CN112652346A - 存储装置和控制存储装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种存储装置和控制存储装置的方法。所述存储装置包括：存储器；以及存储器控制器，将命令发送到存储器。存储器包括：至少一个存储器单元阵列；存储器温度传感器，测量存储器的温度；以及控制逻辑。控制逻辑响应于所述命令而输出忙碌信号，响应于所述命令从存储器温度传感器接收存储器的温度，并且基于接收的存储器的温度来确定是否对存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作。

Description

存储装置和控制存储装置的方法
本申请要求于2019年09月26日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0118738号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的示例性实施例涉及存储装置和控制存储装置的方法。
背景技术
作为非易失性存储器，闪存即使在电源中断时也可保持所存储的数据。近来，包括闪存(诸如，嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)和存储卡)的存储装置已经变得更广泛地使用。存储装置用于存储或移动大量数据。
当存储装置中的存储器的温度升高时，存储装置在进行操作的同时消耗大量功率。因此，存储装置的操作性能可降低。另外，存储器可被损坏，因此，导致在存储装置中存储的数据中的错误和/或缩短存储装置的寿命。
发明内容
本公开的方面提供一种在没有存储器控制器的干预的情况下根据存储器的温度来控制存储器的存储装置。
本公开的方面还提供一种控制在没有存储器控制器的干预的情况下根据存储器的温度来控制存储器的存储装置的方法。
根据本公开的示例性实施例，一种存储装置包括存储器和存储器控制器。存储器控制器将命令发送到存储器。存储器包括：至少一个存储器单元阵列；存储器温度传感器，测量存储器的温度；以及控制逻辑。控制逻辑响应于所述命令而输出忙碌信号，响应于所述命令从存储器温度传感器接收存储器的温度，并且基于接收的存储器的温度来确定是否对存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作。
根据本公开的示例性实施例，一种存储装置，包括：存储装置温度传感器，测量所述存储装置的温度；存储器控制器，从存储装置温度传感器接收所述存储装置的温度，并且当接收的所述存储装置的温度高于或等于第一设定温度时生成使能信号；以及第一存储器和第二存储器。第一存储器和第二存储器中的每个响应于从存储器控制器接收的使能信号而在热节流模式下操作。当在热节流模式下操作的同时，第一存储器响应于从存储器控制器接收的第一命令而从设置在第一存储器中的第一存储器温度传感器接收第一存储器的温度，并且根据接收的第一存储器的温度来确定是否执行第一命令。当在热节流模式下操作的同时，第二存储器响应于从存储器控制器接收的第二命令而从设置在第二存储器中的第二存储器温度传感器接收第二存储器的温度，并且根据接收的第二存储器的温度来确定是否执行第二命令。由第一存储器执行第一命令时的时间与由第二存储器执行第二命令时的时间不同。
根据本公开的示例性实施例，一种控制存储装置的方法，包括：使用设置在存储装置中的存储装置温度传感器来测量存储装置的温度；当存储装置的温度高于第一设定温度时，生成使能信号；在使能信号被提供的同时，响应于命令使用设置在存储器中的存储器温度传感器测量存储器的温度；以及基于测量的存储器的温度来确定是否对存储器执行根据所述命令的命令操作。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他特征将变得更清楚，其中：
图1是根据示例性实施例的包括存储装置的系统的框图；
图2是图1的存储器的示例性框图；
图3是示出根据示例性实施例的存储装置的热节流模式的曲线图；
图4示出根据示例性实施例的存储装置的操作；
图5示出根据示例性实施例的存储装置的操作；
图6示出根据示例性实施例的存储装置的操作；
图7示出根据示例性实施例的存储装置的操作；
图8是示出根据示例性实施例的存储装置在热节流模式下的操作的流程图；
图9是示出根据示例性实施例的存储装置在热节流模式下的操作的流程图；
图10是示出根据示例性实施例的存储装置在热节流模式下的操作的流程图；
图11是根据示例性实施例的存储装置的框图；以及
图12示出根据图11的示例性实施例的存储装置在随机时间的操作。
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本公开的示例性实施例。贯穿附图，相同的参考标号可表示相同的元件。
将理解，术语“第一”、“第二”、“第三”等在此用于将一个元件与另一个元件区分开来，并且元件不受这些术语限制。因此，示例性实施例中的“第一”元件可被描述为另一示例性实施例中的“第二”元件。
应理解，除非上下文另外清楚地指示，否则每个示例性实施例内的特征或方面的描述应当代表性地被认为可适用于其他示例性实施例中的其他类似特征或方面。
如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意在包括复数形式。
