CN112629673A - 红外线感测器的低温高真空封装方法 - Google Patents
红外线感测器的低温高真空封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112629673A CN112629673A CN201910906353.0A CN201910906353A CN112629673A CN 112629673 A CN112629673 A CN 112629673A CN 201910906353 A CN201910906353 A CN 201910906353A CN 112629673 A CN112629673 A CN 112629673A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solder ring
- base
- vacuum
- getter
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 81
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0205—Mechanical elements; Supports for optical elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/068—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling parameters other than temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/48—Thermography; Techniques using wholly visual means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J2005/0077—Imaging
Abstract
本发明揭示一种红外线感测器的低温高真空封装方法，首先，置入一基座、一红外线感测芯片、一焊料环、一光学透视窗、吸气剂与一金属框于一真空回焊炉的真空腔体中，且真空腔体中设有至少一抛光式金属遮板。接着，加热并激活吸气剂，并以抛光式金属遮板区隔真空腔体为一低温空间与一高温空间，使红外线感测芯片与焊料环位于低温空间，吸气剂位于高温空间，以避免高温影响感测芯片。最后，移离抛光式金属遮板，使热流向焊料环，以通过焊料环贴合基座与金属框，在熔解焊料环时，利用焊料环焊接基座于金属框上，使凹槽中的空间呈高真空状态。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装方法，且特别关于一种红外线感测器的低温高真空封装方法。
背景技术
随着半导体工业与电子技术的快速进步，红外线感测器的制造技术也日益进步。红外线感测器不仅仅可以利用在医学上，进行体温的测量，更可利用于科学、商业及军事上，如激光侦测、飞弹导向、红外线光谱仪、遥控器、防盗器、热像侦察等用途上。而红外线感测器主要可分为热型(thermal)及光子型(photon)二大类。由于热型红外线感测器在使用上较为方便，一般的应用也较为广泛。
目前热型红外线感测器的结构具有一金属基座，金属基座具有一腔体，腔体中固设有一热电致冷器(TEC)，于热电致冷器的表面上固接有一红外线感测芯片，且于腔体内固设有一吸气剂，在于金属基座上方设有焊料环，以焊料环将一玻璃层固接于金属基座上。红外线感测器在运用时，外部的热源辐射，即红外线通过玻璃层进入于腔体中，热源辐射将被红外线感测芯片感测以输出清晰的图像。以吸气剂使该腔体保一真空度状态，并以热电致冷器吸取红外线感测芯片工作时所产生的热源，使红外线感测芯片能正常工作。由于上述的红外线感测器的吸气剂与红外感测芯片在金属基座同一侧，吸气剂激活需要在高温环境下，即摄氏300度以上，这导致红外感测芯片无法承受这样的高温，而失去感测温度的功效。
因此，本发明是在针对上述的困扰，提出一种红外线感测器的低温高真空封装方法，以解决现有所产生的问题。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种红外线感测器的低温高真空封装方法，其系加热并激活吸气剂，并以抛光式金属遮板反射热能，以区隔真空腔体为一低温空间与一高温空间，使红外线感测芯片与焊料环位于低温空间，吸气剂位于高温空间，以避免高温影响红外线感测芯片，也避免提前熔解焊料环。
