CN112599615B - 一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池技术领域，针对N型Topcon电池电极成本高及光电转化效率低的问题，公开了提供一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法，电池正面设有正面银主栅和正面铝细栅，电池背面设有背面银主栅和背面铝细栅；上述电池的制备方法：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。本发明中正/背面采用铝浆印刷得到铝栅线和分段式银主栅；实现背面铝浆代替银浆，形成良好的场钝化效应，从而增加载流子的扩散长度，提升电池Voc，降低电池的制作成本。

Description

一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法。
背景技术
Topcon太阳能电池（隧穿氧化层钝化接触，Tunnel Oxide Passivated Contact）是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。其中，N型Topcon电池在结构上，基体为N型Si，正面通过B扩散的方式得到P+掺杂层，并在正面通过ALD或是PECVD的方式沉积对应的AlOx/SiNx钝化介质膜；在背面通过LPCVD的方式沉积隧穿氧化层和多晶硅，并通过原位P掺杂或是本征P扩散的方式得到N+掺杂层；正背面通常采用丝网印刷的方式得到对应的金属电极，正面使用银铝浆，背面使用银浆；一方面相比于P型PERC电池， N型Topcon电池背面采用银浆，虽然能保证较高的双面率，但同时增加了电池的制造成本，因此为了同时满足N型Topcon电池提效和降本的原则，背面应尽可能减少银浆的使用；另一方面也应尽可能降低电池正面银浆的使用，才能较PERC电池在成本和效率上占据绝对的优势。
例如专利号CN202010483586.7，专利名称“一种N型Topcon太阳能电池的制作方法”， 本发明涉及一种N型Topcon太阳能电池的制作方法，包括如下步骤：a、双面制绒：b、单面旋涂：c、单面氧化：在旋涂面形成一层含硼氧化硅层；d、形成重、轻掺杂区基底：使用掩模方式，在对应金属栅线位置形成保护重掺杂区的有机掩膜层；使用HF完全去除有机掩膜层覆盖区外的含硼氧化硅层及硼源，再去除有机掩膜层；e、完成重、轻掺杂：使用管式低压扩散法将旋涂的硼源完全推进硅基体中，形成重掺杂区；再进行整面通源沉积，形成轻掺杂区；最后进行高温氧化形成80-100nm厚度的BSG层；后按照正常后续工序进行。
其不足之处在于，仅有银栅作为传输介质，电池的光电转化效率低。
发明内容
本发明是为了克服N型Topcon电池电极成本高及光电转化效率低的问题，提供一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法，本发明中正/背面采用铝浆印刷得到铝栅线和分段式银主栅；通过调节浆料中的玻璃粉成分，使得浆料和掺杂N型掺杂多晶硅层之间只形成良好的欧姆接触，不形成BSF层，从而可以实现背面铝浆代替银浆，形成良好的场钝化效应，从而增加载流子的扩散长度，提升电池Voc，降低电池的制作成本。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，电池包括N型衬底，N型衬底正面由内向外依次设有P型掺杂区层、AlOx层及SiNxHy层，N型衬底的背面由内向外依次设有隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层及SiNxHy层，正面所述SiNxHy层上设有正面银主栅和正面铝细栅，背面所述SiNxHy层上设有背面银主栅和背面铝细栅；上述电池的制备方法为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。
本发明电池结构中正面分别采用铝浆和少量银浆制得铝细栅和分段银主栅，铝细栅通过将收集的电流汇集至银主栅，同时银主栅满足焊接要求；背面分别采用铝浆和少量银浆制得铝细栅和分段银主栅，铝细栅通过将收集的电流汇集至银主栅，同时银主栅满足焊接要求；该方法一方面可以降低正背面银浆耗量，从而降低成本；另外一方面可以通过减少激光损伤，正表面形成前表面场，降低金属复合等方式提升电池Voc，电池效率优于双面银浆的电池效率。
作为优选，包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积AlOx层及SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积隧穿氧化层和多晶硅层，通过P扩散形成N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为106-122，宽度为25-40um，高度为10-25um；正面银主栅每段长度为2-8mm，宽0.1-2mm，高4-8um，根数为5-12；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为110-160，宽度为40-160um，高度为10-25um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为2-8mm，宽0.1-2mm，高4-8um，根数为5-12。
相关现有技术中为了降低背面金属化的成本，当下部分研究者采用P型PERC电池背面金属化方式，即在背面通过激光消融的方式部分去除钝化介质膜，然后印刷铝浆，经过烧结形成具有欧姆接触的金属电极；该方式采用当下的绿光激光器消融会产生较大的激光光斑和边缘火山口，对钝化介质膜的损伤过大，导致钝化效果降低，影响电池的Voc，从而降低电池效。
与现有制备工艺相比，本发明的正面通过UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化膜且不损坏PN结、背面通过UV激光部分去除SiNxHy层钝化膜，且不损坏N型掺杂多晶硅层；本发明的正/背面金属电极的好处在于：（1）采用UV激光消融去除正表面部分AlOx层及SiNxHy层钝化膜，较绿光激光器消融，光斑直径小，且边缘几乎没有烧蚀火山口，最大限度的降低对钝化介质膜和电池PN结区的损伤；（2）采用UV激光消融去除背表面部分SiNxHy层钝化膜，较绿光激光器消融，光斑直径小，边缘几乎没有烧蚀火山口，最大限度的降低其对钝化介质膜的损伤，并且能精准控制能量的释放，保证N型掺杂多晶硅层不被损坏；（3）采用该方法制作正/背面金属电极，可以保证效率和双面银浆金属电极相当，但制作成本大幅度降。
作为优选，步骤A中，正面AlOx层厚度为2-15nm，SiNxHy层厚度为50-100nm；背面隧穿氧化层的厚度为1-8nm，N型掺杂多晶硅层厚度为100-200nm，SiNxHy膜厚度为50-100nm。