图1是根据示例性实施例的包括存储装置20的系统的框图。
参照图1，根据示例性实施例的包括存储装置20的系统可包括主机10和存储装置20。该系统可以是但不限于基于闪存(诸如，存储卡、通用串行总线(USB)存储器、固态驱动器(SSD)等)的数据存储介质。
主机10可将数据操作请求REQ和地址ADDR发送到存储器控制器200，并且与存储器控制器200交换数据DATA。
存储装置20可包括存储装置温度传感器100、存储器控制器200和存储器300。存储器300可以是例如非易失性存储器。
存储装置温度传感器100可设置在存储装置20内部。存储装置温度传感器100可测量存储装置20的温度Ts。
存储器控制器200可从存储装置温度传感器100接收存储装置20的温度Ts。存储器控制器200可根据从存储装置温度传感器100接收的存储装置20的温度Ts将使能信号EN提供给存储器300。
存储器控制器200可响应于来自主机10的请求来控制存储器300。存储器控制器200可例如响应于从主机10接收的数据操作请求REQ来读取存储在存储器300中的数据DATA，并且可控制存储器300写入数据DATA。存储器控制器200可将地址ADDR、命令CMD和控制信号CTRL提供给存储器300，并且控制存储器300的编程操作、读取操作和擦除操作。此外，可在存储器控制器200与存储器300之间发送和接收将被编程的数据DATA和读出的数据DATA。
存储器300可输出就绪和忙碌信号RnB。就绪和忙碌信号RnB可指示存储器300的状态。当存储器300输出例如就绪信号时，存储器控制器200可将命令CMD提供给存储器300。在一个示例性实施例中，当存储器300输出例如忙碌信号时，存储器控制器200不提供命令CMD。存储器300可包括存储器单元阵列310、存储器温度传感器320和控制逻辑330。可根据由将稍后描述的存储器温度传感器320测量的存储器300的温度Tm来重启存储器300。当存储器300被重启时，存储器300可响应于从存储器控制器200接收的命令CMD输出重启信号Reboot。
图2是图1的存储器300的示例性框图。
参照图1和图2，存储器300可包括存储器单元阵列310、存储器温度传感器320和控制逻辑330。
存储器300可以是但不限于：NAND闪存、垂直NAND闪存(VNAND)、NOR闪存、电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、铁电RAM(FRAM)或自旋转移矩磁性RAM(STT-RAM)。
存储器单元阵列310可包括多个存储器块，多个存储器块中的每个可包括连接到多条字线WL和多条位线BL的多个存储器单元。
存储器单元阵列310可通过多条串选择线SSL、多条字线WL和多条地选择线GSL连接到行解码器350。此外，存储器单元阵列310可通过多条位线BL连接到页缓冲器电路360。
存储器温度传感器320可设置在存储器300内部。存储器温度传感器320可测量存储器300的温度Tm。由存储器温度传感器320测量的存储器300的温度Tm可被提供给控制逻辑330。
存储器300可响应于使能信号EN而在热节流(thermal throttling)模式下操作。在热节流模式下，控制逻辑330可响应于命令CMD从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm。在热节流模式下，当控制逻辑330完成根据命令CMD对存储器单元阵列310执行操作时，控制逻辑330可从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm。这将在下面参照图3至图8进一步描述。
控制逻辑330可基于从存储器控制器200接收的命令CMD、地址ADDR、控制信号CTRL和使能信号EN来控制存储器300的整体操作。控制逻辑330可控制例如存储器300的写入操作、读取操作和擦除操作。控制逻辑330可输出指示存储器300的状态的就绪和忙碌信号RnB。
控制逻辑330可将电压控制信号CTRL_vol提供给电压生成器340。控制逻辑330可基于地址信号ADDR生成行地址X-ADDR和列地址Y-ADDR。控制逻辑330可将行地址X-ADDR提供给行解码器350，并且将列地址Y-ADDR提供给数据输入/输出(I/O)电路370。
电压生成器340可响应于电压控制信号CTRL_vol而生成存储器300的操作所需的操作电压。操作电压可包括但不限于：字线电压VWL、编程电压、读取电压、验证电压和擦除电压。
行解码器350可通过串选择线SSL、字线WL和地选择线GSL连接到存储器单元阵列310。行解码器350可响应于行地址X-ADDR而选择串选择线SSL、字线WL和地选择线GSL。行解码器350可将从电压生成器340接收的操作电压分别施加到选择的和未选择的串选择线SSL、字线WL和地选择线GSL。
页缓冲器电路360可通过位线BL连接到存储器单元阵列310。页缓冲器电路360可包括多个页缓冲器。页缓冲器电路360可在写入操作期间临时地存储将被写入到选择的页的数据。页缓冲器电路360可在读取操作期间临时地存储从选择的页读取的数据。
