CN112669720A - Led面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种LED面板及其制备方法，在LED面板中，第一金属层包括第一走线；第二金属层包括第二走线；钝化层上开设有开口；反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，第一反射部设置在第一走线和第二走线的交叠区域，第二反射部围设在开口的周侧。本申请通过保留对应于第一走线和第二走线的交叠区域的第一反射部和对应于开口周围的第二反射部，减少反射层的覆盖面积，进而达到减低基板的翘曲程度。

Description

LED面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种LED面板及其制备方法。
背景技术
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，发光二极管(LightEmitting Diode，LED)面板的制程中，一般采用玻璃基板制作驱动电路，因玻璃基板和各膜层的热膨胀系数或收缩系数不同，导致基板存在翘曲的问题。具体的，一是在驱动电路的制程中，SiNx膜层的膨胀系数大于玻璃，在高温成膜恢复到室温过程中，膜层收缩量相对玻璃更大，造成张应力致使玻璃基板翘曲；二是在白油制程中，白油为树脂型材料，在白油固化时收缩，从而导致玻璃翘曲。因此SiNx膜层和白油层的占比越大、膜层越厚，玻璃基板翘曲的程度就越严重。
发明内容
本申请实施例提供一种LED面板及其制备方法，可以减低LED面板的基板的翘曲程度。
本申请实施例提供一种LED面板，其包括：
基板；
第一金属层，所述第一金属层设置在所述基板上，所述第一金属层包括第一走线；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一金属层上；
第二金属层，所述第二金属层设置在所述绝缘层上，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；
钝化层，所述钝化层设置在所述第二金属层上，所述钝化层上开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；
反射层，所述反射层设置在所述钝化层上，所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；以及
LED芯片，所述LED芯片设置在所述导电垫上并电性连接于所述导电垫。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一走线包括扫描线和公共电极线，所述第二走线包括数据线和电源线。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层的材料包括白油。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射部的至少部分设置在所述交叠区域内。
相应的，本申请实施例还提供一种LED面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一走线；
在所述第一金属层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；
在所述第二金属层上形成钝化层，所述钝化层开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；
在所述钝化层上形成反射层；所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；
将LED芯片设置在所述导电垫上，所述LED芯片电连接于所述导电垫。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层的材料包括白油；在所述钝化层上形成反射层，包括以下步骤：
采用丝印工艺或喷印工艺在所述钝化层对应于所述第一走线和所述第二走线的交叠区域上形成所述第一反射部；在所述钝化层对应于所述开口的周围区域上形成所述第二反射部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一反射部的至少部分设置在所述交叠区域内。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述第一金属层上形成绝缘层，包括以下步骤：
采用SiH4和NH3作为反应气体，在所述第一金属层上形成绝缘层；SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述第二金属层上形成钝化层，包括以下步骤：
采用SiH4和NH3作为反应气体，在所述第二金属层上形成钝化层；SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一走线包括扫描线和公共电极线，所述第二走线包括数据线和电源线。
本申请实施例采用通过减低SiH4/NH3的比例，进而增加SiNx膜层的压应力，达到减低基板的翘曲程度；另外，本实施例通过保留对应于第一走线和第二走线的交叠区域的第一反射部和对应于开口周围的第二反射部，减少反射层的覆盖面积，进而达到减低基板的翘曲程度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的LED面板的层级结构示意图；
图2是本申请实施例提供的LED面板的俯视结构示意图；
图3是本申请实施例提供的LED面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，下文进行详细说明。
图1是本申请实施例提供的LED面板的层级结构示意图；图2是本申请实施例提供的LED面板的俯视结构示意图。本申请实施例提供一种LED面板100，其包括基板11、第一金属层12、绝缘层13、有源层14、第二金属层15、钝化层16、反射层17和LED芯片18。
第一金属层12设置在基板11上。第一金属层12包括第一走线121和栅极122。绝缘层13设置在第一金属层12上。有源层14设置在绝缘层13上。第二金属层12设置在绝缘层13上，也设置在有源层14上。第二金属层15包括第二走线151和导电垫152、源极153和漏极154。钝化层16设置在第二金属层15上。钝化层16上开设有开口161。开口161裸露出导电垫152。反射层17设置在钝化层16上。LED芯片18设置在导电垫152上并电性连接于导电垫152。