正面AlOx和SiNxHy 增加正表面钝化效果和降低正表面反射率，背面隧穿氧化层为载流子选择性钝化，N性掺杂多晶硅主要是为了降低和背面电极的接触电阻，背面SiNxHy增加背表面钝化效果。设置该厚度范围是因为不同的膜层厚度需要同时兼具光学和电学的平衡，使得光电转换效率最大化。
作为优选，其特征是，步骤B中，UV激光的光斑直径为10-30um；光斑间距为0-700um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致。
为了保证能够充分并及时收集和传输载流子，正/反面消融去膜深度必须与钝化膜层的厚度一致，这样才能保证正面铝细栅与P型掺杂区层充分接触、背面铝细栅与N型掺杂多晶硅层充分接触，使得电池的光电转化效率进一步提高。
作为优选，步骤D中，背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
铝细栅只和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，铝浆不会继续穿透掺杂多晶硅层进入Si基体形成二次掺杂，所以不会形成BSF层。
所述的制备方法制备得到的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，正面银主栅的厚度小于正面铝细栅的厚度，正面银主栅分布于正面铝细栅中，背面银主栅的厚度小于背面铝细栅的厚度，背面银主栅分布于背面铝细栅中。
因为是先印刷银主栅，再印刷铝细栅，两者需要一个重叠部分才能将铝细栅收集的载流子汇集至银主栅，在高度上银主栅要低于铝细栅，该设计不会影响银主栅的焊接效果，进而提高载流子的流动效率，而且就电池的表面结构来说，避免了银主栅焊接结构的外凸，表面结构也更加平整，整个电池体积小巧，节省安装空间。
作为优选，正面的所述AlOx层及SiNxHy层上设有接触槽，背面的SiNxHy层上设有接触槽。
作为优选，正面铝细栅穿过所述接触槽与AlOx层形成局部接触点。
作为优选，背面铝细栅穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层形成局部接触点。
通常，N型Topcon电池的背面金属电极直接采用银浆印刷制得，正面金属电极采用银铝浆印刷制的，相较于P型PERC电池制作成本高，效率优势无法凸显，即无法显著降低太阳能电池每瓦的制造成本，当下部分研究者针对N型Topcon电池正面银浆的使用问题，为了降低正面银浆的使用，先是印刷铝细栅，后再铝细栅上叠印银细栅；该方法虽然一定程度上降低了正面银浆的耗量，降低了电池的制作成本，但是为了满足上层银浆的烧结条件，烧结温度过高导致下层铝浆横向和纵向的拓展性增强，电池前表面的钝化效果降低，且遮光面积增加，导致电池效率无法达到预期的目标；因此，电池正面先是经过UV激光消融去除表面部分AlOx层及SiNxHy层钝化膜，然后分别采用铝浆和少量银浆印刷得到细栅线和分段式银主栅；电池背面同样是先经过UV激光消融去除表面部分SiNxHy层，因为通过激光基准控制不损坏N型掺杂多晶硅层，然后分别采用铝浆和少量银浆印刷得到细栅线和分段式银主栅，本发明的电池结构具有以下优势：（1）正面直接采用铝浆印刷得到铝栅线，一方面可以在正表面形成N型掺杂多晶硅层，形成良好的场钝化效应，从而增加载流子的扩散长度，提升电池Voc；另一方面可以大幅度的降低正面电极的制作成本；（2）背面直接采用铝浆印刷得到铝栅线，通过调节浆料中的玻璃粉成分，使得浆料和掺杂N型掺杂多晶硅层之间只形成良好的欧姆接触，不形成BSF层，从而可以实现背面铝浆代替银浆，降低背面的电极制作成本；（3）正/背面采用铝浆进行电极的制作，避免Si的深能级杂质Ag的进入造成过大的金属复合，即J0,metal过大，从而提升电池Voc和电池转化效率低。
因此，本发明具有如下有益效果：
（1）通过在电池结构中正/背面采用铝浆和少量银浆制得铝细栅和分段银主栅，铝细栅通过将收集的电流汇集至银主栅，同时银主栅满足焊接要求；
（2）加工过程中采用UV激光消融去除正表面部分AlOx层及SiNxHy层钝化膜，较绿光激光器消融，光斑直径小，且边缘几乎没有烧蚀火山口，最大限度的降低对钝化介质膜和电池PN结区的损伤，降低对电池表面涂层的损伤；
（3）该电池结构一方面可以降低正背面银浆耗量，从而降低成本；另外一方面可以通过减少激光损伤，正表面形成前表面场，降低金属复合等方式提升电池Voc，电池效率优于双面银浆的电池效率。
附图说明
图1是本发明的电池结构示意图。
图2是本发明的电池正面栅线结构示意图。
图3是本发明的电池背面栅线结构示意图。
图中：1、N型衬底；2、正面银主栅；3、正面铝细栅；4、背面银主栅；5、背面铝细栅；6、P型掺杂区层；7、AlOx层；8、SiNxHy层；9、隧穿氧化层；10、N型掺杂多晶硅层；11、局部接触点。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步的描述。
总实施例
如图1-3所示，一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为2-15nm的 AlOx层及厚度为50-100nm的厚度为50-100nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为1-8mm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为100-200nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为50-100nm 的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为10-30um；光斑间距为0-700um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为106-122，宽度为25-40um，高度为10-25um；正面银主栅每段长度为2-8mm，宽0.1-2mm，高4-8um，根数为5-12；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为110-160，宽度为40-160um，高度为10-25um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为2-8mm，宽0.1-2mm，高4-8um，根数为5-12；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
实施例1
