CN112696716A - 电磁炉的控制方法和电磁炉 - Google Patents

电磁炉的控制方法和电磁炉 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种电磁炉的控制方法和电磁炉,该方法包括:在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率,且第一期望功率在预设范围内时,确定电磁炉的IGBT的温度从第一温度更新至第二温度,第二温度大于或等于IGBT的过热保护温度;根据该第一期望功率和该第二温度,调整该电磁炉工作功率至第一功率;根据该第一功率和该第一期望功率,获取该电磁炉的第一工作参数;该第一工作参数使得该电磁炉在工作功率调整至该第一功率后的平均功率等于该第一期望功率;控制该电磁炉在该第一功率下根据该第一工作参数工作。本申请可以在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。

Description

电磁炉的控制方法和电磁炉
技术领域
本申请实施例涉及电器技术,尤其涉及一种电磁炉的控制方法和电磁炉。
背景技术
一些电子设备的工作功率可根据用户的需求进行调整,比如,在电子设备为电磁炉时,可将电磁炉的工作功率调整至较低功率以实现小火煲炖等功能。
对于单绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,简称IGBT)的电磁炉,如果电磁炉在低功率工作且输入电压大于额定电压较多时,电磁炉的IGBT的集电极(C极))导通台阶电压会大幅升高,从而导致IGBT的温度急剧上升,需要提高电磁炉的工作功率,来降低IGBT的C极导通台阶电压以达到降低IGBT的温度的目的;但是电磁炉工作功率升高后,会影响低功率烹饪的效果。
发明内容
本申请实施例提供一种电磁炉的控制方法和电磁炉,可在提高电磁炉的工作功率以降低IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
第一方面,本申请实施例提供一种电磁炉的控制方法,包括:在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率,且所述第一期望功率在预设范围内时,确定所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管IGBT的温度从第一温度更新至第二温度,所述第二温度大于或等于所述IGBT的过热保护温度;根据所述第一期望功率和所述第二温度,调整所述电磁炉的工作功率至第一功率;根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数;所述第一工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第一功率后的平均功率等于所述第一期望功率;控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作。
本方案中,在确定IGBT的温度更新至大于或等于IGBT的过热保护温度的第二温度时,根据用户设定的连续工作的工作功率第一期望功率和第二温度,确定一新的工作功率,根据该新的工作功率和第一期望功率,获取电磁炉在新的工作功率下的工作参数,该工作参数满足如下条件:该工作参数使得电磁炉在工作功率调整至新的工作功率后的平均功率等于第一期望功率,因此,本方案可以在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
在一种可能的设计中,所述电磁炉的第一工作参数,包括:所述电磁炉的工作周期和每个工作周期内的工作时长。
本方案中,工作参数包括工作周期和每个工作周期内的工作时长,即可通过间断性的工作使得电磁炉在工作功率调整至比第一期望功率高的工作功率后的平均功率等于第一期望功率,即可实现在通过提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
在一种可能的设计中,根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数,包括:获取所述电磁炉的工作周期;根据所述工作周期、所述第一功率和所述第一期望功率,确定每个所述工作周期内的工作时长。
本方案给出了根据调整后的新的工作功率和第一期望功率,获取电磁炉的工作参数的具体实现。
在一种可能的设计中,所述获取所述电磁炉的工作周期,包括:获取所述电磁炉的预设的工作周期。
本方案中电磁炉的工作周期是预设好的,可提高获取电磁炉的工作参数的效率。
在一种可能的设计中,所述获取工作周期,包括:获取所述电磁炉的工作模式;确定与所述工作模式对应的工作周期。
本方案使得获取的电磁炉的工作周期符合当前的工作模式的特征,进而可保证预期的烹饪效果。
在一种可能的设计中,确定与所述工作模式对应的工作周期,包括:获取对应关系,所述对应关系包括:多种工作模式,以及每种工作模式所对应的工作周期;根据所述对应关系,确定与所述工作模式对应的工作周期。
本方案中,将工作模式与的工作周期之间的对应关系事先存储在电磁炉中,以根据该对应关系获取与电磁炉的工作模式对应的工作周期,在保证预期的烹饪效果的基础上,可提高确定电磁炉的工作参数的效率。
