CN112648775A - 冷藏库 - Google Patents

Abstract

冷藏库包括：多个贮藏室；解冻用贮藏室，其为多个贮藏室中的一个，能够对贮藏在内部的保存物进行解冻；电源部(48)；振荡电路(22)，其从电源部供给电力，形成高频电力；和彼此相对地配置并且各自与振荡电路(22)连接的振荡电极(24)和相对电极(25)，对贮藏室的内部施加高频电场。多个贮藏室分别包含门和检测门的开闭状态的开闭检测部(55a、55b、55c、55d、55e)，控制部(50)构成为在多个贮藏室中的任意一个以上的贮藏室的门打开时，停止振荡电路(22)的动作。

Description

冷藏库

技术领域

本公开涉及一种具有冷冻功能且具有能够对冷冻品进行解冻的贮藏室的冷藏库。

背景技术

作为现有的冷藏库，有一种具有能够对冷冻品进行解冻的贮藏室的冷藏库(例如，参照日本特开2002-147919号公报)。该冷藏库具有包括制冷装置和高频产生用磁控管的冷冻库主体。在冷冻库主体的内部设置有冷冻室和能够对冷冻品进行解冻的高频加热室(贮藏室)。冷冻库主体构成为经由冷气循环管道向高频加热室供给来自制冷装置的冷气，且从磁控管照射高频波，对冷冻品进行解冻。

发明内容

本公开提供一种冷藏库，能够对冷冻品进行解冻，能够以期望的状态对收纳于贮藏室内的保存物进行冷冻、贮藏、解冻，同时提高相对于冷却和解冻的可靠性，且提高安全性。

本发明的冷藏库包括：

分别具有能够收纳且冷却保存物的贮藏空间的多个贮藏室；

解冻用贮藏室，其为多个贮藏室中的至少一个，能够对贮藏在内部的保存物进行解冻；

电源部；

振荡部，其从电源部被供给电力，形成高频电力；

彼此相对地配置并且各自与振荡部连接的振荡电极和相对电极，能够从振荡部接收高频电力而对解冻用贮藏室的内部施加高频电场；

控制部，其控制对解冻用贮藏室的内部进行的高频电场的施加。

多个贮藏室分别包含：

门；和

开闭检测部，其检测门的开闭状态，

控制部构成为在多个贮藏室中的任一个以上的贮藏室的门打开时，停止振荡部的动作。

本公开的冷藏库在振荡电极与相对电极之间产生高频电场，对收纳于贮藏室内的保存物进行解冻，所以能够以期望的状态进行冷冻、贮藏和解冻。因此，能够实现可靠性高的冷却和贮藏功能。另外，与磁控管方式相比，能够小型化且能够防止来自门部的高频波的泄漏，所以能够制成避免高频波对周围的电设备和处理的用户造成不良影响，且安全性高的冷藏库。

附图说明

图1是实施方式1的冷藏库的纵截面图。

图2是表示实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室的主视截面图。

图3是表示实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室的侧视截面图。

图4是装入实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室时的纵截面图。

图5是表示实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室的变形例的主视截面图。

图6是表示实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室的变形例的侧视截面图。

图7是装入实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室时的纵截面图。

图8是表示实施方式1的冷冻/解冻室的背面侧的电极保持区域的图。

图9是表示设置于实施方式1的冷藏库的介电加热机构的结构的框图。

图10是驱动各种电路的AC/DC转换器的概略电路图。

图11是从上方观察实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室的顶面侧的振荡电极和相对电极的俯视图。

图12是表示振荡电极和相对电极的电极间隔与两电极间的电场强度的关系的图。

图13A是表示对比较例的介电加热结构进行电场模拟的结果的图。

图13B是表示对实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室的介电加热结构进行电场模拟的结果的图。

图14是表示在实施方式1的结构中，解冻处理中的振荡电路和风门的控制信号的波形，并且表示此时的食品温度、冷冻/解冻室的室温、和冷冻/解冻室的湿度的图。

图15是表示在实施方式1的结构中，在冷冻/解冻室中完成解冻处理后的控制的流程图。

图16A是表示现有的冷藏库的冷冻保存中的冷却动作的波形图。

图16B是表示由实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室执行的冷却动作的波形图。

图17是表示在实施方式1的结构中，急冷动作中的各要素的状态的波形图。

图18A是表示实施方式1的冷藏库的门打开时的高频阻断电路例的图。

图18B是表示实施方式1的冷藏库的门打开时的高频阻断电路的其它例的图。

图18C是表示实施方式1的冷藏库的门打开时的高频阻断电路的另一个例的图。

附图标记说明

1 冷藏库

2 隔热箱体

3 外箱

4 内箱

5 冷藏室(非解冻用贮藏室)

6 冷冻/解冻室(贮藏室)

7 制冰室(非解冻用贮藏室)

8 冷冻室(非解冻用贮藏室)

9 蔬菜室(非解冻用贮藏室)

10 机械室

11 冷却室

12 风路

12a 风门

13 冷却器

14 冷却风扇

15 除霜加热器

16 排水盘

17 排水管

18 蒸发盘

19 压缩机

20 冷气导入孔

21 横轨

22 振荡电路(振荡部)

22a 振荡源

22b 第一放大电路

22c 第二放大电路

23 匹配电路(匹配部)

24 振荡电极

24a、24b、24c 正极端子

25 相对电极

25a、25b、25c 阴极端子

26 电磁波屏蔽件(屏蔽部)

26a 顶面侧电磁波屏蔽件

26b 背面侧电磁波屏蔽件

26c 底面侧电磁波屏蔽件

26d 门侧电磁波屏蔽件

29 门

30 电极保持区域

31 收纳箱

32a、32b、32c 内表面部件

36 密封垫

40 隔热材料

41 电极孔(振荡电极孔)

42 电极孔(相对电极孔)

47 操作部

48 电源部

48a 电源控制部(停止信号输入部)

49 温度传感器

50 控制部

51 入射反射波检测部

52 电极保持基板

53a 高频加热组件

54 支柱

55a、55b、55c、55d、55e 门开闭检测部(电源供给停止部)

55f 磁传感器

具体实施方式

(成为本公开的基础的见解等)

发明人等直到在本公开中想到时，作为现有的冷藏库，已知有一种上述的文献中所记载的冷藏库。该冷藏库是经由天线等对高频加热室内的冷冻品照射来自磁控管的高频波进行高频加热的结构。因此，难以对冷冻品进行均匀的加热，并解冻成期望的状态。另外，在将高频加热装置设置于冷藏库来进行解冻处理的结构中，需要使来自高频加热装置的高频波不会对其它贮藏室的保存食品和处理的用户造成不良影响。因此，需要可靠地确保作为冷藏库的功能(冷却功能、贮藏功能)，并且是安全性高的结构，这也成为课题之一。另外，因为是对冷冻品从磁控管照射高频波，进行高频加热的结构，所以作为部件，需要设置较大的磁控管和其冷却机构，难以实现小型化。

鉴于这样的问题，发明人等为了解决这样的问题，直至构成本公开的主题。

本公开提供一种冷藏库，具有可靠性高的冷却功能和贮藏功能，即，能够以期望的状态对收纳于贮藏室内的保存物进行冷冻、贮藏、解冻。另外，同时实现设备的小型化和高的安全性。

以下，作为本公开的冷藏库的实施方式，参照添加的附图对具有冷冻功能的冷藏库进行说明。此外，本公开的冷藏库不限定于在以下的实施方式中说明的冷藏库的结构，也能够应用于仅具有冷冻功能的冷冻库，包含具有在以下的实施方式中说明的技术特征的各种冷藏库和冷冻库。因此，在本公开中，冷藏库是包括冷藏室、和/或冷冻室的结构。

另外，以下实施方式所示的数值、形状、结构、步骤和步骤的顺序等表示一例，并不限定本公开。关于以下实施方式中的构成要素中表示最上位概念的独立权利要求中未记载的构成要素，作为任意构成要素进行说明。此外，在实施方式中，在变形例中也对相同要素标注相同标号，有时省略说明。另外，为了容易理解，附图中主要以各构成要素为主体示意性地表示。

(实施方式1)

以下，参照附图对本公开的实施方式1的冷藏库进行说明。此外，在本公开的说明中，为了容易理解，划分为、各项目进行说明。

[1-1.冷藏库的整体结构]

图1是表示本实施方式的冷藏库1的纵截面的图。

图1中，左侧为冷藏库1的正面侧，右侧为冷藏库1的背面侧。冷藏库1由主要由钢板形成的外箱3、由ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene)树脂等树脂成形的内箱4、由在外箱3与内箱4之间的空间填充发泡的隔热材料40(例如硬质发泡聚氨酯)形成的隔热箱体2构成。

