CN112582456A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括阵列基板以及触控层,其中触控层包括第一金属层、第一绝缘层以及触控电极层,第一金属层包括多个连接桥和第一电极层,触控电极层包括多个驱动电极层和感应电极层,感应电极层通过第一过孔结构与连接桥电连接。从而使得显示面板的触控层的触控电极与薄膜晶体管的源极或漏极形成并联的结构,进而简化了显示面板的结构,优化了显示面板内部的线路设计,并降低了各信号线之间的阻抗值,提高了显示面板的显示质量及效果。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本揭示涉及显示面板显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断提高,显示装置已被广泛地应用于各种电子设备中,显示装置的显示质量以及显示效果也不断的提高。
其中,有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emittingdiode,AMOLED)显示面板因其具有独特的优势,而得到快速的发展。AMOLED显示面板所搭配的阵列基板,主流为低温多晶硅(low temperature poly silicon,LTPS)型阵列基板。在制备LTPS阵列基板的过程中,难以确保所形成的大面积的多晶硅半导体的均一性,由于相互之间存在差异,最终造成薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)的阈值电压出现漂移等问题。而为了改善上述问题,现有技术中通常在阵列基板的亚像素驱动电路中设计像素补偿电路,通过像素补偿电路来抵消阈值电压漂移对显示面板带来的影响。其中,现主流的像素补偿电路为7T1C补偿电路。但是,对于触控型的显示面板而言,由于考虑到触控面板的厚度以及成本,显示面板内的数据线及相连接的金属引线设计的尤其密集,这些密集的数据线容易造成与相邻的膜层,以及数据线与数据线之间短路的问题。此外,增加的像素补偿电路还提高了薄膜晶体管的源/漏极对应的信号线的阻抗,使得信号在传递时出现衰减,造成画面显示不均,显示面板的显示质量不理想等问题。
综上所述,现有的显示面板中,显示面板内部的器件结构以及线路设计较复杂,线路排布密集,各线路容易与相邻的膜层以及线路之间出现短路,以及薄膜晶体管的源/漏极对应的信号线的阻抗较大,生产工艺复杂,同时显示面板的显示质量不理想等问题。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及显示装置,以解决现有技术中,在制备显示面板时,显示面板内部线路排布密集以及薄膜晶体管对应的信号线的阻抗较大,显示面板显示质量不理想、生产工艺较复杂等问题。。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以简化显示装置的制备工艺流程,并提高红外感光显示装置的红外探测性能,降低显示装置的生产制造成本。
为解决上述技术问题,本揭示实施例提供的技术方法如下:
本揭示实施例的第一方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管;
缓冲层,所述缓冲层设置在所述阵列基板上;以及
触控层,所述触控层设置在所述缓冲层上;
其中,所述触控层包括:
第一金属层,所述第一金属层设置在所述缓冲层上,所述第一金属层包括多个连接桥和第一电极层,且所述第一电极层与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述连接桥和所述第一电极层上;
触控电极层,所述触控电极层包括多个驱动电极层和感应电极层,所述驱动电极层和所述感应电极层阵列设置在所述第一绝缘层上,且所述感应电极层通过第一过孔结构与所述连接桥电连接;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述触控电极层上。
根据本揭示一实施例,所述驱动电极层与所述感应电极层为网格状电极结构,所述驱动电极层与所述感应电极层设置在所述显示面板的的非显示区域内。
根据本揭示一实施例,所述驱动电极层与所述感应电极层设置在同一膜层上,且所述驱动电极层沿第一方向设置,所述感应电极层沿第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向不重合。
根据本揭示一实施例,所述连接桥设置在同一列上两相邻的所述感应电极层之间的间隔区域对应的位置上,所述连接桥的两端通过所述第一过孔分别对应的与两相邻的所述感应电极层电连接。
根据本揭示一实施例,所述连接桥与所述第一电极层设置在同一膜层上。
根据本揭示一实施例,所述第一电极层通过第二过孔与所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极电连接,所述第一电极层与所述薄膜晶体管的所述源极或漏极形成并联结构。
根据本揭示一实施例,所述第二过孔设置在所述显示面板的非显示区域内。
根据本揭示一实施例,所述显示面板还包括发光层和封装层,所述发光层设置在所述阵列基板上,所述封装层设置在所述发光层上,且所述触控层设置在所述封装层上。
根据本揭示一实施例,所述连接桥的形状包括长条状。
根据本揭示实施例的第二方面,还提供一种显示装置,所述显示装置包括本揭示实施例提供的显示面板。