为达上述目的，本发明提供一种红外线感测器的低温高真空封装方法，首先，置入一基座、一红外线感测芯片、一焊料环、一光学透视窗、吸气剂(getter)与一金属框于一真空回焊炉的真空腔体中，基座的底部具有一凹槽及环绕凹槽的凸垣，红外线感测芯片设于凹槽中，焊料环设于凸垣上，金属框与吸气剂设于光学透视窗的顶面，金属框环绕吸气剂，真空腔体中设有一加热器与至少一抛光式金属遮板，基座、焊料环、抛光式金属遮板、金属框、光学透视窗与加热器的高度由上而下设置，焊料环、红外线感测芯片、抛光式金属遮板与吸气剂都位于加热器的正上方。接着，驱动加热器，以利用该加热器对吸气剂加热，进而激活吸气剂，并以抛光式金属遮板阻挡并反射加热器产生的热，以区隔真空腔体为一低温空间与一高温空间，且基座、红外线感测芯片与焊料环位于低温空间，光学透视窗、吸气剂与金属框位于高温空间。再来，移离抛光式金属遮板，使热垂直往上流向焊料环。最后，移降基座、红外线感测芯片与焊料环，以通过焊料环贴合基座与金属框，在热熔解焊料环时，利用焊料环焊接基座于金属框上，使凹槽中的空间呈高真空状态。
在本发明的一实施例中，抛光式金属遮板的材质为不锈钢。
在本发明的一实施例中，抛光式金属遮板的底面朝向吸气剂，底面为抛光面。
在本发明的一实施例中，抛光面的粗糙度(Ra,arithmetic mean deviation)为0.05-4微米(μm)。
在本发明的一实施例中，高温空间的温度为摄氏350-400度。
在本发明的一实施例中，低温空间的温度小于焊料环的熔点。
在本发明的一实施例中，真空腔体容置一重块、一第一支撑板、一第二支撑板、一第三支撑板、复数个第一支撑架、复数个第二支撑架、复数个第三支撑架与至少一旋转机构，重块位于基座的正上方，第一支撑板具有贯穿自身的一第一安装孔，第一支撑板的底部往第一安装孔延伸以形成一第一阻挡部，重块活动式位于第一阻挡部上，并穿透第一安装孔，第一支撑板通过第一支撑架设于真空腔体的底部，并通过第一支撑架连结一升降驱动器，第二支撑板具有贯穿自身的一第二安装孔，第二支撑板的底部往第二安装孔延伸以形成一第二阻挡部，基座位于第二阻挡部上，且焊料环从第二安装孔露出，第二支撑板通过第二支撑架设于真空腔体的底部，并通过第二支撑架连结升降驱动器，基座、红外线感测芯片与焊料环利用第二支撑板、第二支撑架与升降驱动器移动，第三支撑板具有贯穿自身的一第三安装孔，第三支撑板的底部往第三安装孔延伸以形成一第三阻挡部，光学透视窗位于第三阻挡部上，第三支撑板通过第三支撑架设于真空腔体的底部，抛光式金属遮板通过旋转机构设于真空腔体的底部，并通过旋转机构连结一旋转驱动器，抛光式金属遮板利用旋转机构移动。
在本发明的一实施例中，在利用焊料环焊接基座于金属框上，使凹槽中的空间呈高真空状态的步骤中，利用升降驱动器、第一支撑架与第一支撑板移降重块，将重块压于基座上，以利用焊料环焊接基座于金属框上，使凹槽中的空间呈高真空状态。
在本发明的一实施例中，抛光式金属遮板为复数个，旋转机构为复数个。
在本发明的一实施例中，基座为陶瓷基座，光学透视窗为锗晶圆或硅晶圆。
综上所述，本发明加热并激活吸气剂，并以抛光式金属遮板反射热能，以区隔真空腔体为一低温空间与一高温空间，使红外线感测芯片与焊料环位于低温空间，吸气剂位于高温空间，以避免高温影响红外线感测芯片，也避免提前熔解焊料环。
兹为使对本发明的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明，说明如后。
附图说明
图1为本发明的红外线感测器的低温高真空封装方法的一实施例的流程图。
图2至图4为本发明的红外线感测器的低温高真空封装方法的一实施例的各步骤结构示意图。
图5为本发明的准备红外线感测器的各元件的一实施例的流程图。
附图标记说明：10-基座；12-红外线感测芯片；14-焊料环；16-光学透视窗；18-吸气剂；20-增透膜；22-金属框；24-真空回焊炉；26-真空腔体；28-凹槽；30-凸垣；32-加热器；34-抛光式金属遮板；36-重块；38-第一支撑板；40-第二支撑板；42-第三支撑板；44-第一支撑架；46-第二支撑架；48-第三支撑架；50-旋转机构；52-第一安装孔；54-第一阻挡部；56-升降驱动器；58-第二安装孔；60-第二阻挡部；62-第三安装孔；64-第三阻挡部；66-旋转驱动器；68-控制器。
具体实施方式
本发明的实施例将凭借下文配合相关图式进一步加以解说。尽可能的，于图式与说明书中，相同标号系代表相同或相似构件。于图式中，基于简化与方便标示，形状与厚度可能经过夸大表示。可以理解的是，未特别显示于图式中或描述于说明书中的元件，为所属技术领域中具有通常技术者所知的形态。本领域的通常技术者可依据本发明的内容而进行多种的改变与修改。
当一个元件被称为“在……上”时，它可泛指该元件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在于两者之中。相反地，当一个元件被称为直接在另一元件，它是不能有其他元件存在于两者的中间。如本文所用，词汇及/或包含了列出的关联项目中的一个或多个的任何组合。
