CN112599687A - 一种发光器件及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光器件及其制造方法、显示装置。发光器件包括阳极、发光层，以及设置在阳极一侧的空穴注入层；位于空穴注入层远离阳极一侧的空穴传输层；空穴注入层的主体材料为第一空穴传输材料，空穴传输层的主体材料为第二空穴传输材料，沿阳极向发光层的方向上，空穴传输层的空穴迁移率大于或等于空穴注入层的空穴迁移率。该发光器件的电子阻挡层损耗低，器件整体的寿命高。

Description

一种发光器件及显示装置
技术领域
本发明涉及半导体发光器件领域，具体涉及一种发光器件及显示装置。
背景技术
由于有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)具有高效率、高亮度、低驱动电压、响应速度快以及能实现大面积光电显示等优点，被越来越多的应用于显示领域。发光器件作为显示装置中的重要部件，其寿命是评价显示装置的性能的重要指标。
发明内容
基于上述问题本发明提供一种发光器件及显示装置，以提高发光器件的寿命。
本发明提供一种发光器件，包括：阳极、发光层，以及设置在阳极一侧的空穴注入层；位于所述空穴注入层远离所述阳极一侧的空穴传输层；所述空穴注入层的主体材料为第一空穴传输材料，所述空穴传输层的主体材料为第二空穴传输材料，所述空穴传输层的空穴迁移率大于或等于所述空穴注入层的空穴迁移率。
可选的，所述发光器件为蓝光发光器件，所述发光层的主体材料为电子型主体材料。
对于蓝光发光器件，由于蓝光发光器件的发光层通常为电子型材料，对于电子型材料的发光层，由于发光层靠近阳极一侧表面通常设置电子阻挡层，而蓝光发光器件中发光层主体主要为电子型主体材料，自阳极注入的空穴通常会在发光层靠近阳极一侧的表面聚集，因而空穴与电子的复合区的复合中心通常为此处，在此处空穴与电子复合最剧烈，对电子阻挡层造成很大轰击，导致电子阻挡层劣化受损，影响蓝光发光器件的整体寿命。而本发明提供的发光器件，由于空穴迁移率逐渐升高，因而阳极与发光层之间，通过空穴迁移率逐渐升高的空穴注入层、空穴传输层的设置形成阶梯式的中间能级，势垒逐层降低，空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。对于红光发光器件和绿光发光器件，因空穴迁移率自阳极向发光层逐渐提高，空穴电流也相应的得到提高。由于红光和绿光为双极性主体材料，空穴与电子的复合区宽，通过提升器件中的空穴电流，可以增加器件的空穴与电子的复合机率，增加器件效率，从而提升器件寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
可选的，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级浅于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
由于第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级(Highest Occupied MolecularOrbital，HOMO能级)浅于第二空穴传输材料的HOMO能级，使得空穴传输层的空穴迁移率高于空穴注入层的空穴迁移率，从而可以实现沿阳极向发光层的方向上空穴传输效率的逐渐提高，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光中心的位置偏移。相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
可选的，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级与所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的差为0.3eV。如此设置有利于空穴的快速注入。
可选的，所述空穴注入层的主体材料与所述空穴传输层的主体材料不同，所述空穴注入层的掺杂材料包括P型掺杂材料。
可选的，所述第一空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于所述第二空穴传输材料的空穴迁移率。如此有利于空穴传输层的空穴迁移率高于空穴注入层的空穴迁移率，从而可以实现沿阳极向发光层的方向上空穴传输效率的逐渐提高，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光中心的位置偏移。相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
可选的，所述第二空穴传输材料的空穴迁移率大于5×10-3cm2/Vs，所述第一空穴传输材料的空穴迁移率为8×10-4cm2/Vs～5×10-3cm2/Vs。第一空穴传输材料的空穴迁移率和第二空穴传输材料的空穴迁移率取自该范围，可以保证空穴在空穴注入层与空穴传输层之间注入时具有较小的注入势垒，保证发光器件的发光效率。
可选的，所述空穴注入层包括多层子空穴注入层，沿自所述阳极向所述发光层的方向上，各层子空穴注入层的空穴迁移率逐渐升高。
多层子空穴注入层的设置，可通过更多子空穴注入层在阳极和发光层之间形成更多的中间能级，使得阳极至发光层之间的势垒通过更多的中间能级逐级降低。