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为2nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nmSiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为20um；光斑间距为350um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为112，宽度为32um，高度为18um；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为135，宽度为100um，高度为18um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
实施例2
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为15nm的 AlOx层及厚度为50nm 的厚度为100nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为1nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为200nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为100nm 的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为10um；光斑间距为700um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为106，宽度为40um，高度为10um；正面银主栅每段长度为8mm，宽0.1mm，高8um，根数为5；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为110，宽度为160um，高度为10um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为8mm，宽0.1mm，高8um，根数为5；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
实施例3
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为2nm的 AlOx层及厚度为50nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为8nm的隧穿氧化，通过LPCVD和P扩散形成厚度为100nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为60nm的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为30um；光斑间距为0um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为122，宽度为25um，高度为25um；正面银主栅每段长度为2mm，宽2mm，高4um，根数为12；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为160，宽度为40um，高度为10um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为8mm，宽0.1mm，高8um，根数为12；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
实施例4
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为4nm的 AlOx层及厚度为60nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为2nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为120nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为80nm的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为25um；光斑间距为100um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为112，宽度为30um，高度为20um；正面银主栅每段长度为4mm，宽0.5mm，高5um，根数为7；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为125，宽度为55um，高度为15um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为4mm，宽0.8mm，高5um，根数为7；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
实施例5
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为12nm的 AlOx层及厚度为90nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为3nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为180nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为90nm的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为15um；光斑间距为650um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为120，宽度为35um，高度为22um；正面银主栅每段长度为6mm，宽1.6mm，高6.5um，根数为10；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为150，宽度为150um，高度为15um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为6.5mm，宽1.8mm，高6um，根数为10；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
对比例1（与实施例1的区别在于，正/反面均未设有铝栅线。）
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为4nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nm 的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、在电池的背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8。
对比例2（与实施例1的区别在于，未在电池正面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；也未在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜。）
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为4nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nm 的SiNxHy层；
C、正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为112，宽度为32um，高度为18um；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、背面铝细栅根数为135，宽度为100um，高度为18um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8。
对比例3（与实施例1的区别在于，仅在电池正面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜。）
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为4nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nm的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为20um；光斑间距为350um，正面消融去膜深度与SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为112，宽度为32um，高度为18um；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为135，宽度为100um，高度为18um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
对比例4（与实施例1的区别在于，将UV激光替换成绿光激光。）
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面绿光激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为4nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nm 的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用绿光激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；绿光激光的光斑直径为20um；光斑间距为350um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为112，宽度为32um，高度为18um；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为135，宽度为100um，高度为18um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
对比例5（与实施例1的区别在于，正面铝细栅根数过少仅为60。）
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为4nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nm 的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为20um；光斑间距为350um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为60，宽度为32um，高度为18um；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为135，宽度为100um，高度为18um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
对比例6（与实施例1的区别在于，正面铝细栅根数过多为140。）
一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，包括N型衬底1，N型衬底1正面由内向外依次设有P型掺杂区层6、AlOx层7及SiNxHy层8，N型衬底1的背面由内向外依次设有隧穿氧化层9、N型掺杂多晶硅层10及SiNxHy层8，正面所述SiNxHy层8上设有正面银主栅2和正面铝细栅3，背面所述SiNxHy层8上设有背面银主栅4和背面铝细栅5。
正面银主栅2的厚度小于正面铝细栅3的厚度，正面银主栅2分布于正面铝细栅3中，背面银主栅4的厚度小于背面铝细栅5的厚度，背面银主栅4分布于背面铝细栅5中。正面的所述AlOx层7及SiNxHy层8上设有接触槽，背面的SiNxHy层8上设有接触槽。正面铝细栅3穿过所述接触槽与AlOx层7形成局部接触点11。背面铝细栅5穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层10形成局部接触点11。
所述的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，制备流程为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷。包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积厚度为8nm的 AlOx层及厚度为80nm的SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积厚度为4nm的隧穿氧化层，通过LPCVD和P扩散形成厚度为150nm的N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积厚度为75nm 的SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；UV激光的光斑直径为20um；光斑间距为350um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为140，宽度为32um，高度为18um；正面银主栅每段长度为5mm，宽1mm，高6um，根数为8；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为135，宽度为100um，高度为18um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为5mm，宽1mm，高5um，根数为8；背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触，不会形成BSF层。