冷藏库1的隔热箱体2包括多个贮藏室，在各贮藏室的正面侧开口配设有可开闭的门。各贮藏室密闭成冷气通过门的关闭而不会泄漏。在实施方式1的冷藏库1中，最上部的贮藏室为冷藏室5。在冷藏室5的正下方的两侧并设有制冰室7和冷冻/解冻室6这两个贮藏室。在制冰室7和冷冻/解冻室6的正下方设置有冷冻室8，在冷冻室8的正下方即最下部设置有蔬菜室9。实施方式1的冷藏库1的各贮藏室具有上述的结构，但该结构为一例，各贮藏室的配置结构能够根据规格等在设计时适当变更。

冷藏室5被维持在用于冷藏保存且不冷冻食品等保存物的温度，作为具体温度例，被维持在1℃～5℃的温度域。蔬菜室9被维持在与冷藏室5同等或略高的温度域例如2℃～7℃。冷冻室8为了冷冻保存，被设定为冷冻温度域，作为具体的温度例，被设定为例如-22℃～-15℃。冷冻/解冻室6通常被维持在与冷冻室8相同的冷冻温度域，根据用户的解冻指令，进行用于对收纳的保存物(冷冻品)进行解冻的解冻处理。冷冻/解冻室6能够对冷冻品进行解冻，所以在本实施方式中也称为解冻用贮藏室。关于冷冻/解冻室6的结构、和解冻处理的详情在后面叙述。此外，冷藏室5、制冰室7、冷冻室8、和蔬菜室9是没有对保存物(冷冻品)进行解冻的功能的非解冻用贮藏室。

在冷藏库1的上部设置有机械室10。在机械室10收纳有压缩机19和进行制冷循环中的水分除去的干燥机等构成制冷循环的部件等。此外，作为机械室10的配设位置并未特定冷藏库1的上部，而是根据制冷循环的配设位置等适当确定，也可以配置于冷藏库1的下部等其它区域。

在处于冷藏库1的下侧区域的冷冻室8和蔬菜室9的背面侧设置有冷却室11。在冷却室11设置有生成冷气的制冷循环的构成部件即冷却器13和将由冷却器13生成的冷气送风至各贮藏室(冷藏室5、冷冻/解冻室6、制冰室7、冷冻室8和蔬菜室9)的冷却风扇14。由冷却器13生成的冷气通过冷却风扇14流过与各贮藏室相连的风路12，被供给到各贮藏室。在与各贮藏室相连的风路12设置有风门12a。通过压缩机19和冷却风扇14的转速控制、和风门12a的开闭控制，将各贮藏室维持在规定的温度域。在冷却室11的下部设置有用于对附着于冷却器13和其周边的霜或冰进行除霜的除霜加热器15。在除霜加热器15的下部设置有排水盘16、排水管17、和蒸发盘18。通过这些结构，能使使除霜时等产生的水分蒸发。

实施方式1的冷藏库1包括操作部47(参照后述的图9)。用户能够在操作部47进行针对冷藏库1的各种指令(例如，各贮藏室的温度设定、急冷指令、解冻指令、或制冰停止指令等)。另外，操作部47具有通知异常的产生等的显示部。此外，冷藏库1也可以设为如下结构：通过包括无线通信部并与无线LAN网络连接，从用户的外部终端输入各种指令。此外，冷藏库1也可以为包括语音识别部，用户输入基于声音的指令的结构。

图2、图3、图5、和图6是表示实施方式1的冷藏库1的冷冻/解冻室6的纵截面图。冷冻/解冻室6是将收纳于冷冻/解冻室6内的食品等保存物保持在冷冻温度域的冷冻库。另外，冷冻/解冻室6成为在冷藏库1中输入针对该保存物的解冻指令时，通过介电加热进行解冻处理的解冻室。

关于图2、图3、图5和图6各自的特征，在后述的“1-4.介电加热机构的系统的结构”中再次进行说明。

在冷却器13中生成的冷气流过设置于冷冻/解冻室6的背面侧和顶面侧的风路12，从设置于冷冻/解冻室6的顶面的多个冷气导入孔20导入冷冻/解冻室6的内部，以使冷冻/解冻室6维持在与冷冻室8相同的冷冻温度域。在从冷却室11通到冷冻/解冻室6的风路12设置有风门12a。通过开闭控制风门12a，冷冻/解冻室6被维持在规定的冷冻温度域，从而冷冻保存所收纳的保存物。

在冷冻/解冻室6的背面形成有冷气排气孔(未图示)。导入冷冻/解冻室6并对冷冻/解冻室6的内部进行冷却的冷气从冷气排气孔穿过返回风路(未图示)返回到冷却室11，通过冷却器13再冷却。即，实施方式1的冷藏库1构成为使通过冷却器13形成的冷气循环。

冷冻/解冻室6的构成贮藏空间的内表面的顶面、背面、两侧面、和底面由通过电绝缘性的材料成形的树脂材料的内表面部件32(32a～32c)构成。另外，在冷冻/解冻室6的正面侧开口设置有门29，冷冻/解冻室6的贮藏空间通过门29的关闭而密闭。在实施方式1的冷冻/解冻室6中，上部被打开的收纳箱31设置于门29的背面侧。而且，收纳箱31通过门29向前后方向的开闭动作而同时向前后移动。通过将门29的开闭动作设为前后方向，易于进行食品等保存物对于收纳箱31的投入、和取出。

[1-2.用于冷冻品解冻的加热机构]

接着，对用于对冷冻保存于冷冻/解冻室6的保存物进行解冻处理的加热机构(解冻用加热机构)进行说明。

本实施方式的解冻用加热机构使用由半导体元件构成的介电加热机构，不使用磁控管等部件而构成。

图9是表示设置于实施方式1的冷藏库1的介电加热机构的结构的框图。实施方式1中的介电加热机构包括：振荡电路22、匹配电路23、振荡电极24、相对电极25、和控制部50。振荡电路22被输入来自电源部48的电力，形成规定的高频信号。振荡电路22使用半导体元件而构成，且被小型化。如后述，振荡电路22与匹配电路23均形成于冷冻/解冻室6的背面侧的空间即电极保持区域30(参照图3、图4、图6和图7)的电极保持基板52上。振荡电路22和匹配电路23成为用于形成施加于振荡电极24和相对电极25的电极间的高频电场的高频电力形成部。

振荡电极24是配设于冷冻/解冻室6的顶面侧的电极。相对电极25是配设于冷冻/解冻室6的底面侧的电极。振荡电极24和相对电极25经由冷冻/解冻室6的贮藏空间(解冻空间)相对地配设。设置有后述的“1-3.介电加热机构的电路基板的结构”中说明的电极保持基板52等，振荡电极24和相对电极25的相对间隔被设定为预先设定的规定的间隔(图8的H)。其结果，在实施方式1的介电加热机构中，振荡电极24和相对电极25被大致平行地配设。此外，本公开中“大致平行”是表示本质上平行的状态，但表示包含加工精度等偏差引起的误差。

振荡电极24设置于贮藏空间的一面。相对电极25夹着贮藏空间设置于与该一面相对的贮藏空间的另一面。构成介电加热机构的、背面侧的匹配电路23、顶面侧的振荡电极24和底面侧的相对电极25被内表面部件32覆盖。由此，能够可靠地防止保存物与匹配电路23、振荡电极24或相对电极25接触引起的保存物的炙烤(食材的焦耳加热)。

此外，在实施方式1的结构中，对在构成冷冻/解冻室6的贮藏空间的顶面部设置有振荡电极24，在冷冻/解冻室6的贮藏空间的底面部设置有相对电极25的结构进行说明。但是，本公开不限定于该结构。振荡电极24和相对电极25只要为经由贮藏空间(解冻空间)而相对的结构即可，即使振荡电极24和相对电极25为与本实施方式上下相反地配置的结构、或振荡电极24和相对电极25夹着贮藏空间在左右方向上相对的配置等，也能够起到同样的效果。

振荡电路22输出VHF(Very High Frequency)带的高频(实施方式1中，40.68MHz)的电压。通过振荡电路22输出高频电压，在与振荡电路22连接的振荡电极24与相对电极25之间形成电场。由此，配置于冷冻/解冻室6的振荡电极24与相对电极25之间的贮藏空间的电介质即保存物被介电加热而解冻。