于下文中关于“一个实施例”或“一实施例”的描述是指关于至少一实施例内所相关连的一特定元件、结构或特征。因此，于下文中多处所出现的“一个实施例”或“一实施例”的多个描述并非针对同一实施例。再者，于一或多个实施例中的特定构件、结构与特征可依照一适当方式而结合。
以下请参阅图1、图2、图3、图4与图5，并介绍本发明的红外线感测器的低温高真空封装方法，首先，如步骤S10与图2所示，置入一基座10、一红外线感测芯片12、一焊料环14、一光学透视窗16、吸气剂(getter)18、一增透膜20与一金属框22于一真空回焊炉24的真空腔体26中，吸气剂18位于金属框22与增透膜20之间，基座10例如为陶瓷基座，光学透视窗16例如为锗晶圆或硅晶圆，金属框22包含钛、镍与金，其中钛、镍与金的比例可为1：1：2或1:4:6。基座10的底部具有一凹槽28及环绕凹槽28的凸垣30。红外线感测芯片12设于凹槽28中，焊料环14设于凸垣30上，金属框22、增透膜20与吸气剂18设于光学透视窗16的顶面，金属框22环绕增透膜20与吸气剂18，真空腔体26中设有一加热器32与至少一抛光式金属遮板34。举例来说，抛光式金属遮板34的材质为不锈钢。基座10、焊料环14、抛光式金属遮板34、金属框22、光学透视窗16与加热器32的高度由上而下设置，焊料环14、红外线感测芯片12、抛光式金属遮板34与吸气剂18都位于加热器32的正上方。抛光式金属遮板34的底面朝向吸气剂18，此底面为抛光面，此抛光面的粗糙度(Ra,arithmetic mean deviation)为0.05-4微米(μm)。
此外，真空腔体26容置一重块36、一第一支撑板38、一第二支撑板40、一第三支撑板42、复数个第一支撑架44、复数个第二支撑架46、复数个第三支撑架48与至少一旋转机构50。在此实施例中，旋转机构50可为复数个，抛光式金属遮板34也可为复数个，所有抛光式金属遮板34分别连结所有旋转机构50。重块36位于基座10的正上方，第一支撑板38具有贯穿自身的一第一安装孔52，第一支撑板38的底部往第一安装孔52延伸以形成一第一阻挡部54，重块36活动式位于第一阻挡部54上，并穿透第一安装孔52，第一支撑板38通过第一支撑架44设于真空腔体26的底部，并通过第一支撑架44连结一升降驱动器56。第二支撑板40具有贯穿自身的一第二安装孔58，第二支撑板40的底部往第二安装孔58延伸以形成一第二阻挡部60，基座10位于第二阻挡部60上，且焊料环14从第二安装孔58露出，第二支撑板40通过第二支撑架46设于真空腔体26的底部，并通过第二支撑架46连结升降驱动器56，基座10、红外线感测芯片12与焊料环14可利用第二支撑板40与升降驱动器56移动。第三支撑板42具有贯穿自身的一第三安装孔62，第三支撑板42的底部往第三安装孔62延伸以形成一第三阻挡部64，光学透视窗16位于第三阻挡部64上，第三支撑板42通过第三支撑架48设于真空腔体26的底部，抛光式金属遮板34通过旋转机构50设于真空腔体26的底部，并通过旋转机构50连结一旋转驱动器66，抛光式金属遮板34可利用旋转机构50移动。升降驱动器56、旋转驱动器66与加热器32都电性连接一控制器68。
接着，如步骤S12与图2所示，控制器68驱动加热器32，以利用加热器32对吸气剂18加热15-30分钟，进而激活吸气剂18至工作状态，并以抛光式金属遮板34阻挡并反射加热器32产生的热，以区隔真空腔体26为一低温空间与一高温空间，且基座10、红外线感测芯片12与焊料环14位于低温空间，光学透视窗16、吸气剂18、增透膜20与金属框22位于高温空间。因为加热器32位于压力为10-7托尔(torr)的真空空间中，所以加热器32产生的热只能垂直往上流动，而不会以其他方向流动。但因为加热器32的正上方有抛光式金属遮板34，且抛光式金属遮板34的抛光面朝向加热器32，当热碰上抛光面时，抛光面会阻挡并反射热，以形成温度为摄氏350-400度的高温空间与温度小于焊料环14的熔点的低温空间，以避免高温影响红外线感测芯片12，也避免提前熔解焊料环14。若热遇上非抛光面，则热很容易通过非抛光面而继续往上流动，如此就不会有低温空间产生而影响到红外线感测芯片12与焊料环14了。
再来，如步骤S14与图3所示，控制器68利用旋转机构50与旋转驱动器66移离抛光式金属遮板34，使热垂直往上流向焊料环14。因为真空腔体26的空间有限，所以抛光式金属遮板34的高度不同，当抛光式金属遮板34移离原本位置时，抛光式金属遮板34会彼此重迭。