反射层17包括多个第一反射部171和多个第二反射部172。第一反射部171和第二反射部172间隔设置。第一反射部171设置在第一走线121和第二走线151的交叠区域JD。第二反射部172围设在开口161的周侧。
本实施例的LED面板100通过保留对应于第一走线121和第二走线151的交叠区域JD的第一反射部171和对应于开口161周围的第二反射部172，减少反射层17的覆盖面积，进而达到减低基板11的翘曲程度。
其中，反射层17的主要作用在于反射LED芯片18发出的光线。另外本实施例将第一反射部171设置在交叠区域JD，以遮挡更多的金属走线，且起到保护第一金属走线121和第二金属走线151的效果，减低金属走线在交叠区域出现短路的风险。将第二反射部172设置在开口161处，以提高LED面板100对应于开口161处的出光效率。
具体的，基板11可以为硬质基板，比如玻璃基板。
第一金属层12可以是单层金属层，也可以是多层结构；比如第一金属层12的材料可以是铜，或钼层和铜层的堆叠结构。其中，第一走线121包括扫描线12a和其他信号线。
可选的，绝缘层13的材料包括SiNx。也即绝缘层13包括SiNx层。其中SiNx层由反应气体SiH4和NH3进行气相沉积形成。SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。可选的，SiH4/NH3的比例可以是1/5、1/6、1/7、1/8或1/9。因此，本实施例可通过减低SiH4/NH3的比例，进而增加SiNx膜层的压应力，达到减低基板的翘曲程度。
可选的，有源层14的材料可以是a-Si或金属氧化物。
第二金属层15可以是单层金属层，也可以是多层结构；比如第二金属层15的材料可以是铜，或钼层和铜层的堆叠结构。
其中，第二走线151包括数据线15a、电源线15b和其他信号走线。
可选的，钝化层16的材料包括SiNx。也即钝化层16包括SiNx层。其中SiNx层由反应气体SiH4和NH3进行气相沉积形成。SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。可选的，SiH4/NH3的比例可以是1/5、1/6、1/7、1/8或1/9。因此，本实施例可通过减低SiH4/NH3的比例，进而增加SiNx膜层的压应力，达到减低基板的翘曲程度。
反射层17的材料包括白油。在本实施例的LED面板100中，第一反射部171设置在扫描线12a和数据线15a的交叠区域JD。
在一些实施例中，第一反射部171还可以设置在扫描线12a和电源线15b的交叠区域，和/或设置在第一走线121的其他信号线和第二走线151的其他信号线的交叠区域。
在本实施例的LED面板100中，第一反射部171的至少部分设置在交叠区域JD内。
在本实施例中，第一反射部171的部分还覆盖交叠区域JD之外的区域。
比如第一反射部171的外轮廓可以超出交叠区域JD300微米，甚至超出500微米；也就是说，第一反射部171的外轮廓到交叠区域JD边界的距离L可以小于500微米。
在一些实施例中，第一反射部171可全部设置在交叠区域JD内。
可选的，LED芯片18可以是Mini-LED、Micro-LED或其他LED发光器件。
相应的，请参照图3，图3是本申请实施例提供的LED面板的制备方法的流程图。本申请实施例还提供一种LED面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤B1：在基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一走线；
步骤B2：在所述第一金属层上依次形成绝缘层和有源层；
步骤B3：在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；
步骤B4：在所述第二金属层上形成钝化层，所述钝化层开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；
步骤B5：在所述钝化层上形成反射层；所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；
步骤B6：将LED芯片设置在所述导电垫上，所述LED芯片电连接于所述导电垫。
本实施例的制备方法以上述实施例的LED面板100为例进行说明，具体的可参考图1和图2。下面对本实施例的LED面板的制备方法进行阐述。
步骤B1：在基板11上形成第一金属层12。第一金属层12包括第一走线121。
可选的，基板可以为硬质基板，比如玻璃基板。第一金属层12可以是单层金属层，也可以是多层结构；比如第一金属层12的材料可以是铜，或钼层和铜层的堆叠结构。其中，第一走线121包括扫描线12a和其他信号线，比如公共电极线。随后转入步骤B2。
步骤B2：在第一金属层12上依次形成绝缘层13和有源层14。
具体的，可采用SiH4和NH3作为反应气体，在第一金属层12上形成绝缘层13。SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。
也即，绝缘层13包括SiNx层。其中SiNx层由反应气体SiH4和NH3进行气相沉积形成。SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。可选的，SiH4/NH3的比例可以是1/5、1/6、1/7、1/8或1/9。因此，本实施例可通过减低SiH4/NH3的比例，进而增加SiNx膜层的压应力，达到减低基板的翘曲程度。
其中，当SiH4/NH3的比例在1/5至1/8的范围时，随着SiH4/NH3的比例的递减，SiNx层的压应力越大，张应力越小，因此SiH4/NH3的比例越小，基板翘曲的程度就越低。
有源层14设置在绝缘层13上，有源层14的材料可以是a-Si或金属氧化物。随后转入步骤B3。
步骤B3：在绝缘层13上形成第二金属层15。第二金属层15包括第二走线151和导电垫152。
可选的，第二金属层15可以是单层金属层，也可以是多层结构；比如第二金属层15的材料可以是铜，或钼层和铜层的堆叠结构。其中，第二走线151包括数据线15a、电源线15b和其他信号走线。随后转入步骤B4。
步骤B4：在第二金属层15上形成钝化层16。钝化层16开设有开口161，开口161裸露出导电垫152。
可采用化学气相沉积法在第二金属层15上形成一无机膜层，随后蚀刻该无机膜层形成钝化层16。