数据I/O电路370可通过数据线DL连接到页缓冲器电路360。例如，在写入操作期间，数据I/O电路370可从存储器控制器200接收写入数据DATA，并且基于从控制逻辑330接收的列地址Y-ADDR将写入数据DATA提供给页缓冲器电路360。例如，在读取操作期间，数据I/O电路370可基于从控制逻辑330接收的列地址Y-ADDR，将存储在页缓冲器电路360中的读取数据DATA提供给存储器控制器200。
图3是示出根据示例性实施例的存储装置20的热节流模式的曲线图。X轴表示时间，Y轴表示存储器300的温度或存储装置20的温度。
参照图3，第一设定温度T1、节流温度Tth、第二设定温度T2和重启温度Tr可彼此不同。节流温度Tth可高于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2。重启温度Tr可高于节流温度Tth且低于第二设定温度T2。第一设定温度T1、节流温度Tth、第二设定温度T2和重启温度Tr可以是预设值，并且可针对不同的存储装置而被不同地设定。当存储装置20的温度高于或等于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2时，存储装置20可在热节流模式下操作。当存储装置20的温度高于或等于第一设定温度T1时，存储装置20的热节流模式可被开启。在热节流模式下，根据示例性实施例的存储装置20可通过将存储器300的温度Tm和节流温度Tth进行比较来执行命令操作。存储装置20可在存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时执行命令操作。
可选地，在热节流模式下，根据示例性实施例的存储装置20可通过将存储器300的温度Tm、节流温度Tth和重启温度Tr进行比较来执行命令操作。当存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth且低于重启温度Tr时，存储装置20可执行命令操作。当存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr时，存储装置20可被重启以保护存储装置20自己。
此外，在一个示例性实施例中，当存储装置20的温度高于或等于第二设定温度T2时，存储装置20不生成命令以保护存储装置20自己。
当存储装置20的温度低于第一设定温度T1时，存储装置20的热节流模式可被关闭。这是因为存储装置20的温度足够低以使存储装置20执行命令操作。因此，在一个示例性实施例中，当不在热节流模式下操作的同时，存储装置20不从存储器温度传感器320接收存储器300的温度。也就是说，存储装置20可执行命令操作而不管存储器300的温度。因此，存储器温度传感器320的感测操作可被停止，从而减少由存储装置20生成的热量和消耗的功率的量。
图4至图6示出根据示例性实施例的存储装置20的操作。在图4至图6中，实线的就绪和忙碌信号线RnB指示存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth的情况，点划的(dotted)就绪和忙碌信号线RnB指示存储器300的温度Tm高于节流温度Tth且低于第二设定温度T2的情况。
参照图1、图3和图4，存储器300可通过I/O线IOx从存储器控制器200接收命令CMD。存储器300可响应于命令CMD执行根据命令CMD的命令操作。存储器300可在执行命令操作的同时输出低电平的忙碌信号。虽然在图4中存储器300在命令CMD被提供给存储器300时的时间输出忙碌信号，但是示例性实施例不限于这种情况。例如，存储器300还可在命令CMD被接收之后的预定时间输出忙碌信号。
接下来，存储器300可在完成命令操作之后输出高电平的就绪信号。
当存储装置20的温度Ts高于或等于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2时，存储器控制器200可输出高电平的使能信号EN。在高电平的使能信号EN被输出的同时，存储器300可在热节流模式下操作。
在热节流模式下，存储器300可响应于命令CMD来确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。当存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，存储器300可执行命令操作。存储器300可在执行命令操作的同时输出低电平的忙碌信号。在命令CMD被提供给存储器300时的时间确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。然而，示例性实施例不限于这种情况。例如，当开始执行命令操作时，存储器300可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。
当存储器300完成命令操作时，可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，存储器300可输出就绪信号。也就是说，当开始命令操作时以及当完成命令操作时，存储器300可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。
在此，当描述存储器300输出忙碌信号或低电平的忙碌信号时，可表示就绪和忙碌信号RnB处于低电平，并且当描述存储器300输出就绪信号或高电平的就绪信号时，可表示就绪和忙碌信号RnB处于高电平。