匹配电路23调节为由振荡电极24、相对电极25和收纳于冷冻/解冻室6的保存物形成的负载阻抗与振荡电路22的输出阻抗匹配。匹配电路23通过匹配阻抗，使相对于所输出的高频的反射波最小化。

在本实施方式的介电加热机构设置有检测从振荡电路22输出到振荡电极24的入射波、和从振荡电极24返回到振荡电路22一方的反射波的入射反射波检测部51。振荡电路22经由入射反射波检测部51和匹配电路23与振荡电极24电连接。控制部50基于入射反射波检测部51检测到的入射波和反射波，计算反射波输出相对于入射波输出的比例(反射率)，并基于该计算结果，如后述进行各种控制。此外，也可以基于在匹配电路23中被阻抗匹配且从振荡电路22输出的高频电力的设定值和入射反射波检测部51检测到的反射波，计算反射波输出相对于电磁波输出的比例(反射率)。此外，无论电磁波的输出设定值或入射波的检测值，都可以仅使用反射波输出进行后述的各控制。

如图9的控制框图所示，在介电加热机构中，控制部50基于用户进行设定操作的操作部47和检测库内温度的温度传感器49等的信号对振荡电路22和匹配电路23进行驱动控制。控制部50由CPU构成，执行存储于ROM等存储器的控制程序，进行各种控制。

[1-3.介电加热机构的电路基板的结构]

为了提高可靠性，期望将振荡电路22、入射反射波检测部51、匹配电路23、振荡电极24连接的正极侧的配线的长度短。因此，在本实施方式中，包含这些电路的电极保持基板52(参照图3、图4、图6和图7)和振荡电极24、和电极保持基板52和相对电极25不经由引线或同轴电缆等而直接连接。另外，电极保持基板52配设于冷冻/解冻室6的背面侧的电极保持区域30。此外，电极保持基板52至少包含匹配电路23。

为了利用匹配电路23高精度地判别阻抗匹配是否充分，在电极保持基板52上构成入射反射波检测部51。期望入射反射波检测部51和匹配电路23组合制成1片基板。即，期望入射反射波检测部51和匹配电路23配置于相同基板上。由此，不需要在匹配电路23和入射反射波检测部51之间配置引线或同轴电缆、和用于连接该引线或同轴电缆的连接器类。因此，也能够使电路基板的结构简单。

图9中在电极保持基板52上配置有入射反射波检测部51和匹配电路23。但是，匹配电路23、入射反射波检测部51、和振荡电路22均可以在1片基板上构成。由此，能够抑制由引线或同轴电缆产生的送电损耗，且阻抗匹配的精度也提高。

此外，上述各电路、例如振荡电路22和匹配电路23也可以分别构成，并由引线或同轴电缆电连接等。在这种情况下，例如，利用具有大的空余空间的机械室10设置振荡电路22等，也能够实现活用冷藏库内的空余空间的合理的配置结构。

[1-4.介电加热机构的系统的结构]

如上述那样构成的实施方式1的介电加热机构为振荡电极24与相对电极25大致平行地相对的结构。因此，在冷冻/解冻室6的贮藏空间即解冻空间，实现电场的均匀化。为了经由规定间隔(图8的H)将振荡电极24和相对电极25大致平行地配置，在实施方式1的介电加热机构中，如下说明的那样保持电极间隔。

图8是表示实施方式1的冷冻/解冻室6的背面侧的电极保持区域30的图，表示电极保持区域30中的电极保持机构。图8是从背面侧观察电极保持区域30的图，在上侧(顶面侧)配设有振荡电极24，在下侧(底面侧)配设有相对电极25。在振荡电极24的背面侧端部突出设置有正极端子24a、24b、24c。正极端子24a～24c突出设置成从振荡电极24的背面侧端部向上方(顶面侧)、或下方(底面侧)折弯成直角。同样，在相对电极25的背面侧端部的中央突出设置有阴极端子25a、25b、25c。阴极端子25a～25c突出设置成从相对电极25的背面侧端部向上方(顶面侧)、或下方(底面侧)折弯成直角。

在电极保持基板52的上部和下部分别固定有振荡电极24和相对电极25。在电极保持基板52上固定有匹配电路23和入射反射波检测部51。通过电极保持基板52可靠地保持振荡电极24和相对电极25。这样，电极保持基板52实质上具有规定距离(图8的H)地可靠地保存振荡电极24和相对电极25。此外，电极保持基板52因为构成匹配电路23等，所以通过铜箔配线图案提高刚性。因此，电极保持基板52在振荡电极24与相对电极25之间具有规定的相对间隔(图8的H)的状态下，能够分别悬臂保持振荡电极24和相对电极25。另外，在电极保持基板52上也可以如上述那样设置有振荡电路22等。

振荡电极24的正极端子24a～24c、和相对电极25的阴极端子25a～25c与匹配电路23的正极侧和阴极侧的各连接端子连接。正极端子24a～24c和阴极端子25a～25c和匹配电路23的各连接端子的连接是具有规定的接触面积的面接触连接，以使得即使流经大电流，也能够确保可靠性。在实施方式1中，为了确保可靠的面接触连接，通过螺钉紧固将平板状的相互端子间连接。此外，作为端子间的连接，只要为成为可靠的面接触连接的连接单元即可，不限定于螺钉紧固连接。

在实施方式1中，构成为从振荡电极24的背面侧端部突出的正极端子24a～24c的端子宽度w(参照图8)比振荡电极24的背面侧端部的电极宽度W(参照图8)窄(w＜W)。这是因为匹配电路23中产生的热难以传导到振荡电极24，并且通过抑制匹配电路23与振荡电极24之间的热传导，抑制振荡电极24冷却时的匹配电路23的结露产生。此外，在相对电极25中，阴极端子25a～25c的端子宽度与正极端子24a～24c的端子宽度同样，形成为比阴极端子25a～25c突出的相对电极25的背面侧端部的电极宽度窄。通过这样缩小阴极端子25a～25c的端子宽度，抑制相对电极25与匹配电路23之间的热传导。

此外，在振荡电路22配设于电极保持区域30的结构中，也可以为在振荡电路22设置作为散热部件的散热器，使散热器与风路12接触进行冷却的冷却结构。

如上述，在冷冻/解冻室6的背面侧设置有电极保持基板52作为电极保持机构。因此，成为振荡电极24与相对电极25大致平行地相对的结构。另外，在实施方式1中，为了使振荡电极24和相对电极25大致平行地相对更可靠，它们构成为高频加热组件53a。高频加热组件53a包含振荡电极24、相对电极25和电极保持基板52，并且振荡电极24和相对电极25在确定大致平行状态的状态下被一体化，被装入冷冻/解冻室6。

[1-5.冷冻/解冻室的结构]

如上述，冷藏库1的隔热箱体2利用由钢板形成的外箱3、由树脂成形的内箱4、在外箱3与内箱4之间的空间填充发泡的隔热材料40(例如，硬质发泡聚氨酯)构成。

而且，如图2和图3所示，冷冻/解冻室6以隔热材料40的内侧的内表面部件32a作为外框构成。冷冻/解冻室6的外侧被电磁波屏蔽件26(26a～26d)覆盖。为了防止电磁波向冷藏库1的外部泄漏，该电磁波屏蔽件26设置成包围冷冻/解冻室6。另外，电极保持区域30被内表面部件32a划分为冷冻/解冻室6。在内表面部件32a的背面侧设置有背面侧电磁波屏蔽件26b。背面侧电磁波屏蔽件26b的主要目的在于通过区划冷冻/解冻室6的库内和包含匹配电路23等的电极保持基板52，防止关于相互的阻抗和电场的影响。

在由内表面部件32a包围的空间内的上部，在水平方向上设置有平板状的内表面部件32b，在内表面部件32b的上侧装载有振荡电极24。另外，在由内表面部件32a包围的空间内的下部，在水平方向上设置有平板状的内表面部件32c，在内表面部件32c的下表面设置有相对电极25。内表面部件32c的下表面和内表面部件32b被大致平行地保持为规定距离(图8的H)。因此，振荡电极24和相对电极25通过电极保持基板52和内表面部件32a、32b、32c保持大致平行状态。外箱3由于填充发泡的隔热材料40的发泡偏差，有时库内上表面和底面的平行不充分。因此，通过上述的结构，能够不受发泡的影响，精度良好且可靠地将振荡电极24和相对电极25设为大致平行状态。

预先组装高频加热组件53a，在冷藏库1的制造工序中，如图4所示，高频加热组件53a以插入于冷藏库1的外箱3的形式安装。进而，以包含门29、门侧电磁波屏蔽件26d、密封垫36和收纳箱31等的门单元插入于高频加热组件53a内的形式完成冷藏库。