在一种可能的设计中,所述根据所述工作周期、所述第一功率和所述第一期望功率,确定每个所述工作周期内的工作时长,包括:通过如下公式确定所述每个所述工作周期内的工作时长TD:(TD/TC)×PH=P;其中,TC为所述工作周期,PH为所述第一功率,P为所述第一期望功率。
本方案给出了IGBT的温度更新至大于或等于IGBT的过热保护温度的第二温度时,获取每个工作周期内的工作时长的具体实现。
在一种可能的设计中,在所述控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作之后,还包括:确定用户设定的所述电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率,所述第二期望功率在所述预设范围内;根据所述第二期望功率和所述IGBT的当前温度,调整所述电磁炉的工作功率至第二功率;根据所述第二功率和所述第二期望功率,获取所述电磁炉的第二工作参数,所述第二工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第二功率后的平均功率等于所述第二期望功率;控制所述电磁炉在所述第二功率下根据所述第二工作参数进行工作。
本方案提供了与用户设定的电磁炉连续工作的工作功率被更新相关的电磁炉的控制方法,本方案可以保证在电磁炉连续工作的工作功率被更新后,仍然能够在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
在一种可能的设计中,在确定IGBT的温度从第一温度更新至第二温度之前,还包括:确定用户设定的所述电磁炉连续工作的工作功率由第二期望功率更新至所述第一期望功率。
本方案提供了与用户设定的电磁炉连续工作的工作功率被更新相关的电磁炉的控制方法,本方案可以保证在电磁炉连续工作的工作功率被更新后,仍然能够在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
在一种可能的设计中,在所述根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数之后,还包括:确定所述IGBT的温度从第三温度更新至第四温度,所述第三温度大于或等于所述过热保护温度,所述第四温度小于所述过热保护温度;调整所述电磁炉的工作功率至所述第一期望功率;控制所述电磁炉在所述第一期望功率下连续工作。
本方案可以使得电磁炉当IGBT的温度恢复至小于IGBT的过热保护温度时,在用户设定的第一期望功率下连续工作,可最大限度的保证低功率的烹饪效果。
在一种可能的设计中,所述根据所述第一期望功率和所述第二温度,调整所述电磁炉工作功率至第一功率,包括:获取功率调整参数;根据所述功率调整参数、所述第二温度、所述过热保护温度和所述第一期望功率,得到所述第一功率。可选地,所述根据所述功率调整参数、所述第二温度、所述过热保护温度和所述第一期望功率,得到所述第一功率,包括:通过如下公式得到所述第一功率PH
PH=(TH-TR)*X+P;
其中,其中,TH为所述第二温度,TR为所述过热保护温度,X为所述功率调整参数,P为所述第一期望功率。
在一种可能的设计中,5≤X≤20。
本方案给出了在IGBT的温度更新至大于IGBT的过热保护温度的第二温度时,获取电磁炉的新的工作功率的具体实现。根据公式以及功率调整参数的取值可知,电磁炉的新的工作功率大于第一期望功率。
在一种可能的设计中,所述第一温度小于IGBT的过热保护温度;或者,所述第一温度大于或等于IGBT的过热保护温度。
本方案中,只要监控到当前的温度有更新且更新后的温度第二温度大于或等于IGBT的过热保护温度,即可执行第一方面中的方法,使得电磁炉的IGBT的温度在合适的范围内,延长了IGBT的使用寿命。
在一种可能的设计中,所述IGBT的过热保护温度小于或等于所述IGBT的最大允许工作温度预设温度。
本方案中IGBT的过热保护温度大于所述IGBT的最大允许工作温度预设值,可在IGBT达到高温前就进行保护,以有效防止IGBT温升过高的现象,提高IGBT的使用寿命。
第二方面,本申请提供一种电磁炉,包括:至少一个处理器;以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行第一方面以及第一方面任一可能的设计中所述的方法。
第三方面,本申请提供一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质,所述计算机指令用于使所述计算机执行第一方面以及第一方面任一可能的设计中所述的方法。
本申请中,在确定IGBT的温度更新至大于IGBT的过热保护温度的第二温度时,则根据用户设定的连续工作的工作功率第一期望功率和第二温度,确定一新的工作功率,根据该新的工作功率和第一期望功率,获取电磁炉在新的工作功率下的工作参数,该工作参数满足如下条件:该工作参数使得电磁炉在工作功率调整至新的工作功率后的平均功率等于第一期望功率,因此,本方案可以在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A为电磁炉内部电路示意图;
图1B为市电电压为220V时IGBT的G级和C级电压变化示意图;
图1C为市电电压为250V时IGBT的G级和C级电压变化示意图;
