CN112635644B - Led封装体 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种LED封装体，涉及LED封装技术领域。该LED封装体包括封装基板、LED芯片、封装层和防脱部件；封装基板的上表面配置有固晶区和非固晶区；LED芯片设置在封装基板的固晶区上，封装层设置在封装基板的固晶区和非固晶区上，LED芯片被封装在封装基板和封装层之间，封装层远离封装基板的一侧表面为封装层的上表面；防脱部件设置在封装基板的非固晶区上，且防脱部件自封装层的上表面向下延伸至封装基板上并固定住封装层。本申请通过在非固晶区的封装层上设置防脱部件，利用防脱部件固定封装层，防止封装层从封装基板上脱落，提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及LED封装相关技术领域，尤其涉及一种LED封装体。
背景技术
由于LED成本的降低和效率的提升，LED广泛应用于各个领域。现有LED封装结构主要为玻璃封装结构、硅胶封装结构或氟树脂封装结构，考虑生产成本及大规模量产可行性，氟树脂封装结构是目前最具优势的LED封装结构。但是，氟树脂封装结构在长时间老化过程中会释放应力，使得氟树脂膜层与封装基板之间的粘附力较差，易造成氟树脂膜层与封装基板脱层，影响LED封装结构的可靠性。
发明内容
本申请的目的在于提供一种LED封装体，其能够改善现有封装器件中，封装层与封装基板之间的粘附力差所导致的封装层易从封装基板上脱落，封装器件的可靠性差的问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种LED封装体，包括：
封装基板，具有相对的上表面和下表面，其中，上表面配置有固晶区和非固晶区；
LED芯片，设置在封装基板的固晶区上；
封装层，设置在封装基板的固晶区和非固晶区上，LED芯片被封装在封装基板和封装层之间；封装层远离封装基板的一侧表面为封装层的上表面；
防脱部件，设置在封装基板的非固晶区上，且防脱部件自封装层的上表面向下延伸至封装基板上并固定住封装层。
在上述实现过程中，通过在非固晶区的封装层上设置防脱部件，利用防脱部件固定住封装层，能够防止封装层从封装基板上脱落。同时，也能够提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性。
在一种可能的实施方案中，防脱部件包括搭接部和连接部，搭接部搭设在封装层的上表面上，连接部穿设封装层并延伸至封装基板上。
在上述实现过程中，位于非固晶区的封装层夹在防脱部件与封装基板中间，提高了防脱部件和封装基板对封装层的作用力，防止封装层从封装基板上脱落。同时，也能够提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性。
在一种可能的实施方案中，防脱部件呈T型；封装层位于非固晶区的部分配置有开口结构，防脱部件的连接部穿过该开口结构并延伸至封装基板上。
在一种可能的实施方案中，搭接部自封装层的上表面延伸至封装基板的部分侧壁。
在一种可能的实施方案中，搭接部自封装层的上表面延伸至封装基板的下表面。
在一种可能的实施方案中，搭接部的宽度D1不小于200μm。
在一种可能的实施方案中，连接部的宽度D2不小于100μm。
在一种可能的实施方案中，搭接部与LED芯片的最小间距D3不小于100μm。
在一种可能的实施方案中，防脱部件呈倒L型，防脱部件设在封装层的外围。
在上述实现过程中，防脱部件设在封装层的外围，即防脱部件将封装层与外界环境接触的侧面与外界环境隔绝，减小了水汽渗入至LED封装体内部的可能性，提高LED器件的气密性。
在一种可能的实施方案中，搭接部的宽度D1不小于150μm。
在一种可能的实施方案中，连接部的宽度D2不小于100μm。
在一种可能的实施方案中，搭接部的上表面高于封装层位于非固晶区部分的上表面；搭接部的厚度介于150μm～550μm。
在一种可能的实施方案中，搭接部的上表面与封装层位于非固晶区部分的上表面对齐，或搭接部的上表面低于封装层位于非固晶区部分的上表面。
在上述实现过程中，防脱部件被配置为：其搭接部的上表面不高于封装层位于非固晶区部分的上表面，使得防脱部件的上表面封装高度不大于封装层位于非固晶区部分的最大高度，以保证防脱部件不影响LED封装体的侧壁出光。
在一种可能的实施方案中，封装基板上的部分非固晶区被配置为台阶结构。
在一种可能的实施方案中，防脱部件的连接部延伸至封装基板的非固晶区上表面。
在一种可能的实施方案中，封装基板的非固晶区上具有凹槽，防脱部件的连接部延伸至凹槽内。
在上述实现过程中，非固晶区上的凹槽与防脱部件的连接部形成榫卯结构，该榫卯结构能够进一步增强防脱部件对封装层的作用力，防止封装层从封装基板上脱落，提高LED封装体的可靠性。
在一种可能的实施方案中，封装基板上表面设有图形化的金属层，金属层在非固晶区上还配置有上述凹槽，防脱部件的连接部延伸至上述凹槽。
在一种可能的实施方案中，上述凹槽延伸至封装基板的上表面或封装基板的内部。
在一种可能的实施方案中，防脱部件的制备材料包括金属、陶瓷或有机胶材。
在一种可能的实施方案中，LED封装体还包括粘接层，其设置于防脱部件的连接部与封装基板之间，用于连接封装基板与连接部。
在一种可能的实施方案中，防脱部件被配置为沿封装层的周向排列的连续结构；
或者，防脱部件被配置为沿封装层的周向排列的离散结构；
或者，防脱部件设置在该LED封装体的每个对角处；
或者，防脱部件设置在该LED封装体的相对两侧。
在一种可能的实施方案中，封装层在LED芯片正上方具有第一厚度，在远离LED芯片的非固晶区具有第二厚度，其中，第一厚度不大于300μm，第二厚度不大于250μm。
在一种可能的实施方案中，LED芯片的发光波长小于385nm，封装层的材料为含氟树脂。
与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
1)本申请通过在非固晶区的封装层上设置防脱部件，利用防脱部件固定封装层，防止封装层从封装基板上脱落。同时，也能够提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性。
2)本申请使位于非固晶区的封装层夹在防脱部件与封装基板中间，提高了防脱部件和封装基板对封装层的作用力，防止封装层从封装基板上脱落。同时，也能够提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性。
3)本申请中将防脱部件设在封装层的外围，以将封装层与外界环境接触的侧面与外界环境隔绝，减小了水汽渗入至LED封装体内部的可能性，进而提高LED封装体的可靠性。
4)本申请中在封装基板的非固晶区上设置凹槽，使该凹槽与防脱部件的连接部形成榫卯结构，能够进一步增强防脱部件对封装层的作用力，防止封装层从封装基板上脱落，提高LED封装体的可靠性。
5)本申请中将防脱部件配置为：防脱部件的上表面封装高度不大于封装层位于非固晶区部分的最大高度，保证防脱部件不影响LED封装体的侧壁出光。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图2为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图3为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图4为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图5为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图6为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图7为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图8为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图9为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图10为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图11为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图12为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图13为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图14为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图15为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图16为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的截面示意图；
图17为图1中所示的LED封装体的A区域的示意图；
图18为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的俯视图；
图19为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的俯视图；
图20为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的俯视图；
图21为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的俯视图；
图22为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的俯视图；
图23为根据本申请实施例示出的一种LED封装体的俯视图。
图示说明：
100封装基板；110导通孔；120封装基板的上表面；200金属层；210固晶区；211第一电极；212第二电极；220非固晶区；230隔离槽；240凹槽；300封装层；400防脱部件；410搭接部；420连接部；500焊盘；600LED芯片；700粘接层。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
根据本申请的一个方面，提供了一种LED封装体。参见图1～图16，该LED封装体包括封装基板100、LED芯片600、封装层300和防脱部件400。封装基板100具有相对的上表面和下表面，其中，上表面120配置有固晶区210和非固晶区220；LED芯片600设置在封装基板100的固晶区210上。封装层300设置在封装基板100的固晶区210和非固晶区220上，LED芯片600被封装在封装基板100和封装层300之间；封装层300远离封装基板100的一侧表面为该封装层300的上表面。防脱部件400设置在封装基板100的非固晶区220上，且防脱部件400自封装层300的上表面向下延伸至封装基板100上并固定住封装层300。
其中，封装层300在LED芯片600上方具有第一厚度L1，第一厚度L1不大于300μm，优选地，L1介于150～250μm。封装层300在远离LED芯片600的非固晶区220具有第二厚度L2，厚度L2不大于250μm，优选为L2介于100～150μm。
其中，防脱部件400自封装层300的上表面向下延伸至封装基板100上包括：延伸至封装层300的内部、延伸至非固晶区220的上表面、非固晶区220的内部、封装基板100的上表面120或内部。
下面以LED封装体的具体实施结构说明：
实施例1
参见图1，该LED封装体包括封装基板100、LED芯片600、封装层300和防脱部件400。封装基板100的上表面120包括图形化的金属层200，该金属层200包括固晶区210及位于固晶区210之外的非固晶区220，该非固晶区220与固晶区210之间设有隔离槽230，该隔离槽230用于将固晶区210与非固晶区220电性隔离。LED芯片600设置在固晶区210上。封装层300覆盖LED芯片600的上表面、侧壁及金属层200除LED芯片600之外的区域的上表面。防脱部件400设置在非固晶区220；防脱部件400包括搭接部410和连接部420，搭接部410搭设在封装层300的上表面上，连接部420穿设封装层300并延伸非固晶区220的上表面，以连接搭接部410与非固晶区220。金属层200的厚度为20～200μm，在本实施例中，金属层200的厚度优选为50μm。
在一种实施方式中，参见图1，防脱部件400呈T型。搭接部410的宽度D1不小于200μm；连接部420的宽度D2不小于100μm；搭接部410与LED芯片600的最小间距D3不小于100μm。封装层300位于非固晶区220的部分配置有开口结构，防脱部件400的连接部420穿过该开口结构并延伸至非固晶区220的上表面，以连接搭接部410与非固晶区220。
其中，搭接部410的上表面高于封装层300位于非固晶区220部分的上表面，即防脱部件400的上表面封装高度大于封装层300位于非固晶区220部分的高度。该高度差为搭接部410的厚度。搭接部410的厚度介于150μm～550μm。较佳地，搭接部410的厚度介于300～550μm。通过调节搭接部410的厚度，能够有效调节LED封装体侧壁的出光角度，使得LED封装体侧壁的出光角度介于120°～150°。
在一种实施方式，防脱部件400的搭接部410与封装基板100的边缘对齐设置，或者，防脱部件400的搭接部410与封装基板100的边缘错位设置。
作为可替换的实施方式，参见图2，搭接部410自封装层300的上表面延伸至封装基板100的下表面。将封装层300和封装基板100均限制在防脱部件400形成的夹紧空间内，在提高封装层300与封装基板100之间的作用力的基础上，能够将封装层300与外界环境接触的侧面与外界环境隔绝，减小水汽渗入至LED封装体内部的可能性，并提高LED封装体的可靠性。
作为可替换的实施方式，搭接部410自封装层300的上表面延伸至封装基板100的部分侧壁或全部侧壁。
作为可替换的实施方式，连接部420延伸至封装层300的内部。
在一种实施方式中，防脱部件400的制备材料为硅胶或环氧树脂等有机胶材、金属或陶瓷。当防脱部件400的制备材料为金属或陶瓷时，防脱部件400的连接部420还设有粘接层700(图17)，该粘接层700用于连接该连接部420与封装基板100上的非固晶区220。粘接层700的制备材料为硅胶或环氧树脂等有机胶材、锡膏或纳米银胶。通过设置防脱部件400及粘接层700，使得防脱部件400通过有机胶材与非固晶区220连接，进而使得防脱部件400与非固晶区220连接处的粘附力大于封装层300与非固晶区220连接处的粘附力，防止封装层300从封装基板100上脱落，提高该LED封装体的气密性，进而提高LED封装体的可靠性。
在一种实施方式中，参见图18，防脱部件400被配置为沿封装层300的周向排列的连续结构，即防脱部件400为环绕封装层300的环状结构。作为可替换的实施方式，参见图19，防脱部件400的搭接部与封装基板100的边缘错位设置。
作为可替换的实施方式，参见图20，防脱部件400被配置为沿封装层300的周向排列的离散结构。沿封装层300的周向设置多个防脱部件400，多个防脱部件400沿封装层300的周向等间距排列，多个防脱部件400构成一个环绕封装层300的虚拟环形结构。
作为可替换的实施方式，参见图21，防脱部件400设置在LED封装体的每个对角处。参见图22，在LED芯片600的对角与LED封装体的对角位置不同的情况下，除了在LED封装体的每个对角设置防脱部件400，还需在LED芯片600的对角位置设置防脱部件400。
作为可替换的实施方式，参见图23，防脱部件400设置在该LED封装体的相对两侧。
在一种实施方式中，封装基板100包括陶瓷封装基板、硅封装基板、铝封装基板等封装基板，优选地，封装基板100为陶瓷封装基板。
在一种实施方式中，LED芯片600为紫外LED芯片，其中，紫外LED芯片的发光波长小于385nm。封装层300的材料为含氟树脂。
在一种实施方式中，参见图1，固晶区210包括分隔设置的第一电极211和第二电极212；其中，第一电极211与LED芯片600中的第一导电层连接，第二电极212与LED芯片600中的第二导电层连接。第一电极211的极性由与其连接的第一导电层的极性来决定，第二电极212的极性由与其连接的第二导电层的极性来决定。第一电极211和第二电极212之间留有缝隙，该缝隙及隔离槽230由封装层300填充。
在一种实施方式中，参见图1，封装基板100的下表面设有焊盘500；封装基板100设有自其上表面延伸至下表面的导通孔110，该导通孔110用于实现LED芯片600与焊盘500的连接。导通孔110包括多个位于第一电极211的第一导通孔和多个位于第二电极212的第二导通孔，第一导通孔和第二导通孔的数量相同，且对称布置。
焊盘500包括第一焊盘和第二焊盘，LED芯片600中的第一导电层与第一焊盘电连接，第二导电层与第二焊盘电连接。
由以上的技术方案可知，本实施例在封装基板100的非固晶区220上设置防脱部件400，提高了防脱部件400和封装基板100对封装层300的作用力，以增强封装层300和封装基板100之间的作用力，减小封装层300与封装基板100之间产生间隙的可能性，防止封装层300从封装基板100上脱落。同时，也能够提高该LED封装体的气密性，避免水汽由封装层300与封装基板100之间产生的间隙渗入至LED封装体的内部，提高了LED封装体的可靠性。
实施例2
本实施例与实施例1具有多个相同的特征，本实施例与实施例1的区别在于：封装基板100的非固晶区220上具有凹槽240，防脱部件400的连接部420延伸至凹槽240内。在这里，对于相同的特征就不再一一叙述，仅对区别进行叙述。
参见图3～图7，封装基板100的非固晶区220上具有凹槽240，防脱部件400的连接部420延伸至凹槽240内。
金属层200在非固晶区220上还配置有凹槽240，防脱部件400的连接部420延伸至该凹槽240。该凹槽240与连接部420形成榫卯结构，能够进一步增强防脱部件400对封装层300的作用力，防止封装层300从封装基板100上脱落，并提高LED封装体的气密性，减小水汽渗入至LED封装体内部的路径，提高LED封装体的可靠性。
在一种实施方式中，参见图3～图5，该凹槽240的深度不大于金属层200的厚度。凹槽240的截面形状为三角形或矩形等多边形、弧形或倒T形。需要说明的是，凹槽240的截面形状并不仅限于上述的多边形、弧形及倒T型，根据上述结构做出适当变形，也属于本申请所保护的范围。
在一种实施方式中，当防脱部件400的制备材料为有机胶材或陶瓷时，参见图6，凹槽240的深度与金属层200的厚度相同，即凹槽240延伸至封装基板100的上表面；或者，参见图7，凹槽240的深度大于金属层200的厚度，即凹槽240延伸至封装基板100的内部。
在一种实施方式中，若防脱部件400被配置为沿封装层300的周向排列的连续结构，则该凹槽240为连续的环状结构。若防脱部件400被配置为沿封装层300的周向排列的离散结构，则沿封装层300的周向设置多个与防脱部件400的位置相对应的凹槽240。若防脱部件400设置在该LED封装体的每个对角处或相对两侧，则封装层300在该LED封装体每个对角或相对两侧的位置设置凹槽240。
由以上的技术方案可知，本实施例在非固晶区220上设置凹槽240，使该凹槽240与防脱部件400的连接部420形成榫卯结构，能够进一步增强防脱部件400对封装层300的作用力，防止封装层300从封装基板100上脱落，进而提高LED封装体的可靠性。
实施例3
本实施例与实施例1或实施例2具有多个相同的特征，本实施例与实施例1或实施例2的区别在于：防脱部件400呈倒L型。在这里，对于相同的特征就不再一一叙述，仅对区别进行叙述。
参见图8～图10，防脱部件400呈倒L型。搭接部410的宽度D1不小于150μm；连接部420的宽度D2不小于100μm。
在一种实施方式中，参见图8～图9，封装层300的宽度小于封装基板100的宽度。防脱部件400设在封装层300的外围并与封装层300的边缘接触。在封装层300的外围设置防脱部件400，防脱部件400包覆封装层300的侧壁，将封装层300与外界环境接触的侧面与外界环境隔绝，减小了水汽渗入至LED封装体内部的可能性。
在一种实施方式中，参见图10，封装层300位于非固晶区220的部分配置有开口结构，防脱部件400的连接部420穿过该开口结构并延伸至非固晶区220的上表面，以连接搭接部410与非固晶区220。
需要说明的是，本实施例仅通过图9显示了凹槽240的截面形状为矩形的情况，在凹槽240的截面形状为三角形等多边形、弧形或倒T形时，也属于本实施例所保护的范围。
实施例4
本实施例与实施例1～实施例3具有多个相同的特征，本实施例与实施例1～实施例3的区别在于：防脱部件400的搭接部410的上表面与封装层300位于非固晶区220部分的上表面对齐。在这里，对于相同的特征就不再一一叙述，仅对区别进行叙述。
参见图11～图13，防脱部件400的搭接部410的上表面与封装层300位于非固晶区220部分的上表面对齐，即防脱部件400的上表面封装高度等于封装层300位于非固晶区220部分的最大高度。
在一种实施方式中，参见图11～图12，封装基板100上的部分非固晶区220和封装层300位于非固晶区220的部分被配置为台阶结构，防脱部件400被配置在该台阶结构的外围，搭接部410搭设在该台阶结构的上表面。封装基板100上的非固晶区220处的台阶结构的高度差H1、封装层300处台阶结构的高度差H2均与搭接部410的厚度H3相等。其中，搭接部410的厚度介于150μm～250μm。防脱部件400的上表面封装高度并未超出封装层300位于非固晶区220部分的最大高度，能在保证封装层300与封装基板100之间的作用力及气密性的情况下，保证防脱部件400不影响LED封装体的侧壁出光。
作为可替换的实施方式，参见图13，防脱部件400被配置在该台阶结构的台阶处，防脱部件400的搭接部410搭设在该台阶的上表面，连接部420穿设于该台阶处的封装层300以连接搭接部410与封装基板100上的非固晶区220。
需要说明的是，本实施例仅通过图12显示了凹槽240的截面形状为矩形的情况，在凹槽240的截面形状为三角形等多边形、弧形或倒T形时，也属于本实施例所保护的范围。
由以上的技术方案可知，本实施例将防脱部件400配置为：防脱部件400的上表面封装高度等于封装层300位于非固晶区220部分的最大高度，能在保证封装层300与封装基板100之间的作用力及气密性的情况下，保证防脱部件400不影响LED封装体的出光。
实施例5
本实施例与实施例4具有多个相同的特征，本实施例与实施例4的区别在于：防脱部件400的搭接部410的上表面低于封装层300位于非固晶区220部分的上表面。在这里，对于相同的特征就不再一一叙述，仅对区别进行叙述。
参见图14～图16，防脱部件400的搭接部410的上表面低于封装层300位于非固晶区220部分的上表面，即防脱部件400的上表面封装高度小于封装层300位于非固晶区220部分的最大高度。其中，封装基板100上的非固晶区220处的台阶结构的高度差H1、封装层300处台阶结构的高度差H2均大于搭接部410的厚度H3。
在一种实施方式中，参见图14～图15，防脱部件400被配置在台阶结构的外围，搭接部410搭设在该台阶结构的上表面。
作为可替换的实施方式，参见图16，防脱部件400被配置在台阶结构的台阶处，防脱部件400的搭接部410搭设在该台阶的上表面，连接部420穿设于该台阶处的封装层300以连接搭接部410与封装基板100上表面的非固晶区220。
需要说明的是，本实施例仅通过图15显示了凹槽240的截面形状为矩形的情况，在凹槽240的截面形状为三角形等多边形、弧形或倒T形时，也属于本实施例所保护的范围。
由以上的技术方案可知，本实施例将防脱部件400配置为：防脱部件400的上表面封装高度小于封装层300位于非固晶区220部分的最大高度，能在保证封装层300与封装基板100之间的作用力及气密性的情况下，保证防脱部件400不影响LED封装体的出光。
与现有技术相比，本申请取得的有益效果如下：
1)通过在非固晶区220的封装层300上设置防脱部件400，利用防脱部件400固定封装层300，防止封装层300从封装基板100上脱落。同时，也能够提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性。
2)使位于非固晶区220的封装层300夹在防脱部件400与封装基板100中间，提高了防脱部件400和封装基板100对封装层300的作用力，防止封装层300从封装基板100上脱落。同时，也能够提高LED封装体的气密性，避免水汽渗入至LED封装体的内部，进而提高LED封装体的可靠性
3)将防脱部件400设在封装层的外围，以将封装层300与外界环境接触的侧面与外界环境隔绝，减小了水汽渗入至LED封装体内部的可能性，进而提高LED封装体的可靠性。
4)在封装基板100的非固晶区220上设置凹槽240，使该凹槽240与防脱部件400的连接部420形成榫卯结构，能够进一步增强防脱部件400对封装层300的作用力，防止封装层300从封装基板100上脱落，进而提高LED封装体的可靠性。
