，位置传感器设于料盒的传输路径上，当位置传感器检测到料盒的到位信号时，制动气缸326的推杆伸出。
转移组件32还包括两个导向板328，导向板328安装于座体321上，并位于皮带324的一侧。导向板328设于皮带324的外侧，用于对经由皮带324传输的料盒进行导向，避免料盒在传输过程中发生偏移。前述制动气缸326可安装固定于导向板328上。
转移组件32还包括对接惰轮329，对接惰轮329设于张紧轴323上，位于皮带324的起始端。对接惰轮329的设置，方便料盒由物料搬运机构10过渡至转移组件32上。
请再次参阅图1，在一实施例中，转移组件32的个数为2个，分别为第一转移组件32a和第二转移组件32b，第一转移组件32a用于将待加工的硅片由物料搬运机构10转移至激光掺杂机构20，第二转移组件32b用于将加工完毕的硅片由激光掺杂机构20转移至物料搬运机构10。换言之，第一转移组件32a用于上料，第二转移组件32b用于下料。相应的，运动组件31的个数也为2个，其中一个运动组件31用于驱动第一转移组件32a，另一个运动组件31用于驱动第二转移组件32b。2个运动组件31的运动过程相互独立。在上料过程中，物料搬运机构10将盛装有待加工硅片的料盒运送至第一转移组件32a，然后运动组件31带动第一转移组件32a运动至其中一个激光掺杂机构20的一侧，运动组件31停止运动，料盒被卸载于激光掺杂机构20。在下料过程中，盛装有加工完毕的硅片的料盒由激光掺杂机构20输送至第二转移组件32b，第二转移组件32b在运动组件31的带动下运动至与下料组件12相对的位置，随后，料盒被转移至下料组件12上。
在其他实施例中，转移组件32还可以是旋转机械手，用于实现料盒在不同机构之间的转移。
激光掺杂机构20用于对硅片进行激光掺杂。请参阅图4，激光掺杂机构20包括Z轴升降组件21、伸缩皮带组件22、机械手23、激光光路组件24及载台。前述Z轴升降组件21、伸缩皮带组件22、机械手23、激光光路组件24及载台依次排列，其中Z轴升降组件21邻接于中转机构30。Z轴升降组件21与伸缩皮带组件22相配合，以将料盒A中的硅片逐一取出并运送至机械手23的抓取区域内。机械手23用于将伸缩皮带组件22上的硅片转移至载台上，以便激光光路组件24对硅片进行激光掺杂。
具体的，请参阅图5，Z轴升降组件21包括直线运动模组211和承载单元212，承载单元212用于承接由中转机构30转移来的料盒A，并能够在直线运动模组211的驱动下能够沿Z轴方向运动。料盒A的底部预留有供伸缩皮带组件22进入或退出的空间，当料盒A运动至适宜高度时，伸缩皮带组件22进入料盒A内，以将位于料盒A底部的硅片朝靠近载台的方向传输。
承载单元212的具体结构可参照转移组件32的构造，以便由中转机构30承接料盒或者将料盒转移至中转机构30。
请参阅图6和图7，伸缩皮带组件22包括底座221、伸缩板222、主动轮226、传动带223、直线运动单元224及驱动电机225。伸缩板222滑动连接于底座221，能够在直线运动单元224的驱动下相对底座221前后滑动。主动轮226固定安装于底座221远离伸缩板222的一端，驱动电机225用于带动主动轮226转动。传动带223依次绕设于伸缩板222的端部以及主动轮226上，驱动电机225处于工作状态时，可带动主动轮226转动，使得传动带223做回转运动，放置于传动带223上的硅片能够随之向前传输。
具体的，底座221的上端面设置有滑轨，伸缩板222下方设置有滑座，滑座开设有与前述滑轨相匹配的滑槽，从而伸缩板222能够相对底座221滑动。直线运动单元224通过连接板与底座221相连，底座221上开设有供连接板穿设的避让孔。
该伸缩皮带组件22兼具取料以及送料的功能，具体工作流程如下：Z轴升降组件21的直线运动模组211带动料盒运动至适宜高度，在该高度处，位于料盒底部的硅片与传动带223处于同一水平面；
直线运动单元224驱动伸缩板222朝靠近料盒的方向运动，直至伸缩板22进入料盒内部，位于料盒底部的硅片与传动带223相接触；
直线运动单元224带动伸缩板222回缩，带动硅片离开料盒；
驱动电机225启动，传动带223将硅片朝靠近载台的方向传输；
Z轴升降组件21的直线运动模组211带动料盒下降一定高度，以便伸缩皮带组件22拾取下一硅片。
在一些实施例中，Z轴升降组件21和伸缩皮带组件22均为2个。请参阅图4，2个伸缩皮带组件22分别为第一伸缩皮带组件22a、第二伸缩皮带组件22b。第一伸缩皮带组件22a和第二伸缩皮带组件22b平行放置，第一伸缩皮带组件22a、第二伸缩皮带组件22b的一端与Z轴升降组件21相邻接，另一端位于机械手23的抓取区域内。第一伸缩皮带组件22a用于上料，也就是将料盒中的硅片逐一取出并传输至机械手23的抓取区域内。在上料过程中，Z轴升降组件21的直线运动模组211带动料盒逐步下降，以使位于料盒底部的硅片与第一伸缩皮带组件22a处于同一水平面内，方便第一伸缩皮带组件22a取走硅片。第二伸缩皮带组件22b用于下料，机械手23将载台上加工完毕的硅片转移至第二伸缩皮带组件22b上，第二伸缩皮带组件22b将硅片传输至靠近Z轴升降组件21的一端，并将硅片卸载于料盒内。在下料过程中，Z轴升降组件21的直线运动模组211带动料盒逐步上升，硅片从上往下依次被摆放于料盒内的隔板上。
在本实施例中，机械手23为四爪机械手23a，四爪机械手23a其中一个端臂用于将第一伸缩皮带组件22a上待加工的硅片转移至载台，四爪机械手23a另一个端臂用于将载台上加工完毕的硅片转移至第二伸缩皮带组件22b。
在一实施例中，本发明激光掺杂设备的工作流程为：
上料组件11承接上游工序传送来的盛满硅片的料盒，而后将料盒传输至第一转移组件32a上；
运动组件31带动第一转移组件32a运动至与其中一个激光掺杂机构20的Z轴升降组件21相对的位置；
第一转移组件32a的皮带324与Z轴升降组件21的承载单元212相对准，第一转移组件32a和承载单元212启动，制动气缸326的推杆缩回，料盒由第一转移组件32a传输至承载单元212；
