CN112582432A - 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。该阵列基板包括基板，包括非显示区；第一无机层，设置于基板的一侧，并覆盖非显示区；第二无机层，设置于第一无机层远离基板的一侧，在非显示区内设置有贯穿第二无机层的凹槽，凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于第二凹槽远离基板的一侧，第二凹槽的顶部开口面积大于第一凹槽的底部开口面积。在第二无机层上形成第一凹槽和第二凹槽时，可以精确的控制第一凹槽和第二凹槽的尺寸，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，提高了显示面板的封装效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板内的有机材料容易受水汽和氧等因素影响，导致OLED显示面板的寿命比较短。因此可以通过封装层对OLED显示面板的边缘进行封装，以提高OLED显示面板的寿命。为了保证封装层的封装效果，可以在OLED显示面板的边缘设置undercut结构。其中，undercut结构为中间膜层的边缘相对于上下膜层向内凹陷的结构。当undercut结构的侧刻均一性比较差时，封装层的封装结构容易失效，导致OLED显示面板的寿命降低。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板，以提高阵列基板的封装效果，提高显示面板的寿命。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
基板，包括非显示区；
第一无机层，设置于所述基板的一侧，并覆盖所述非显示区；
第二无机层，设置于所述第一无机层远离所述基板的一侧，在所述非显示区内设置有贯穿所述第二无机层的凹槽，所述凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述第二凹槽远离所述基板的一侧，所述第二凹槽的顶部开口面积大于所述第一凹槽的底部开口面积。
可选地，所述第一无机层为栅极绝缘层，所述第二无机层为层间绝缘层。
可选地，阵列基板还包括金属层；
所述金属层设置于所述第二凹槽内，沿所述基板的厚度方向，所述金属层在所述非显示区的垂直投影和所述第一凹槽的底部在所述非显示区的垂直投影之间的距离大于零。
可选地，所述金属层的材料为钼。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括发光器件、封装层和本发明任意实施例提供的阵列基板；
所述发光器件设置于所述阵列基板的显示区，所述封装层设置于所述发光器件远离所述阵列基板的一侧，并覆盖所述发光器件和所述第二无机层的第一凹槽和第二凹槽。
第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在基板的一侧形成第一无机层；其中，所述第一无机层覆盖所述基板的非显示区；
在所述第一无机层远离所述基板的一侧形成第二无机层；在所述非显示区内设置有贯穿所述第二无机层的凹槽，所述凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述第二凹槽远离所述基板的一侧，所述第二凹槽的顶部开口面积大于所述第一凹槽的底部开口面积。
可选地，在所述第一无机层远离所述基板的一侧形成第二无机层，包括：
在所述第一无机层远离所述基板的一侧形成金属层；其中，所述金属层位于所述非显示区；
在所述第一无机层和所述金属层远离所述基板的一侧形成无机层；
图案化所述无机层，使所述无机层在所述金属层远离所述基板的一侧形成第一凹槽，并暴露所述金属层；其中，所述第一凹槽的底部开口面积小于所述金属层远离所述基板的一侧的表面积；
刻蚀所述金属层，使所述无机层形成第二凹槽。
可选地，图案化所述无机层，包括：
采用干刻图案化所述无机层。
可选地，刻蚀所述金属层，使所述无机层形成第二凹槽，包括：
采用蚀刻液刻蚀所述金属层，使所述无机层形成所述第二凹槽。
可选地，所述蚀刻液刻蚀所述金属层的蚀刻速率与刻蚀所述无机层的蚀刻速率之比大于或等于50。
本发明实施例的技术方案，通过在阵列基板上的第二无机层上设置有贯穿第二无机层的凹槽，凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽的顶部开口面积大于第一凹槽的底部开口面积，使得第二无机层与第二凹槽同层部分的边缘相对于第二无机层与第一凹槽同层部分的边缘内凹，从而使得第一无机层和第二无机层在第一凹槽和第二凹槽的部分形成undercut结构。在第二无机层上形成第一凹槽和第二凹槽时，可以通过图案化形成，因此第一凹槽和第二凹槽的尺寸可以精确的控制，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，从而保证在形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。而且，undercut结构远离基板一侧的膜层材料为无机材料，在后续形成封装结构时，封装结构的无机层与undercut结构的无机层接触，使得封装结构与undercut结构的接触效果比较好，从而进一步地提高显示面板的封装效果。
附图说明