参照图1和图5，在存储器300执行命令操作(实际忙碌状态)的同时，存储器300的温度Tm可增加。当在存储器300完成命令操作之后存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，存储器300可输出低电平的忙碌信号(例如，就绪和忙碌信号RnB可处于低电平)。也就是说，存储器300可处于虚设忙碌状态，在虚设忙碌状态下，存储器300输出忙碌信号但实际上不执行命令操作。因此，存储器300的温度Tm可降低。
在虚设忙碌状态下，存储器300可以以规则的间隔(例如，时间间隔)确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，存储器300可输出高电平的就绪信号。
参照图1至图6，在命令CMD被接收之前存储器300的温度Tm可高于节流温度Tth。在这种情况下，在一个示例性实施例中，存储器300可响应于命令CMD输出忙碌信号但是实际上不执行命令操作。也就是说，存储器300可处于虚设忙碌状态。
在虚设忙碌状态下，存储器300可以以规则间隔确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth。当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，存储器300可执行命令操作。也就是说，存储器300可处于实际忙碌状态，在实际忙碌状态下，存储器300输出忙碌信号并且实际执行命令操作。
如上所述，当在存储器300完成命令操作之后存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，存储器300可输出低电平的忙碌信号(例如，就绪和忙碌信号RnB可处于低电平)。
图7示出根据示例性实施例的存储装置20的操作。
在图7中，实线的就绪和忙碌信号线RnB指示存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth的情况，破折的(broken)就绪和忙碌信号线RnB指示存储器300的温度Tm高于节流温度Tth且低于重启温度Tr的情况，并且线形短于破折的就绪和忙碌信号线RnB的线形的点划的就绪和忙碌信号线RnB指示存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr且低于第二设定温度T2的情况。下面的描述将集中于与上述图4至图6的实施例的差异。
参照图1、图3和图7，当存储装置20的温度Ts高于或等于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2时，存储器控制器200可输出高电平的使能信号EN。在高电平的使能信号EN被输出的同时，存储器300可在热节流模式下操作。
在热节流模式下，在存储器300执行命令操作(实际忙碌状态)的同时，存储器300的温度Tm可增加。当在存储器300完成命令操作之后存储器300的温度Tm高于重启温度Tr时，存储器300可被重启以保护存储器300自己。重启的存储器300可输出重启信号Reboot。也就是说，存储器300可响应于命令CMD而输出重启信号Reboot。
根据示例性实施例的存储装置20可根据存储装置20的温度Ts被控制，并且当存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr时，存储器300可被单独地重启。因此，由于存储器300的温度Tm导致的损坏可被防止，从而保护存储器300和存储装置20。
图8是示出根据示例性实施例的存储装置20在热节流模式下的操作的流程图。
参照图1和图8，根据示例性实施例的存储器控制器200可以以规则间隔(或周期性地)从存储装置温度传感器100接收存储装置20的温度Ts(操作S210)。
存储器控制器200可确定存储装置20的温度Ts是否高于或等于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2(操作S220)。
然后，当确定存储装置20的温度Ts高于或等于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2时，存储器控制器200可生成使能信号EN(操作S230)。存储器控制器200可将使能信号EN提供给存储器300。
在此，当使能信号EN被描述为被生成/提供时，可表示使能信号EN被激活(例如，使能信号EN从低电平转变到高电平)。
存储器300可响应于使能信号EN执行热节流模式(操作S240)。也就是说，在使能信号EN被提供(例如，使能信号EN处于高电平)的同时，存储器300可执行热节流模式。热节流模式可以是其中存储器300基于存储器300的温度Tm确定是否执行命令操作的模式。
当存储器控制器200在操作S220中确定存储装置20的温度Ts不是高于或等于第一设定温度T1且低于第二设定温度T2时，存储器控制器200可确定存储装置20的温度Ts是否高于或等于第二设定温度T2(操作S250)。
然后，当确定存储装置20的温度Ts高于或等于第二设定温度T2时，存储器控制器200可停止向存储器300发送命令CMD(操作S260)。第二设定温度T2可以是例如存储装置20能够正常操作的温度。为了保护存储装置20，当确定存储装置20的温度Ts高于或等于第二设定温度T2时，存储器控制器200可停止发送命令CMD。