综上所述,本揭示实施例的有益效果为:
本揭示实施例提供一种显示面板及显示装置,显示面板为触控显示面板,显示面板中将触控电极层设置在封装层上,同时,触控电极层包括驱动电极层和感应电极层,相邻的两感应电极层通过通过过孔结构与连接桥,连接桥与触控电极层设置在不同的膜层上,连接桥将同一列上两相邻的感应电极层电连接,同时,显示面板还设置有第一电极层,第一电极层与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。从而使得触控层的触控电极与薄膜晶体管的源极或漏极形成并联的结构,进而简化了显示面板的结构,优化了显示面板内部的线路设计,同时降低了源漏极层对应的信号线的阻抗,提高了显示面板的显示质量。
附图说明
下面结合附图,通过对本揭示的具体实施方式详细描述,将使本揭示的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中的补偿电路对应的结构示意图;
图2为本揭示实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本揭示实施例提供的触控电极层的结构示意图;
图4为本揭示实施例提供的又一显示面板结构示意图;
图5为本揭示实施例提供的第一电极层的连接结构示意图;
图6为本揭示实施例提供的触控电极与像素单元结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图,对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本揭示保护的范围。
在本揭示的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本揭示和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本揭示的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本揭示的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
如图1所示,图1为现有技术中的补偿电路对应的结构示意图。为了提高显示面板的显示质量,现主流的像素补偿电路设计为7T1C补偿电路,在AMOLED LTPS阵列基板制作时,阵列基板上的各电极层通过第一绝缘层1和第二绝缘层2隔离,并通过过孔3实现不同膜层之间的相互连接,在结构设计上,薄膜晶体管的源漏极对应的数据信号线4以及对应的电源线设计的往往较密集,由于数据线设计的比较密集,因此此层对应的金属图案间短路的问题也尤为突出。此外,薄膜晶体管的源漏极对应的数据信号线4在进行信号传导时,容易出现信号衰减,进而造成显示不均等问题,不利于显示面板综合性能的提高。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示装置,本揭示实施例中提供的显示面板,在不改变现有显示面板制备工艺的情况下,通过改变显示面板中的膜层结构,设置连接桥以及第一电极层的方式来降低显示面板中薄膜晶体管源极或漏极对应的信号线的阻抗,以达到提高显示面板的显示质量及显示效果的目的。
如图2所示,图2为本揭示实施例提供的一种显示面板的结构示意图。显示面板包括阵列基板100、缓冲层103以及触控层10。
其中,缓冲层103设置在阵列基板100上,触控层10设置在缓冲层103上,本揭示实施例中,触控层10还包括第一金属层110、第一绝缘层104、触控电极层11以及第二绝缘层106。
本揭示实施例中,第一金属层110设置在缓冲层103上,第一绝缘层104设置在第一金属层110上,且完全覆盖所述第一金属层110。同时,触控电极层11设置在第一绝缘层104上,第二绝缘层106设置在触控电极层11上,并覆盖所述触控电极层11。
优选的,本揭示实施例中的触控电极层11还包括驱动电极层107和感应电极层108,驱动电极层107为显示面板提供驱动信号,感应电极层108为显示面板提供触控感应信号,驱动电极层107和感应电极层108共同构成本揭示实施例提供的触控电极层11。
本揭示实施例中提供的显示面板还包括第一过孔12。其中,第一过孔12设置在第一金属层110对应的膜层位置上,多个第一过孔12可对应的设置在第一金属层110两端位置处,同时,第一过孔12贯穿第一绝缘层104。
其中,驱动电极层107通过对应的第一过孔12结构与第一金属层110电连接,本揭示实施例中,驱动电极层107与感应电极层108设置在同一膜层上,第一金属层110分别与驱动电极层107和感应电极层108设置在不同的膜层上。具体的,第一金属层110可设置在两相邻的驱动电极层107之间的间隔区域在缓冲层103上正投影对应的位置处。这样,第一金属层110的两端可分别与两相邻的驱动电极层107电连接,从而将多个驱动电极层107连接在一起。
具体的,如图3所示,图3为本揭示实施例提供的触控电极层的结构示意图。触控电极层11包括驱动电极层107和感应电极层108。本揭示实施例中,驱动电极层107和感应电极层108设置在同一膜层上,从而可有效地降低显示面板的厚度,控制触控显示面板的各膜层厚度,实现触控显示面板的轻薄化。