另外，也可以为图5、图6和图7所示的结构。在图5、图6和图7中，关于冷藏库1的外箱3、由树脂成形的内箱4、在外箱3与内箱4之间的空间填充发泡的隔热材料40、构成为冷冻/解冻室6的外框的隔热材料40的内侧的内表面部件32(32a～32c)、和内表面部件32的外侧的电磁波屏蔽件26的结构与图2和图3同样。

在由内表面部件32a包围的空间内的上部设置有在水平方向上设置的平板状的内表面部件32b。在内表面部件32b的上侧装载有振荡电极24。另外，在同样由内表面部件32a包围的空间的下部配置有在水平方向上设置的平板状的内表面部件32c。在内表面部件32c的下表面设置有相对电极25。内表面部件32b和内表面部件32c的正面侧由支柱54分别固定。内表面部件32b和内表面部件32c的背面侧通过电极保持基板52和内表面部件32a固定，振荡电极24和相对电极25被保持为大致平行状态。

内表面部件32b和内表面部件32c大致平行地保持为规定距离(图8的H)，所以振荡电极24和相对电极25，能够通过电极保持基板52、支柱54和内表面部件32b、32c保持大致平行状态。冷藏库1的外箱3由于填充发泡的隔热材料40的发泡偏差，有时库内上表面和底面的平行不充分。但是，通过上述的结构，能够不受发泡的影响，精度良好且可靠地将振荡电极24和相对电极25设为大致平行状态。

在上述的结构中，作为高频加热组件53a，包含振荡电极24、相对电极25、内表面部件32a、32b、32c、支柱54、划分电极保持区域30和冷冻/解冻室6的背面侧电磁波屏蔽件26b、和匹配电路23等的电极保持基板52被一体化。预先组装高频加热组件53a，如图4所示，在制造工序中，以高频加热组件53a插入于冷藏库1的外箱3的形式进行组装。进而，包含门29、门侧电磁波屏蔽件26d、密封垫36和收纳箱31等的门单元插入于高频加热组件53a内，从而完成冷藏库1。

此外，内表面部件32a～32c期望即使在冷冻室的环境下也难以结露的通常的工业陶瓷材料的热传导率10W/(m·k)以下的材料。在本实施方式中，内表面部件32a～32c由聚丙烯、ABS树脂和聚碳酸酯等树脂材料构成。电磁波屏蔽件26(26a～26d)构成为比内表面部件32(32a～32c)薄的厚度，从而抑制热容量。由此，能够防止对电磁波屏蔽件26、和与电磁波屏蔽件26相接的内表面部件32(32a～32c)的结露。

这样，在实施方式1的冷藏库1中，在冷冻/解冻室6的介电加热机构的背面侧和正面侧、或侧面侧设置有电极保持机构。因此，振荡电极24和相对电极25能够精度高地具有彼此的相对间隔地配设。因此，振荡电极24和相对电极25能够具有规定的间隔(图8的H)地可靠地大致平行地配设。其结果，冷冻/解冻室6的介电加热机构防止电极面上的高频电场的偏置，实现高频电场的均匀化，所以能够对保存物(冷冻品)均匀地进行解冻处理。另外，通过插入作为高频加热组件预先组装的单元，完成冷藏库，所以不需要在狭窄的冷藏库库内进行制造作业，制造工序变得简单。

[1-6.电磁波屏蔽件机构]

如上述那样，冷冻/解冻室6为在振荡电极24与相对电极25之间的高频电场的气氛中配置作为保存物的电介质并进行介电加热的结构。因此，在冷冻/解冻室6中放射有电磁波。为了防止该电磁波向冷藏库1的外部泄漏，在实施方式1的冷藏库1设置有电磁波屏蔽件机构，以包围冷冻/解冻室6。

如图2和图3所示，在冷冻/解冻室6的顶面侧的风路12部分配设有顶面侧电磁波屏蔽件26a。顶面侧电磁波屏蔽件26a配设于构成冷冻/解冻室6的正上方的冷藏室5(参照图1)的底面侧的隔热材料40的下表面，且配设为覆盖冷冻/解冻室6的顶面侧。顶面侧电磁波屏蔽件26a具有多个开口，构成为相对于振荡电极24的实质的相对面积变小。

在本实施方式中，开口的形状为从背面侧朝向正面侧的方向成为长度方向的狭缝形状。通过电磁波模拟进行如下分析，通过顶面侧电磁波屏蔽件26a的开口，从正极端子24a～24c方向向跟前方向产生的磁场(电流)顺利地通过顶面侧电磁波屏蔽件26a上，所以抑制在周围扩散的泄漏磁场。

通过这样构成的顶面侧电磁波屏蔽件26a，抑制在顶面侧电磁波屏蔽件26a与振荡电极24之间的不需要的电场的产生。此外，顶面侧电磁波屏蔽件26a也可以为具有多个开口的网眼结构。此外，顶面侧电磁波屏蔽件26a也可以设置于位于冷冻/解冻室6的正上方的冷藏室5的内部。在冷藏室5大多设置有微冻室或冰温保鲜室，也可以利用该微冻室或冰温保鲜室的顶面作为电磁波屏蔽件。

配置有背面侧电磁波屏蔽件26b，以覆盖设置于冷冻/解冻室6的背面侧的电极保持区域30。在该电极保持区域30配置有匹配电路23等。通过这样设置背面侧电磁波屏蔽件26b，能够防止在振荡电极24与相对电极25之间产生的电场、和从匹配电路23产生的高频噪声等给予冷却风扇14和风门12a的电部件的动作(控制)造成影响。此外，在冷冻/解冻室6的侧面侧还配设有电磁波屏蔽件(未图示)。

接着，对设置于对冷冻/解冻室6的正面侧开口进行开闭的门29的门侧电磁波屏蔽件26d进行说明。门29是对冷藏库1的主体进行开闭的结构。因此，在将设置于门29的电磁波屏蔽件通过有线线路与冷藏库1的主体的接地部分连接的情况下，由于门29的开闭，有线线路反复伸缩，从而蓄积有线线路中的金属疲劳。在这样连接的结构中，有可能在有线线路处断线。因此，由有线线路连接设置于门29的门侧电磁波屏蔽件26d与冷藏库1的主体的接地部分之间的结构不优选。

通常，为了防止电磁波泄漏，需要使门29被关闭时的门侧电磁波屏蔽件26d和成为冷藏库1的主体侧的电磁波屏蔽件的横轨(cross rail)21(与外箱3连接，图1所示)的间隔比电磁波的波长λ的1/4短。在实施方式1中，通过进一步缩小门侧电磁波屏蔽件26d与横轨21的间隔，也能够在门侧电磁波屏蔽件26d与横轨21之间不设置有线线路而得到电磁波屏蔽件的接地效果。例如，将门29被关闭时的门侧电磁波屏蔽件26d与横轨21的间隔设为30mm以内。与外箱3连接的横轨21被接地，所以在门29被关闭的状态下，门侧电磁波屏蔽件26d与横轨21接近，由此，得到与有线线路的接地同等的效果。此外，门侧电磁波屏蔽件26d的端部为向冷藏库1的主体侧弯曲的形状，由此，能够容易地使门侧电磁波屏蔽件26d与横轨21接近。

此外，也可以为使门侧电磁波屏蔽件26d与除横轨21以外的、例如电磁波屏蔽件26(26a、26c)接近的结构。

接着，对电磁波屏蔽件和其它的电路和接地的连接进行说明。

图10是驱动各种电路的AC(alternating current)/DC(direct current)转换器的概略电路图。在该电路中，使用反激式的开关电源电路作为在对交流工频电源ACV进行整流的桥式二极管BD1和整流电容器C0后配置的DC/DC转换器。但是，DC/DC转换器不限于此，只要为正向式、推挽式、或半桥式等、使用变压器的方式的开关电源即可。另外，在图10的电路中，仅记载主要的电路部件，噪声滤波器、电源控制电路和保护电路等被省略。

交流工频电源ACV通过桥式二极管BD1和整流电容器C0而直流化，并将其称为初级侧直流电源DCV0(第一电源部)。将该初级侧直流电源DCV0的零伏基准电位设为初级侧接地GND0(第一接地部)。