图1为现有技术提供的一种显示面板的部分剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图7为步骤S610对应的一种阵列基板的结构示意图；
图8为步骤S620对应的一种阵列基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图10为步骤S920对应的一种阵列基板的结构示意图；
图11为步骤S930对应的一种阵列基板的结构示意图；
图12为步骤S940对应的一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有技术提供的一种显示面板的部分剖面结构示意图。如图1和图2所示，显示面板包括显示区10和非显示区20，还包括层叠设置的基板101、绝缘层102、金属层103、发光层104和封装层105。在非显示区20，金属层103包括层叠设置的第一钛层1031、铝层1032和第二钛层1033，且铝层1032在基板101上的投影位于第一钛层1031和第二钛层1033在基板101上的投影内，形成undercut结构。在形成undercut结构后，需要在显示面板上蒸镀发光层104，形成发光器件。发光层104为有机层，当发光层104覆盖undercut结构时，发光层104会在undercut结构的凹陷位置断开，如图1的A区域。在后续对显示面板进行封装形成封装层105时，封装层105在undercut结构的凹陷位置连接，从而可以切断显示面板外部的水氧通过发光层104进入到显示面板内部的路线，进而可以保证显示面板的封装效果。金属层103可以为显示面板内部的一层金属层，例如可以为栅极金属层或源漏极金属层。在图案化金属层103时，可以同时在非显示区20形成图案，此时第一钛层1031、铝层1032和第二钛层1033的侧面在同一平面上。然后在形成undercut结构时，对铝层1032进行酸刻蚀，此时不容易控制铝层1032侧面的刻蚀均一性，进而导致形成的undercut结构的侧面深度不均一，容易导致发光层104在undercut结构处存在连接，从而导致显示面板外部的水氧通过发光层104进入到显示面板的内部，显示面板的封装层105的封装效果比较差的问题。
针对上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板。图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。如图2所示，该阵列基板包括：
基板110，包括非显示区111；
第一无机层120，设置于基板110的一侧，并覆盖非显示区111；
第二无机层130，设置于第一无机层120远离基板110的一侧，在非显示区111内设置有贯穿第二无机层130的凹槽，凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽131和第二凹槽132，第一凹槽131设置于第二凹槽132远离基板110的一侧，第二凹槽132的顶部开口面积大于第一凹槽131的底部开口面积。
具体地，阵列基板可以用于形成显示面板。在形成显示面板后，显示面板上设置过孔区，用于放置感光结构。此时阵列基板上对应过孔区的打孔区域容易受到外界的水氧侵蚀，需要在打孔区域的边缘形成封装结构。非显示区111可以为基板10打孔区域的边缘区域。如图2所示，第二无机层130上设置有贯穿第二无机层130的凹槽，凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽131和第二凹槽132，第一凹槽131的底部与第二凹槽132的顶部连通，第二凹槽132的顶部开口面积大于第一凹槽131的底部开口面积，使得第二无机层130与第二凹槽132同层部分的边缘相对于第二无机层130与第一凹槽131同层部分的边缘内凹，从而使得第一无机层120和第二无机层130在第一凹槽131和第二凹槽132的部分形成undercut结构，用于提升封装结构的封装效果。第二无机层130为无机材料的膜层，在第二无机层130上形成第一凹槽131和第二凹槽132时，可以通过图案化形成，因此第一凹槽131和第二凹槽132的尺寸可以精确的控制，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，从而保证在形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。而且，undercut结构由第一无机层120和第二无机层130形成，即undercut结构远离基板110一侧的膜层材料为无机材料，在后续形成封装结构时，封装结构的无机层与undercut结构的无机层接触，使得封装结构与undercut结构的接触效果比较好，从而进一步地提高显示面板的封装效果。
另外，阵列基板上包括金属层，用于形成晶体管和电容等结构。第二凹槽132可以通过图案化金属层在非显示区111形成图案，然后刻蚀图案形成。示例性地，图案化金属层时，在非显示区111形成图案，图案与第二凹槽132的结构相同。在第二无机层130上形成凹槽时，先通过图案化形成第一凹槽131，使第一凹槽131暴露金属层的图案，然后通过湿刻金属层的图案，去除金属层，形成第二凹槽132。由于第二无机层130为无机材料层，在图案化形成第一凹槽131时，可以通过干刻形成第一凹槽131，第一凹槽131的开口面积可以实现精确的控制。同时，在湿刻金属层形成第二凹槽132时，可以完全去除金属层，因此第二凹槽132的尺寸由图案化金属层时形成的图案确定，同样可以保证第二凹槽132尺寸的精确控制，进而可以使得第一无机层120和第二无机层130形成的undercut结构的尺寸可以精确控制，从而可以控制undercut结构的侧向深度，保证后期形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。
需要说明的是，第二无机层130上连通的第一凹槽131和第二凹槽132的个数不做限定，可以包括多个。图2中示例性地示出了第二无机层130包括两个凹槽，每个凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽131和第二凹槽132，从而形成三个undercut结构，用于多次断开有机层，从而可以更好的切断外界水氧由有机层进入到显示面板内部的路线，提高了显示面板的封装效果。
可选地，第一无机层120为栅极绝缘层，第二无机层130为层间绝缘层。
具体地，第一无机层120和第二无机层130的材料均为无机材料，因此可以复用阵列基板上用于形成晶体管和电容等结构的无机层，例如第一无机层120复用栅极绝缘层，第二无机层130复用层间绝缘层，从而可以避免额外设置无机层。而且，在阵列基板上形成晶体管和电容等结构时，需要对无机层进行图案化。因此，在复用阵列基板上用于形成晶体管和电容等结构的无机层时，可以在对无机层图案化时同时在形成undercut结构处形成图案，从而在后期形成undercut结构，避免额外增加第二无机层130的图案化工艺，从而可以在提高显示面板的封装效果的基础上避免额外增加图案化工艺。
图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。如图3所示，该阵列基板还包括金属层140；
金属层140设置于第二凹槽132内，沿基板的厚度方向X，金属层140在非显示区111的垂直投影和第一凹槽131的底部在非显示区111的垂直投影之间的距离大于零。
具体地，金属层140可以为阵列基板上形成晶体管和电容等结构的金属层，并位于第一无机层120和第二无机层130之间。例如，当第一无机层120为栅极绝缘层，第二无机层130为层间绝缘层时，金属层140可以为栅极金属层。金属层140复用阵列基板上形成晶体管和电容等结构的金属层，可以避免额外设置膜层。而且，形成晶体管和电容等结构的金属层时需要对其进行图案化，形成晶体管或电容的结构。例如，金属层140为栅极金属层，在形成栅极金属层后，需要对栅极金属层图案化形成晶体管的栅极。当金属层140复用阵列基板上形成晶体管和电容等结构的金属层时，金属层140可以与其在同一工艺中图案化，从而可以避免额外增加工艺流程。在第二无机层130形成后，通过图案化形成第一凹槽131后，第一凹槽131可以暴露金属层140，然后通过刻蚀金属层140形成第二凹槽132。在刻蚀金属层140时，可以通过干刻或湿刻刻蚀金属层140，形成第二凹槽132。如图3所示，金属层140可以部分刻蚀，只需金属层140在非显示区111的垂直投影和第一凹槽131的底部在非显示区111的垂直投影之间的距离大于零，保证金属层140的边缘相对于第二无机层130与第一凹槽131同层部分的边缘内凹，形成undercut结构。当采用湿刻刻蚀金属层140时，可以通过控制蚀刻液刻蚀金属层140的蚀刻速率和刻蚀第二无机层130的蚀刻速率之比控制金属层140的刻蚀效果，从而可以控制undercut结构的侧向深度。示例性地，可以控制蚀刻液刻蚀金属层140的蚀刻速率与刻蚀第二无机层130的蚀刻速率之比比较大，例如可以大于或等于50，以使金属层在非显示区111的垂直投影和第一凹槽131的底部在非显示区111的垂直投影之间的距离大于零，形成undercut结构。
需要说明的是，图3仅是示例性地示出了一种通过金属层140形成undercut结构的技术方案。在其他实施例中，不同的第二凹槽132之间通过金属层140间隔。图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。如图4所示，在两个第二凹槽132之间均为金属层140，此时图4中两个第二凹槽132之间的undercut结构由第二无机层130、金属层140和第一无机层120形成。相对于图3中示例性地的技术方案，可以在形成金属层140时，降低金属层140图案化的工艺复杂度。
可选地，金属层140的材料为钼。
具体地，在形成阵列基板时，可以在形成第一无机层120后形成金属层140，然后形成第二无机层130，并对第二无机层130图案化形成第一凹槽131。在阵列基板中还包括阳极层，阳极层设置于第二无机层130远离基板110的一侧。在第二无机层130图案化后，形成阳极层，并通过图案化阳极层形成阳极。阳极层的材料可以包括银，通过设置金属层140的材料为钼，可以在图案化阳极层时，相对于现有技术中金属层包括铝层，避免出现银离子与铝发生置换，从而可以避免图案化形成的阳极存在暗点的问题。
本发明实施例还提供一种显示面板。图5为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图5所示，该显示面板包括发光器件200、封装层300和本发明任意实施例提供的阵列基板100；
发光器件200设置于阵列基板100的显示区112，封装层300设置于发光器件200远离阵列基板100的一侧，并覆盖发光器件200和第二无机层130的第一凹槽131和第二凹槽132。