当在操作S250中确定存储装置20的温度Ts不是高于或等于第二设定温度T2时(也就是说，当确定存储装置20的温度Ts低于第一设定温度T1时)，存储器控制器200可返回到操作S210并且从存储装置温度传感器100接收存储装置20的温度Ts。这是因为当存储装置20的温度Ts低于第一设定温度T1时，即使不执行热节流模式，存储装置20也被保护。因此，存储器控制器200可响应于命令CMD执行命令操作，而不从存储装置温度传感器100接收存储装置20的温度Ts。现在将参照图9描述热节流模式。
图9是示出根据示例性实施例的存储装置20在热节流模式下的操作的流程图。
参照图1和图9，当控制逻辑330在热节流模式下从存储器控制器200接收命令CMD时(操作S310)，控制逻辑330可从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm(操作S320)。
可选地，在操作S310中，当控制逻辑330在热节流模式下未从存储器控制器200接收到命令CMD时，控制逻辑330不从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm。
因此，由于根据示例性实施例的控制逻辑330在热节流模式下响应于命令CMD从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm，所以存储器控制器200从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm所消耗的功率可被降低。
控制逻辑330可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth(操作S330)。节流温度Tth可例如针对不同的存储装置而被不同地设定，并且可以是预设温度。
当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，控制逻辑330可输出忙碌信号(例如，可将就绪和忙碌信号RnB设定为低电平)并且执行根据命令CMD的命令操作(操作S340)。
然后，控制逻辑330可确定根据命令CMD的命令操作是否已经完成(操作S350)。
当确定根据命令CMD的命令操作已经完成时，控制逻辑330可从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm(操作S360)。
然后，控制逻辑330可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth(操作S370)。
当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，控制逻辑330可输出就绪信号(操作S380)(例如，可将就绪和忙碌信号RnB设定为高电平)。
当在操作S330中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可输出忙碌信号(例如，可将就绪和忙碌信号RnB设定为低电平)并且不执行根据命令CMD的命令操作(操作S332)。因此，由存储装置20生成的热量或消耗的功率的量可被减少。
然后，控制逻辑330可以以规则间隔从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm(操作S334)。规则间隔可例如针对不同的存储装置而被不同地设定，并且可以是预设间隔。
然后，控制逻辑330可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth(操作S336)。
当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，控制逻辑330可输出忙碌信号(例如，可将就绪和忙碌信号RnB设定为低电平)并且执行根据命令CMD的命令操作(操作S340)。
可选地，当在操作S336中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可返回到操作S334并且以规则间隔测量存储器300的温度Tm。
当在操作S370中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可输出忙碌信号(例如，可将就绪和忙碌信号RnB设定为低电平)并且不执行根据命令CMD的命令操作(操作S372)。
然后，控制逻辑330可以以规则间隔从存储器温度传感器320接收存储器300的温度Tm(操作S374)。
然后，控制逻辑330可确定存储器300的温度Tm是否低于或等于节流温度Tth(操作S376)。
当确定存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth时，控制逻辑330可输出忙碌信号并执行根据命令CMD的命令操作(操作S380)。
可选地，当在操作S376中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可返回到操作S374并且以规则间隔接收存储器300的温度Tm。
根据示例性实施例的存储装置20可在没有存储器控制器200的干预的情况下通过使用控制逻辑330基于存储器300的温度Tm来确定是否执行命令操作。因此，由于存储器控制器200与控制逻辑330之间的通信不发生，所以由存储装置20生成的不必要的热量和消耗的不必要的功率的量可被防止。