具体的，采用SiH4和NH3作为反应气体，在第二金属层15上形成钝化层16。SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。也即，绝缘层13包括SiNx层。其中SiNx层由反应气体SiH4和NH3进行气相沉积形成。SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。可选的，SiH4/NH3的比例可以是1/5、1/6、1/7、1/8或1/9。因此，本实施例可通过减低SiH4/NH3的比例，进而增加SiNx膜层的压应力，达到减低基板的翘曲程度。
其中，当SiH4/NH3的比例在1/5至1/8的范围时，随着SiH4/NH3的比例的递减，SiNx层的压应力越大，张应力越小，因此SiH4/NH3的比例越小，基板翘曲的程度就越低。
在一些实施例中，钝化层16也可以是多层堆叠结构。
随后转入步骤B5。
步骤B5：在钝化层16上形成反射层17。反射层17包括多个第一反射部171和多个第二反射部172。第一反射部171和第二反射部172间隔设置。第一反射部171设置在第一走线121和第二走线151的交叠区域JD。第二反射部172围设在开口161的周侧。
具体的，采用丝印工艺或喷印工艺在钝化层16对应于第一走线121和第二走线151的交叠区域JD上形成第一反射部171。在钝化层16对应于开口161的周围区域上形成第二反射部172。
本实施例的制备方案，采用喷印工艺制备反射层17，避免在丝印工艺时，刮刀刮伤钝化层16并导致第一金属层12和第二金属层15发生短路。
其中，第一反射部171的至少部分设置在交叠区域JD内。可选的，第一反射部171可全部设置在交叠区域JD内。在一些实施例中，第一反射部171的部分还可以覆盖交叠区域JD之外的区域。比如第一反射部171的外轮廓可以超出交叠区域JD300微米，甚至超出500微米；也就是说，第一反射部171的外轮廓到交叠区域JD边界的距离可以小于500微米。随后转入步骤B6。
步骤B6：将LED芯片18设置在导电垫152上。LED芯片18电连接于导电垫152。
可选的，先在导电垫151上涂布锡膏，接着采用表面贴装技术(SMT)将LED芯片18设置在锡膏上，随后进行回流焊处理，使得LED芯片18电性连接导电垫152。
可选的，LED芯片18可以是Mini-LED、Micro-LED或其他LED发光器件。
这样便完成了本实施例的LED面板的制备方法。
本申请实施例采用通过减低SiH4/NH3的比例，进而增加SiNx膜层的压应力，达到减低基板的翘曲程度；另外，本实施例通过保留对应于第一走线和第二走线的交叠区域的第一反射部和对应于开口周围的第二反射部，减少反射层的覆盖面积，进而达到减低基板的翘曲程度。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种LED面板，其特征在于，包括：
基板；
第一金属层，所述第一金属层设置在所述基板上，所述第一金属层包括第一走线；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一金属层上；
第二金属层，所述第二金属层设置在所述绝缘层上，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；
钝化层，所述钝化层设置在所述第二金属层上，所述钝化层上开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；
反射层，所述反射层设置在所述钝化层上，所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；以及
LED芯片，所述LED芯片设置在所述导电垫上并电性连接于所述导电垫。
2.根据权利要求1所述的LED面板，其特征在于，所述第一走线包括扫描线，所述第二走线包括数据线和电源线。
3.根据权利要求1所述的LED面板，其特征在于，所述反射层的材料包括白油。
4.根据权利要求1所述的LED面板，其特征在于，所述第一反射部的至少部分设置在所述交叠区域内。
5.一种LED面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一走线；
在所述第一金属层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；
在所述第二金属层上形成钝化层，所述钝化层开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；
在所述钝化层上形成反射层；所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；
将LED芯片设置在所述导电垫上，所述LED芯片电连接于所述导电垫。
6.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，所述反射层的材料包括白油；在所述钝化层上形成反射层，包括以下步骤：
采用丝印工艺或喷印工艺在所述钝化层对应于所述第一走线和所述第二走线的交叠区域上形成所述第一反射部；在所述钝化层对应于所述开口的周围区域上形成所述第二反射部。
7.根据权利要求6所述的LED面板的制备方法，其特征在于，所述第一反射部的至少部分设置在所述交叠区域内。
8.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成绝缘层，包括以下步骤：
采用SiH4和NH3作为反应气体，在所述第一金属层上形成绝缘层；SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。
9.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，在所述第二金属层上形成钝化层，包括以下步骤：
采用SiH4和NH3作为反应气体，在所述第二金属层上形成钝化层；SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。
10.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，所述第一走线包括扫描线和公共电极线，所述第二走线包括数据线和电源线。
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