本揭示实施例中,多个驱动电极层107和多个感应电极层108的形状可设置为网格形状,具体的,驱动电极层107和感应电极层108可设置为菱形结构,为了保证显示面板内的像素正常发光显示及显示效果,驱动电极层107和感应电极层108设置在发光像素单元对应的非显示区域内,从而避免了对发光像素单元的遮挡,使光线能尽可能多的射到显示面板外,保证显示面板的显示效果。
其中,在设置触控电极层11时,驱动电极层107可沿着第一方向设置,感应电极层108可沿着第二方向设置。本揭示实施例中,第一方向优选为显示面板行的方向,驱动电极层107在行的方向上阵列设置;同时,第二方向优选为显示面板列的方向,感应电极层108在列的方向上阵列设置。这样,驱动电极层107和感应电极层108在第一方向和第二方向上横纵交错,本揭示实施例中,第一方向和第二方向不相互重合。
进一步的,在同一列方向上,相邻的两感应电极层108通过第一过孔与本揭示实施例中设置的第一金属层进行连接,具体的,如第一金属层为连接桥1101,从而使得感应电极108在列的方向上相互连通,当接收到触控信号时,可将触控信号进行传递。
具体的,本揭示实施例中,可在驱动电极层107和感应电极层108的两侧边缘区域处设置金属引线,通过金属引线将触控电极层与驱动电路电连接,进而实现触控信号的传递和控制。
如图4所示,图4为本揭示实施例提供的又一显示面板结构示意图。显示面板包括缓冲层103以及触控层10,其中触控层10设置在缓冲层103上。
具体的,触控层10还包括第一金属层110、第一绝缘层104、触控电极层11以及第二绝缘层106。
其中,第一金属层110设置在缓冲层103上,触控电极层11设置在第一绝缘层104上,第二绝缘层106设置在触控电极层11上。
本揭示实施例中,第一金属层110还包括连接桥1101和第一电极层1102,连接桥1101与第一电极层1102设置在同一膜层上,且连接桥1101和第一电极层1102可间隔设置。同时,结合图3中的触控电极的平面结构示意图,连接桥1101将相邻的两感应电极层108进行电连接。
具体的,本揭示实施例中的连接桥1101可设置为长条状结构,多个长条状结构的连接桥1101阵列的设置在缓冲层103上,为了降低显示面板的膜层厚度,优选的,将连接桥1101和第一电极层1102设置在同一膜层上,从而实现显示面板的轻薄化设计。
同时,本揭示实施例中的触控电极层11还包括驱动电极层107和感应电极层108,驱动电极层107为显示面板提供驱动信号,感应电极层108为显示面板提供触控感应信号,驱动电极层107和感应电极层108共同构成本揭示实施例提供的触控电极层11。
本揭示实施例中提供的显示面板还包括第一过孔12。具体的,第一过孔12设置在连接桥1101对应的膜层位置上,多个第一过孔12对应的设置在连接桥1101的两端位置处,同时,第一过孔12贯穿第一绝缘层104。
具体的,驱动电极层107通过对应的第一过孔12结构与连接桥1101电连接,本揭示实施例中,驱动电极层107与感应电极层108设置在同一膜层上,连接桥1101分别与驱动电极层107和感应电极层108设置在不同的膜层上。具体的,连接桥1101可设置在两相邻的驱动电极层107之间的间隔区域在缓冲层103上正投影对应的位置处。这样,连接桥1101的两端可分别与两相邻的驱动电极层107电连接,从而将多个驱动电极层107连接在一起。
优选的,结合图2中的结构示意图,本揭示实施例提供的显示面板中还包括发光层101和封装层102,其中,发光层101设置在阵列基板100上,封装层102设置在发光层101上,并在封装层102上设置缓冲层103,最后在缓冲层103上设置触控层10,以构成本揭示实施例中提供的触控显示面板的完整结构。发光层101以及封装层102的结构可按照现有技术中的膜层结构进行设置,这里不再详细描述。
为了进一步的降低显示面板内部的薄膜晶体管的各电极对应的信号线的阻抗,本揭示实施例中,在设置第一电极层1102时,如图5所示,图5为本揭示实施例提供的第一电极层的连接结构示意图。本揭示实施例中,还设置有第二过孔403,其中,第一电极层1102通过所述第二过孔403与阵列基板402中的薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
图5中的膜层结构为显示面板中膜层的简化结构示意图,在第一电极层1102和阵列基板402之间还设置有其余膜层,优选的,如缓冲层、发光层等膜层,第二过孔403贯穿上述各个膜层,并使阵列基板402中的薄膜晶体管的源极或者漏极暴露出,以便暴露出的源极或漏极与其他电极层电连接。
本揭示实施例中,在设置第二过孔403时,第二过孔403设置在显示面板的非显示区域对应的膜层位置上,同时,为了降低第二过孔403对显示面板封装性能的影响,可将第二过孔403设置在封装层102区域之外,即显示面板的非显示区域401对应的位置上,从而保证触控显示面板具有较好的封装性能的同时,又不影响到显示面板的显示区域400的正常显示。
第一电极层1102通过第二过孔403与薄膜晶体管的源极或漏极电连接,由于第一电极层102与薄膜晶体管的源极或漏极形成并联的结构,并且第一电极层102与薄膜晶体管的源极或漏极设置在不同的膜层上,此时第一电极层102相当于另一层源极或漏极层,从而有效的降低了薄膜晶体管源极或漏极层对应的电阻的阻抗值,降低了信号在各电极层上的损耗,并提高了显示面板的显示性能及质量。
