CN112582556A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中所述量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替设置，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。本发明结合多种不同形貌量子点，对量子点发光层进行合理的搭配，具体通过间隔设置不同形貌的量子点层，从而提高了量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
Description
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点(QD)是尺寸在1-100nm间由少量的原子组成的半导体纳米材料，由于其尺寸很小一般接近甚至小于其体材料的激子玻尔半径，电子和空穴在三个维度上都受到势垒约束限制而不能自由运动，表现出较强的量子限域效应。因此它表现出独特的发光性质，如发射光谱可调控、宽的激发光谱和窄的半峰宽、荧光产率高、光稳定性好等。这些特性让量子点在显示领域具有广泛的应用。
量子点发光二极管是基于量子点在电致发光上的应用，近些年受到大量关注。量子点发光二极管具有高色纯度、高亮度、低能耗、低制造成本、寿命长、发光波长可调等诸多优点，具有较高的商业应用价值。
一般而言，量子点发光二极管包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极。施加外加电场作用时，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层进入到量子点发光层，并在此复合发出光子。所以，量子点发光层决定了量子点发光二极管最根本的性能。而量子点发光层的性能取决于量子点本身的物理化学性质以及发光层成膜的质量，特别是均匀性和厚度，具有合适厚度的量子点发光层可以进行有效电荷转移。特别是量子点发光层的表面粗糙度不仅影响其电荷传输行为，还影响其与多层器件的相邻层间的电荷平衡，直接影响量子效率。在量子点发光层中，量子点与基底之间相互作用力弱，量子点容易发生团聚造成其排列出现空缺，容易发生漏电流和量子点之间的自猝灭。从实际应用来说，制备出高质量的量子点发光层是非常有必要的，并且量子点发光层有很多值得优化的地方。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光层的发光效果较差的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替设置，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；
或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
提供阳极，
在所述阳极上制备量子点发光层，
在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；
或者，提供阴极，
在所述阴极上制备量子点发光层，
在所述量子点发光层上制备阳极，得到所述量子点发光二极管；
其中，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替制备，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；
或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。
有益效果：本发明结合多种不同形貌量子点，对量子点发光层进行合理的搭配，具体通过间隔设置不同形貌的量子点发光层或是采用不同形貌的量子点形成量子点发光层，从而提高了量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图2为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图3为本发明具体的实施例1中球状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的TEM图。
图4为本发明具体的实施例1中球状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的紫外可见吸收光谱和荧光光谱图。
图5为本发明具体的实施例2中四面体状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的TEM图。
图6为本发明具体的实施例2中四面体状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的另一TEM图。
图7为本发明具体的实施例2中四面体状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的紫外可见吸收光谱和荧光光谱图。
图8为本发明具体的实施例3中量子点发光层的优化模拟图。
图9为本发明具体的实施例3中量子点发光层的优化模拟图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替设置，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。需说明的是，所述第一量子点发光层可以靠近阳极设置，也可以靠近阴极设置。
对于单一形貌的量子点，它们在单一的堆叠方式下，通常达不到优的发光效果，例如，在单一的球状量子点构成的量子点发光层中，量子点排列很难达到紧密的状态，容易发生团聚造成排列出现空缺，当量子点产生团聚时，不仅容易发生非辐射的俄歇复合降低量子点的发光效率，而且会增加器件热效应造成量子点发光层的稳定性变差。其次，量子点发光层产生的空缺，不仅会累积电荷导致量子点发光层的淬灭，并且会引起其他功能层的渗透进而导致量子点发光层的完整性被破坏。在对量子点发光层的优化中，通常会从发光层的稳定性以及电荷传输效率来考虑。形成致密的量子点发光层，会减少因为缺陷引起的漏电流造成量子点的淬灭，一个稳定的发光层也是电荷传输的必要保证。本实施例结合多种不同形貌量子点，对量子点发光层进行合理的搭配，具体通过间隔设置不同形貌的量子点发光层或是采用不同形貌的量子点形成量子点发光层，来提高量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