图2为本申请实施例提供的电磁炉的控制方法的流程图一;
图3为本申请实施例提供的电磁炉的控制方法的流程图二;
图4为本申请的电磁炉的控制方法的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种电磁炉的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
为了更好的理解本申请,本申请引入如下要素
电磁炉连续工作:还可称为电磁炉连续加热。电磁炉连续工作是指电磁炉在用户输入停止工作的指令之前,不间断的工作,即不间断的对物体进行加热。相应地,电磁炉在X功率下连续工作是指电磁炉在用户输入停止工作的指令之前,一直在X功率下进行工作。
为了更好的理解本申请,下面结合图1A~图1B对电磁炉在低功率工作且输入电压大于额定电压较多时,电磁炉的IGBT的导通电压会大幅升高,导致IGBT的温度急剧上升的原因进行说明。
图1A为电磁炉内部电路示意图,图1B为市电电压为220V时IGBT的G级和C级电压变化示意图。参见图1A和图1B,市电经过继电器BG1桥堆整流和电容C3滤波把直流电提供给谐振电路,微控制单元(microcontroller unit,简称MCU)控制电路输出低电平信号到驱动电路,使驱动电路输出18V驱动电压到IGBT的栅极(G极),IGBT导通,线盘L1中开始通过电流并快速上升,预设时间到后MCU控制电路输出高电平信号,驱动电路输出0V驱动电压到IGBT的G极,IGBT截止,因为电流不能突变所以线盘L1中继续流过电流,对C2电容开始充电,L1中电流为0时IGBT的C极电压达到谐振的最高点,此后C2开始对L1反向放电,当反向放电结束时IGBT的C极电压达到最小值0V,此时MCU控制电路控制IGBT再次开通持续这一过程。其中,图1B中的实的曲线为IGBT的C级电压变化曲线,图1B中的虚线曲线为IGBT的G级电压变化曲线。
当IGBT再次开通时C极导通台阶电压越低IGBT发热量越小。在小功率加热时需要较小的IGBT导通宽度,所以流过线盘L1中的电流变小,即线盘L1对C2的充电的能量变小,C2反向对L1充电的能量也变小,导致IGBT的C极无法实现0V导通,进而发热量会上升。当电磁炉的输入电压上升时(也就是市电上升时),因为电磁炉的工作功率等于电压乘以电流,继续维持小功率需要更小的IGBT的导通宽度以降低电磁炉的工作电流,导致IGBT导通台阶电压继续上升而发热量也大大上升。图1C为市电电压为250V时IGBT的G级和C级电压变化示意图;对比图1B和图1C可知,在市电电压由220V升至250V时,IGBT的导通宽度变小,IGBT的C极导通台阶电压上升。
为了防止IGBT发热量太大导致IGBT损坏,需要提高电磁炉的工作功率来提高IGBT的导通宽度,进而降低IGBT的C极导通台阶电压,达到降低IGBT的温度的目的;但是电磁炉工作功率升高后,会影响低功率烹饪的效果。因此,为了解决上述技术问题,提出了本申请的电磁炉的控制方法。
下面采用具体的实施例对本申请的电磁炉的控制方法进行说明。
图2为本申请实施例提供的电磁炉的控制方法的流程图一,本实施例的执行主体可为电磁炉的部分或全部。如图2所示,本实施例的方法可以包括:
步骤S201、在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率,且第一期望功率在预设范围内时,确定电磁炉的IGBT的温度从第一温度更新至第二温度,第二温度大于或等于过热保护温度。
用户使用电磁炉的过程中,会根据当前的烹饪需求确定电磁炉的当前工作模式和当前工作模式下的工作功率;其中,电磁炉所包括的工作模式包括但不限于炒菜模式、熬粥模式、煲汤模式、烧水模式、火锅模式。一种方式中,用户可通过电磁炉的输入界面输入工作模式设置指令,电磁炉根据该工作模式设置指令,确定工作模式并显示一默认工作功率,若该默认工作功率并不符合用户的需求,用户还可通过电磁炉的输入界面输入功率设置指令,电磁炉根据功率设置指令确定工作功率,并控制电磁炉在该工作功率下连续工作。其中,在用户没有输入功率设置指令的情况下,电磁炉根据工作模式设置指令确定工作模式后所显示的默认工作功率为本实施例中的用户设定的电磁炉连续工作的工作功率;在用户没有输入功率设置指令的情况下,电磁炉根据功率设置指令确定的工作功率即为本实施例中的用户设定的电磁炉连续工作的工作功率。
在电磁炉确定用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率,且第一期望功率在预设范围内时,则需监控IGBT的温度是否由第一温度更新至第二温度;第二温度为任一大于或等于IGBT的过热保护温度的温度。其中,可通过温度传感器采集IGBT的温度。IGBT过热保护温度小于或等于IGBT所允许的最高工作温度预设温度。预设温度的取值范围可以为50~80℃。例如,IGBT所允许的最高工作温度为120℃,预设温度为60℃,那么IGBT过热保护温度可以为60℃、50℃、40℃、30℃等值。IGBT过热保护温度小于或等于IGBT所允许的最高工作温度预设温度可在IGBT达到高温前就进行保护,以有效防止IGBT温升过高的现象,提高IGBT的使用寿命。