初级侧直流电源DCV0施加到开关变压器T1的初级侧绕组P1，通过FET(Fieldeffect transistor)Q1以数10kHz的频率进行开关。蓄积于初级侧绕组P1的电力通过电磁感应作用传递到电绝缘的次级侧绕组S1，并被次级侧整流二极管D1和次级侧整流电容器C1整流，输出次级侧直流电源DCV1。另外，次级侧绕组S2在绕组的两端之间设置有输出部，通过次级侧整流二极管D2和次级侧整流电容器C2进行整流，输出比次级侧直流电源DCV1低的电压的次级侧直流电源DCV2。将该次级侧直流电源DCV1、DCV2(第二电源部)的零伏基准电位设为次级侧接地GND1(第二接地部)。

另外，初级侧直流电源DCV0除施加到开关变压器T1外，还分支地施加到开关变压器T2的初级侧绕组P2，通过FET Q2以数10kHz的频率进行开关。蓄积于初级侧绕组P2的电力通过电磁感应作用传递到被电绝缘的次级侧绕组S3，并通过次级侧整流二极管D3和次级侧整流电容器C3进行整流，输出次级侧直流电源DCV3(第三电源部)。将该次级侧直流电源DCV3的零伏基准电位设为次级侧接地GND2(第三接地部)。

此外，开关变压器T1内的初级侧绕组P1和次级侧绕组S1的绝缘、和开关变压器T2内的初级侧绕组P2和次级侧绕组S3的绝缘为以日本的电气用品安全法、或IEC(International Electrotechnical Comission)规格决定的基础绝缘以上的绝缘性能。

如图9所示，向振荡电路22内输出通过使用了水晶等的振荡源22a分配到ISM(Industrial、Scientific and Medical)频段的40.68MHz的微电力，通过第一放大电路22b稍微放大后，通过第二放大电路22c进一步放大，向匹配电路23方向输出。此外，振荡源22a的输出频率不限定于40.68MHz。

在本实施方式中，次级侧直流电源DCV1向振荡电路22内的第二放大电路22c供给，次级侧直流电源DCV2向振荡电路22内的振荡源22a和第一放大电路22b、入射反射波检测部51和匹配电路23供给，次级侧直流电源DCV3向控制部50供给。

由此，将次级侧接地GND1设为零伏基准电位的电路系统为振荡电路22、入射反射波检测部51、匹配电路23和相对电极25。另外，将次级侧接地GND2设为零伏基准电位的电路系统为控制部50。

电磁波屏蔽件26(顶面侧电磁波屏蔽件26a、底面侧电磁波屏蔽件26c、背面侧电磁波屏蔽件26b、和门侧电磁波屏蔽件26d)各自的电磁波屏蔽件与相对电极25(与次级侧接地GND1同电位)绝缘、或没有绝缘的情况下，期望与相对电极25在离开一定以上的地点连接。由此，降低施加到各电磁波屏蔽件的电场和磁场，向外部的泄漏也被抑制。即，电磁波屏蔽的效果变高。

提高电磁波屏蔽的效果的方案有很多，以下说明这些。

一个是不将各电磁波屏蔽件与初级侧接地GND0、次级侧接地GND1和次级侧接地GND2任一个连接的方案。该方案在电磁波屏蔽件的总面积、或总体积为一定以上的情况下特别有效，能够抑制高频波通过信号线向外部泄漏等，作为噪声造成不良影响。

另一个是将各电磁波屏蔽件与初级侧接地GND0连接的方案。初级侧接地GND0通常与由金属材料构成的外箱3连接，且接地面积宽。因此，初级侧接地GND0的零伏基准电位最稳定，所以通过各电磁波屏蔽件与一次侧接地GND0连接，不仅提高各电磁波屏蔽件的效果，而且还能够抑制噪声带来的误动作。

另一个是将各电磁波屏蔽件与次级侧接地GND2连接的方案。相对电极25和各电磁波屏蔽件以开关变压器T1、T2的2级绝缘，所以高频噪声难以从振荡电极24向各电磁波屏蔽件泄漏，且振荡电极24与相对电极25之间的电场产生稳定。

另一个是将各电磁波屏蔽件与次级侧接地GND1连接，另一方面，在与相对电极25离开一定以上的地点，至少在各电磁波屏蔽件的外侧连接的方案。能够得到一定的屏蔽效果，并且，高频噪声难以从振荡电极24泄漏到各电磁波屏蔽件，振荡电极24与相对电极25之间的电场产生稳定。

提高屏蔽效果的上述方案有时由于系统的结构和配线等而效果不同，所以需要考虑从振荡电极24向相对电极25的电场产生效率和电磁波屏蔽效果等，选择最佳的一种。

此外，在实施方式1的冷藏库1中，外箱3由钢板构成，所以该钢板本身具有作为电磁波屏蔽件的功能。因此，可靠地防止冷藏库1的内部的电磁波向冷藏库1的外部泄漏。

[1-7.振荡电极和相对电极的结构]

图11是从上方观察冷冻/解冻室6的顶面侧的振荡电极24和相对电极25的俯视图。

如图11所示，作为振荡电极24的尺寸构成为比相对电极25稍小的面积。另外，在振荡电极24和相对电极25分别形成有多个电极孔41、42。多个电极孔41、42成为从设置有正极端子24a～24c、和相对电极25的阴极端子25a～25c的库内背面侧朝向跟前侧的纵长的狭缝形状。通过设为这样的形状，从正极端子24a～24c侧输入的高频电流容易从库内背面侧朝向跟前侧流动，且在两电极间产生的电场强度稍强。

在本实施方式中，如图11所示，设置于振荡电极24和相对电极25的电极孔41、42不是配置于上下对称位置，而是配置于相互错开电极孔41的短径的约一半程度的位置。在振荡电极24的电极面上形成有多个电极孔41，所以在振荡电极24的电极面上形成强的电场的区域被均匀地分散。因此，能够对保存物均匀地进行介电加热。即，电极孔41的开口部分的缘部成为电场集中区域。

此外，图11所示的电极孔41、42的形状和配置为示例，电极孔41、42的形状和配置根据冷藏库的规格、和结构等，考虑效率和制造成本适当设计。例如，电极孔41、42的形状也可以为正圆。此外，振荡电极24和相对电极25各自的电极孔41期望不是配置于上下对称位置，而是配置于相互错位孔径的一半程度。

此外，在实施方式1的结构中，作为振荡电极24的电极孔41的形状和配置，以配置多个电极孔41的结构进行了说明，但本公开不限定于这样的结构。例如，振荡电极24也可以为至少形成1个开口部分的形状。该情况下，在振荡电极24的电极面上，该开口部分的缘部成为集中电场的电场集中区域。作为本公开，只要为电场集中区域在振荡电极24的电极面上被分散的结构即可。此外，在实施方式1中，对在相对电极25的电极面上设置多个电极孔42的结构进行了说明，但本公开不限定于该结构。即，只要在相对电极25形成开口，以在与振荡电极24的电极之间形成期望的电场即可。

电极保持基板52成为具有规定距离(图8的H)地可靠地保持振荡电极24和相对电极25的结构。在本实施方式中，电极间隔H比振荡电极24的长边尺寸(图11的D)短。此外，在振荡电极为圆形的情况下，期望构成为比其直径短的电极间隔H，在为椭圆形状的情况下，期望构成为比其长径短的电极间隔H。

图12表示振荡电极24和相对电极25的电极间隔H(参照图8)和两电极间的电场强度的关系。如图12所示，存在电极间隔H越宽，电场强度越弱的趋势。特别是，当超过电极间隔H1(100mm)时，电场强度显著降低，进而，当超过电极间隔H2(125mm)时，电场强度降低直到不能得到高频波产生的加温能力的水平。综上，电极间隔H期望为100mm以下，至少需要为125mm以下。

发明人等使用具有实施方式1的电极结构的冷冻/解冻室6和作为比较例的包括设置不具有电极孔的相对电极25的电极结构的冷冻/解冻室6进行电极间的电场产生的模拟。

图13A是表示不具有电极孔的振荡电极24或相对电极25构成的电极结构的模拟结果的图。图13B是表示具有电极孔的振荡电极24或相对电极25构成的电极结构的模拟结果的图。在图13A和图13B中，颜色浓的部分是电场集中的区域。从这些电场模拟图中可知，与图13A的电场模拟图相比，在图13B的介电加热结构的电场模拟图中，在电极的整体中电场集中被缓和，实现电场的均匀化。

如图11所示，振荡电极24的电极孔41和相对电极25的电极孔42配设为沿上下方向(相对方向)延伸的各个电极孔的中心轴不一致，由此，在电极的整体中缓和电场集中。此外，在振荡电极24的电极孔41和相对电极25的电极孔42配设为沿上下方向(相对方向)延伸的各个电极孔的中心轴一致的电极结构中，与使用不具有电极孔的相对电极25的结构相比，电场的集中被缓和，特别是拐角部分的电场的集中被缓和。