具体地，通过间隔设置第一量子点发光层与第二量子点发光层形成量子点发光层，利用第二量子点发光层的第二形貌的第二量子点来填补第一量子点发光层的第一形貌的第一量子点之间空隙，从而形成紧密的量子点发光层，避免单一形貌量子点的团聚造成排列出现空缺，进而提高量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。需说明的是，本实施例中所述第二量子点发光层与第一量子点发光层的厚度越薄，越利于第二量子点有效填补第一量子点之间空隙，进一步增强提高量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。所述第二量子点发光层与第一量子点发光层均为单层量子点构成的量子点层时，可以最大化地提高量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
具体地，通过采用不同形貌的量子点形成量子点发光层，利用第二形貌的第二量子点来填补第一形貌的第一量子点之间空隙，从而形成紧密的量子点发光层，避免单一形貌量子点的团聚，进而提高量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
在一种实施方式中，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌独立地选自球状、四面体状、棒状、片状、立方体状和六方柱状等中的一种。换句话说，量子点的形貌有多种，如四面体状、棒状、片状、立方体状和六方柱状等不限于此。本实施例中，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌可以选自上述多种形貌中的一种，但所述第一量子点与所述第二量子点所选择的形貌种类不同。在一种优选的实施方式中，所述第一量子点的形貌为球状，所述第二量子点的形貌为四面体状。从量子点本身考虑，球状量子点因其发光内核到核外的壳层都是均一厚度，而且体积相同时候，球体表面积最小，这对于增强激子复合效率以及减少量子点表面缺陷都是有利的。从量子点尺寸上考虑，两种尺寸接近的量子点更容易形成紧密的量子点发光层。因此，本实施例选取尺寸接近的球状以及四面体状量子点相结合，对量子点发光层进行合理的优化，另外由于四面体状量子点具有更加稳定的空间结构，相比其他形貌更加容易填补球状量子点产生的空缺，如图8-9所示，从而来进一步地提高发光层的稳定性以及电荷传输效率。
在一种优选的实施方式中，所述第一量子点的形貌为球状，所述第二量子点的形貌为四面体状，所述第一量子点发光层的厚度为5-8nm；所述第二量子点发光层的厚度为5-7nm。所述第一量子点发光层和第二量子点发光层通常为单层，以便于两种量子点均匀的分布，并使两种量子点更容易形成紧密的量子点发光层。
在一种优选的实施方式中，所述量子点发光层的总厚度为20-60nm，该厚度的量子点发光层更有利于电子和空穴的传输。
在一种实施方式中，所述第一量子点和所述第二量子点可以独立地选自但不限于II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V化合物、I-VI族化合物中的一种或多种。所述量子点发光层的量子点材料可以为单一结构的量子点材料，也可以为具有核壳结构的复合结构的量子点材料。作为举例，构成所述核壳结构的量子点的核可以包括但不限于CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、CdZnS、CdZnSe和CdSeS中的一种或多种；作为举例，构成所述核壳结构的量子点的壳可以包括但不限于ZnSe、ZnS和ZnSeS中的一种或多种。
需说明的是，所述第一量子点与所述第二量子点的量子点种类可以相同，也可以不同。例如，所述第一量子点可以为球状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点，所述第二量子点可以为四面体状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点。所述第一量子点可以为球状ZnSe/ZnS量子点，所述第二量子点可以为四面体状ZnSe/CdS量子点。
在一种实施方式中，所述第一量子点和第二量子点表面均结合有配体，所述配体包括6-巯基-1-己醇、11-巯基-1-十一醇、巯基乙胺、巯基丙胺、11-巯基-1-十一胺、1,2-丙二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺等中的至少一种。
在一种实施方式中，所述量子点发光二极管还可以包括设置于所述阳极与所述量子点发光层之间的空穴功能层。其中所述空穴功能层可以选自空穴注入层和空穴传输层中的一种或两种。所述空穴功能层为空穴注入层和空穴传输层中的两种时，所述空穴传输层与所述量子点发光层贴合设置。
在一种实施方式中，所述量子点发光二极管还可以包括设置于所述阴极与所述量子点发光层之间的电子功能层。其中所述电子功能层可以选自电子注入层和电子传输层中的一种或两种。所述电子功能层为电子注入层和电子传输层中的两种时，所述电子传输层与所述量子点发光层贴合设置。
需说明的是，所述量子点发光二极管还可以包括界面修饰层，所述界面修饰层可以选自电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、电极修饰层和隔离保护层中的一层或多层。
本实施例中，所述量子点发光二极管，其封装方式可以为部分封装、全封装或不封装。