具体地，阵列基板100包括显示区112和非显示区111，发光器件200包括发光层210，设置于显示区112，用于发光显示。在形成发光器件200时，发光层210沉积至显示区112，并延伸至非显示区111，发光层210的材料为有机材料，在第一凹槽131和第二凹槽132形成的undercut结构处断开。封装层300可以包括无机层，在封装层300封装显示面板时，封装层300覆盖undercut结构，并在undercut结构处连接覆盖发光层。由此可知，undercut结构可以切断外部水氧通过发光层进入到显示面板的内部，保证了封装层300的封装效果。由于本发明任意实施例提供的阵列基板中的undercut结构的侧向深度的精度比较高，从而可以保证发光层在undercut结构处不连接，保证了封装层300的封装效果。而且，封装层300的无机层与第二无机层130接触，使得封装层300与undercut结构的接触效果比较好，从而可以进一步地提高封装层300的封装效果。示例性地，封装层300可以包括层叠设置的第一封装无机层、第一有机层和第二封装无机层，第一封装无机层与undercut结构接触，可以提高封装层300的封装效果。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法。图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图。如图6所示，该方法包括：
S610、在基板的一侧形成第一无机层；其中，第一无机层覆盖基板的非显示区；
具体地，阵列基板包括多层无机层和金属层，用于形成晶体管和电容等器件，从而形成像素电路。图7为步骤S610对应的一种阵列基板的结构示意图。如图7所示，基板110上形成第一无机层120，第一无机层120可以为阵列基板上多层无机层中的一层，例如可以为栅极绝缘层。在形成栅极绝缘层时，栅极绝缘层延伸至非显示区111作为第一无机层120。
S620、在第一无机层远离基板的一侧形成第二无机层；在非显示区内设置有贯穿第二无机层的凹槽，凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于第二凹槽远离基板的一侧，第二凹槽的顶部开口面积大于第一凹槽的底部开口面积。
具体地，图8为步骤S620对应的一种阵列基板的结构示意图。如图8所示，在第一无机层120远离基板的一侧形成第二无机层130，第二无机层130上设置的第一凹槽131和第二凹槽132可以形成undercut结构。由于第二无机层130的材料为无机材料的膜层，在第二无机层130上形成第一凹槽131和第二凹槽132时，可以通过图案化形成，因此第一凹槽131和第二凹槽132的尺寸可以精确的控制，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，从而保证在形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。而且，undercut结构由第一无机层120和第二无机层130形成，即undercut结构远离基板110一侧的膜层材料为无机材料，在后续形成封装结构时，封装结构的无机层与undercut结构的无机层接触，使得封装结构与undercut结构的接触效果比较好，从而进一步地提高显示面板的封装效果。
图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图。如图9所示，该方法包括：
S910、在基板的一侧形成第一无机层；其中，第一无机层覆盖基板的非显示区；
S920、在第一无机层远离基板的一侧形成金属层；其中，金属层位于非显示区；
具体地，图10为步骤S920对应的一种阵列基板的结构示意图。如图10所示，在第一无机层120远离基板110的一侧形成金属层140，该金属层140可以复用阵列基板中的一侧金属层，例如可以为栅极金属层。通过设置金属层140，且金属层140的图案与第二无机层130形成的第二凹槽132的形状一致，可以在后续中可使金属层140形成第二凹槽132。因此可以通过设置金属层140的尺寸确定第二凹槽132的尺寸，金属层140的尺寸可以根据通过图案化金属层140确定，因此可以精确的控制第二凹槽132的尺寸，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，从而保证在形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。
需要说明的是，在形成第二凹槽132时，还可以对金属层140部分刻蚀，用于调整undercut结构的侧向深度，从而可以根据需要设置undercut结构的侧向深度。
S930、在第一无机层和金属层远离基板的一侧形成无机层；
具体地，图11为步骤S930对应的一种阵列基板的结构示意图。如图11所示，无机层图案化后作为第二无机层130，无机层可以复用阵列基板中的无机层，例如可以为层间绝缘层。无机层覆盖非显示区111，用于后续形成undercut结构。
S940、图形化无机层，使无机层在金属层远离基板的一侧形成第一凹槽，并暴露金属层；其中，第一凹槽的底部开口面积小于金属层远离基板的一侧的表面积；
具体地，图12为步骤S940对应的一种阵列基板的结构示意图。如图12所示，图案化无机层，使无机层形成第一凹槽131，第一凹槽131暴露金属层140，用于在后续工艺中能够刻蚀金属层140形成第二凹槽132。且第一凹槽131的底部开口面积小于金属层140远离基板110的一侧的表面，使得在刻蚀金属层140形成第二凹槽132后，第一凹槽131的底部开口面积可以小于第二凹槽132的顶部开口面积，形成undercut结构。
另外，金属层140的材料可以为钼，可以避免在后续刻蚀阳极层形成阳极时与阳极层中的银离子发生置换，避免了阳极中存在暗点的问题。
可选地，图案化无机层，包括：
采用干刻图案化无机层。
具体地，图案化无机层时，可以采用干刻工艺图案化无机层，干刻工艺形成的图案化无机层的尺寸的可控性比较高，因此可以使得无机层形成的第一凹槽131的尺寸的精确度比较高，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，从而保证在形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。
S950、刻蚀金属层，使无机层形成第二凹槽。
具体地，参考图8，刻蚀金属层140后，可以在无机层内形成第二凹槽132，从而形成最终的第二无机层130。第一凹槽131和第二凹槽132以及第一无机层120形成的undercut结构的尺寸可以精确的控制，进而可以精确的控制undercut结构的侧向深度，从而保证在形成显示面板时有机层在undercut结构处不连接，切断了外部水氧通过有机层进入到显示面板的内部，提高了显示面板的封装效果。
可选地，刻蚀金属层，使无机层形成第二凹槽，包括：
采用蚀刻液刻蚀金属层，使无机层形成第二凹槽。
具体地，采用蚀刻液刻蚀金属层140时，可以通过控制蚀刻液刻蚀金属层140的蚀刻速率和刻蚀第二无机层130的蚀刻速率之比控制金属层140的刻蚀效果。可以控制蚀刻液刻蚀金属层140的蚀刻速率与刻蚀第二无机层130的蚀刻速率之比，以控制蚀刻液刻蚀金属层140和无机层的速率。示例性地，蚀刻液刻蚀金属层的蚀刻速率与刻蚀无机层的蚀刻速率之比大于或等于50。以使金属层在非显示区111的垂直投影和第一凹槽131的底部在非显示区111的垂直投影之间的距离大于零，形成undercut结构。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板，包括非显示区；
第一无机层，设置于所述基板的一侧，并覆盖所述非显示区；
第二无机层，设置于所述第一无机层远离所述基板的一侧，在所述非显示区内设置有贯穿所述第二无机层的凹槽，所述凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述第二凹槽远离所述基板的一侧，所述第二凹槽的顶部开口面积大于所述第一凹槽的底部开口面积。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层为栅极绝缘层，所述第二无机层为层间绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括金属层；
所述金属层设置于所述第二凹槽内，沿所述基板的厚度方向，所述金属层在所述非显示区的垂直投影和所述第一凹槽的底部在所述非显示区的垂直投影之间的距离大于零。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材料为钼。
5.一种显示面板，其特征在于，包括发光器件、封装层和权利要求1-4任一项所述的阵列基板；
所述发光器件设置于所述阵列基板的显示区，所述封装层设置于所述发光器件远离所述阵列基板的一侧，并覆盖所述发光器件和所述第二无机层的第一凹槽和第二凹槽。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的一侧形成第一无机层；其中，所述第一无机层覆盖所述基板的非显示区；
在所述第一无机层远离所述基板的一侧形成第二无机层；在所述非显示区内设置有贯穿所述第二无机层的凹槽，所述凹槽包括层叠设置且相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置于所述第二凹槽远离所述基板的一侧，所述第二凹槽的顶部开口面积大于所述第一凹槽的底部开口面积。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一无机层远离所述基板的一侧形成第二无机层，包括：
在所述第一无机层远离所述基板的一侧形成金属层；其中，所述金属层位于所述非显示区；
在所述第一无机层和所述金属层远离所述基板的一侧形成无机层；
图案化所述无机层，使所述无机层在所述金属层远离所述基板的一侧形成第一凹槽，并暴露所述金属层；其中，所述第一凹槽的底部开口面积小于所述金属层远离所述基板的一侧的表面积；
刻蚀所述金属层，使所述无机层形成第二凹槽。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，图案化所述无机层，包括：
采用干刻图案化所述无机层。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，刻蚀所述金属层，使所述无机层形成第二凹槽，包括：
采用蚀刻液刻蚀所述金属层，使所述无机层形成所述第二凹槽。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻液刻蚀所述金属层的蚀刻速率与刻蚀所述无机层的蚀刻速率之比大于或等于50。
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