CN112609243B - 一种硅片处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种硅片处理设备。硅片处理设备包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；电磁控制器设置于反应槽外侧，搅拌加热转子设置于反应槽内，搅拌加热转子的位置对应电磁控制器设置，以通过电磁控制器控制搅拌加热转子；搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，搅拌部包括永磁体，加热部包括金属材料。本发明通过设置电磁控制器和搅拌加热转子，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的搅拌部相配合，实现对于反应槽中反应液的搅拌，通过电磁控制器与搅拌加热转子的加热部相配合，实现对于反应槽中反应液的加热，有助于提高对于反应槽中反应液加热的均匀程度，通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能，也有助于降低设备的成本。

Description

一种硅片处理设备

技术领域

本发明涉及半导体加工检测技术领域，尤其涉及一种硅片处理设备。

背景技术

硅片生产加工过程中的多个步骤中，均需要利用刻蚀工艺对硅片进行处理。相关技术中，通常利用加热管对刻蚀液进行加热，加热较为不均匀，可能影响对于硅片的处理效果。

发明内容

本发明实施例提供一种硅片处理设备，以解决现有硅片处理设备可能影响对于硅片的处理效果的问题。

本发明实施例提供了一种硅片处理设备，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；

所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；

所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。

在一些实施例中，所述搅拌部和所述加热部可转动连接。

在一些实施例中，所述搅拌部和所述加热部通过转轴可转动连接，所述电磁控制器用于驱动所述搅拌部绕所述转轴自转。

在一些实施例中，所述搅拌部在垂直于所述转轴的方向上的横截面的至少部分与所述加热部在垂直于所述转轴的方向上的横截面不重叠。

在一些实施例中，所述加热部的密度小于反应槽中液体的密度，所述搅拌部的密度大于反应槽中液体的密度，所述搅拌加热转子的平均密度等于或大于反应槽中液体的密度。

在一些实施例中，所述加热部包括向远离所述转轴方向延伸的加热部主体，所述加热部还包括设置于所述加热部主体上的散热片，所述散热片沿所述转轴的方向延伸。

在一些实施例中，所述加热部环绕所述搅拌部设置。

在一些实施例中，还包括用于屏蔽所述电磁控制器产生的电磁场的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层至少具有位于所述电磁控制器和所述反应槽之间的多个工作位置，且在不同工作位置时，所述金属屏蔽层对于所述电磁控制器和所述搅拌加热转子之间的遮挡面积不同。

在一些实施例中，所述金属屏蔽层上开设有通孔，所述通孔的形状和尺寸与所述搅拌部的形状和尺寸相匹配。

在一些实施例中，所述金属屏蔽层和所述反应槽之间设置有隔热层。

本发明实施例中的硅片处理设备，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；电磁控制器设置于反应槽外侧，搅拌加热转子设置于反应槽内，且搅拌加热转子的位置对应电磁控制器设置，以通过电磁控制器控制搅拌加热转子；搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，搅拌部包括永磁体，加热部包括金属材料。本发明通过设置电磁控制器和搅拌加热转子，一方面，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的搅拌部相配合，实现对于反应槽中反应液的搅拌，另一方面，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的加热部相配合，实现对于反应槽中反应液的加热，这样，有助于提高对于反应槽中反应液加热的均匀程度，同时，通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能，降低了结构的复杂程度，也有助于降低设备的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1是本发明一实施例中硅片处理设备的结构示意图；

图2是本发明实施例中一搅拌加热转子的结构示意图；

图3是本发明实施例中又一搅拌加热转子的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种硅片处理设备。

如图1所示，在本发明的一个实施例中，该硅片处理设备包括反应槽100、电磁控制器200和搅拌加热转子300。

在一些实施例中，反应槽100可以直接用于容纳反应液，具体的，该反应液可以包括罐体和封闭罐体的罐盖，使硅片在反应槽100中直接与反应液进行反应。

在一些实施例中，反应槽100上还可以设置相应的进液管101和排液管102，以供向反应槽100内输入或排除反应液。

电磁控制器200设置于反应槽100外侧，搅拌加热转子300设置于反应槽100内，且搅拌加热转子300的位置对应电磁控制器200设置，以通过电磁控制器200控制搅拌加热转子300。

如图2和图3所示，搅拌加热转子300包括搅拌部301和加热部302。搅拌部301包括永磁体，在电磁控制器200产生的电磁场的驱动下，搅拌部301能够旋转，从而实现对于反应槽100内的液体的搅拌。加热部302包括金属材料，在电磁控制器200产生的电磁场在加热部302包括的金属材料中产生涡流，从而实现使得加热部302产生热量，实现对于反应槽100中水或反应液的加热。

应当理解的是，电磁控制器200在使用过程中可能产生较多的热量，为了提高散热效果，可以对应电磁控制器200设置相应的散热风扇或散热片，以避免温度过高影响电磁控制器200的正常工作。

硅片处理过程中，所使用的反应液通常为高酸性或高碱性的化学试剂，相关技术中，通常利用金属加热管对反应液进行加热，而在加热状态下，反应液可能与加热管发生反应，使得反应液中产生金属离子，所产生的金属离子还存在污染硅片的可能性。

在一个实施例中，可以在搅拌加热转子300表面设置保护层，以避免包括金属材料的加热部302与反应液发生反应；在另外一个实施例中，反应槽100包括药液槽和水槽，药液槽设置于水槽内，实施时，通过水槽对药液槽进行水浴加热，硅片设置于药液槽内，并与位于药液槽中的反应液进行反应，也能够避免污染反应液和硅片。

搅拌部301和加热部302可转动连接。如图2所示，在一个实施例中，搅拌部301和加热部302通过转轴303可转动连接，电磁控制器200用于驱动搅拌部301绕转轴303自转。如图3所示，在另一个实施例中，在一些实施例中，加热部302环绕搅拌部301设置。