可选的，所述多层子空穴注入层包括：位于所述阳极一侧的第一子空穴注入层，以及位于所述第一子空穴注入层远离所述阳极一侧的第二子空穴注入层；所述第一空穴传输材料包括用于形成所述第一子空穴注入层的主体材料的第一子空穴传输材料，和用于形成所述第二子空穴注入层的主体材料的第二子空穴传输材料；所述第一子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级浅于所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。由于第一子空穴传输材料的HOMO能级浅于第二子空穴传输材料的HOMO能级，可以使得第二子空穴注入层的空穴迁移率高于第一子空穴注入层的空穴迁移率，使得自阳极向发光层的方向上空穴迁移率逐渐升高，可以逐渐提高阳极向发光层的空穴传输效率。由于空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极一侧的表面向发光层中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极一侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极一侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
可选的，所述第一子空穴注入层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料不同，所述第一子空穴注入层与所述第二子空穴注入层的掺杂材料相同，所述掺杂材料包括P型掺杂材料。
可选的，所述第一子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级与所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的差为0.3eV。如此设置有利于空穴的快速注入。
可选的，所述第一子空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于所述第二子空穴传输材料的空穴迁移率。
可选的，所述第二子空穴传输材料的空穴迁移率大于5×10-3cm2/Vs，所述第一子空穴传输材料的空穴迁移率8×10-4cm2/Vs～5×10-3cm2/Vs。
第一子空穴传输材料和第二子空穴传输材料的空穴迁移率取自该范围，可以保证空穴在第一子空穴注入层与第二子空穴注入层之间注入时具有较小的注入势垒，保证发光器件的发光效率。
可选的，所述空穴传输层位于所述第二子空穴注入层背离所述阳极一侧，所述空穴传输层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料相同或不同。
可选的，所述空穴传输层与所述第二子空穴注入层接触。
可选的，所述第二空穴传输材料的空穴迁移率大于或等于所述第二空穴传输材料的空穴迁移率。
第二空穴传输材料的空穴迁移率大于或等于第二子空穴传输材料的空穴迁移率，可以使得空穴传输层270的空穴迁移率高于或等于第二子空穴注入层282的空穴迁移率，使得自阳极290向发光层250的方向上空穴迁移率逐渐升高，可以逐渐提高阳极290向发光层250的空穴传输效率。由于空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层250，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层250中空穴的聚集位置从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层260的轰击可以得到减小，电子阻挡层260的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层250中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
可选的，所述空穴传输层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料不同，所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级浅于或等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
可选的，所述空穴传输层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料相同，所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
第二子空穴注入层的材料与空穴传输层采用相同的主体材料，空穴传输层与第二子空穴注入层具有相同的最高占据分子轨道能级，从而具有相同的空穴迁移率，在满足自阳极向发光层的方向上空穴迁移率逐渐升高的基础上，可以降低空穴注入层与空穴传输层的注入势垒，提高注入到发光层的空穴量，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而降低空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