在实施方式1的冷藏库1的冷冻/解冻室6中，如图2和图3所示，在门29的背面侧固定有收纳箱31，随着门29的开闭动作，收纳箱31在冷冻/解冻室6的内部向前后移动。在实施方式1的结构中，在冷冻/解冻室6的两侧面的内侧设置有轨道，以使收纳箱31能够在冷冻/解冻室6的内部顺利地移动。另外，在该轨道上滑动的滑动部件设置于收纳箱31的外侧的两侧面。这些轨道和框架(收纳箱31)的滑动部件设置于从冷冻/解冻室6的振荡电极24和相对电极25相对的区域即介电加热区域离开的位置，以不会被介电加热。

[1-8.解冻处理动作]

在实施方式1的冷藏库1中，当输入解冻指令时，对配置于冷冻/解冻室6的振荡电极24与相对电极25之间的保存物(冷冻品)进行解冻处理。在实施方式1的解冻处理中，如后述，控制部50控制具有振荡电路22、入射反射波检测部51、和匹配电路23的介电加热机构，并且控制包含压缩机19和冷却器13等制冷循环的冷却机构、和包含冷却风扇14和风门12a等的冷气导入机构。

在实施方式1的解冻处理中，向振荡电极24与相对电极25之间施加规定的高频电压，通过在电极间产生的高频电场，作为电介质的冷冻品被介电加热。在该介电加热中，控制部50进行风门12a的开闭控制，间歇性地进行冷气导入。图14表示解冻处理中的介电加热机构(振荡电路22)和冷气导入机构(风门12a)的控制信号的波形，并且，表示此时的食品温度、冷冻/解冻室6的室温、和冷冻/解冻室6的湿度。

作为为了使用解冻处理而使用VHF波的结构时的频率的特性，比使用微波的结构难以引起“半熟”。在实施方式1的冷藏库1中，为了进一步改善解冻均匀性，设置有电极保持基板52，实质上作为平面板状部件的振荡电极24与相对电极25具有规定间隔(图8的H)地通过电极保持基板52可靠地保存为大致平行。

如图14所示，在解冻处理中，当输入解冻指令时(解冻开始)，振荡电路22成为启用状态，例如，40.68MHz的高频电压被施加到振荡电极24与相对电极25之间。此时，风门12a为打开状态，所以冷冻/解冻室6的室温维持在冷冻温度t1(例如，-20℃)。从解冻开始经过规定期间后，风门12a被关闭。当风门12a关闭后，冷冻/解冻室6的室温开始上升。在实施方式1的解冻处理中，通过进行介电加热的同时进行风门12a的开闭控制，抑制冷冻品的表面温度的上升，进行不发生所谓“半熟”的解冻。

基于由入射反射波检测部51检测出的反射波相对于入射波的比例(反射率)，控制部50进行风门12a的开闭控制。在此，入射波是由匹配电路23匹配且供给到振荡电极24与相对电极25之间的电磁波。控制部50在反射率变大达到预先设定的阈值时，打开风门12a，使冷冻/解冻室6的库内温度降低。这样，通过风门12a的开闭控制，向冷冻/解冻室6间歇性地导入冷气，所以冷冻/解冻室6的贮藏空间(解冻空间)的保存物维持期望的冷冻状态且被介电加热，从而成为期望的解冻状态。

在保存物达到期望的解冻状态时，解冻处理完成。为了检测解冻处理完成的期望的解冻状态，在实施方式1的解冻处理中，使用反射率。当因进行介电加热而保存物的融解进行时，融解的水分子在保存物中增加。随着融解的水分子在保存物中增加，介电常数变化而阻抗的匹配状态偏移。其结果，反射波相对于所输出的电磁波的比例即反射率变大。在解冻处理中，当反射率变大达到预先设定的阈值时，匹配电路23执行阻抗匹配，降低反射率。

实施方式1的解冻处理的解冻完成的检测为执行匹配电路23进行的阻抗匹配后的反射率超过解冻完成的阈值时。解冻完成的阈值为融解保存物且达到期望的解冻状态时的反射率。在此，保存物的期望的解冻状态是女性能够用单手切保存物，且来自保存物的滴水量为最少量的状态。解冻完成的阈值是预先通过实验求出的值。

此外，如图14所示，通过开闭控制风门12a，通过了风路12的湿度相对低的冷气从冷气导入孔20供给到冷冻/解冻室6，所以冷冻/解冻室6的湿度不会成为100％。因此，防止冷冻/解冻室6内的结露产生。

此外，反射率的计算方法不限于反射波相对于由入射反射波检测部51检测出的入射波的比例(反射率)。例如，也可以由检测部仅检测反射波，计算反射率，作为该反射波相对于在振荡电路22中预先设定的输出的比例。

此外，也可以不使用反射率而控制解冻处理。例如，无论输出如何，都可以仅通过由入射反射波检测部51检测出的反射波控制解冻处理。此外，关于使用以下的说明中记载的反射率的控制也可以使用同样的这些方法进行。

[1-9.解冻处理完成后的控制]

图15是表示在冷冻/解冻室6中解冻处理完成后的控制的流程图。图15的流程图所示的各步骤通过控制部50的CPU(Central Processing Unit)执行存储于ROM(Read OnlyMemory)等存储器的控制程序来进行。如前述，在解冻处理中，执行匹配电路23进行的阻抗匹配后的反射率超过解冻完成的阈值时，进行图15所示的解冻处理完成后的控制。

如图15的步骤101所示，在解冻处理完成后，保存物被维持为期望的解冻状态。该方案之一是将冷冻/解冻室6的室温设为所谓的微冻结温度域，例如约-1℃～-3℃。另外，作为其它方案，将冷冻/解冻室6的室温设为冷冻温度域，例如-18℃～-20℃，通过施加输出下降的高频电场，或断续地施加高频电场，进行冷却和加温，将保存物维持在期望的温度域。

在冷冻/解冻室6维持在微冻结温度的状态下，总是检测冷冻/解冻室6的保存物的有无(步骤102)。冷冻/解冻室6中的保存物的有无的检测使用总是检测的反射率。因此，匹配电路23总是断续地运转，且低输出的电磁波从振荡电极24断续地输出。控制部50比较反射率和关于预先设定的保存物有无的阈值，判断冷冻/解冻室6的保存物的有无。

在步骤102中，在检测到在冷冻/解冻室6中不存在保存物时(步骤102的No)，判断为期望的解冻状态的保存物已被取出，将冷冻/解冻室6的室温设为冷冻温度域、例如-18℃～-20℃(步骤105)。

在步骤102中，在检测到在冷冻/解冻室6中存在保存物时(步骤102的Yes)，判断存在的保存物是否包含新的非冻结品(例如，常温的食材)。冷冻/解冻室6中是否包含新的非冻结品通过反射率的变化来判断。在步骤103中，判断为在冷冻/解冻室6中被投入了新的非冻结品时(步骤103的Yes)，将冷冻/解冻室6的室温设为冷冻温度域(步骤105)。

另一方面，在步骤103中，在判断为在冷冻/解冻室6中没有收纳新的非冻结品，而为原样保持了解冻状态的保存物的状态时(步骤103的No)，判断解冻完成后的时间是否超过规定时间(步骤104)。有时即使对于保存物的解冻处理完成，用户也不会立刻将该保存物从冷冻/解冻室6中取出。在这样的情况下，实施方式1的冷藏库1构成为能够对冷冻/解冻室6的保存物维持期望的解冻状态的微冻结温度域维持规定时间。在超过该规定时间，将保存物收纳到冷冻/解冻室6中的情况下，为了维持该保存物的鲜度，在实施方式1的冷藏库1中，进行将冷冻/解冻室6的室温转移到冻结温度域的控制。即，步骤104中，在判断为收纳有解冻状态的保存物的解冻完成后的时间超过规定时间的情况下(步骤104的Yes)，进行转移到步骤105，将冷冻/解冻室6的室温设为冷冻温度域的冻结处理。

如上述，在实施方式1的冷藏库1中，在解冻处理完成后的冷冻/解冻室6中能够将期望的解冻状态的保存物维持鲜度能够维持的规定时间，能够对冷冻/解冻室6的内部的保存物进行适当的温度管理。

[1-10.冷冻/解冻室的冷冻保存动作]