表1各项目与具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的各性能参数
性能 项目 电池效率相对值 开路电压相对值 电流密度相对值 填充因子相对值
实施例1 23.61 705 40.55 82.60
实施例2 23.23 720 41.22 78.30
实施例3 23.54 696 40.50 83.54
实施例4 23.42 702 40.40 82.60
实施例5 23.37 700 40.45 82.55
对比例1 23.45 695 40.85 82.60
对比例2 23.29 698 40.30 82.80
对比例3 23.42 701 40.40 82.70
对比例4 23.13 692 40.35 82.85
对比例5 23.04 710 41.50 78.20
对比例6 23.26 690 40.10 84.10
结论分析：综合实施例1-5的结果可以看出，只有采用本发明的结构所制备出来的N型Topcon电池结构才具有较高的电池效率与电流密度，具有较高的太阳光转化效率，极大降低太阳光的折损率，同时极大节约的电池的制造成本。
对比例1与实施例1的区别在于，正背面未设有铝栅线，而是用银栅线，银栅线遮光比例较低，因此电流密度增加；但同时金属复合增加，开路电压明显降低，相应的性能相对实施例1有所下降。
对比例2与实施例1的区别在于，正背面未使用UV激光进行开膜，铝浆需要通过自身的玻璃体进行腐蚀，对钝化膜的损伤过大，开路电压和电流密度均降低，相应的性能相对实施例1有所下降。
对比例3与实施例1的区别在于，仅在正面使用UV激光进行开膜，背面的铝浆需要通过自身的玻璃体进行腐蚀，对背面钝化膜损伤过大，开路电压和电流密度均降低，相应的性能相对实施例1有所下降。
对比例4与实施例1的区别在于，浆UV激光替换成绿激光，绿光激光具有更强的穿透力以及烧蚀过程会对膜层产生更大的热影响区，开路电压和电流密度下降明显，相应的性能相对实施例1下降。
对比例5与实施例1的区别在于，正面铝栅线的根数过少仅为60根，填充因子下降明显，相应的性能相对实施例1下降。
对比例6与实施例1的区别在于，正面铝栅线的根数过多为140根，电流密度和开路电压明显下降，虽然填充因子提升明显，但最终相应的性能相对实施例1下降。
由实施例1-5以及比较例1-6的数据可知，只有在本发明权利要求范围内的方案，才能够在各方面均能满足上述要求，得出最优化的方案，得到最优的性能的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池。而对于各沉积层的替换/加减，或者制备顺序的改变，均会带来相应的负面影响。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (7)

1.一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池的制备方法，其特征是，电池包括N型衬底（1），N型衬底（1）正面由内向外依次设有P型掺杂区层（6）、AlOx层（7）及SiNxHy层（8），N型衬底（1）的背面由内向外依次设有隧穿氧化层（9）、N型掺杂多晶硅层（10）及SiNxHy层（8），正面所述SiNxHy层（8）上设有正面银主栅（2）和正面铝细栅（3），背面所述SiNxHy层（8）上设有背面银主栅（4）和背面铝细栅（5）；上述电池的制备方法为：制绒→B扩散→去BSG→碱抛光→背面LPCVD沉积隧穿氧化层和多晶硅层→背面P扩散→去PSG→去绕镀→正面AlOx层和SiNxHy层沉积→背面SiNxHy沉积→正/背面UV激光消融→丝网印刷；
背面烧结形成的铝细栅和N型掺杂多晶硅层形成欧姆接触；
包括如下具体制备步骤：
A、金属化前的N型双面电池制备，采用N型单晶硅片为基底，N型硅片的正面依次通过B扩散形成P型掺杂区层，PECVD的方式沉积AlOx层及SiNxHy层，在N型硅片的背面依次通过LPCVD的方式沉积隧穿氧化层和多晶硅层，通过P扩散形成N型掺杂多晶硅层，PECVD沉积SiNxHy层；
B、在电池的正表面使用UV激光消融去除部分AlOx层及SiNxHy层钝化介质膜；在电池的背面使用UV激光消融去除部分SiNxHy层钝化介质膜；
C、在电池的正表面使用铝浆印刷烧结形成局部接触点H型正面铝细栅线电极，正面银主栅采用分段式设计，正面银主栅分布于铝细栅线中，正面铝细栅根数为106-122，宽度为25-40um，高度为10-25um；正面银主栅每段长度为2-8mm，宽0.1-2mm，高4-8um，根数为5-12；
D、在电池的背面使用弱烧穿型铝浆印刷烧结形成局部接触点H型背面铝细栅线电极，背面铝细栅根数为110-160，宽度为40-160um，高度为10-25um；背面银主栅采用分段式设计，每段长度为2-8mm，宽0.1-2mm，高4-8um，根数为5-12。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤A中，正面AlOx层厚度为2-15nm，SiNxHy层厚度为50-100nm；背面隧穿氧化层的厚度为1-8nm，N型掺杂多晶硅层厚度为100-200nm，SiNxHy膜厚度为50-100nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤B中，UV激光的光斑直径为10-30um；光斑间距为0-700um，正面消融去膜深度与AlOx层及SiNxHy层厚度一致，背面消融去膜深度与背面SiNxHy层钝化介质膜的厚度一致。
4.按照权利要求1-3任一所述的制备方法制备得到的具有双面铝浆电极的N型Topcon电池，其特征是，正面银主栅（2）的厚度小于正面铝细栅（3）的厚度，正面银主栅（2）分布于正面铝细栅（3）中，背面银主栅（4）的厚度小于背面铝细栅（5）的厚度，背面银主栅（4）分布于背面铝细栅（5）中。
5.根据权利要求4所述的电池，其特征是，正面的所述AlOx层（7）及SiNxHy层（8）上设有接触槽，背面的SiNxHy层（8）上设有接触槽。
6.根据权利要求5所述的电池，其特征是，正面铝细栅（3）穿过所述接触槽与AlOx层（7）形成局部接触点（11）。
7.根据权利要求5所述的电池，其特征是，背面铝细栅（5）穿过所述接触槽与N型掺杂多晶硅层（10）形成局部接触点（11）。
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