伸缩皮带组件22伸入料盒内，位于料盒底部的硅片被伸缩皮带组件22传输至靠近载台的一端；
四爪机械手23a的第一端臂抓取位于第一伸缩皮带组件22末端的硅片，第二端臂抓取载台上已加工完毕的硅片；
四爪机械手23a旋转90°，第一端臂带动待加工的硅片运动至载台上方，第二端臂带动加工完毕的硅片转移至第二伸缩皮带组件22，以便第二伸缩皮带组件22将加工完毕的硅片运送至空料盒内；
待料盒中盛满加工完毕的硅片，料盒由承载单元212转运至第二转移组件32b，而后被运动组件31驱动至与下料组件12相对的位置，承载单元212将料盒转移至下料组件12上。
请再次参阅图1，在一些实施例中，物料搬运机构10包括第一缓存单元13，激光掺杂机构20包括第二缓存单元25，第一缓存单元13设置于上料组件11的传送与中转机构30之间，第二缓存单元25设于中转机构30和Z轴升降组件21之间，第一缓存单元13和第二缓存单元25用于暂时存放料盒，以利于实现不同工序之间的衔接。第一缓存单元13和第二缓存单元25的具体结构可参照转移组件32的构造。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种激光掺杂设备，其特征在于，包括若干物料搬运机构、若干激光掺杂机构及中转机构，所述物料搬运机构用于上料，所述激光掺杂机构用于对工件进行激光掺杂，所述中转机构设于所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构之间，所述中转机构能够从所述物料搬运机构承接工件并将所述工件输送至任意一个所述激光掺杂机构；
工件为片状料材，多个所述工件堆叠放置于料盒中，所述激光掺杂机构能够对所述料盒中的工件逐一进行加工；
所述激光掺杂机构包括Z轴升降组件和伸缩皮带组件，所述Z轴升降组件邻接于所述中转机构，料盒的底部预留有供所述伸缩皮带组件进入或退出的空间，所述Z轴升降组件和所述伸缩皮带组件相配合，以将料盒中的硅片逐一取出；
所述伸缩皮带组件包括底座、伸缩板、主动轮、传动带、直线运动单元及驱动电机，所述伸缩板滑动连接于所述底座，能够在所述直线运动单元的驱动下相对所述底座前后滑动，所述主动轮固定安装于所述底座远离所述伸缩板的一端，所述驱动电机用于带动所述主动轮转动，所述传动带依次绕设于所述伸缩板的端部以及所述主动轮上，所述驱动电机处于工作状态时，能够带动所述主动轮转动。
2.根据权利要求1所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述物料搬运机构还用于下料，所述中转机构包括运动组件和转移组件，所述运动组件用于驱动所述转移组件在所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构之间移动，以便所述转移组件由所述物料搬运机构和所述激光掺杂机构的其中之一承接所述工件并于另一卸载所述工件。
3.根据权利要求2所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述转移组件包括座体、主动轴、张紧轴、皮带及电机，所述座体能够随所述运动组件移动，所述主动轴和所述张紧轴固定于所述座体上，所述皮带依次绕设于所述主动轴和所述张紧轴，所述电机用于驱动所述主动轴转动，所述皮带的传送方向与所述物料搬运机构的传输方向一致。
4.根据权利要求3所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述转移组件还包括制动气缸，所述制动气缸设于所述皮带的末端，用于使位于所述皮带上的工件停止向前传输或放行。
5.根据权利要求4所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述转移组件还包括位置传感器，所述位置传感器设于所述工件的传输路径上，当所述位置传感器检测到工件的到位信号时，所述制动气缸的推杆伸出。
6.根据权利要求3所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述转移组件还包括两个导向板，所述导向板安装于所述座体上，并位于所述皮带的一侧。
7.根据权利要求3所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述转移组件还包括对接惰轮，所述对接惰轮设于所述张紧轴上，位于所述皮带的起始端。
8.根据权利要求2所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述转移组件的个数为2个，分别为第一转移组件和第二转移组件，所述第一转移组件用于将待加工的工件由所述物料搬运机构转移至所述激光掺杂机构，所述第二转移组件用于将加工完毕的工件由所述激光掺杂机构转移至所述物料搬运机构。
9.根据权利要求2所述的激光掺杂设备，其特征在于，所述运动组件能够做直线运动或圆周运动。
CN202011546807.7A 2020-12-24 2020-12-24 激光掺杂设备 Active CN112735998B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011546807.7A CN112735998B (zh) 2020-12-24 2020-12-24 激光掺杂设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011546807.7A CN112735998B (zh) 2020-12-24 2020-12-24 激光掺杂设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112735998A CN112735998A (zh) 2021-04-30
CN112735998B true CN112735998B (zh) 2023-03-24