在一些实施例中，加热部302包括向远离转轴303方向延伸的加热部302主体，加热部302还包括设置于加热部302主体上的散热片，散热片沿转轴303的方向延伸。通过设置该散热片，能够提高加热部302主体产生的热量向反应槽100中的液体的扩散效果，提高加热的均匀程度。此外，沿转轴303方向设置的散热片还能够降低加热部302随搅拌部301同时转动的可能性。

应当理解的是，搅拌部301和加热部302之间可能产生一定的相互干扰，例如，如果加热部302的尺寸设计的过大，则可能对电磁场起到一定的屏蔽效果，影响搅拌部301的正常工作。本实施例中，搅拌部301在垂直于转轴303的方向上的横截面的至少部分与加热部302在垂直于转轴303的方向上的横截面不重叠，从而能够降低搅拌部301和加热部302之间相互干扰的可能性，有助于提高对于反应槽100中液体的加热和搅拌效果。

在一些实施例中，加热部302的密度小于反应槽100中液体的密度，搅拌部301的密度大于反应槽100中液体的密度，搅拌加热转子300的平均密度等于或大于反应槽100中液体的密度。

本实施例中，反应槽100中的液体可以指的反应液，在通过上述水浴加热的方式进行加热时，反应槽100中的液体也可以指的是水。加热部302的密度可以通过在加热部302内形成空腔的形式进行调节，也可以通过在加热部302上附加密度较低的物体，例如碳纤维材料、木质材料、橡胶材料等实现降低加热部302的密度。

搅拌部301包括永磁体，一般为磁铁等，其密度相对较大，不需要进行特殊设计，即可使得搅拌部301的密度大于反应液的密度。

进一步的，搅拌加热转子300的平均密度等于或大于反应槽100中液体的密度，这样，搅拌加热转子300能够悬浮于反应液中或沉于反应液的底部，同时，由于加热部302的密度小于反应液的密度，因此，加热部302在水中处于漂浮状态，可以使得加热部302位于搅拌部301的上方，能够使得加热部302与反应槽100中的液体充分接触，提高对于反应槽100中液体的加热效果。

在一些实施例中，还设置了金属屏蔽层，该金属屏蔽层用于屏蔽电磁控制器200产生的电磁场，该金属屏蔽层可以是金属网，也可以是金属片等，金属屏蔽层至少具有位于电磁控制器200和反应槽100之间的多个工作位置，且在不同工作位置时，金属屏蔽层对于电磁控制器200和搅拌加热转子300之间的遮挡面积不同。

将金属屏蔽层设置于不同工作位置时，能够实现对于电磁控制器200产生的电磁场提供不同程度的屏蔽效果，从而实现对于加热效果和搅拌效果的控制。

在一些实施例中，金属屏蔽层上开设有通孔，通孔的形状和尺寸与搅拌部301的形状和尺寸相匹配。

应当理解的是，本实施例中的加热和搅拌功能同时受到的电磁控制器200产生的电磁场的控制，如果需要同时降低或增加搅拌速度和加热温度，可以通过降低或增加电磁控制器200产生的电磁场的强度实现。通过设置金属屏蔽层，则可以降低加热功能和搅拌功能之间的关联性，例如，通过设置遮挡加热部302的金属屏蔽层，能够在不影响搅拌效果或对搅拌效果影响较小的情况下，有效降低加热效果。

在一些实施例中，金属屏蔽层和反应槽100之间设置有隔热层。

金属屏蔽层在电磁控制器200产生的电磁场的作用下，同样会产生涡流并发热，本实施例中进一步在金属屏蔽层和反应槽100之间设置有隔热层，以降低金属屏蔽层对反应槽100中的液体的温度造成的影响。

本发明通过设置电磁控制器200和搅拌加热转子300，一方面，可以通过电磁控制器200与搅拌加热转子300的搅拌部301相配合，实现对于反应槽100中反应液的搅拌，另一方面，可以通过电磁控制器200与搅拌加热转子300的加热部302相配合，实现对于反应槽100中反应液的加热，这样，有助于提高对于反应槽100中反应液加热的均匀程度，同时，通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能，降低了结构的复杂程度，也有助于降低设备的成本。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种硅片处理设备，其特征在于，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；

所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；

所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。

2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部和所述加热部可转动连接。

3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部和所述加热部通过转轴可转动连接，所述电磁控制器用于驱动所述搅拌部绕所述转轴自转。

4.根据权利要求3所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部在垂直于所述转轴的方向上的横截面的至少部分与所述加热部在垂直于所述转轴的方向上的横截面不重叠。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部的密度小于反应槽中液体的密度，所述搅拌部的密度大于反应槽中液体的密度，所述搅拌加热转子的平均密度等于或大于反应槽中液体的密度。

6.根据权利要求3所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部包括向远离所述转轴方向延伸的加热部主体，所述加热部还包括设置于所述加热部主体上的散热片，所述散热片沿所述转轴的方向延伸。

7.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部环绕所述搅拌部设置。

8.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，还包括用于屏蔽所述电磁控制器产生的电磁场的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层至少具有位于所述电磁控制器和所述反应槽之间的多个工作位置，且在不同工作位置时，所述金属屏蔽层对于所述电磁控制器和所述搅拌加热转子之间的遮挡面积不同。

9.根据权利要求8所述的硅片处理设备，其特征在于，所述金属屏蔽层上开设有通孔，所述通孔的形状和尺寸与所述搅拌部的形状和尺寸相匹配。

10.根据权利要求8所述的硅片处理设备，其特征在于，所述金属屏蔽层和所述反应槽之间设置有隔热层。

Images