在一种具体的实施方式中，所述量子点发光二极管自下而上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、第二量子点发光层、第一量子点发光层、第二量子点发光层、第一量子点发光层、电子传输层和阴极；所述第一量子点的形貌为球状，所述第二量子点的形貌为四面体状。也就是说，本实施例量子点发光层由交替设置的第二量子点发光层、第一量子点发光层、第二量子点发光层和第一量子点发光层组成，所述量子点发光层一端的第二量子点发光层与空穴传输层贴合设置，另一端的第一量子点发光层与电子传输层贴合设置。本实施例在空穴传输层上先设置一层第二量子点发光层，这是因为空穴传输层表面平整度较好，而相比于球状的第一量子点，四面体状的第二量子点与空穴传输层的接触面积更大，选择接触面积大的四面体状的第二量子点设置在所述空穴传输层上，可以增加量子点发光层整体的稳定性。本实施例选择第一量子点发光层与电子传输层贴合设置，这是因为电子传输层材料通常是氧化锌等金属氧化物纳米颗粒，其尺寸形貌接近于球状的第一量子点，将电子传输层设置在第一量子点上，电子传输层材料可以填补量子点发光层的缺陷，更有利于电荷的传输。本实施例中所述量子点发光层总的厚度为20-30nm。综上，本实施例所述量子点发光层具有优良的稳定性，并且能够减少不同功能层之间缺陷，有益于提高量子点发光二极管的寿命。
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图所示，包括：
S11、提供阳极；
S12、在所述阳极上制备量子点发光层；其中，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替制备，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；
S13、在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管。
请参阅图2，图2为本发明另一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图所示，包括：
S21、提供阴极；
S22、在所述阴极上制备量子点发光层；其中，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替制备，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；
S23、在所述量子点发光层上制备阳极，得到所述量子点发光二极管。
在一种实施方式中，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌独立地选自球状、四面体状、棒状、片状、立方体状和六方柱状中的一种。
本实施例中，通过在球状量子点的制备过程中加入表面活性剂，制备得到所述四面体状、棒状、片状、立方体状或六方柱状量子点。
作为举例，所述球状量子点的制备方法包括步骤：在室温下将锌源、镉源、配体和合成介质加入三口烧瓶中，在氮气或氩气保护下升温至315℃，并加入硒源并保温反应30min以上，得到核量子点，随后加入外壳生长所需的锌源、镉源、硒源、硫源等，最终得到多壳层球状量子点。
作为举例，所述四面体状量子点的制备方法包括步骤：在室温下将锌源、镉源、配体、合成介质以及表面活性剂(如十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮和四丁基溴化铵等中的一种或多种)加入三口烧瓶中，在氮气或氩气保护下升温至315℃，并加入硒源并保温反应30min以上，得到核量子点，随后加入外壳生长所需的锌源、镉源、硒源、硫源等，最终得到多壳层四面体状量子点。
其中，所述锌源是锌盐与配位溶剂、非配位溶剂的混合物。
其中，所述镉源是镉盐与配位溶剂、非配位溶剂的混合物。
其中，所述硒源是由硒单质与非配位溶剂形成的。
其中，所述硫源是由硫单质与非配位溶剂形成的。
本实施例中，所述量子点发光层的制备方法包括步骤：将第一量子点和第二量子点分别配制成溶液后，通过分布沉积的方法，将两种量子点间隔沉积，形成均匀且稳定的量子点发光层。
本实施例可以制备不同形貌的量子点。其中，球状的量子点，由于纳米粒子自身表面能较高，容易往表面能降低的方向转变，与其它形状相比，同体积下球形的表面积最小，所以这种形貌的表面能最低。在合成量子点的过程中，多数的量子点很容易各向同性生长成球状纳米粒子。本实施例通过在反应过程中添加一些表面活性剂，使其吸附在量子点表面，并在溶液中可自组装形成胶团、反胶团、微乳液、囊泡、液晶等各种有序聚集体，从而实现对量子点形貌的调控。通过这种方法可以制备出多面体形貌的量子点，例如四面体、棒状、片状、立方体以及六方柱状等形貌。量子点合成过程中加入表面活性剂，不仅可在初期作为模板剂，而且能在刚形成的纳米晶种表面快速吸附，从而有效防止材料的团聚。表面活性剂在纳米材料合成过程中的稳定作用是通过表面活性剂吸附在纳米材料表面，利用静电排斥、空间位阻与范德华力之间的竞争达到平衡而实现的。利用表面活性剂制备纳米材料，其影响因素较多，涉及到表面活性剂的种类、结构、浓度等。例如，通过阳离子表面活性剂CnTAB(n＝10、12、14、16、18)控制合成量子点材料时，会发现当n＝10、12、14、16时，随着表面活性剂烃基链长度的增大，得到的纳米材料形状逐渐从球状向多面体状变化。
对于单一形貌的量子点，它们在单一的堆叠方式下，通常达不到最优的发光效果，例如，在单一的球状量子点发光层中，量子点排列很难达到紧密的状态，容易发生团聚造成排列出现空缺，对量子点发光来说极为不利。在对量子点发光层的优化中，通常会从发光层的稳定性以及电荷传输效率来考虑。形成致密的量子点发光层，会减少因为缺陷引起的漏电流造成量子点的淬灭，一个稳定的发光层也是电荷传输的必要保证。结合多种不同形貌量子点，本实施例进行合理的搭配，从量子点本身考虑，球状量子点因其发光内核到核外的壳层都是均一厚度，而且体积相同时候，球体表面积最小，这对于增强激子复合效率以及减少量子点表面缺陷都是有利的。从量子点尺寸上考虑，两种尺寸接近的量子点更容易形成紧密的量子点发光层。因此，选取尺寸接近的球状以及四面体状量子点相结合，对量子点发光层进行合理的优化，来提高发光层的稳定性以及电荷传输效率。