同时,在设置本揭示实施例中提供的显示面板时,其制备工艺流程与现有技术中的膜层工艺相似,并未变更显示面板的制造工艺。但是,本揭示实施例中提供的显示面板的结构与现有技术中的显示面板的结构不同,本揭示实施例中提供的显示面板内各电极层以及数据线的设计分布更加合理,薄膜晶体管的源极和漏极对应的信号线的阻抗数值更小,在进行信号及数据传递时,具有更良好的传输性能,同时显示面板的显示质量更高。
如图6所示,图6为本揭示实施例提供的触控电极与像素单元结构示意图。触控电极层11对应的设置在各像素单元之间的位置区域内,即将触控电极层11设置在发光像素单元对应的非显示区域内,从而可避免触控电极层11对光线的遮挡,提高显示面板的显示质量。具体的,发光像素单元包括红色子像素500、绿色子像素501以及蓝色子像素502,蓝色子像素502对应的发光区域的面积大于红色子像素500对应的发光区域的面积,触控电极层11设置为网格状结构,同时将触控电极层11设置在各发光子像素之间对应的区域位置上,以保证显示面板的显示质量。
本揭示实施例还提供一种显示装置,显示装置包括本揭示实施例中提供的显示面板,显示面板内部的信号线的布局以及各膜层的结构设置更加合理,并且薄膜晶体管的源极和漏极对应的信号线的阻抗值更小,在进行数据信号传输时,信号的衰减小,从而使得显示面板具有更高的显示质量以及性能。
以上对本揭示实施例所提供的一种像素驱动电路及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本揭示的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管;
缓冲层,所述缓冲层设置在所述阵列基板上;以及
触控层,所述触控层设置在所述缓冲层上;
其中,所述触控层包括:
第一金属层,所述第一金属层设置在所述缓冲层上,所述第一金属层包括多个连接桥和第一电极层,且所述第一电极层与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上;
触控电极层,所述触控电极层包括多个驱动电极层和感应电极层,所述驱动电极层和所述感应电极层阵列设置在所述第一绝缘层上,且所述感应电极层通过第一过孔结构与所述连接桥电连接;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述触控电极层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电极层与所述感应电极层包括网格状电极结构,所述驱动电极层与所述感应电极层设置在所述显示面板的的非显示区域内。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电极层与所述感应电极层设置在同一膜层上,且所述驱动电极层沿第一方向设置,所述感应电极层沿第二方向设置,所述第一方向与所述第二方向不重合。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述连接桥设置在同一列上两相邻的所述感应电极层之间的间隔区域对应的位置上,所述连接桥的两端通过所述第一过孔分别对应的与两相邻的所述感应电极层电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述连接桥与所述第一电极层设置在同一膜层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层通过第二过孔与所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极电连接,所述第一电极层与所述薄膜晶体管的所述源极或漏极形成并联结构。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔设置在所述显示面板的非显示区域内。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光层和封装层,所述发光层设置在所述阵列基板上,所述封装层设置在所述发光层上,且所述触控层设置在所述封装层上。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述连接桥的形状包括长条状。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180095566A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Lg Display Co., Ltd. Display Device with Touch Sensor
US20200321406A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180095566A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Lg Display Co., Ltd. Display Device with Touch Sensor
US20200321406A1 (en) * 2019-04-02 2020-10-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN111799298A (zh) * 2019-04-02 2020-10-20 三星显示有限公司 显示装置

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