Family

ID=75605876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011546807.7A Active CN112735998B (zh) 2020-12-24 2020-12-24 激光掺杂设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112735998B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115571577B (zh) * 2022-09-21 2024-04-26 海目星激光科技集团股份有限公司 物料输送系统及激光掺杂一体机

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416368A (zh) * 2019-08-21 2019-11-05 常州时创能源科技有限公司 一种激光se电池的生产线

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3612009B2 (ja) * 1992-12-04 2005-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20110185971A1 (en) * 2009-11-30 2011-08-04 Uvtech Systems, Inc. Laser doping
JP2012015457A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Sharp Corp 薄膜太陽電池製造装置、薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池
KR20150078549A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지의 제조 장치
CN208655678U (zh) * 2018-10-09 2019-03-26 湖南艾科威智能装备有限公司 一种晶体硅太阳能电池电注入抗光衰设备

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416368A (zh) * 2019-08-21 2019-11-05 常州时创能源科技有限公司 一种激光se电池的生产线

Also Published As

Publication number Publication date
CN112735998A (zh) 2021-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107093651B (zh) 太阳能硅片二合一自动上下料设备
CN213230582U (zh) 一种电芯磁悬浮输送系统
CN102290486A (zh) 用于加载或卸载基板的基板处理装置
CN1333730A (zh) 一体式的隔舱内部输送、存放及运送装置
CN207566298U (zh) 一种输送定位装置及太阳能电池片抗光衰设备上下料系统
CN112735998B (zh) 激光掺杂设备
WO2009129668A1 (zh) 太阳能硅晶片检测机台和检测方法
CN209344048U (zh) 电池片上料装置以及串焊机
CN111250977A (zh) 燃料电池组装系统
CN210854138U (zh) 一种双层输送传输装置
CN1464824A (zh) 半导体或液晶晶片单片运送和转移装载系统
CN112079127B (zh) 一种基于分离式agv输送的锂电池生产设备
CN111540812A (zh) 一种太阳能电池生产设备配套的硅片自动化上下料系统
CN102544190A (zh) 控制传送的方法和装置、以及传送装置和加工设备
CN218859436U (zh) 花篮收料机
CN111302063A (zh) 一种多硅片翻转定位装置
CN216971158U (zh) 一种agv对接台
CN207827311U (zh) 一种片状物料存放花篮自循环供收料机
CN115504259A (zh) 搬运模组
CN214779016U (zh) 一种能往复移动的送料装置
CN110510356B (zh) 一种双层输送传输装置
CN220787385U (zh) 一种回料台结构及分选设备
CN217606793U (zh) 一种foup自动搬运设备
CN212011010U (zh) 一种太阳能电池生产设备配套的硅片自动化上下料系统
CN221668792U (zh) 一种花篮传输系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant