CN112635514A - 一种柔性Micro LED显示屏及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种柔性MicroLED显示屏及其封装方法。所述显示屏包括：层叠设置的衬底、包括多个芯片组的芯片单元、包括多个像素组的像素单元、包括多个彩膜组的彩膜单元和封装层；芯片组包括三个蓝光MicroLED芯片；像素组包括白色子像素单元、有绿色量子点的绿色子像素单元和有红色量子点的红色子像素单元；彩膜组包括蓝色、绿色和红色彩膜；第一蓝光MicroLED芯片、白色子像素单元和蓝色彩膜层叠设置；第二蓝光MicroLED芯片、绿色子像素单元和绿色彩膜层叠设置；第三蓝光MicroLED芯片、红色子像素单元和红色彩膜层叠设置。本发明能够降低工艺难度、节约成本和提高显示色域。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性Micro LED显示屏及其封装方法。
背景技术
在显示领域，柔性显示一直以来都是研究者的研究方向，有机发光二极管显示器由于其特有的有机性质和简单的显示器结构使得柔性显示变得可行，随着显示技术的不断发展，Micro LED在显示技术领域崭露头角，由于其高亮度、高对比度、长寿命、在极端环境中的高稳定性和低功耗节能优势而被认为是用于柔性显示器的未来技术。
但是现有彩色化技术中，红绿蓝三色LED芯片方案需要将数以万计的LED芯片转移到驱动背板上，实现难度较大，成本较高。
发明内容
本发明的目的是提供一种柔性Micro LED显示屏及其封装方法，能够降低工艺难度、节约成本和提高显示色域。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种柔性Micro LED显示屏，包括：
依次层叠设置的衬底、芯片单元、像素单元、彩膜单元和封装层；所述芯片单元包括多个芯片组；所述像素单元包括多个像素组；所述彩膜单元包括多个彩膜组；所述芯片组包括并排设置的第一蓝光Micro LED芯片、第二蓝光Micro LED芯片和第三蓝光Micro LED芯片；所述像素组包括三个子像素单元，分别为白色子像素单元、绿色子像素单元和红色子像素单元；所述绿色子像素单元中含有绿色量子点，所述红色子像素单元含有红色量子点；所述彩膜组包括三个彩膜，分别为蓝色彩膜、绿色彩膜和红色彩膜；
所述第一蓝光Micro LED芯片、所述白色子像素单元和所述蓝色彩膜依次层叠设置；所述第二蓝光Micro LED芯片、所述绿色子像素单元和所述绿色彩膜依次层叠设置；所述第三蓝光Micro LED芯片、所述红色子像素单元和所述红色彩膜依次层叠设置。
可选的，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：第一黑色矩阵；所述第一黑色矩阵设置在相邻子像素单元之间。
可选的，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：第二黑色矩阵；所述第二黑色矩阵设置在相邻彩膜之间。
可选的，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：平坦层，所述平坦层设置在所述芯片单元与所述像素单元之间。
可选的，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：保护层，所述保护层设置在所述彩膜单元与所述封装层之间。
可选的，所述绿色量子点的材料为钙钛矿量子点材料和/或磷化铟量子点材料。
可选的，所述红色量子点的材料为钙钛矿量子点材料和/或磷化铟量子点材料。
一种柔性Micro LED显示屏的封装方法，应用于上述所述的柔性Micro LED显示屏，所述方法包括：
在衬底上设置多个芯片组；所述芯片组包括并排设置的第一蓝光Micro LED芯片、第二蓝光Micro LED芯片和第三蓝光Micro LED芯片；
在所述第一蓝光Micro LED芯片上设置白色子像素单元，在所述第二蓝光MicroLED芯片上设置绿色子像素单元，在所述第三蓝光Micro LED芯片上设置红色子像素单元，并通过光刻工艺分别对所述白色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述红色子像素单元进行图案化，形成像素单元；
通过打印工艺在所述绿色子像素单元中打印绿色量子点，在所述红色子像素单元中打印红色量子点；
在所述白色子像素单元上形成蓝色彩膜，在所述绿色子像素单元上形成绿色彩膜，在所述红色子像素单元上形成红色彩膜，并通过光刻工艺分别对所述蓝色彩膜、所述绿色彩膜和所述红色彩膜进行图案化，形成彩膜层；
在所述彩膜层上设置封装层形成柔性Micro LED显示屏。
可选的，在所述形成像素单元之前，还包括：
通过打印工艺在相邻蓝光Micro LED芯片的间隙内设置UV胶形成基板；
在所述基板的上表面设置平坦层。
可选的，在所述彩膜层上设置封装层形成柔性Micro LED显示屏，具体包括：
在所述彩膜层上设置保护层；
在所述保护层上涂覆光学胶；
在所述光学胶上设置所述封装层形成柔性Micro LED显示屏。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：本发明采用蓝光Micro LED芯片与量子点实现彩色化，用红色量子点代替红光芯片，用绿色量子点代替绿光芯片，降低工艺难度、节约成本和提高显示色域。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的Micro LED显示屏的剖面图；
图2为本发明实施例提供的蓝光Micro LED芯片周围制作UV胶后的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的蓝光Micro LED芯片上制作平坦层后的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的平坦层上制作像素单元后的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的像素单元上制作彩膜单元后的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的彩膜单元上制作保护层后的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的保护层上制作光学胶后的结构示意图。
符号说明：
100-基板、200-UV胶、300-平坦层、400-像素单元、410-白色子像素单元、420-绿色子像素单元、430-红色子像素单元、440-第一黑矩阵、500-彩膜单元、510-蓝色彩膜、520-绿色彩膜、530-红色彩膜、540-第二黑矩阵、600-保护层、700-光学胶、800-封装层、900-蓝光Micro LED芯片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，本实施例提供了一种柔性Micro LED显示屏，包括：依次层叠设置的衬底、芯片单元、像素单元400、彩膜单元500和封装层800；衬底和芯片单元组成基板100，所述芯片单元包括多个芯片组；所述像素单元400包括多个像素组；所述彩膜单元500包括多个彩膜组；所述芯片组包括并排设置的三个蓝光Micro LED芯片900，分别为第一蓝光MicroLED芯片、第二蓝光Micro LED芯片和第三蓝光Micro LED芯片；所述像素组包括三个子像素单元，分别为白色子像素单元410、绿色子像素单元420和红色子像素单元430；所述绿色子像素单元420中含有绿色量子点，所述红色子像素单元430含有红色量子点；所述彩膜组包括三个彩膜，分别为蓝色彩膜510、绿色彩膜520和红色彩膜530；所述第一蓝光Micro LED芯片、所述白色子像素单元410和所述蓝色彩膜510依次层叠设置；所述第二蓝光Micro LED芯片、所述绿色子像素单元420和所述绿色彩膜520依次层叠设置；所述第三蓝光Micro LED芯片、所述红色子像素单元430和所述红色彩膜530依次层叠设置。
作为一种可选的实施方式，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：第一黑色矩阵440；所述第一黑色矩阵440设置在相邻子像素单元之间。
作为一种可选的实施方式，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：第二黑色矩阵540；所述第二黑色矩阵540设置在相邻彩膜之间。
作为一种可选的实施方式，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：平坦层300，所述平坦层300设置在所述芯片单元与所述像素单元400之间。
作为一种可选的实施方式，所述柔性Micro LED显示屏，还包括：保护层600，所述保护层600设置在所述彩膜单元500与所述封装层800之间。
作为一种可选的实施方式，所述绿色量子点的材料为钙钛矿量子点材料和/或磷化铟量子点材料。
作为一种可选的实施方式，所述红色量子点的材料为钙钛矿量子点材料和/或磷化铟量子点材料。
本发明还提供了一种柔性Micro LED显示屏的封装方法，应用于上述实施例中的柔性Micro LED显示屏，所述方法包括：
在衬底上设置多个芯片组；所述芯片组包括并排设置的第一蓝光Micro LED芯片、第二蓝光Micro LED芯片和第三蓝光Micro LED芯片。
在所述第一蓝光Micro LED芯片上设置白色子像素单元410，在所述第二蓝光Micro LED芯片上设置绿色子像素单元420，在所述第三蓝光Micro LED芯片上设置红色子像素单元430，并通过光刻工艺分别对所述白色子像素单元410、所述绿色子像素单元420和所述红色子像素单元430进行图案化，形成像素单元400，光刻工艺可以为镀膜、匀胶、光刻、显影、腐蚀、去胶等。
通过打印工艺在所述绿色子像素单元420中打印绿色量子点，用于吸收蓝光并激发出绿光，在所述红色子像素单元430中打印红色量子点，用于吸收蓝光并激发出红光；白色子像素单元410中不设置量子点，蓝光直接经过所述白色子像素单元410而发出蓝光，所述量子点材料可以为钙钛矿量子点材料和/或者为磷化铟量子点材料。
在所述白色子像素单元410上形成蓝色彩膜510，在所述绿色子像素单元420上形成绿色彩膜520，在所述红色子像素单元430上形成红色彩膜530，并通过光刻工艺分别对所述蓝色彩膜510、所述绿色彩膜520和所述红色彩膜530进行图案化，形成彩膜层，光刻工艺可以为镀膜、匀胶、光刻、显影、腐蚀、去胶等。
在所述彩膜层上设置封装层800形成柔性Micro LED显示器，封装层可以为PI等柔性有机材料。
在实际应用中，在所述形成像素单元400之前，还包括：
通过打印工艺在相邻蓝光Micro LED芯片900的间隙内设置UV胶200形成基板100，并同时通过紫外光照射将UV胶200固化；结果如图2所示。
在所述基板100的上表面设置平坦层300，结果如图3所示，该平坦层300可以为氮化硅、氮氧化硅或氧化硅等无机层，也可以为环氧树脂、亚克力树脂、有机硅树脂等有机层，还可以为有机/无机交叠膜层，提高平整度的同时起到保护芯片的作用。
在实际应用中，在白色子像素单元410、绿色子像素单元420和红色子像素单元430中的任意两者之间设置第一黑色矩阵440，用于隔离相邻子像素单元，防止出现混色，提高显示纯度，结果如图4所示。第一黑色矩阵可以为Cr、Ag、Al等金属及其氧化物，也可以为光刻胶等有机材料，还可以为金属/有机交叠。
在实际应用中，在蓝色彩膜510、绿色彩膜520和红色彩膜530中的任意两者之间设置第二黑色矩阵540，用于隔离相邻彩膜，防止彩膜出现混色，提高显示纯度，结果如图5所示。第二黑色矩阵可以为Cr、Ag、Al等金属及其氧化物，也可以为光刻胶等有机材料，还可以为金属/有机交叠
在实际应用中，在所述彩膜层上设置封装层800形成柔性Micro LED显示屏，具体包括：
在所述彩膜层上设置保护层600，该保护层600可以为氮化硅、氮氧化硅或氧化硅等无机层，也可以为环氧树脂、亚克力树脂、有机硅树脂等有机层，还可以为有机/无机交叠膜层，无机层可以隔绝空气中的水汽和氧气，以保护量子点，有机层不仅可以提高器件表面的平整度，还可以提升器件的抗弯折性能，达到较好的柔性显示效果，结果如图6所示。
在所述保护层600上涂覆光学胶700，用作与封装层800之间的粘合剂，结果如图7所示。
在所述光学胶700上设置所述封装层800形成柔性Micro LED显示屏。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明采用蓝光Micro LED芯片与量子点实现彩色化，用红色量子点代替红光芯片，用绿色量子点代替绿光芯片，降低工艺难度、节约成本和提高显示色域。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种柔性Micro LED显示屏，其特征在于，包括：
依次层叠设置的衬底、芯片单元、像素单元、彩膜单元和封装层；所述芯片单元包括多个芯片组；所述像素单元包括多个像素组；所述彩膜单元包括多个彩膜组；所述芯片组包括并排设置的第一蓝光Micro LED芯片、第二蓝光Micro LED芯片和第三蓝光Micro LED芯片；所述像素组包括三个子像素单元，分别为白色子像素单元、绿色子像素单元和红色子像素单元；所述绿色子像素单元中含有绿色量子点，所述红色子像素单元含有红色量子点；所述彩膜组包括三个彩膜，分别为蓝色彩膜、绿色彩膜和红色彩膜；
所述第一蓝光Micro LED芯片、所述白色子像素单元和所述蓝色彩膜依次层叠设置；所述第二蓝光Micro LED芯片、所述绿色子像素单元和所述绿色彩膜依次层叠设置；所述第三蓝光Micro LED芯片、所述红色子像素单元和所述红色彩膜依次层叠设置。
2.根据权利要求1所述的柔性Micro LED显示屏，其特征在于，还包括：第一黑色矩阵；所述第一黑色矩阵设置在相邻子像素单元之间。
3.根据权利要求1所述的柔性Micro LED显示屏，其特征在于，还包括：第二黑色矩阵；所述第二黑色矩阵设置在相邻彩膜之间。
4.根据权利要求1所述的柔性Micro LED显示屏，其特征在于，还包括：平坦层，所述平坦层设置在所述芯片单元与所述像素单元之间。
5.根据权利要求1所述的柔性Micro LED显示屏，其特征在于，还包括：保护层，所述保护层设置在所述彩膜单元与所述封装层之间。
6.根据权利要求1所述的柔性Micro LED显示屏，其特征在于，所述绿色量子点的材料为钙钛矿量子点材料和/或磷化铟量子点材料。
7.根据权利要求1所述的柔性Micro LED显示屏，其特征在于，所述红色量子点的材料为钙钛矿量子点材料和/或磷化铟量子点材料。
8.一种柔性Micro LED显示屏的封装方法，其特征在于，应用于上述权利要求1-7中任意一项所述的柔性Micro LED显示屏，所述方法包括：
在衬底上设置多个芯片组；所述芯片组包括并排设置的第一蓝光Micro LED芯片、第二蓝光Micro LED芯片和第三蓝光Micro LED芯片；
在所述第一蓝光Micro LED芯片上设置白色子像素单元，在所述第二蓝光Micro LED芯片上设置绿色子像素单元，在所述第三蓝光Micro LED芯片上设置红色子像素单元，并通过光刻工艺分别对所述白色子像素单元、所述绿色子像素单元和所述红色子像素单元进行图案化，形成像素单元；
通过打印工艺在所述绿色子像素单元中打印绿色量子点，在所述红色子像素单元中打印红色量子点；
在所述白色子像素单元上形成蓝色彩膜，在所述绿色子像素单元上形成绿色彩膜，在所述红色子像素单元上形成红色彩膜，并通过光刻工艺分别对所述蓝色彩膜、所述绿色彩膜和所述红色彩膜进行图案化，形成彩膜层；
在所述彩膜层上设置封装层形成柔性Micro LED显示屏。
9.根据权利要求8所述的柔性Micro LED显示屏的封装方法，其特征在于，在所述形成像素单元之前，还包括：
通过打印工艺在相邻蓝光Micro LED芯片的间隙内设置UV胶形成基板；
在所述基板的上表面设置平坦层。
10.根据权利要求8所述的柔性Micro LED显示屏的封装方法，其特征在于，在所述彩膜层上设置封装层形成柔性Micro LED显示屏，具体包括：
在所述彩膜层上设置保护层；
在所述保护层上涂覆光学胶；
在所述光学胶上设置所述封装层形成柔性Micro LED显示屏。
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Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105204103A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩色滤光片及液晶显示装置 |
| WO2016204325A1 (ko) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 실리콘 디스플레이 (주) | 광효율을 개선한 액정 디스플레이 |
| CN106773306A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-05-31 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种封装有量子点层的显示面板和液晶显示装置 |
| KR20180014334A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 한국생산기술연구원 | 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| KR20180099991A (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-06 | 한국생산기술연구원 | 양자점 인쇄 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| CN108922906A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器 |
| CN109256455A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-22 | 福州大学 | 一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法 |
| US20190214376A1 (en) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20200027928A1 (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Organic light emitting diode display |
| WO2020024839A1 (zh) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种量子点三色led显示屏及其制备方法 |
| CN111028704A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN111508991A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示装置的制作方法 |
| CN111668249A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-09-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112164709A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-01-20 CN CN202110073716.4A patent/CN112635514A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016204325A1 (ko) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 실리콘 디스플레이 (주) | 광효율을 개선한 액정 디스플레이 |
| CN105204103A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩色滤光片及液晶显示装置 |
| KR20180014334A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 한국생산기술연구원 | 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| CN106773306A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-05-31 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种封装有量子点层的显示面板和液晶显示装置 |
| KR20180099991A (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-06 | 한국생산기술연구원 | 양자점 인쇄 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
| US20190214376A1 (en) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20200027928A1 (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Organic light emitting diode display |
| CN108922906A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器 |
| WO2020024839A1 (zh) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种量子点三色led显示屏及其制备方法 |
| CN110783360A (zh) * | 2018-07-31 | 2020-02-11 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种量子点三色led显示屏及其制备方法 |
| CN109256455A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-22 | 福州大学 | 一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法 |
| CN111028704A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN111508991A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示装置的制作方法 |
| CN111668249A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-09-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112164709A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
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