图10是示出根据示例性实施例的存储装置20在热节流模式下的操作的流程图。为了便于解释，下面的描述将集中于图9与图10之间的差异。
参照图1和图10，当控制逻辑330在操作S330中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可进一步确定存储器300的温度Tm是否低于重启温度Tr(操作S331)。当控制逻辑330在操作S331中确定存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr时，控制逻辑330可重启存储器300并输出重启信号Reboot(操作S339)。也就是说，当确定存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr时，控制逻辑330可强制地重启存储器300以保护存储器300。因此，存储器控制器200可接收响应于命令CMD的重启信号Reboot。可选地，当在操作S331中确定存储器300的温度Tm低于重启温度Tr时，控制逻辑330可输出忙碌信号并且不执行根据命令CMD的命令操作(操作S332)。
此外，当控制逻辑330在操作S336中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可进一步确定存储器300的温度Tm是否低于重启温度Tr(操作S338)。当确定存储器300的温度Tm低于重启温度Tr时，控制逻辑330可返回到操作S334并且以规则间隔测量存储器300的温度Tm。可选地，当控制逻辑330在操作S338中确定存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr时，控制逻辑330可重启存储器300并输出重启信号Reboot(操作S339)。
此外，当控制逻辑330在操作S376中确定存储器300的温度Tm高于节流温度Tth时，控制逻辑330可进一步确定存储器300的温度Tm是否低于重启温度Tr(操作S378)。当确定存储器300的温度Tm低于重启温度Tr时，控制逻辑330可返回到操作S374并且以规则间隔接收存储器300的温度Tm。可选地，当控制逻辑330在操作S378中确定存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr时，控制逻辑330可重启存储器300并输出重启信号Reboot(操作S379)。也就是说，存储器控制器200可接收响应于命令CMD的重启信号Reboot。
图11是根据示例性实施例的存储装置20的框图。为了便于解释，下面的描述将集中于图1的存储装置20与图11的存储装置20之间的差异。
参照图11，根据示例性实施例的存储装置20可包括第一存储器300_1至第n存储器300_n，其中，n是大于1的自然数。存储器控制器200可从存储装置温度传感器100接收存储装置20的温度Ts。存储器控制器200可根据从存储装置温度传感器100接收的存储装置20的温度Ts，将使能信号EN提供给第一存储器300_1至第n存储器300_n中的每个。
存储器控制器200可在主机10的请求下将第一命令CMD1至第n命令CMDn分别发送到第一存储器300_1至第n存储器300_n。
第一存储器300_1至第n存储器300_n中的每个可包括第一控制逻辑330_1至第n控制逻辑330_n中的对应的一个和第一存储器温度传感器320_1至第n存储器温度传感器320_n中的对应的一个。第一存储器300_1至第n存储器300_n中的每个可响应于第一命令CMD1至第n命令CMDn中的对应的一个，从第一存储器温度传感器320_1至第n存储器温度传感器320_n中的对应的一个接收第一存储器300_1的第一温度Tm_1至第n存储器300_n的第n温度Tm_n中的对应的一个，并且可执行命令操作。
第一存储器300_1至第n存储器300_n可在不同的时间执行命令操作，并且可分别输出就绪和忙碌信号RnB_1至RnB_n。第一存储器300_1至第n存储器300_n可分别从存储器控制器200接收重启信号Reboot_1至Reboot_n。
根据示例性实施例的存储装置20不同时根据存储装置20的温度确定是否对存储器执行命令操作。因此，存储装置20的效率能够提高。
图12示出根据图11的示例性实施例的存储装置20在随机时间的操作。这里，实线的就绪忙碌信号线RnB_1至RnB_4指示存储器300的温度Tm低于或等于节流温度Tth的情况，破折的就绪忙碌信号线RnB_1至RnB_4指示存储器300的温度Tm高于节流温度Tth且低于重启温度Tr的情况，并且线形短于破折的就绪和忙碌信号线RnB的线形的点划的就绪忙碌信号线RnB_1至RnB_4指示存储器300的温度Tm高于或等于重启温度Tr且低于第二设定温度T2的情况。此外，向上的箭头指示存储器300的温度Tm被确定的情况。为了便于描述，下面将主要描述第一存储器300_1、第二存储器300_2、第三存储器300_3和第四存储器300_4。然而，应理解，实施例不限于此。
参照图11和图12，第一存储器300_1至第四存储器300_4可接收使能信号EN并且在热节流模式下操作。