5)将防脱部件400配置为：防脱部件400的上表面封装高度不大于封装层300位于非固晶区220部分的最大高度，能够在保证封装层300与封装基板100之间的作用力及气密性的情况下，保证防脱部件400不影响LED封装体的出光。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。
Claims (20)
1.一种LED封装体，其特征在于，包括：
封装基板，具有相对的上表面和下表面，其中，所述上表面包括图形化的金属层，所述金属层配置有固晶区和非固晶区；
LED芯片，设置在所述固晶区上；
封装层，设置在所述固晶区和非固晶区上，所述LED芯片被封装在所述封装基板和所述封装层之间；所述封装层远离所述封装基板的一侧表面为所述封装层的上表面；
防脱部件，设置在所述非固晶区上，且所述防脱部件自所述封装层的上表面向下至少延伸至所述非固晶区的上表面上并固定住所述封装层；所述防脱部件包括搭接部和连接部，所述搭接部搭设在所述封装层的上表面上，所述连接部穿设所述封装层并至少延伸至所述非固晶区的上表面上。
2.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件呈T型；所述封装层位于所述非固晶区的部分配置有开口结构，所述防脱部件的连接部穿过所述开口结构并至少延伸至所述非固晶区的上表面上。
3.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部自所述封装层的上表面延伸至所述封装基板的部分侧壁。
4.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部自所述封装层的上表面延伸至所述封装基板的下表面。
5.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的宽度D1不小于200μm。
6.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述连接部的宽度D2不小于100μm。
7.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部与LED芯片的最小间距D3不小于100μm。
8.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件呈倒L型，所述防脱部件设在所述封装层的外围。
9.根据权利要求8所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的宽度D1不小于150μm。
10.根据权利要求8所述的LED封装体，其特征在于，所述连接部的宽度D2不小于100μm。
11.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的上表面高于所述封装层位于非固晶区部分的上表面；所述搭接部的厚度介于150μm～550μm。
12.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述搭接部的上表面与所述封装层位于非固晶区部分的上表面对齐，或所述搭接部的上表面低于所述封装层位于非固晶区部分的上表面。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的LED封装体，其特征在于，所述封装基板上的部分非固晶区被配置为台阶结构。
14.根据权利要求1～12中任一项所述的LED封装体，其特征在于，所述非固晶区具有凹槽，所述防脱部件的连接部延伸至所述凹槽内。
15.根据权利要求14所述的LED封装体，其特征在于，所述凹槽延伸至所述封装基板的上表面或所述封装基板的内部。
16.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件的制备材料包括金属、陶瓷或有机胶材。
17.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括粘接层，其设置于所述防脱部件的连接部与所述封装基板上的非固晶区之间，用于连接所述连接部与所述封装基板。
18.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述防脱部件被配置为沿所述封装层的周向排列的连续结构；
或者，所述防脱部件被配置为沿所述封装层的周向排列的离散结构；
或者，所述防脱部件设置在所述LED封装体的每个对角处；
或者，所述防脱部件设置在所述LED封装体的相对两侧。
19.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述封装层在所述LED芯片正上方具有第一厚度，在远离所述LED芯片的非固晶区具有第二厚度，其中，第一厚度不大于300μm，第二厚度不大于250μm。
20.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述LED芯片的发光波长小于385nm，所述封装层的材料为含氟树脂。
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