本发明还提供一种显示装置，其特征在于，包含如上所述的发光器件。本发明提供的显示装置包括如上的发光器件，发光器件中空穴传输层的空穴迁移率大于或等于空穴注入层，可以在自阳极向发光层的方向上逐渐提高阳极向发光层的空穴传输效率。对于蓝光发光器件，由于发光层靠近阳极一侧表面通常设置电子阻挡层，而蓝光发光器件中发光层主体主要为电子型主体材料，自阳极注入的空穴通常会在发光层靠近阳极一侧的表面聚集，因而空穴与电子的复合区的复合中心通常为此处，在此处空穴与电子复合最剧烈，对电子阻挡层造成很大轰击，导致电子阻挡层劣化受损，影响蓝光发光器件的整体寿命。而本发明提供的发光器件，由于空穴迁移率逐渐升高，因而阳极与发光层之间，通过空穴迁移率逐渐升高的空穴注入层、空穴传输层的设置形成阶梯式的中间能级，可实现逐层降低，空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。对于红光发光器件和绿光发光器件，因空穴迁移率自阳极向发光层逐渐提高，空穴电流也相应的得到提高。由于红光和绿光为双极性主体材料，空穴与电子的复合区宽，通过提升器件中的空穴电流，可以增加器件的空穴与电子的复合机率，增加器件效率，从而提升器件寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种发光器件的结构示意图；
图2为本发明一实施例的发光器件的结构示意图；
图3图2中部分层之间的能级结构示意图；
图4为本发明另一实施例的发光器件的结构示意图；
图5为图4中部分层之间的能级结构示意图。
具体实施方式
一种蓝光发光器件，参考图1，包括层叠设置的阳极190、空穴注入层180、空穴传输层170、电子阻挡层160、发光层150、空穴阻挡层140、电子传输层130、电子注入层120和阴极110。电子自阴极110注入传输至发光层150，与来自阳极190注入传输至发光层150的空穴复合激发出光子发光。对于蓝光发光器件，通常在发光层150朝向阳极190一侧表面会存在空穴聚集的情况，因而此处的电子与空穴复合最剧烈，会对处在发光层150朝向阳极190一侧表面的电子阻挡层160造成很大轰击，导致电子阻挡层160裂化受损，影响蓝光发光器件的整体寿命。由于通常蓝光发光器件的寿命比红光发光器件和绿光发光器件的寿命短，因此蓝光发光器件的寿命成为制约OLED寿命的重要因素。一种做法是，将空穴迁移率自阳极190向发光层150的方向上设置成逐渐降低，由于空穴迁移率逐渐降低，则空穴的输送效率逐渐降低，可减少发光层150在朝向阳极190一侧表面的空穴聚集，从而降低了在该处的空穴与电子复合的剧烈程度，降低了电子阻挡层的损耗。但是这样的方法使得发光电流降低，一定程度上减弱了蓝光发光器件的发光性能，对实现相同的发光需求需要更多的来自阳极的空穴输送，变相增加了蓝光发光器件的功耗。
因此本发明提出一种发光器件及显示装置，以解决发光器件的寿命问题。
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
参考图2-图5，本实施例提供一种发光器件，包括：
参考图2，阳极290、发光层250，以及设置在阳极290一侧的空穴注入层280；位于空穴注入层280远离阳极290一侧的空穴传输层270。
此外还包括阴极210、发光层250朝向阳极290一侧表面的电子阻挡层260，发光层250背向阳极290一侧层叠设置的空穴阻挡层240、电子传输层230、电子注入层220和阴极210。
空穴注入层280的主体材料为第一空穴传输材料，空穴传输层270的主体材料为第二空穴传输材料，空穴传输层270的空穴迁移率大于或等于空穴注入层280的空穴迁移率。
具体的，发光层250的主体材料可以为电子型主体材料。蓝光发光器件的发光层的主体材料通常为电子型主体材料，因此本实施例的发光层250的主体材料可以选用电子型主体材料，以构成蓝光发光器件。具体的，电子型主体材料可以为蒽衍生物或含有多环芳香族骨架的化合物，例如9-(萘-1-基)-10-(萘-2-基)蒽或9,10-二(2-萘基)蒽。
本发明提供的发光器件，空穴传输层270的空穴迁移率大于或等于空穴注入层280的空穴迁移率，可以在自阳极290向发光层250的方向上逐渐提高阳极290向发光层250的空穴传输效率。对于蓝光发光器件，由于蓝光发光器件的发光层的主体材料通常为电子型主体材料，对于电子型主体材料的发光层，由于空穴迁移率逐渐升高，因而阳极290与发光层250之间，通过空穴迁移率逐渐升高的空穴注入层、空穴传输层的设置形成阶梯式的中间能级(参考图3)，势垒逐层降低，空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层250，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层250中空穴的聚集位置从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移。相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层260的轰击可以得到减小，电子阻挡层260的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层250中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。对于红光发光器件和绿光发光器件，因空穴迁移率自阳极向发光层逐渐提高，空穴电流也相应的得到提高。由于红光和绿光为双极性主体材料，空穴与电子的复合区宽，通过提升器件中的空穴电流，可以增加器件的空穴与电子的复合机率，增加器件效率，从而提升器件寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