最后，如步骤S16与图4所示，控制器68利用升降驱动器56、第二支撑架46与第二支撑板40移降基座10、红外线感测芯片12与焊料环14，以通过焊料环14贴合基座10与金属框22，在热熔解焊料环14时，控制器68利用升降驱动器56、第一支撑架44与第一支撑板38移降重块36，将重块36压于基座10上，以利用焊料环14焊接基座10于金属框22上，使凹槽28中的空间呈高真空状态，以利用基座10、红外线感测芯片12、焊料环14、光学透视窗16、吸气剂(getter)18、增透膜20与金属框22形成红外线感测器，其中此高真空状态的压力为10-3托尔。在步骤S14中，当控制器68利用旋转机构50与旋转驱动器66移离抛光式金属遮板34时，加热器32所产生的热的温度可以先低再高或保持高温，本发明不限于此，只要在步骤S16能够熔解焊料环14即可。
在步骤S10之前可以先准备红外线感测器的各元件，请参阅图2与图5。首先，如步骤S1所示，酸洗基座10，以清洁基座10。接着，如步骤S2所示，安装红外线感测芯片12于凹槽28中，并对红外线感测芯片12进行打线。再来，如步骤S3所示，烘烤基座10与红外线感测芯片12，以干燥基座10与红外线感测芯片12。然后，如步骤S4所示，清洗焊料环14。最后，如步骤S5所示，焊接焊料环14于凸垣30上，并清洗光学透视窗16。在步骤S5后，才进行步骤S10。
综上所述，本发明加热并激活吸气剂，并以抛光式金属遮板反射热能，以区隔真空腔体为一低温空间与一高温空间，使红外线感测芯片与焊料环位于低温空间，吸气剂位于高温空间，以避免高温影响红外线感测芯片，也避免提前熔解焊料环。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于，包含下列步骤：
置入一基座、一红外线感测芯片、一焊料环、一光学透视窗、吸气剂与一金属框于一真空回焊炉的真空腔体中，该基座的底部具有一凹槽及环绕该凹槽的凸垣，该红外线感测芯片设于该凹槽中，该焊料环设于该凸垣上，该金属框与该吸气剂设于该光学透视窗的顶面，该金属框环绕该吸气剂，该真空腔体中设有一加热器与至少一抛光式金属遮板，该基座、该焊料环、该至少一抛光式金属遮板、该金属框、该光学透视窗与该加热器的高度由上而下设置，该焊料环、该红外线感测芯片、该至少一抛光式金属遮板与该吸气剂都位于该加热器的正上方；
驱动该加热器，以利用该加热器对该吸气剂加热，进而激活该吸气剂，并以该至少一抛光式金属遮板阻挡并反射该加热器产生的热，以区隔该真空腔体为一低温空间与一高温空间，且该基座、该红外线感测芯片与该焊料环位于该低温空间，该光学透视窗、该吸气剂与该金属框位于该高温空间；
移离该至少一抛光式金属遮板，使该热垂直往上流向该焊料环；以及
移降该基座、该红外线感测芯片与该焊料环，以通过该焊料环贴合该基座与该金属框，在热熔解该焊料环时，利用该焊料环焊接该基座于该金属框上，使该凹槽中的空间呈高真空状态。
2.如权利要求1所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该至少一抛光式金属遮板的材质为不锈钢。
3.如权利要求1所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该至少一抛光式金属遮板的底面朝向该吸气剂，该底面为抛光面。
4.如权利要求3所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该抛光面的粗糙度为0.05-4微米。
5.如权利要求1所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该高温空间的温度为摄氏350-400度。
6.如权利要求1所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该低温空间的温度小于该焊料环的熔点。
7.如权利要求1所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该真空腔体容置一重块、一第一支撑板、一第二支撑板、一第三支撑板、复数个第一支撑架、复数个第二支撑架、复数个第三支撑架与至少一旋转机构，该重块位于该基座的正上方，该第一支撑板具有贯穿自身的一第一安装孔，该第一支撑板的底部往该第一安装孔延伸以形成一第一阻挡部，该重块活动式位于该第一阻挡部上，并穿透该第一安装孔，该第一支撑板通过该复数个第一支撑架设于该真空腔体的底部，并通过该复数个第一支撑架连结一升降驱动器，该第二支撑板具有贯穿自身的一第二安装孔，该第二支撑板的底部往该第二安装孔延伸以形成一第二阻挡部，该基座位于该第二阻挡部上，且该焊料环从该第二安装孔露出，该第二支撑板通过该复数个第二支撑架设于该真空腔体的该底部，并通过该复数个第二支撑架连结该升降驱动器，该基座、该红外线感测芯片与该焊料环利用该第二支撑板、该复数个第二支撑架与该升降驱动器移动，该第三支撑板具有贯穿自身的一第三安装孔，该第三支撑板的底部往该第三安装孔延伸以形成一第三阻挡部，该光学透视窗位于该第三阻挡部上，该第三支撑板通过该复数个第三支撑架设于该真空腔体的该底部，该至少一抛光式金属遮板通过该至少一旋转机构设于该真空腔体的该底部，并通过该至少一旋转机构连结一旋转驱动器，该至少一抛光式金属遮板利用该至少一旋转机构移动。