实施方式1的冷藏库1构成为在冷冻/解冻室6的室温维持在冷冻温度域的冷冻处理中，进行介电加热，以通过期望的状态对作为保存物的食品进行冷冻保存。通常，在冷冻了食品的情况下，由于冷冻/解冻室6的库内的水分和食品内部的水分，在食品包覆材料的内表面出现结霜现象。当这样的结霜现象出现在食品表面上时，食品干燥，食感发干，作为食品不是美味且新鲜的状态(“冻烧”)。为了防止这样的状态，在实施方式1的冷藏库1中，与冷却动作一起同时进行介电加热动作。

图16A和图16B是表示冷却动作中的各要素的状态的波形图。图16A是表示现有的冷藏库的冷冻保存中的冷却动作的波形图，图16B是表示由实施方式1的冷藏库1的冷冻/解冻室6执行的冷却动作的波形图。

在图16A中，(1)是表示冷却动作的ON(开启)/OFF(停止)的波形图。冷却动作的ON/OFF例如相当于风门的开闭、或压缩机的ON(开启)、OFF(停止)的动作等。图16A中，ON(打开)表示冷气导入冷冻室的状态，OFF(关闭)表示风门关闭，切断向冷冻室的冷气的导入的状态。因此，如图16A的(2)的波形图所示，冷冻室内的食品的温度以预先设定的冷冻温度T1(例如，-20℃)为中心上下大幅波动。其结果，在冷冻室内的食品表面上反复进行水分的蒸发和结霜，由此，发生不好的食品的冷冻状态的情况。

另一方面，在表示实施方式1的冷却动作的图16B中，与现有的冷却动作不同，在对食品进行冷却的同时进行介电加热。图16B的(1)是表示风门12a的开闭动作的波形图。ON(打开)表示风门12a的打开状态，冷气通过风路12从冷气导入孔20导入冷冻/解冻室6。OFF(关闭)表示风门12a的关闭状态，切断向冷冻/解冻室6的冷气的导入。实施方式1的冷却动作的冷气导入与介电加热同时进行，所以与现有例相比，冷气的导入时间设定得长。即，冷却动作中的冷却能力上升。

图16B的(2)是表示关于振荡电路22的驱动控制进行的介电加热的动作状态的波形图。在风门12a打开状态时，同时进行介电加热。在实施方式1的冷却动作中，以与解冻动作相比小很多的输出进行介电加热。其结果，如图16B的(3)所示，冷冻/解冻室6内的食品温度维持在预先设定的冷冻温度T1(例如，-20℃)，食品温度的变动被抑制。

根据实验，如果食品温度的变动为约0.1K以下，则能够消除结霜的产生。越至少减少食品温度的变动，越能够抑制结霜的产生。另外，通过进行介电加热，有效抑制食品内部的冰晶的伸长。在进行介电加热的情况下，在食品内产生的冰晶的前端部容易聚集电场，所以即使冷冻/解冻室6内的温度为最大冰晶生成域以下，冰晶也只是缓慢地伸长。

如上述，在实施方式1的冷藏库1中，在冷冻保存中的冷却动作中，也进行介电加热动作。因此，能够将作为保存物的冷冻品以期望的状态进行冷冻保存。

[1-11.冻结处理]

在实施方式1的冷藏库1中，基于来自操作部47(参照图9)的用户的指令，能够对投入到冷冻/解冻室6的库内的新的非冻结食品进行冻结处理。图17是表示作为冻结处理的急冷动作的各要素的状态的波形图。图17中，(a)表示在冷冻/解冻室6内是否存在保存物(食品)的曲线图。控制部50基于入射反射波检测部51检测出的反射波和输出的电磁波的比例(反射率)判断在冷冻/解冻室6内是否存在保存物。图17的(b)表示控制部50断续地获得来自匹配电路23和入射反射波检测部51的信息。图17的(c)是表示反射率的推移的一例的曲线图。控制部50在反射率成为第1阈值R1以下的情况下，判断为已将作为保存物的食品投入到冷冻/解冻室6内。

在对收纳于冷冻/解冻室6内的食品进行急冷动作中，使冷却机构的压缩机19和冷却风扇14的转速上升，提高冷却能力，进行强制连续运转。另外，驱动控制冷气导入机构，以使通过冷冻/解冻室6的风路12的风门12a在强制连续打开状态下被驱动，冷气被导入冷冻/解冻室6(参照图17的(d)的波形图)。

在急冷动作中，为了抑制食品温度为最大冰晶生成域(约-1℃～约-5℃)时的冰晶的伸长，进行介电加热动作。此时的介电加热动作为约1W～约10W的低输出，进行断续的介电加热动作(图17的(e)的期间H)。为了开始介电加热动作，检测食品温度进入最大冰晶生成域。该检测基于在通过食品的潜热区域时反射率的变化增大来进行。在实施方式1中，检测出的反射率成为预先设定的第2阈值R2时，开始介电加热动作(参照图17的(e))。此外，反射率从第2阈值R2到比第2阈值R2低的第3阈值R3的区域为该食品的最大冰晶生成域，继续进行介电加热动作。反射率成为第3阈值R3后，在经过规定时间(t2)时，控制部50判断为该食品通过了最大冰晶生成域，停止介电加热动作。

如上述那样，在判断为该食品通过了最大冰晶生成域时，停止介电加热动作，并且结束急冷动作，转移到通常的冷却动作。这样，在进行急冷动作的情况下，通过进行期望的期间的介电加热动作，能够使食品成为优选的冷冻状态。

[1-12.基于门开关的安全控制]

在本实施方式中，如前述，为了防止电磁波向冷藏库1的外部泄漏，设置有电磁波屏蔽件26，以包围冷冻/解冻室6。进而，外箱3由钢板构成，该钢板本身具有作为电磁波屏蔽件的功能，所以只要门29关闭，就能够防止电磁波向外部的泄漏。

但是，在门29打开时电磁波有可能从开口部泄漏。另外，使用者从开口部向库内放进手，由此，担心高频波对人体的影响，所以需要采取措施。

因此，在本实施方式中，在通过检测门29打开的门开闭检测部55a(参照图9)检测到门29打开的情况下，停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给。

由此，能够防止来自门29的高频波的泄漏，所以能够预先防止高频波对周围的电设备和处理冷藏库1的用户造成不良影响。

此外，在本实施方式中，在检测到具有解冻功能的冷冻/解冻室6(解冻用贮藏室)的门29打开时，停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给。但是，也可以在配置于冷藏室5、制冰室7、冷冻室8和蔬菜室9的各门的门开闭检测部55b、55c、55d、55e的任一个中，在检测到门打开时，也停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给。由此，能够进一步提高安全性。

通常在冷藏库设置有多个门。在此，在电磁波屏蔽件26充分起作用的情况下，即使通过冷藏室5的门开闭检测部55b、制冰室7的门开闭检测部55c、冷冻室8的门开闭检测部55d、或蔬菜室9的门开闭检测部55e检测到除冷冻/解冻室6以外的贮藏室的门打开，也没有规定以上的电磁波的外部泄漏。因此，即使振荡电路22不停止而继续动作，也能够确保安全性。即，也可以构成为在仅不能向内部施加高频电场的非解冻用贮藏室(冷藏室5、制冰室7、冷冻室8和蔬菜室9)的门打开的情况下，振荡电路22不停止。

另一方面，认为冷藏库由于设计上的问题通过电磁波屏蔽件26不能充分包围冷冻/解冻室6。在这样的情况下，高频波有可能泄漏。但是，通过设为即使在这样的情况下，如果上述任一门开闭检测部55b、55c、55d、55e检测到门打开，则停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给的结构，也能够确保安全性。

例如，在不能在冷冻/解冻室6的顶面部形成电磁波屏蔽件26的情况、在处于冷冻/解冻室6的上部的贮藏室(图1的布局中冷藏室5)的门打开的情况下，产生电磁波从冷冻/解冻室6经由冷藏室5向外部泄漏的可能。但是，在这样的情况下，停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给，所以能够防止电磁波的泄漏。另外，在不能在冷冻/解冻室6的底面部形成电磁波屏蔽件26的情况、处于冷冻/解冻室6的下部的贮藏室(图1的布局中冷冻室8和蔬菜室9)的门打开的情况下，产生电磁波经由冷冻室8和蔬菜室9向外部泄漏的可能，但在这样的情况下，停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给，所以能够防止电磁波的泄漏。另外，在不能在冷冻/解冻室6的侧面部形成电磁波屏蔽件26的情况、处于冷冻/解冻室6的侧部的贮藏室(图1的布局中制冰室7)的门打开的情况下，产生电磁波经由制冰室7向外部泄漏的可能，但在这样的情况下，停止振荡电路22，停止向振荡电极24的电力供给，所以能够防止电磁波的泄漏。这样，在不能够电磁波屏蔽件26的方向上配置的贮藏室的门打开时，通过停止振荡电路22，能够防止电磁波的泄漏。因此，能够预先防止高频波对周围的电设备和处理的用户造成不良影响，提高安全性。