本实施例的发光器件，第一空穴传输材料的HOMO能级浅于第二空穴传输材料的HOMO能级。
由于第一空穴传输材料的HOMO能级浅于第二空穴传输材料的HOMO能级，使得空穴传输层的空穴迁移率高于空穴注入层的空穴迁移率，从而可以实现沿阳极向发光层的方向上空穴传输效率的逐渐提高，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
具体的，第一空穴传输材料的HOMO能级与第二空穴传输材料的HOMO能级的差为0.3eV，如此设置有利于空穴的快速注入。
具体的，所述空穴注入层的主体材料与所述空穴传输层的主体材料不同，所述空穴注入层的掺杂材料包括P型掺杂材料。
进一步的，第一空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于第二空穴传输材料的空穴迁移率。
具体的，第二空穴传输材料的空穴迁移率大于5×10-3cm2/Vs，第一空穴传输材料的空穴迁移率为8×10-4cm2/Vs～5×10-3cm2/Vs。
第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的空穴迁移率取自该范围，可以保证空穴在空穴注入层280与空穴传输层270之间注入时具有较小的注入势垒，保证发光器件的发光效率。
参考图4，本实施例的发光器件，空穴注入层280可以包括多层子空穴注入层，沿自所述阳极向所述发光层的方向上，各层子空穴注入层的空穴迁移率逐渐升高。
多层子空穴注入层的设置，可通过更多子空穴注入层在阳极290和发光层250之间形成更多的中间能级，使得阳极290至发光层250之间的势垒通过更多的中间能级逐级降低。
具体的，多层子空穴注入层可以包括：位于阳极290一侧的以及位于第一子空穴注入层281远离阳极290一侧的第二子空穴注入层282。
进一步的，第一空穴传输材料包括用于形成第一子空穴注入层281的主体材料为第一子空穴传输材料，和用于形成第二子空穴注入层282的主体材料为第二子空穴传输材料。
第一子空穴传输材料的HOMO能级浅于第二子空穴传输材料的HOMO能级。
由于第一空子穴传输材料的HOMO能级浅于第二子空穴传输材料的HOMO能级，可以使得第二子空穴注入层282的空穴迁移率高于第一子空穴注入层281的空穴迁移率，使得自阳极290向发光层250的方向上空穴迁移率逐渐升高，可以逐渐提高阳极290向发光层250的空穴传输效率。由于空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层250，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层250中空穴的聚集位置从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层260的轰击可以得到减小，电子阻挡层260的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层250中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
进一步的，第一子空穴注入层281的主体材料与第二子空穴注入层282的主体材料不同，第一子空穴注入层与第二子空穴注入层的掺杂材料相同，掺杂材料包括P型掺杂材料。
进一步的，第一子空穴注入层与第二子空穴注入层的掺杂材料也可以不相同。
进一步的，第一子空穴传输材料的HOMO能级与所述第二子空穴传输材料的HOMO能级的差可以为0.3eV，有利于空穴的快速注入。
进一步的，第一子空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于第二子空穴传输材料的空穴迁移率。
第一子空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于第二子空穴传输材料的空穴迁移率。可以使得第二空穴注入层282的空穴迁移率高于或等于第一子空穴注入层281的空穴迁移率，使得自阳极290向发光层250的方向上空穴迁移率逐渐升高，可以逐渐提高阳极290向发光层250的空穴传输效率。由于空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层250，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层250中空穴的聚集位置从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层260的轰击可以得到减小，电子阻挡层260的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层250中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
具体的，可以为第二子空穴传输材料的空穴迁移率大于5×10-3cm2/Vs，第一子空穴传输材料的空穴迁移率8×10-4cm2/Vs～5×10-3cm2/Vs。
第一子空穴传输材料和第二子空穴传输材料的空穴迁移率取自该范围，可以保证空穴在第一子空穴注入层281与第二子空穴注入层282之间注入时具有较小的注入势垒，保证发光器件的发光效率。
在本实施例中，空穴传输层270位于第二子空穴注入层282背离阳极290一侧，空穴传输层270的主体材料与第二子空穴注入层282的主体材料相同或不同。空穴传输层270与第二子空穴注入层282接触。第二空穴传输材料的空穴迁移率大于或等于第二子空穴传输材料的空穴迁移率。
第二空穴传输材料的空穴迁移率大于或等于第二子空穴传输材料的空穴迁移率，可以使得空穴传输层270的空穴迁移率高于或等于第二子空穴注入层282的空穴迁移率，使得自阳极290向发光层250的方向上空穴迁移率逐渐升高，可以逐渐提高阳极290向发光层250的空穴传输效率。由于空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层250，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层250中空穴的聚集位置从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层260的轰击可以得到减小，电子阻挡层260的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层250中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
在本实施例中，空穴传输层270的空穴迁移率与第二子空穴注入层282相同时，可以是：空穴传输层270的主体材料与第二子空穴注入层282的主体材料不同，第二子空穴传输材料的HOMO能级浅于或等于第二空穴传输材料的HOMO能级。
或者也可以是：空穴传输层270的主体材料与第二子空穴注入层282的主体材料相同，第二子空穴传输材料的HOMO能级等于第二空穴传输材料的HOMO能级。
空穴传输层270与第二子空穴逐注入层282具有相同的HOMO能级(参考图5)，从而具有相同的空穴迁移率，可以降低空穴注入层与空穴传输层的注入势垒，提高注入到发光层的空穴量，使得发光层250中空穴的聚集位置从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层250中靠近阳极290一侧的表面向发光层250中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层260的轰击可以得到减小，电子阻挡层260的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层250中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低可得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
实施例2
本实施例提供一种显示装置，包含如上述实施例1中的发光器件。
本实施例提供的显示装置，包括如上述实施例1中的发光器件，由于空穴传输层的空穴迁移率大于或等于空穴注入层，可以在自阳极向发光层的方向上逐渐提高阳极向发光层的空穴传输效率。对于蓝光发光器件，对于蓝光发光器件，由于蓝光发光器件的发光层通常为电子型材料，对于电子型材料的发光层，由于发光层靠近阳极一侧表面通常设置电子阻挡层，而蓝光发光器件中发光层主体主要为电子型主体材料，自阳极注入的空穴通常会在发光层靠近阳极一侧的表面聚集，因而空穴与电子的复合区的复合中心通常为此处，在此处空穴与电子复合最剧烈，对电子阻挡层造成很大轰击，导致电子阻挡层劣化受损，影响蓝光发光器件的整体寿命。而本发明提供的发光器件，由于空穴迁移率逐渐升高，因而阳极与发光层之间，通过空穴迁移率逐渐升高的空穴注入层、空穴传输层的设置形成阶梯式的中间能级，势垒逐层降低，空穴传输的效率逐渐提高，越靠近发光层，空穴传输能力越强，空穴输送越快，使得发光层中空穴的聚集位置从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，相应的，空穴与电子发生复合的复合区的中心也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，因而空穴与电子发生复合最激烈的区域，也从发光层中靠近阳极侧的表面向发光层中心的位置偏移，从而使得空穴与电子发生复合时产生的对电子阻挡层的轰击可以得到减小，电子阻挡层的损耗可以得到降低，进而提高发光器件的寿命。同时由于复合区中心向靠近发光层中心的位置偏移，复合区的宽度也相应增大，复合区宽度增大，则空穴和电子的浓度降低，相应的TTA效应和TPA效应得到降低，可降低对器件的损耗，提高器件的寿命。对于红光发光器件和绿光发光器件，因空穴迁移率自阳极向发光层逐渐提高，空穴电流也相应的得到提高。由于红光和绿光为双极性主体材料，空穴与电子的复合区宽，通过提升器件中的空穴电流，可以增加器件的空穴与电子的复合机率，增加器件效率，从而提升器件寿命。并且由于空穴传输效率逐渐提高，可一定程度上降低空穴传输的功耗，使得空穴传输的调整余地更大，器件的调光范围更加灵活。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
阳极、发光层，以及设置在阳极一侧的空穴注入层；位于所述空穴注入层远离所述阳极一侧的空穴传输层；
所述空穴注入层的主体材料为第一空穴传输材料，所述空穴传输层的主体材料为第二空穴传输材料，所述空穴传输层的空穴迁移率大于或等于所述空穴注入层的空穴迁移率。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述发光器件为蓝光发光器件，所述发光层的主体材料为电子型主体材料。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级浅于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；
优选的，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级与所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的差为0.3eV；
优选的，所述空穴注入层的主体材料与所述空穴传输层的主体材料不同，所述空穴注入层的掺杂材料包括P型掺杂材料。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于所述第二空穴传输材料的空穴迁移率；
优选的，所述第二空穴传输材料的空穴迁移率大于5×10-3cm2/Vs，所述第一空穴传输材料的空穴迁移率为8×10-4cm2/Vs～5×10-3cm2/Vs。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述空穴注入层包括多层子空穴注入层，沿自所述阳极向所述发光层的方向上，各层子空穴注入层的空穴迁移率逐渐升高。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，
所述多层子空穴注入层包括：位于所述阳极一侧的第一子空穴注入层，以及位于所述第一子空穴注入层远离所述阳极一侧的第二子空穴注入层；
所述第一空穴传输材料包括用于形成所述第一子空穴注入层的主体材料的第一子空穴传输材料，和用于形成所述第二子空穴注入层的主体材料的第二子空穴传输材料；
所述第一子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级浅于所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；
优选的，所述第一子空穴注入层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料不同，所述第一子空穴注入层与所述第二子空穴注入层的掺杂材料相同，所述掺杂材料包括P型掺杂材料。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述第一子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级与所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的差为0.3eV。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述第一子空穴传输材料的空穴迁移率小于或等于所述第二子空穴传输材料的空穴迁移率；
优选的，所述第二子空穴传输材料的空穴迁移率大于5×10-3cm2/Vs，所述第一子空穴传输材料的空穴迁移率8×10-4cm2/Vs～5×10-3cm2/Vs。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述空穴传输层位于所述第二子空穴注入层背离所述阳极一侧，所述空穴传输层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料相同或不同；
优选的，所述空穴传输层与所述第二子空穴注入层接触；
优选的，所述第二空穴传输材料的空穴迁移率大于或等于所述第二子空穴传输材料的空穴迁移率；
优选的，所述空穴传输层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料不同，所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级浅于或等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；
或者，所述空穴传输层的主体材料与所述第二子空穴注入层的主体材料相同，所述第二子空穴传输材料的最高占据分子轨道能级等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
10.一种显示装置，其特征在于，包含如权利要求1-9中任一项所述的发光器件。
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