本实施例中，各层沉积方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
下面通过具体的实施例对本发明进行详细说明。
实施例1：十八烯介质中合成球状的CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点向三颈瓶中加入2.5mmol醋酸锌，0.1mmol氧化镉，5mL油酸，10mL十八烯(ODE)，室温下通入氩气吹扫20min，再以20℃/min速率加热到210℃，保温30min，停止加热。待温度降低到100℃，然后抽真空，通入氩气。之后升温到310℃，向三颈瓶的液面下快速注入0.25mL的2M的硒单质-三正辛基磷(Se-TOP)溶液，形成具有合金量子点纳米晶核的第一反应液。保温30min后，向第一反应液中加入0.5mmol硒单质-三正辛基磷溶液，形成具有ZnSe外层的合金量子点纳米晶核的第二反应液。反应20min后，降温至300℃，加入0.5mmol的辛硫醇作为硫的前体，反应15min后停止反应，当反应液温度降到100℃之下时，以无水乙醇为非溶剂、正已烷为溶剂，溶解和沉淀量子点两次，得到球状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点。所述球状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的TEM图见图3所示，所述球状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的紫外可见吸收光谱和荧光光谱见图4所示，其光致发光的峰位为470nm，其半峰宽为25nm。
实施例2：十八烯介质中合成四面体状的CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点向三颈瓶中加入醋酸锌、氧化镉、油酸、十八烯(ODE)以及表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)，室温下通入氩气吹扫20min，再以20℃/min速率加热到210℃，保温30min，停止加热。待温度降低到100℃，然后抽真空，通入氩气。之后升温到310℃，向三颈瓶的液面下快速注入硒单质-三正辛基磷(Se-TOP)溶液，形成具有合金量子点纳米晶核的第一反应液。与实施例1不同的是，反应液中会形成有四面体形貌的CdZnSe核量子点。保温30min后，向第一反应液中加入硒单质-三正辛基磷溶液，形成具有ZnSe外层的合金量子点纳米晶核的第二反应液。反应20min后，降温至300℃，加入的硫单质-三正辛基磷(S-TOP)作为硫的前体，反应15min后停止反应，当反应液温度降到100℃之下时，以无水乙醇为非溶剂、正已烷为溶剂，溶解和沉淀量子点两次，得到四面体状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点。所述四面体状CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点的TEM图见图5和图6所示。所述CdZnSe/ZnSe/ZnS四面体状量子点的紫外可见吸收光谱和荧光光谱见图7所示，其光致发光的峰位为472nm，其半峰宽为54nm。
实施例3：量子点发光二极管的制备方法
量子点发光二极管包括阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。其中除阴极和阳极外均是通过旋涂的方法形成，通过控制旋涂的速度来控制每一层的厚度。室温下，将不同形状的CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点分别溶于正辛烷溶剂，使得CdZnSe/ZnSe/ZnS量子点浓度为20mg/ml，间隔旋涂两种量子点，每旋涂完一层量子点后，在120℃下加热30min挥发溶剂，接着进行下一层的旋涂，整个量子点发光层厚度控制在30nm。间隔旋涂的主要目的是使两种形貌的量子点可以按照图8-9的方式进行排列，一方面两者尺寸比较接近，更容易形成插空排列的量子点发光层，就单一的量子点发光层来说，该量子点发光层具有更稳定更紧密的结构，有利于电荷传输以及稳定的发光，对目前如何解决量子点发光器件寿命的问题，提供一种解决思路。
综上所述，本发明提出一种量子点发光二极管及其制备方法。对于单一形貌的量子点，它们在单一的堆叠方式下，通常达不到优的发光效果，例如，在单一的球状量子点构成的量子点发光层中，量子点排列很难达到紧密的状态，容易发生团聚造成排列出现空缺，对量子点发光来说极为不利。在对量子点发光层的优化中，通常会从发光层的稳定性以及电荷传输效率来考虑。形成致密的量子点发光层，会减少因为缺陷引起的漏电流造成量子点的淬灭，一个稳定的发光层也是电荷传输的必要保证。本实施例结合多种不同形貌量子点，对量子点发光层进行合理的搭配，具体通过间隔设置不同形貌的量子点层或是采用不同形貌的量子点形成量子点发光层，来提高量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，
所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替设置，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；或者，
所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌独立地选自球状、四面体状、棒状、片状、立方体状和六方柱状中的一种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管自下而上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、第二量子点发光层、第一量子点发光层、第二量子点发光层、第一量子点发光层、电子传输层和阴极；所述第一量子点的形貌为球状，所述第二量子点的形貌为四面体状。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点发光层的厚度为5-8nm；所述第二量子点发光层的厚度为5-7nm。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的总厚度为20-60nm。
6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供阳极，在所述阳极上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；或者，提供阴极，在所述阴极上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阳极，得到所述量子点发光二极管；
其中，所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层，所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替制备，所述第一量子点发光层包括第一量子点，所述第二量子点发光层包括第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同；
或者，所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一量子点与所述第二量子点的形貌独立地选自球状、四面体状、棒状、片状、立方体状和六方柱状中的一种。
8.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一量子点的形貌为球状，所述第二量子点的形貌为四面体状。
9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，通过在球状量子点的制备过程中加入表面活性剂的制备方法，制备得到所述四面体状、棒状、片状、立方体状或六方柱状量子点。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂包括十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮和四丁基溴化铵中的一种或多种。
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|---|---|
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103890134A (zh) * | 2011-10-20 | 2014-06-25 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有量子点的光源 |
| JP2015103728A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| KR20170113920A (ko) * | 2016-03-29 | 2017-10-13 | 주식회사 상보 | 나노입자를 포함하는 프리즘 시트 및 백라이트 유닛 |
| CN108155296A (zh) * | 2016-12-29 | 2018-06-12 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点发光器件及显示装置 |
| WO2018106784A2 (en) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | Djg Holdings, Llc | Preparation of large area signage stack |
| US20190119569A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystal particles, production methods thereof, and devices including the same |
| CN109694712A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-04-30 | 奇美实业股份有限公司 | 量子点、发光材料及量子点的制造方法 |
| CN109852387A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-07 | 山东大学 | 一种通过掺杂Ce4+离子调控CsPbBr3钙钛矿量子点尺寸形貌和光致发光的方法 |
| CN110028963A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 三星电子株式会社 | 量子点、量子点-聚合物复合物、和显示装置 |
-
2019
- 2019-09-30 CN CN201910942772.XA patent/CN112582556B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103890134A (zh) * | 2011-10-20 | 2014-06-25 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有量子点的光源 |
| JP2015103728A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| KR20170113920A (ko) * | 2016-03-29 | 2017-10-13 | 주식회사 상보 | 나노입자를 포함하는 프리즘 시트 및 백라이트 유닛 |
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