8.如权利要求7所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：在利用该焊料环焊接该基座于该金属框上，使该凹槽中的该空间呈该高真空状态的步骤中，利用该升降驱动器、该复数个第一支撑架与该第一支撑板移降该重块，将该重块压于该基座上，以利用该焊料环焊接该基座于该金属框上，使该凹槽中的该空间呈该高真空状态。
9.如权利要求7所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该至少一抛光式金属遮板为复数个，该至少一旋转机构为复数个。
10.如权利要求1所述的红外线感测器的低温高真空封装方法，其特征在于：该基座为陶瓷基座，该光学透视窗为锗晶圆或硅晶圆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910906353.0A CN112629673B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 红外线感测器的低温高真空封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910906353.0A CN112629673B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 红外线感测器的低温高真空封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112629673A true CN112629673A (zh) | 2021-04-09 |
| CN112629673B CN112629673B (zh) | 2021-10-26 |
Family
ID=75282800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910906353.0A Active CN112629673B (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 红外线感测器的低温高真空封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112629673B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010050759A1 (en) * | 1996-11-25 | 2001-12-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| CN201991392U (zh) * | 2011-01-26 | 2011-09-28 | 武汉日新科技股份有限公司 | 强隔热性能的薄膜光伏中空加真空结合构件 |
| CN102368480A (zh) * | 2011-10-09 | 2012-03-07 | 常熟市华海电子有限公司 | 一种耐高温芯片封装结构 |
| CN102956662B (zh) * | 2012-11-22 | 2015-01-28 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种红外焦平面探测器芯片真空密封封装结构及封装方法 |
| CN105444894A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-30 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种非制冷红外探测器的真空封装组件 |
| CN106558653A (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 曜凌光电股份有限公司 | 有机发光二极管及其封装方法 |
-
2019
- 2019-09-24 CN CN201910906353.0A patent/CN112629673B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010050759A1 (en) * | 1996-11-25 | 2001-12-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| CN201991392U (zh) * | 2011-01-26 | 2011-09-28 | 武汉日新科技股份有限公司 | 强隔热性能的薄膜光伏中空加真空结合构件 |