此外，在上述的说明中，已经对振荡电路22动作的情况进行了说明，但在冷冻/解冻室6中开始解冻时，同样也可以基于门开闭检测部55的检测结果使振荡电路22动作。

在此，作为停止上述振荡电路22的方案，考虑以下的方案。

图18A表示通过门开闭检测部55a切断从电源部48向振荡电路22的电源供给的电源供给停止部。该情况下的电源供给停止部是门开闭检测部55a其本身。该门开闭检测部55a是门29关闭时导通，门29打开时切断的开关机构。通过切断开关，向振荡电路22的电源供给断开，由此，使振荡电路22的动作可靠地停止。

图18B中，门开闭检测部55a构成电源供给停止部的一部分。电源供给停止部包括作为对电源部48进行停止控制的停止信号输入部的电源控制部48a。门开闭检测部55a是与图18A同样的开关机构。当门29打开时，向电源控制部48a的电源供给停止，由此，从电源部48向振荡电路22的电源供给也断开，由此，振荡电路22的动作停止。在图18B所示的例中，通过切断向电源控制部48a内的电路的电源供给，使振荡电路22的动作停止，但也可以使用在电源控制部48a内的过电流保护电路中辨识为过电流状态并使其停止的方案、或辨识为电源部48成为过负载状态并使其停止的方案。

图18C是不仅门开闭检测部55a，而且还由磁传感器55f判别门29的开闭状态的结构。磁传感器55f向控制部50输出门29的开闭信号。控制部50接收磁传感器55f的信号，向电源控制部48a输出可否动作信号。在磁传感器55f和控制部50之间还插入有门开闭检测部55a，在门29关闭时导通，在门29打开时切断。因此，在门29打开时，不输出来自磁传感器55f的开闭信号，其结果，电源部48的动作停止。

以上说明的电源供给或控制信号的导通/切断的结构由硬件来实现，所以对高频噪声或来自外部的噪声的耐性高。因此，难以引起误动作。

此外，在图18B、和图18C中，门开闭检测部55a为在门29关闭时导通，在门29打开时切断的开关机构。但是，也可以为使用在门29关闭时切断，在门29打开时导通的机构的方案。此时，需要使用于停止电源控制部48a的H(High)/L(Low)的逻辑逆转。

如上，在实施方式1的冷藏库的冷冻/解冻室6中，能够将食品以期望的状态进行冻结和冷冻保存，并且，能够将期望的状态的冷冻品在短时间内解冻成期望的状态。另外，通过使用由半导体元件构成的介电加热机构，在具有解冻功能的冷藏库中能够实现小型化。

此外，在实施方式1的冷藏库中，对冷冻/解冻室6具有冷冻功能和解冻功能的结构进行了说明，但也可以构成为仅具有解冻功能的解冻室。

如上述，在本公开的冷藏库中，在振荡电极与相对电极之间产生高频电场，对收纳于贮藏室内的保存物进行解冻。该高频电场在冷冻/解冻室的解冻空间中实现均匀化，能够在对保持于解冻空间的保存物进行的解冻处理和冷冻处理中进行期望的介电加热。因此，根据本公开，能够将收纳于贮藏室内的保存物以期望的状态冷冻、贮藏或解冻。因此，实现具有可靠性高的冷却、贮藏、解冻功能的冷藏库。另外，与磁控管方式相比，能够小型化。另外，如果打开贮藏室的门，则振荡电路停止，所以能够防止电磁波的泄漏。因此，制成能够预先防止高频波对周围的电设备和处理的用户造成不良影响，且安全性高的冷藏库。

[2-1.效果等]

如上，本公开的一方式的冷藏库包括：具有能够贮藏保存物的空间的多个贮藏室；为了开闭多个贮藏室而设置于各贮藏室的多个门；门开闭检测单元，其检测各个门的开闭状态；形成高频电力的振荡部；电源部，其向振荡部供给电源；振荡电极，其接收从振荡部形成的高频电力，在贮藏室中的至少一个内产生高频电场；相对电极，其与振荡电极相对地设置；匹配部，其匹配包含与振荡部连接的振荡电极和相对电极的装置类的阻抗；入射反射检测部，其检测从振荡部形成并输出的高频电力、和向与来自振荡部的输出方向的相反方向反射的反射电力；和控制部，其控制高频电场对振荡电极与相对电极之间进行的施加。控制部为在多个门中任意一个以上打开时停止振荡部的动作的结构。

由此，发挥能够将食品以期望的状态进行冷冻保存，并且，能够在短时间内将期望的状态的冷冻品解冻成期望的状态这一优异的效果。另外，通过使用由半导体元件构成的介电加热机构，在具有解冻功能的冷藏库中能够实现小型化。而且，如果打开贮藏室的门，则振荡部的动作停止，所以能够防止高频波的泄漏。因此，成为高频波不会对其它贮藏室的保存食品和处理的用户造成不良影响，且可靠性和安全性高的冷藏库。

此外，控制部也可以构成为即使多个门中没有通过振荡电极和相对电极施加高频电场的非解冻用贮藏室的门打开，也能够继续振荡部的动作。

此外，为了停止振荡部，控制部也可以具有停止从电源部向振荡部的电力供给的电源供给停止单元。

此外，电源供给停止单元也可以为切断从电源部向振荡部的电源供给线的结构。

此外，电源供给停止单元也可以为包括接收门开闭检测单元的检测结果，输入从控制部向电源部的可否动作信号的停止信号输入单元的结构。电源供给停止单元也可以为切断向停止信号输入单元的信号供给线的结构。

以上，以某程度的详情在实施方式中说明了本公开，但实施方式的公开内容应该能够在结构的细节部进行变化，该实施方式的要素的置换、组合、和顺序的变更为不脱离所要求的本公开的范围和思想而能够实现的。

如上所述，在本公开的冷藏库中，关于对保存物进行冷冻、贮藏和解冻分别能够处理为期望的状态，并且，能够充分抑制高频波对其它贮藏室的保存食品和处理的用户造成不良影响。因此，因为具有提高冷藏库的附加价值和可靠性和安全性等、高的市场价值，所以能够优选应用于各种冷藏库。

Claims (8)

1.一种冷藏库，其特征在于，包括：

分别具有能够收纳且能够冷却保存物的贮藏空间的多个贮藏室；

解冻用贮藏室，其为所述多个贮藏室中的至少一个，能够对贮藏在内部的保存物进行解冻；

电源部；

振荡部，其从所述电源部被供给电力，形成高频电力；

彼此相对地配置并且各自与所述振荡部连接的振荡电极和相对电极，能够从所述振荡部接收高频电力而对所述解冻用贮藏室的内部施加高频电场；

控制部，其控制对所述解冻用贮藏室的内部进行的所述高频电场的施加，

所述多个贮藏室分别包含：

门；和

开闭检测部，其检测所述门的开闭状态，

所述控制部构成为在所述多个贮藏室中的任意一个以上的贮藏室的门打开时，停止所述振荡部的动作。

2.如权利要求1所述的冷藏库，其特征在于：

所述多个贮藏室包含不能对内部施加高频电场的非解冻用贮藏室，

所述控制部构成为，在仅所述非解冻用贮藏室门打开时，继续所述振荡部的动作。

3.如权利要求1或2所述的冷藏库，其特征在于：

具有电源供给停止部，其为了停止所述振荡部而停止从所述电源部向所述振荡部的电力供给。

4.如权利要求3所述的冷藏库，其特征在于：

所述电源供给停止部包含所述开闭检测部而构成。

5.如权利要求3所述的冷藏库，其特征在于：

所述电源供给停止部能够关断从所述电源部向所述振荡部的电力供给线。

6.如权利要求5所述的冷藏库，其特征在于：

所述电源供给停止部具有能够被输入从所述控制部基于所述开闭检测部的检测结果输出的可否动作信号的停止信号输入部。

7.如权利要求6所述的冷藏库，其特征在于：

所述电源供给停止部能够关断向所述停止信号输入部的信号供给线。

8.如权利要求1所述的冷藏库，其特征在于，还包括：

匹配部，其匹配所述振荡部的输出阻抗与包含所述振荡电极和所述相对电极的装置的负载阻抗；和

入射反射检测部，其检测从所述振荡部输出的高频电力、和向与来自所述振荡部的输出方向的相反方向反射的反射电力。

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