具体地,若监控IGBT的温度由第一温度更新至第二温度,则执行本实施例中的步骤S202~步骤S204。若未监控到IGBT的温度发生变化或监控到IGBT的温度变化但温度变化前后的温度均小于IGBT的过热保护温度时,电磁炉的当前的工作功率和工作参数均不进行调整,电磁炉继续在当前的工作功率下以当前的工作参数工作,比如在用户开机设定好磁炉连续工作的工作功率后,电磁炉在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率下开始连续工作,那么在IGBT的温度升温至IGBT的过热保护温度之前,电磁炉均会在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率下连续工作。其中,未监控到IGBT的温度发生变化,包括:监控到的IGBT的温度与上次监控到的IGBT的温度相同且监控到的IGBT的温度均大于或等于IGBT的过热保护温度,监控到的IGBT的温度与上次监控到的IGBT的温度相同且监控到的IGBT的温度均小于IGBT的过热保护温度。可选地,预设范围可为200W~600W。
对于第一温度:第一温度小于或等于过热保护温度,或者,第一温度大于过热保护温度;且第一温度和第二温度不相同。也就是说只要监控到IGBT的温度有更新,且更新后的第二温度大于或等于过热保护温度,就可执行调整功率和获取新的工作参数的步骤:比如本申请实施例中的步骤S202~步骤S204。
步骤S202、根据第一期望功率和第二温度,调整电磁炉工作功率至第一功率。
在一种方式中,根据第一期望功率和第二温度,调整电磁炉工作功率至第一功率,可通过如下的a1~a2实现:
a1、获取功率调整参数。
其中,功率调整参数与第一功率成正比。功率调整参数可以为事先预设好的,即电磁炉出厂时设置好的。可选地,功率调整参数X可满足如下条件:5≤X≤20。
功率调整参数与电磁炉的硬件参数相关,比如,电磁炉的体积较小,内部器件产生的热量不能很好的散热,为了有效的防止IGBT温度升高太多,则需要将电磁炉的工作功率调整至较高的工作功率,因此对应的X可较大;反之,电磁炉的体积较大,内部器件产生的热量可以很好的散热,则对应的X可较小。
a2、根据功率调整参数、第二温度、IGBT的过热保护温度和第一期望功率,得到第一功率。
其中,可通过如下公式一,根据功率调整参数、第二温度、IGBT的过热保护温度和第一期望功率,获取第一功率PH
PH=(TH-TR)*X+P 公式一;
其中,TH为第二温度,TR为IGBT的过热保护温度,X为功率调整参数,P为第一期望功率。
可以理解的是,由于当前监控到的第二温度大或等于电磁炉的IGBT的过热保护温度,基于前述的分析:电磁炉的工作功率需要调高以降低IGBT的宽度和公式一,可知本实施例中的第一功率大于第一期望功率。
步骤S203、根据第一功率和第一期望功率,获取电磁炉的第一工作参数;第一工作参数使得电磁炉在工作功率调整至第一功率后的平均功率等于第一期望功率。
其中,电磁炉的第一工作参数包括:电磁炉的工作周期和每个工作周期内的工作时长。
在一种方式中,根据第一功率和第一期望功率,获取电磁炉的第一工作参数,可通过b1~b2实现:
b1、获取电磁炉的工作周期。
可选地,电磁炉的工作周期可大于或等于1秒(s)且小于或等于1min。
在一种可实现的方式中,电磁炉的工作周期可以是预设好的,即电磁炉的工作周期为电磁炉出厂是预设的工作周期。也就是说在电磁炉的任意工作模式下,电磁炉的工作周期均相同。
该种获取电磁炉的工作周期的实现方式,获取电磁炉的第一工作参数的效率高。
在另一种可实现的方式中,获取电磁炉的工作周期可通过b11~b12实现:
b11、获取电磁炉的工作模式。即获取电磁炉当前的工作模式。
b12、确定与电磁炉的工作模式对应的工作周期。
该种获取电磁炉的工作周期的实现方式,获取电磁炉的工作周期与电磁炉当前的工作模式匹配度高,使得获取的电磁炉的工作周期比较符合当前的工作模式,进而可保证预期的低功率烹饪效果。
在一种方式中,可通过b121~b122确定与电磁炉的工作模式对应的工作周期:
b121、获取对应关系,对应关系包括:多种工作模式,以及每种工作模式所对应的工作周期。
示例性地,对应关系包括熬粥模式、煲汤模式、烧水模式,以及熬粥模式对应的工作周期30s,煲汤模式对应的工作周期15s,烧水模式对应的工作周期40s。
b122、根据对应关系,确定与电磁炉的工作模式对应的工作周期。
示例性地,电磁炉当前的工作模式为煲汤模式,对应关系中煲汤模式对应的工作周期15s,则确定15s为与当前的工作模式对应的电磁炉的工作周期。
将工作模式与工作周期的对应关系事先存储在电磁炉中,以根据该对应关系获取与电磁炉的工作模式对应的工作周期,在保证预期的低功率烹饪效果的基础上,可提高确定电磁炉的工作周期的效率。
b2、根据电磁炉的工作周期、第一功率和第一期望功率,确定每个工作周期内的工作时长。
可以理解的是,每个工作周期内的工作时长小于工作周期。
一种方式中,可通过如下公式二,根据电磁炉的工作周期、第一功率和第一期望功率,确定每个工作周期内的工作时长TD
(TD/TC)×PH=P 公式二;
其中,TC为电磁炉的工作周期,PH为第一功率,P为第一期望功率。
根据公式二可知,第一工作参数使得电磁炉在工作功率调整至第一功率后的平均功率等于第一期望功率。
步骤S204、控制电磁炉在第一功率下根据第一工作参数工作。
在确定了第一工作参数之后,即可控制电子设置在第一功率下根据第一工作参数工作,即在每个工作周期内在第一功率下工作上述步骤所确定的工作时长,每个工作周期内剩余的工作时长停止工作。比如,电磁炉在每个工作周期内对物体进行加热的时长为上述步骤确定的工作时长。
示例性地,第一工作参数包括工作周期30s,工作时长20s,第一功率为400w,则在每30s内在400w功率下工作20s,其余的10s停止工作,即每工作20s,停止工作10s。
可以理解的是,电磁炉会一直在第一功率下根据第一工作参数工作,直至监控到电磁炉的IGBT的温度从第二温度更新至另一大于或等于IGBT的过热保护温度的温度,才会再次根据该另一大于或等于IGBT的过热保护温度的温度重新调整电磁炉的功率,根据该重新调整后的功率和第一期望功率,重新确定工作参数,然后控制电磁炉在重新调整后的功率下根据重新确定的工作参数工作。
可选地,在根据第一功率和第一期望功率,获取电磁炉的第一工作参数之后,还可包括:确定电磁炉的IGBT的温度从第三温度更新至第四温度,第三温度大于或等于IGBT的过热保护温度,第四温度小于IGBT的过热保护温度,则调整电磁炉的工作功率至第一期望功率;控制电磁炉在第一期望功率下连续工作。其中,第三温度可等于第二温度,也可不等于第二温度。也就是说,若IGBT的温度从大于或等于IGBT的过热保护温度更新至小于IGBT的过热保护温度时,则调整电磁炉的工作功率至第一期望功率,并控制电磁炉在第一期望功率下连续工作。
该可选的方式,可以使得电磁炉当IGBT的温度恢复至小于IGBT的过热保护温度时,在用户设定的第一期望功率下连续工作,可最大限度的保证低功率的烹饪效果。
本实施例中,在确定IGBT的温度更新至大于IGBT的过热保护温度的第二温度时,则根据用户设定的连续工作的工作功率第一期望功率和第二温度,确定一新的工作功率,根据该新的工作功率和第一期望功率,获取电磁炉在新的工作功率下的工作参数,该工作参数满足如下条件:该工作参数使得电磁炉在工作功率调整至新的工作功率后的平均功率等于第一期望功率,因此,本方案可以在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
此外,在电磁炉的某些工作模式下,电磁炉连续工作的工作功率在烹饪过程中可能会被更新,比如电磁炉当前的工作模式为煲汤模式,煲汤过程存在收汁过程,收汁过程所对应的用户设定的电磁炉连续工作的工作功率需大于收汁前所对应的用户设定的电磁炉连续工作的工作功率,因此,用户设定的电磁炉连续工作的工作功率在整个煲汤过程中会被更新,即煲汤模式下不仅会涉及图2所示的实施例的电磁炉的控制方法,还会涉及与更新电磁炉连续工作的工作功率相关的电磁炉的控制方法。下面采用具体的实施例对与更新电磁炉的连续工作的工作功率相关的电磁炉的控制方法进行说明。
图3为本申请实施例提供的电磁炉的控制方法的流程图二,参见图3,本实施例的方法,包括:
步骤S301、在控制电磁炉在第一功率下根据第一工作参数工作之后,确定用户设定的电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率,第二期望功率在预设范围内。
在更新电磁炉连续工作的工作功率时(比如在煲汤过程中需要收汁时),用户可通过电磁炉的输入界面输入功率设置指令,功率设置指令指示电磁炉连续工作的工作功率为第二期望功率,电磁炉根据该功率设置指令,确定用户设定的电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率。其中,第二期望功率也为预设范围内的功率。本实施例中的预设范围与图2所示的实施例中的预设范围相同。
可以理解的是,在电磁炉确定用户设定的电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率后,电磁炉会先控制电磁炉在第二期望功率下连续工作。
步骤S302、根据第二期望功率和电磁炉的IGBT的当前温度,调整电磁炉的工作功率至第二功率。
可以理解的是,IGBT的当前温度为确定用户设定的电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率后最近一次监控到IGBT的温度,若IGBT的当前温度大于或等于IGBT的过热保护温度时,则执行步骤S302以及后续的步骤。在IGBT的当前温度小于IGBT的过热保护温度,则不执行步骤S302以及后续的步骤,继续在第二期望功率下连续工作。
IGBT的当前温度可为第二温度。相应地,“根据第二期望功率和IGBT的当前温度,调整电子的工作功率至第二功率”为“根据第二期望功率和第二温度,调整电子的工作功率至第二功率”。
其中,“根据第二期望功率和电磁炉的IGBT的当前温度,调整电子的工作功率至第二功率”的方法参照图2所示的实施例中的步骤S202中的“根据第一期望功率和第二温度,调整电子的工作功率至第一功率”的方法,本实施例中不再赘述。
可以理解的是,第二功率大于第二期望工作功率。
步骤S303、根据第二功率和第二期望功率,获取电磁炉的第二工作参数,第二工作参数使得电磁炉在工作功率调整至第二功率后的平均功率等于第二期望功率。
其中,“根据第二功率和第二期望功率,获取电磁炉的第二工作参数”的方法参照图2所示的实施例中的步骤S203中的“根据第一功率和第一期望功率,获取电磁炉的第一工作参数”的方法,本实施例中不再赘述。
步骤S304、控制电磁炉在第二功率下根据第二工作参数进行工作。
该步骤的具体实现参照图2所示的实施例中的步骤S204的具体实现,此处不再赘述。
可选地,在另一种方案中,图2所示的实施例的电磁炉的控制方法也可发生在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率更新之后,相应地,在确定电磁炉的温度从第一温度更新至第二温度之前,还包括:确定用户设定的电磁炉连续工作的工作功率由第二期望功率更新至第一期望功率。
本实施例中提供了与电磁炉连续工作的工作功率被更新相关的电磁炉的控制方法,本实施例可以使得在电磁炉连续工作的工作功率被更新后,仍然能够在提高电磁炉的工作功率以降低电磁炉内部器件IGBT的温度的基础上,保证低功率烹饪的效果。
以上对本申请涉及的方法进行了说明,下面对本申请涉及的装置进行说明。
图4为本申请的电磁炉的控制方法的结构示意图,如图4所示,本实施例的装置可以包括:确定模块41、调整模块42、获取模块43和控制模块44。
在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率,且所述第一期望功率在预设范围内时,确定模块41用于确定所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管IGBT的温度从第一温度更新至第二温度,所述第二温度大于或等于所述IGBT的过热保护温度;
所述调整模块42,用于根据所述第一期望功率和所述第二温度,调整所述电磁炉的工作功率至第一功率;
所述获取模块43,用于根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数;所述第一工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第一功率后的平均功率等于所述第一期望功率;
所述控制模块44,用于控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作。
可选地,所述电磁炉的第一工作参数包括:所述电磁炉的工作周期和每个工作周期内的工作时长。
可选地,所述获取模块43,具体用于:获取所述电磁炉的工作周期;根据所述工作周期、所述第一功率和所述第一期望功率,确定每个所述工作周期内的工作时长。
可选地,所述获取模块43,具体用于:获取所述电磁炉的预设的工作周期。
可选地,所述获取模块43,具体用于:获取所述电磁炉的工作模式;确定与所述工作模式对应的工作周期。
可选地,所述获取模块43,具体用于:获取对应关系,所述对应关系包括:多种工作模式,以及每种工作模式所对应的工作周期;根据所述对应关系,确定与所述工作模式对应的工作周期。
可选地,所述获取模块43,具体用于:通过如下公式确定所述每个所述工作周期内的工作时长TD
(TD/TC)×PH=P
其中,TC为所述工作周期,PH为所述第一功率,P为所述第一期望功率。
可选地,在所述控制模块44用于控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作之后,所述确定模块41还用于确定用户设定的所述电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率,所述第二期望功率在所述预设范围内;在所述IGBT的当前温度大于所述过热保护温度时,所述调整模块42还用于根据所述第二期望功率和所述IGBT的当前温度,调整所述电子的工作功率至第二功率;所述获取模块43还用于根据所述第二功率和所述第二期望功率,获取所述电磁炉的第二工作参数,所述第二工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第二功率后的平均功率等于所述第二期望功率;所述控制模块44还用于控制所述电磁炉在所述第二功率下根据所述第二工作参数进行工作。
可选地,在所述确定模块41用于确定所述IGBT的温度从第一温度更新至第二温度之前,所述确定模块41还用于确定用户设定的所述电磁炉连续工作的工作功率由第二期望功率更新至所述第一期望功率。
可选地,在所述获取模块43用于根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数之后,所述确定模块41还用于确定所述IGBT的温度从第三温度更新至第四温度,所述第三温度大于或等于所述过热保护温度,所述第四温度小于所述过热保护温度;所述调整模块42还用于调整所述电磁炉的工作功率至所述第一期望功率;所述控制模块还用于控制所述电磁炉在所述第一期望功率下连续工作。
可选地,所述调整模块42,具体用于:获取功率调整参数;根据所述功率调整参数、所述第二温度、所述过热保护温度和所述第一期望功率,得到所述第一功率。
可选地,所述调整模块42,具体用于:通过如下公式得到所述第一功率PH:PH=(TH-TR)*X+P其中,TH为所述第二温度,TR为所述过热保护温度,X为所述功率调整参数,P为所述第一期望功率。
可选地,5≤X≤20。
可选地,所述第一温度小于所述过热保护温度;或者,所述第一温度大于或等于所述过热保护温度。
可选地,所述IGBT的过热保护温度小于或等于所述IGBT的最大允许工作温度预设温度。
本实施例的装置,可以用于执行上述方法实施例的技术方案,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
图5为本申请实施例提供的一种电磁炉的结构示意图。如图5所示,电磁炉500可用于实现上述方法实施例中描述的方法,具体参见上述方法实施例中的说明。
所述电磁炉500可以包括一个或多个处理器501,所述处理器501也可以称为处理单元,控制执行上述方法实施例中的方法。所述处理器501可以是通用处理器或者专用处理器等。例如可以是基带处理器、或中央处理器。基带处理器可以用于对通信协议以及通信数据进行处理,中央处理器可以用于对通信装置进行控制,执行软件程序,处理软件程序的数据。
在一种可选的设计中,处理器501也可以存有指令503或者数据(例如中间数据)。其中,所述指令503可以被所述处理器运行,使得所述电磁炉500执行上述方法实施例中描述的方法。
可选的,所述电磁炉500中可以包括一个或多个存储器502,其上可以存有指令504,所述指令可在所述处理器上被运行,使得所述电磁炉500执行上述方法实施例中描述的方法。
可选的,所述存储器中也可以是存储有数据。所述处理器501和存储器502可以单独设置,也可以集成在一起。
可选的,所述电磁炉500还可以包括收发器505和/或天线506。所述收发器505可以称为收发单元、收发机、收发电路、或者收发器等,用于实现通信装置的收发功能。
本申请中描述的处理器501和收发器505可实现在集成电路(integratedcircuit,IC)、模拟IC、射频集成电路(radio frequency integrated circuit,RFIC)、混合信号IC、专用集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)、印刷电路板(printed circuit board,PCB)、电子设备等上。该处理器和收发器也可以用各种1C工艺技术来制造,例如互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)、N型金属氧化物半导体(nMetal-oxide-semiconductor,NMOS)、P型金属氧化物半导体(positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)、双极结型晶体管(BipolarJunction Transistor,BJT)、双极CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)等。
应理解,本申请实施例中提及的处理器可以是中央处理单元(CentralProcessing Unit,CPU),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital SignalProcessor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现成可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
还应理解,本申请实施例中提及的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器,或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM,EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM,EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory,RAM),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM,DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM,SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double DataRate SDRAM,DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM,ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synchlink DRAM,SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM,DR RAM)。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时,执行包括上述各方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种电磁炉的控制方法,其特征在于,包括:
在用户设定的电磁炉连续工作的工作功率为第一期望功率,且所述第一期望功率在预设范围内时,确定所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管IGBT的温度从第一温度更新至第二温度,所述第二温度大于或等于所述IGBT的过热保护温度;
根据所述第一期望功率和所述第二温度,调整所述电磁炉的工作功率至第一功率;
根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数;所述第一工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第一功率后的平均功率等于所述第一期望功率;
控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电磁炉的第一工作参数,包括:所述电磁炉的工作周期和每个工作周期内的工作时长。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数,包括:
获取所述电磁炉的工作周期;
根据所述工作周期、所述第一功率和所述第一期望功率,确定每个所述工作周期内的工作时长。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取所述电磁炉的工作周期,包括:
获取所述电磁炉的预设的工作周期。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取工作周期,包括:
获取所述电磁炉的工作模式;
确定与所述工作模式对应的工作周期。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,确定与所述工作模式对应的工作周期,包括:
获取对应关系,所述对应关系包括:多种工作模式,以及每种工作模式所对应的工作周期;
根据所述对应关系,确定与所述工作模式对应的工作周期。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述工作周期、所述第一功率和所述第一期望功率,确定每个所述工作周期内的工作时长,包括:
通过如下公式确定所述每个所述工作周期内的工作时长TD
(TD/TC)×PH=P
其中,TC为所述工作周期,PH为所述第一功率,P为所述第一期望功率。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述控制所述电磁炉在所述第一功率下根据所述第一工作参数工作之后,还包括:
确定用户设定的所述电磁炉连续工作的工作功率由第一期望功率更新至第二期望功率,所述第二期望功率在所述预设范围内;
在所述IGBT的当前温度大于所述过热保护温度时,根据所述第二期望功率和所述IGBT的当前温度,调整所述电子的工作功率至第二功率;
根据所述第二功率和所述第二期望功率,获取所述电磁炉的第二工作参数,所述第二工作参数使得所述电磁炉在工作功率调整至所述第二功率后的平均功率等于所述第二期望功率;
控制所述电磁炉在所述第二功率下根据所述第二工作参数进行工作。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在确定所述IGBT的温度从第一温度更新至第二温度之前,还包括:
确定用户设定的所述电磁炉连续工作的工作功率由第二期望功率更新至所述第一期望功率。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述根据所述第一功率和所述第一期望功率,获取所述电磁炉的第一工作参数之后,还包括:
确定所述IGBT的温度从第三温度更新至第四温度,所述第三温度大于或等于所述过热保护温度,所述第四温度小于所述过热保护温度;
调整所述电磁炉的工作功率至所述第一期望功率;
控制所述电磁炉在所述第一期望功率下连续工作。
11.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一期望功率和所述第二温度,调整所述电磁炉工作功率至第一功率,包括:
获取功率调整参数;
根据所述功率调整参数、所述第二温度、所述过热保护温度和所述第一期望功率,得到所述第一功率。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述根据所述功率调整参数、所述第二温度、所述过热保护温度和所述第一期望功率,得到所述第一功率,包括:
通过如下公式得到所述第一功率PH
PH=(TH-TR)*X+P
其中,TH为所述第二温度,TR为所述过热保护温度,X为所述功率调整参数,P为所述第一期望功率。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,5≤X≤20。
14.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一温度小于所述过热保护温度;或者,
所述第一温度大于或等于所述过热保护温度。
15.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述IGBT的过热保护温度小于或等于所述IGBT的最大允许工作温度预设温度。
16.一种电磁炉,其特征在于,包括:
至少一个处理器;以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-15中任一项所述的方法。
17.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求1-15中任一项所述的方法。
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