在热节流模式下，第一存储器300_1接收并执行第一命令CMD1时的时间、第二存储器300_2接收并执行第二命令CMD2时的时间、第三存储器300_3接收并执行第三命令CMD3时的时间以及第四存储器300_4接收并执行第四命令CMD4时的时间可彼此不同。第一存储器300_1可在时间A执行第一命令操作，第二存储器300_2可在时间D执行第二命令操作，第三存储器300_3可在时间E执行第三命令操作，第四存储器300_4可在时间A执行第四命令操作。
在时间B，第一存储器300_1的温度Tm_1可低于第二存储器300_2的温度Tm_2。在时间B，第一存储器300_1和第二存储器300_2二者可输出忙碌信号，但是第一存储器300_1可执行第一命令CMD1，第二存储器300_2不执行第二命令CMD2。
在B与C之间的区间中，第一存储器300_1可执行第一命令CMD1并且不从第一存储器温度传感器320_1接收第一存储器300_1的温度Tm_1。在B与C之间的区间中，第二存储器300_2可以以规则间隔从第二存储器温度传感器320_2接收第二存储器300_2的温度Tm_2，并且第三存储器300_3不从第三存储器温度传感器320_3接收第三存储器330_3的温度Tm_3。从第二存储器温度传感器320_2接收的第二存储器300_2的温度Tm_2可高于从第三存储器温度传感器320_3接收的第三存储器300_3的温度Tm_3。也就是说，第一存储器300_1可处于实际忙碌状态，第二存储器300_2可处于虚设忙碌状态，并且第三存储器300_3可处于就绪状态。
在第四存储器300_4执行第四命令操作的同时，第四存储器300_4的温度Tm_4可变得高于或等于重启温度Tr。如果在第四命令操作完成时的时间C从第四存储器温度传感器320_4接收的第四存储器300_4的温度Tm_4高于或等于重启温度Tr，则第四存储器300_4可被重启。第四存储器300_4可输出重启信号Reboot_4。也就是说，存储器控制器200可从第四存储器300_4接收响应于第四命令CMD4的重启信号Reboot_4。随后，第四存储器300_4可从存储器控制器200接收另一第四命令CMD4。
虽然在图12中第一命令CMD1、第二命令CMD2、第三命令CMD3和第四命令CMD4在不同的时间被输出，但是示例性实施例不限于这种情况，并且一些命令也可被同时输出。在时间F，第二存储器300_2可进入就绪状态。在时间G，第三存储器330_3可进入虚设忙碌状态。在时间H，第四存储器300_4可处于就绪状态。
在图12中，指示符_1、_2等用于以与第一存储器300_1至第四存储器300_4对应的方式表示先前描述的元件(例如，I/O线IOx、就绪和忙碌信号RnB、重启信号Reboot)。
虽然已经参照本公开的示例性实施例具体示出并描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求所限定的本公开的精神或范围的情况下，在此可做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种存储装置，所述存储装置包括：
存储器；以及
存储器控制器，将命令发送到存储器，
其中，存储器包括：
至少一个存储器单元阵列；
存储器温度传感器，测量存储器的温度；以及
控制逻辑，响应于所述命令而输出忙碌信号，响应于所述命令从存储器温度传感器接收存储器的温度，并且基于接收的存储器的温度来确定是否对所述至少一个存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作。
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，当存储器的温度低于或等于节流温度时，控制逻辑对所述至少一个存储器单元阵列执行所述命令操作，并且当存储器的温度高于节流温度时，控制逻辑对所述至少一个存储器单元阵列不执行所述命令操作。
3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，控制逻辑在存储器的温度高于或等于重启温度时重启存储器并且响应于所述命令输出重启信号，重启温度高于节流温度。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在控制逻辑对所述至少一个存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作的同时，存储器温度传感器不测量存储器的温度，并且在控制逻辑对所述至少一个存储器单元阵列不执行根据所述命令的命令操作的同时，存储器温度传感器测量存储器的温度。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，当存储器的温度高于节流温度时，控制逻辑以规则间隔从存储器温度传感器接收存储器的温度，并且当从存储器温度传感器接收的存储器的温度低于或等于节流温度时，控制逻辑对所述至少一个存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的存储装置，其中，当对所述至少一个存储器单元阵列执行的根据所述命令的命令操作结束时，控制逻辑从存储器温度传感器接收存储器的温度。
7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，当在对所述至少一个存储器单元阵列执行的根据所述命令的命令操作结束之后从存储器温度传感器接收的存储器的温度低于或等于节流温度时，控制逻辑输出就绪信号，并且当在对所述至少一个存储器单元阵列执行的根据所述命令的命令操作结束之后从存储器温度传感器接收的存储器的温度高于节流温度时，控制逻辑输出忙碌信号。
8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，当在对所述至少一个存储器单元阵列执行的根据所述命令的命令操作结束之后从存储器温度传感器接收的存储器的温度高于或等于重启温度时，控制逻辑重启存储器并响应于所述命令输出重启信号，重启温度高于节流温度。
9.根据权利要求6所述的存储装置，其中，当在对所述至少一个存储器单元阵列执行的根据所述命令的命令操作结束之后从存储器温度传感器接收的存储器的温度高于节流温度时，控制逻辑以规则间隔接收存储器的温度。
10.根据权利要求1至5中的任意一项所述的存储装置，所述存储装置还包括：
存储装置温度传感器，测量所述存储装置的温度，
其中，当从存储装置温度传感器接收的所述存储装置的温度高于或等于第一设定温度时，存储器控制器将使能信号提供给存储器，并且在使能信号被提供的同时，控制逻辑响应于所述命令从存储器温度传感器接收存储器的温度。
11.一种存储装置，所述存储装置包括：
存储装置温度传感器，测量所述存储装置的温度；
存储器控制器，从存储装置温度传感器接收所述存储装置的温度，并且当接收的所述存储装置的温度高于或等于第一设定温度时生成使能信号；以及
第一存储器和第二存储器，第一存储器和第二存储器中的每个响应于从存储器控制器接收的使能信号而在热节流模式下操作，
其中，
当在热节流模式下操作的同时，第一存储器响应于从存储器控制器接收的第一命令而从设置在第一存储器中的第一存储器温度传感器接收第一存储器的温度，并且根据接收的第一存储器的温度来确定是否执行第一命令，
当在热节流模式下操作的同时，第二存储器响应于从存储器控制器接收的第二命令而从设置在第二存储器中的第二存储器温度传感器接收第二存储器的温度，并且根据接收的第二存储器的温度来确定是否执行第二命令，并且
第一存储器执行第一命令时的时间与第二存储器执行第二命令的时间不同。
12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，存储器控制器周期性地从存储装置温度传感器接收测量的所述存储装置的温度，并且当所述存储装置的温度高于第二设定温度时，停止将第一命令和第二命令提供给第一存储器和第二存储器，第二设定温度高于第一设定温度。
13.根据权利要求11或12所述的存储装置，其中，在第一存储器执行第一命令时的时间，第一存储器和第二存储器二者输出忙碌信号，第一存储器执行第一命令，并且第二存储器不执行第二命令。
14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，在第一存储器执行第一命令时的时间，从第二存储器温度传感器接收的第二存储器的温度高于从第一存储器温度传感器接收的第一存储器的温度。
15.根据权利要求11或12所述的存储装置，所述存储装置还包括：
第三存储器，响应于从存储器控制器接收的使能信号而在热节流模式下操作，
其中，
当在热节流模式下操作的同时，第三存储器响应于从存储器控制器接收的第三命令而从设置在第三存储器中的第三存储器温度传感器接收第三存储器的温度，并且根据接收的第三存储器的温度来确定是否执行第三命令，并且
第一存储器执行第一命令时的时间、第二存储器执行第二命令时的时间以及第三存储器执行第三命令时的时间彼此不同。
16.根据权利要求15所述的存储装置，其中，
第一存储器包括第一控制逻辑，第二存储器包括第二控制逻辑，并且第三存储器包括第三控制逻辑，并且
在第一存储器执行第一命令的同时，第一控制逻辑不从第一存储器温度传感器接收第一存储器的温度，第二控制逻辑以规则间隔从第二存储器温度传感器接收第二存储器的温度，并且第三控制逻辑不从第三存储器温度传感器接收第三存储器的温度。
17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，从第二存储器温度传感器接收的第二存储器的温度不同于从第三存储器温度传感器接收的第三存储器的温度。
18.一种控制存储装置的方法，所述方法包括：
使用设置在存储装置中的存储装置温度传感器来测量存储装置的温度；
当存储装置的温度高于第一设定温度时，生成使能信号；
在提供使能信号的同时，响应于命令使用设置在存储器中的存储器温度传感器测量存储器的温度；以及
基于测量的存储器的温度来确定是否对存储器执行根据所述命令的命令操作。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，当测量的存储器的温度低于或等于节流温度时，对存储器执行根据所述命令的命令操作，并且当测量的存储器的温度高于节流温度时，不对存储器执行根据所述命令的命令操作。
20.根据权利要求18或19所述的方法，其中，在对存储器执行的根据所述命令的命令操作结束之后，存储器温度传感器测量存储器的温度，当测量的存储器的温度高于节流温度时，输出忙碌信号，并且当测量的存储器的温度低于或等于节流温度时，输出就绪信号。
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