| CN102368480A (zh) * | 2011-10-09 | 2012-03-07 | 常熟市华海电子有限公司 | 一种耐高温芯片封装结构 |
| CN102956662B (zh) * | 2012-11-22 | 2015-01-28 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种红外焦平面探测器芯片真空密封封装结构及封装方法 |
| CN106558653A (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 曜凌光电股份有限公司 | 有机发光二极管及其封装方法 |
| CN105444894A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-30 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种非制冷红外探测器的真空封装组件 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| KIMATA, M: "Vacuum Packaging Technology for Uncooled Infrared Sensor", 《IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING》 * |
| 张云胜: "光读出红外成像芯片真空封装研究", 《传感器与微系统》 * |
| 陈星: "红外焦平面探测器封装结构热应力分析", 《激光与红外》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112629673B (zh) | 2021-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9966320B2 (en) | Wafer level package solder barrier used as vacuum getter | |
| US7164199B2 (en) | Device packages with low stress assembly process | |
| US20160097681A1 (en) | Microbolometer supported by glass substrate | |
| JP5997372B2 (ja) | 基板処理装置及びその動作方法 | |
| CN104838079A (zh) | 通过激光的低温气密密封 | |
| CN102874735B (zh) | 双材料微悬臂梁、电磁辐射探测器以及探测方法 | |
| CN101863449B (zh) | 具有红外线聚焦功能的mems红外传感器的封装方法 | |
| CN112629673B (zh) | 红外线感测器的低温高真空封装方法 | |
| CN210778635U (zh) | 低温高真空封装机台 | |
| CN111356907A (zh) | 热探测器及热探测器阵列 | |
| JPH11326037A (ja) | 赤外線検出器用真空パッケージ及びその製造方法 | |
| US20140267756A1 (en) | Microbolometer supported by glass substrate | |
| CN100411183C (zh) | 红外线图像传感器及其真空封装方法 | |
| KR101259497B1 (ko) | 윈도우 일체형 비냉각형 적외선 검출기 및 그 제조방법 | |
| JP2010210580A (ja) | 放射線検出器 | |
| US6670538B2 (en) | Thermal radiation sensor | |
| TWI692821B (zh) | 紅外線感測器之低溫高真空封裝方法 | |
| JP5500056B2 (ja) | 赤外線センサパッケージおよび該赤外線センサパッケージを搭載した電子機器 | |
| JP2003139616A (ja) | 赤外線検出器及びその製造方法 | |
| KR101529543B1 (ko) | 멤즈 소자의 진공 패키징 방법 | |
| TWM589367U (zh) | 低溫高真空封裝機台 | |
| KR102259257B1 (ko) | 컴포넌트들을 캡슐화하기 위한 방법 및 디바이스 | |
| JPH10115556A (ja) | 赤外線検出器 | |
| CN105895555A (zh) | 用于加工衬底的设备 | |
| TW201910817A (zh) | 在用於成像感測器應用之封裝中晶圓級整合式光學器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |