CN112582308B - 微型发光二极管的转移方法及转移装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种微型发光二极管的转移方法及转移装置。该转移方法包括：在至少一个衬底基材上的至少一个微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，得到至少一个微型发光二极管转移体；激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀；将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板；将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板；去除位于目标基板的发光二极管转移体中的各可膨胀材料单元。本申请实施例实现了微型发光二极管晶粒在转移过程中的间距可调，进而可以提高微型发光二极管的制备效率、缩短制备周期。

Description

微型发光二极管的转移方法及转移装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种微型发光二极管的转移方法及转移装置。
背景技术
Micro-LED(微型发光二极管)技术是新一代的显示技术，由于晶格匹配的原因，Micro-LED晶粒必须先在蓝宝石类的衬底基材上生长，再将把Micro-LED晶粒转移到显示产品的玻璃基板(目标基板)上。然而，显示器的玻璃基板要比蓝宝石衬底基材大很多，因此在Micro-LED显示产品的制程中，需要经历相当多次的Micro-LED晶粒转移，这样会导致制备效率低、制备周期长等缺陷。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种微型发光二极管的转移方法及转移装置，用以解决现有技术存在Micro-LED显示产品的制备效率低或制备周期长的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管的转移方法，包括：
在至少一个衬底基材上的至少一个微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，得到至少一个微型发光二极管转移体；微型发光二极管转移体包括一对相连接的微型发光二极管晶粒与可膨胀材料单元；
激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀；
将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的可膨胀材料单元与转移基板接触；
将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各微型发光二极管转移体中的微型发光二极管晶粒与目标基板相连接；
去除位于目标基板的发光二极管转移体中的各可膨胀材料单元。
第二个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管的转移装置，包括：
真空结构，具有真空腔；
转移基板，包括平行布置的第一面和第二面；第一面与真空结构的一侧连接，第二面用于与微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元接触；转移基板具有至少一个通孔，通孔的第一端开口开设于第一面、且与真空结构的真空腔连通，通孔的第二端开口开设于第二面、用于吸附微型发光二极管转移体；微型发光二极管转移体包括一对相连接的微型发光二极管晶粒与可膨胀材料单元。
本申请实施例提供的微型发光二极管的转移方法带来的有益技术效果包括：在制备得到的微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，使微型发光二极管晶粒与可膨胀材料单元连接为微型发光二极管转移体，激发可膨胀材料单元膨胀后，微型发光二极管转移体可呈“热气球”状，将呈“热气球”状的微型发光二极管转移体吸附至转移基板，并在处于膨胀状态的可膨胀材料单元相互的挤碰作用下，各微型发光二极管转移体中微型发光二极管晶粒之间的间距得到增大，即可实现微型发光二极管晶粒在转移过程中的间距可调，进而可以：利于提高在衬底基材上制备微型发光二极管晶粒的密度，利于提高单次转移的微型发光二极管晶粒数，减少转移次数，缩短转移周期，提高转移效率；利于增加单次生长得到的微型发光二极管晶粒数，缩短微型发光二极管晶粒的制备周期，提高制备效率；利于在单次制备微型发光二极管晶粒的过程中，将磊晶层划分为阵列排布的多个微型发光二极管晶粒时，减少材料的浪费，提高材料利用率，降低成本。
本申请实施例提供的微型发光二极管的转移装置带来的有益技术效果包括：转移基板上贯通第一面和第二面的通孔，可以将真空结构的真空腔内的真空影响区域延伸至转移基板的第二面，使得转移基板的第二面具有能够将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板的真空吸附力，即转移装置可以通过真空吸附的方式对呈“热气球”状的微型发光二极管转移体实现由衬底基材到目标基板的转移，转移过程稳定且高效；而且，转移基板的第二面为微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的可膨胀材料单元提供了相互挤碰的场所，使得各微型发光二极管转移体中微型发光二极管晶粒之间的间距能够得到增大，即可实现微型发光二极管晶粒在转移过程中的间距可调。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法的流程示意图；
图3本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，在至少一个衬底基材上的至少一个微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，得到至少一个微型发光二极管转移体后的膜层结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀后的膜层结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，准备将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板的状态示意图；
图6为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板后的状态示意图；
图7为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，对吸附于转移基板上的至少部分微型发光二极管转移体进行扰动，得到密铺的可膨胀材料单元的阵列后的状态一示意图；
图8为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，对吸附于转移基板上的至少部分微型发光二极管转移体进行扰动，得到密铺的可膨胀材料单元的阵列后的状态二示意图；
图9为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板后的状态示意图；
图10为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，去除位于目标基板的发光二极管转移体中的各可膨胀材料单元后的膜层结构示意图；
图11为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，微型发光二极管转移体位于衬底基材时相邻微型发光二极管晶粒之间的间距，与微型发光二极管转移体被吸附于转移基板时相邻微型发光二极管晶粒之间的间距的对比示意图；
图12为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移方法的展开方法中，将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板的另一种状态示意图；
图13为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移装置的实施方式一的结构示意图；
图14为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移装置中的转移基板的结构示意图
图15为本申请实施例提供的一种微型发光二极管的转移装置的实施方式二的结构示意图。
图中：
100-微型发光二极管转移体；110-微型发光二极管晶粒；120-可膨胀材料单元；
200-衬底基材；
300-转移装置；310-真空结构；320-转移基板；321-第一面；322-第二面；323-通孔；330-端头挡板；
400-目标基板。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人进行研究发现，现有的Micro-LED显示产品的制程中，由于晶格匹配的原因，Micro-LED晶粒必须先在蓝宝石类的衬底基材上生长，再将把Micro-LED晶粒转移到显示产品的玻璃基板(目标基板)上。然而，显示器的玻璃基板要比蓝宝石衬底基材大很多，因此在Micro-LED显示产品的制程中，需要经历相当多次的Micro-LED晶粒转移，这样会导致制备工艺效率低、周期长等缺陷。
由于现有的Micro-LED晶粒转移过程中无法调节Micro-LED晶粒的间距，因此在蓝宝石衬底基材上生长的Micro-LED晶粒的间距必须满足显示器的分辨率(玻璃基板上Micro-LED晶粒的间距)要求，即受到显示产品的分辨率的制约，在面积一定的蓝宝石衬底基材上无法通过提高晶粒密度的方式生长更多的Micro-LED晶粒，这带来的负面影响包括：
1、单一蓝宝石衬底基材上每次生长的Micro-LED晶粒数受限，导致转移次数增加，转移效率低、周期长；
2、单一蓝宝石衬底基材上每次生长的Micro-LED晶粒数受限，导致Micro-LED晶粒的制备次数增加，延长了Micro-LED晶粒的制备周期，制备效率低；
3、单一蓝宝石衬底基材上每次生长的Micro-LED晶粒数受限，导致每次制备Micro-LED晶粒的过程中，将磊晶层划分为阵列排布的多个Micro-LED晶粒时，浪费材料过多，增加成本。
本申请提供的微型发光二极管的转移方法及转移装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种微型发光二极管的转移方法，该转移方法的流程示意图如图1所示，包括步骤S101-S105：
S101：在至少一个衬底基材上的至少一个微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，得到至少一个微型发光二极管转移体；微型发光二极管转移体包括一对相连接的微型发光二极管晶粒与可膨胀材料单元。
S102：激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀。
S103：将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的可膨胀材料单元与转移基板接触。
S104：将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各微型发光二极管转移体中的微型发光二极管晶粒与目标基板相连接。
S105：去除位于目标基板的发光二极管转移体中的各可膨胀材料单元。
在本实施例中，在制备得到的微型发光二极管晶粒110的一侧制作可膨胀材料单元120，使微型发光二极管晶粒110与可膨胀材料单元120连接为微型发光二极管转移体100，激发可膨胀材料单元120膨胀后，微型发光二极管转移体100就呈“热气球”状，将呈“热气球”状的微型发光二极管转移体100吸附至转移基板320，并在处于膨胀状态的可膨胀材料单元120相互的挤碰作用下，各微型发光二极管转移体100中微型发光二极管晶粒110之间的间距得到增大，即可实现微型发光二极管晶粒110在转移过程中的间距可调，进而可以实现以下至少一种有益效果：
利于提高在衬底基材200上制备微型发光二极管晶粒110的密度，利于提高单次转移的微型发光二极管晶粒110数，减少转移次数，缩短转移周期，提高转移效率；
利于增加单次生长得到的微型发光二极管晶粒110数，缩短微型发光二极管晶粒110的制备周期，提高制备效率；
利于在单次制备微型发光二极管晶粒110的过程中，将磊晶层划分为阵列排布的多个微型发光二极管晶粒110时，减少材料的浪费，提高材料利用率，降低成本。
本申请实施例提供了一种微型发光二极管的转移方法的展开方法，该方法的流程示意图如图2所示，包括如下步骤S201-S206：
S201：在至少一个衬底基材上的至少一个微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，得到至少一个微型发光二极管转移体；微型发光二极管转移体包括一对相连接的微型发光二极管晶粒与可膨胀材料单元。
经过步骤S201得到的膜层结构示意图如图3所示。
在本步骤中，在至少一个衬底基材200上的至少一个微型发光二极管晶粒110的一侧制作可膨胀材料单元120，可以根据可膨胀材料单元120所选的不同材质，而选择适合的工艺。
可选地，采用掩膜板涂胶显影工艺制作可膨胀材料单元120。
可选地，采用打印工艺制作可膨胀材料单元120。
可选地，可膨胀材料单元120的形状可以在利于实现密铺及利于“热气球”结构稳定漂浮的前提下做优化设计。例如，通过控制制作得到的可膨胀材料单元120的大小、形状，以适应微型发光二极管晶粒110在转移过程中的间距调节幅度，满足微型发光二极管显示产品的分辨率要求。
可选地，可膨胀材料单元120的形状可以是直径合适的圆形、三角形、方形或多边形等。
S202：激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀。
经过步骤S202得到的膜层结构示意图如图4所示。
在一些可能的实施方式中，步骤S202中激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀，包括：对可膨胀材料单元进行热交换，以激发可膨胀材料单元的体积达到指定尺寸。
在本实施例中，采用热交换的方式激发由正热膨胀材料或负热膨胀材料制成的可膨胀材料单元120膨胀。例如，可通过加温的方式，激发由正热膨胀材料制成的可膨胀材料单元120膨胀；可通过降温的方式，激发由负热膨胀材料制成的可膨胀材料单元120膨胀。
一些可能的实施方式中，步骤S202中激发至少部分微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元膨胀，包括：改变可膨胀材料单元所处环境的压力，以激发可膨胀材料单元的体积达到指定尺寸。
在本实施例中，采用改变环境压力的方式激发可膨胀材料单元120膨胀，此时，可膨胀材料单元120可以采用有机聚合物的超临界CO2微孔发泡材料，例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚烯烃或环氧树脂等。
可选地，改变环境的压力时，可以采用环境压力的突变来激发。
可选地，指定尺寸可以与微型发光二极管显示产品的分辨率尺寸相适应。
S203：将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的可膨胀材料单元与转移基板接触。
准备执行步骤S203时转移基板320的状态示意图如图5所示，执行完步骤S203后的转移基板320的状态示意图如图6所示。
可选地，在步骤S203中，可以利用静电力或磁力等方式将位于衬底基材200上的至少部分微型发光二极管转移体100吸附至转移基板320，完成微型发光二极管转移体100由衬底基材200到转移基板320的转移。
可选地，在步骤S203中，如图12所示，可以转移基板320可以同时对多个衬底基材200上的微型发光二极管转移体100进行吸附，即一块转移基板320可以同时转移多个衬底基材200上的微型发光二极管转移体100，以提高转移效率。
在一些可能的实施方式中，步骤S203中将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的可膨胀材料单元与转移基板接触，包括：通过转移基板对转移基板与衬底基材之间的环境抽真空，使得位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板。
在本实施例中，采用抽真空的吸附方式，可以充分利用微型发光二极管转移体100中可膨胀材料单元120被激发膨胀后的“热气球”结构，实现有效且可靠的转移，并且在受到真空吸力的作用下，微型发光二极管转移体100由衬底基材200向转移基板320转移的过程中，微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120会朝向转移基板320，以至于微型发光二极管转移体100抵达转移基板320后，微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120可以与转移基板320接触，一方面可保证后续将微型发光二极管转移体100由转移基板320转移至目标基板400(微型发光二极管转移体100中的微型发光二极管晶粒110需要与目标基板400连接)的顺利进行；另一方面可有利于相邻微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120相互接触，以利于调整相邻微型发光二极管转移体100中的微型发光二极管晶粒110之间的距离，如图11所示，微型发光二极管晶粒110之间的距离由之前的d1(衬底基材200上微型发光二极管晶粒110之间的距离)，增大到d2(转移至转移基板320后，微型发光二极管晶粒110之间的距离)。
在一些可能的实施方式中，处于膨胀状态的可膨胀材料单元的密度小于微型发光二极管晶粒的密度。这样可以提高呈“热气球”结构的微型发光二极管转移体100的空气浮力性能，提高后续将微型发光二极管转移体100由衬底基材200真空吸附至转移基板320时的姿态，即微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120指向目标基板400。
S204：对吸附于转移基板上的至少部分微型发光二极管转移体进行扰动，得到紧密排列的可膨胀材料单元的阵列。
经过步骤S204后微型发光二极管转移体100的状态示意图如图7或图8所示。
在本步骤中，对吸附于转移基板320上的至少部分微型发光二极管转移体100施以轻微的扰动，可以使“热气球”结构在装置表面形成密铺的规律排列，一方面可利于提高转移基板320上的微型发光二极管转移体100的平整度，进而利于后续将微型发光二极管转移体100由转移基板320转移至目标基板400的完整率；另一方面可利于提高微型发光二极管显示产品的分辨率精度。
可选地，可以对转移基板320施加机械振动，例如晃动，实现对吸附于转移基板320上的至少部分微型发光二极管转移体100的扰动。
可选地，可以控制转移基板320的真空吸力形成脉冲，例如低气压为脉冲，实现对吸附于转移基板320上的至少部分微型发光二极管转移体100的扰动。
S205：将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各微型发光二极管转移体中的微型发光二极管晶粒与目标基板相连接。
经过步骤S205后的微型发光二极管转移体100的状态示意图如图9所示。
可选地，步骤S205中将位于转移基板320的至少部分微型发光二极管转移体100释放至目标基板400，可以将转移基板320移至目标基板400处后，解除转移基板320与微型发光二极管转移体100之间的静电力或磁力，以将微型发光二极管转移体100释放至目标基板400。
可选地，步骤S205中将位于转移基板320的至少部分微型发光二极管转移体100释放至目标基板400，可以将转移基板320移至目标基板400处后，解除转移基板320对微型发光二极管转移体100的真空吸附力，以将微型发光二极管转移体100释放至目标基板400。
在一些可能的实施方式中，步骤S205中将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各微型发光二极管转移体中的微型发光二极管晶粒与目标基板相连接，包括：将位于目标基板的至少部分微型发光二极管转移体与目标基板相向加压连接。
在一些可能的实施方式中，将位于转移基板的至少部分微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各微型发光二极管转移体中的微型发光二极管晶粒与目标基板相连接，包括：将位于目标基板的至少部分微型发光二极管转移体与目标基板上的金属结构粘结连接。
S206：去除位于目标基板的发光二极管转移体中的各可膨胀材料单元。
经过步骤S206得到的膜层结构示意图如图10所示。
在本步骤中，去除位于目标基板400的发光二极管转移体中的各可膨胀材料单元120，可以根据可膨胀材料单元120所选的不同材质，而选择适合的工艺。
可选地，采用光照分解可膨胀材料单元120。
可选地，采用溶剂溶解可膨胀材料单元120。
可选地，采用刻蚀的方式去除可膨胀材料单元120。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种微型发光二极管的转移装置300，该转移装置300的结构示意图如图13所示，包括：真空结构310和转移基板320。
真空结构310，具有真空腔(图中未绘出)；
转移基板320，如图14所示，包括平行布置的第一面321和第二面322；第一面321与真空结构310的一侧连接，第二面322用于与微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120接触；转移基板320具有至少一个通孔323，通孔323的第一端开口开设于第一面321、且与真空结构310的真空腔连通，通孔323的第二端开口开设于第二面322、用于吸附微型发光二极管转移体100；微型发光二极管转移体100包括一对相连接的微型发光二极管晶粒110与可膨胀材料单元120。
在本实施例中，转移基板320上贯通第一面321和第二面322的通孔323，可以将真空结构310的真空腔内的真空影响区域延伸至转移基板320的第二面322，使得转移基板320的第二面322具有能够将位于衬底基材200上的至少部分微型发光二极管转移体100吸附至转移基板320的真空吸附力，即转移装置300可以通过真空吸附的方式对呈“热气球”状的微型发光二极管转移体100实现由衬底基材200到目标基板400的转移，转移过程稳定且高效；而且，转移基板320的第二面322为微型发光二极管转移体100中处于膨胀状态的可膨胀材料单元120提供了相互挤碰的场所，使得各微型发光二极管转移体100中微型发光二极管晶粒110之间的间距能够得到增大，即可实现微型发光二极管晶粒110在转移过程中的间距可调。
在一些可能的实施方式中，通孔323的内径尺寸小于处于膨胀状态的可膨胀材料单元120的外径尺寸。这样可以降低吸附过程中，微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120被吸入通孔323内，导致通孔323堵塞，进而引发转移基板320的吸附能力下降，或向目标基板400释放微型发光二极管转移体100不彻底的风险。
在一些可能的实施方式中，如图15所示，转移装置300还包括：至少一对相对布置的端头挡板330；至少一对端头挡板330与转移基板320连接，并且端头挡板330由第二面322向远离第一面321的方向延伸。
在本实施例中，由转移基板320的第二面322向远离第一面321的方向延伸的至少一对相对布置的端头挡板330，可以与转移基板320的第二面322配合形成约束区域，该约束区域可以用于容纳由衬底基材200处吸附来的微型发光二极管转移体100，具体是微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120，该约束区域还可以为微型发光二极管转移体100中处于膨胀状态的可膨胀材料单元120的相互挤碰提供一定的约束，利于微型发光二极管转移体100在转移基板320的第二面322形成比较密铺的规律排列，如图8所示。一方面可利于提高转移基板320上的微型发光二极管转移体100的平整度，进而利于后续将微型发光二极管转移体100由转移基板320转移至目标基板400的完整率；另一方面可利于提高微型发光二极管显示产品的分辨率精度。
可选地，转移装置300还包括两对相对布置的端头挡板330；每个端头挡板330均与转移基板320连接，并且端头挡板330由第二面322向远离第一面321的方向延伸；一对端头挡板330与另一对端头挡板330呈正交布置，即四个端头挡板330与转移基板320的第二面322共同围合成一面为开口的六面体约束区域，这样可以利于为微型发光二极管转移体100中处于膨胀状态的可膨胀材料单元120的相互挤碰提供一对正交方向的约束，例如在第二面322所在平面形成X轴方向与Y轴方向的约束，利于微型发光二极管转移体100在转移基板320的第二面322形成更为密铺的规律排列。
在一些可能的实施方式中，每一对相对布置的端头挡板330之间的距离是处于膨胀状态的可膨胀材料单元120的外径尺寸的正整数倍。这样可以强化微型发光二极管转移体100在转移基板320的第二面322形成更为密铺的规律排列，减少相邻微型发光二极管转移体100中可膨胀材料单元120之间的间隙，即降低排列误差，提高微型发光二极管显示产品的分辨率精度。
在一些可能的实施方式中，转移装置300还包括：振动器(图中未绘出)。振动器与转移基板320传动连接。本实施例采用振动器为转移基板320带来振动力，例如晃动，进而实现对吸附于转移基板320上的至少部分微型发光二极管转移体100的扰动，以提高各微型发光二极管转移体100在转移基板320上规律排列的密铺程度。
在一些可能的实施方式中，转移装置300还包括：脉冲控制阀(图中未绘出)。本实施例采用脉冲控制阀实现对真空吸附力的控制，以使真空吸力形成脉冲，例如低气压为脉冲，实现对吸附于转移基板320上的至少部分微型发光二极管转移体100的扰动。
可选地，脉冲控制阀位于真空结构310的真空腔内。
可选地，脉冲控制阀位于真空结构310的真空腔与转移基板320的通孔323之间的气道中。
可选地，脉冲控制阀位于与真空结构310的真空腔连通的上游气道中。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
1、在制备得到的微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，使微型发光二极管晶粒与可膨胀材料单元连接为微型发光二极管转移体，激发可膨胀材料单元膨胀后，微型发光二极管转移体可呈“热气球”状，将呈“热气球”状的微型发光二极管转移体吸附至转移基板，并在处于膨胀状态的可膨胀材料单元相互的挤碰作用下，各微型发光二极管转移体中微型发光二极管晶粒之间的间距得到增大，即可实现微型发光二极管晶粒在转移过程中的间距可调，进而可以：利于提高在衬底基材上制备微型发光二极管晶粒的密度，利于提高单次转移的微型发光二极管晶粒数，减少转移次数，缩短转移周期，提高转移效率；利于增加单次生长得到的微型发光二极管晶粒数，缩短微型发光二极管晶粒的制备周期，提高制备效率；利于在单次制备微型发光二极管晶粒的过程中，将磊晶层划分为阵列排布的多个微型发光二极管晶粒时，减少材料的浪费，提高材料利用率，降低成本。
2、采用热交换的方式激发由正热膨胀材料或负热膨胀材料制成的可膨胀材料单元120膨胀至指定尺寸，可以与微型发光二极管显示产品的分辨率尺寸相适应。
3、采用抽真空的吸附方式，可以充分利用微型发光二极管转移体100中可膨胀材料单元120被激发膨胀后的“热气球”结构，实现有效且可靠的转移，并且在受到真空吸力的作用下，微型发光二极管转移体100由衬底基材200向转移基板320转移的过程中，微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120会朝向转移基板320，以至于微型发光二极管转移体100抵达转移基板320后，微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120可以与转移基板320接触，一方面可保证后续将微型发光二极管转移体100由转移基板320转移至目标基板400(微型发光二极管转移体100中的微型发光二极管晶粒110需要与目标基板400连接)的顺利进行；另一方面可有利于相邻微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120相互接触，以利于调整相邻微型发光二极管转移体100中的微型发光二极管晶粒110之间的距离。
4、处于膨胀状态的可膨胀材料单元的密度小于微型发光二极管晶粒的密度，可以提高呈“热气球”结构的微型发光二极管转移体100的空气浮力性能，提高后续将微型发光二极管转移体100由衬底基材200真空吸附至转移基板320时的姿态，即微型发光二极管转移体100中的可膨胀材料单元120指向目标基板400。
5、对吸附于转移基板320上的至少部分微型发光二极管转移体100施以轻微的扰动，可以使“热气球”结构在装置表面形成密铺的规律排列，一方面可利于提高转移基板320上的微型发光二极管转移体100的平整度，进而利于后续将微型发光二极管转移体100由转移基板320转移至目标基板400的完整率；另一方面可利于提高微型发光二极管显示产品的分辨率精度。
6、转移基板上贯通第一面和第二面的通孔323，可以将真空结构的真空腔内的真空影响区域延伸至转移基板的第二面，使得转移基板的第二面具有能够将位于衬底基材上的至少部分微型发光二极管转移体吸附至转移基板的真空吸附力，即转移装置可以通过真空吸附的方式对呈“热气球”状的微型发光二极管转移体实现由衬底基材到目标基板的转移，转移过程稳定且高效；而且，转移基板的第二面为微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的可膨胀材料单元提供了相互挤碰的场所，使得各微型发光二极管转移体中微型发光二极管晶粒之间的间距能够得到增大，即可实现微型发光二极管晶粒在转移过程中的间距可调。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (12)

1.一种微型发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：
在至少一个衬底基材上的至少两个微型发光二极管晶粒的一侧制作可膨胀材料单元，得到至少两个微型发光二极管转移体；所述微型发光二极管转移体包括一对相连接的所述微型发光二极管晶粒与所述可膨胀材料单元；
激发至少部分所述微型发光二极管转移体中的所述可膨胀材料单元膨胀；
将位于所述衬底基材上的至少部分所述微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各所述微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元与所述转移基板接触，在处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元相互的挤碰作用下，各所述微型发光二极管转移体中微型发光二极管晶粒之间的间距得到增大；
将位于所述转移基板的至少部分所述微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各所述微型发光二极管转移体中的所述微型发光二极管晶粒与所述目标基板相连接；
去除位于所述目标基板的所述发光二极管转移体中的各所述可膨胀材料单元。
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述激发至少部分所述微型发光二极管转移体中的所述可膨胀材料单元膨胀，包括：
对所述可膨胀材料单元进行热交换，以激发所述可膨胀材料单元的体积达到指定尺寸；或，改变所述可膨胀材料单元所处环境的压力，以激发所述可膨胀材料单元的体积达到指定尺寸。
3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述将位于所述衬底基材上的至少部分所述微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各所述微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元与所述转移基板接触，包括：
通过所述转移基板对所述转移基板与所述衬底基材之间的环境抽真空，使得位于所述衬底基材上的至少部分所述微型发光二极管转移体吸附至所述转移基板。
4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元的密度小于所述微型发光二极管晶粒的密度。
5.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述将位于所述衬底基材上的至少部分所述微型发光二极管转移体吸附至转移基板，且使得各所述微型发光二极管转移体中处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元与所述转移基板接触之后，还包括：
对吸附于所述转移基板上的至少部分所述微型发光二极管转移体进行扰动，得到紧密排列的所述可膨胀材料单元的阵列。
6.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述将位于所述转移基板的至少部分所述微型发光二极管转移体释放至目标基板，且使得各所述微型发光二极管转移体中的所述微型发光二极管晶粒与所述目标基板相连接，包括：
将位于所述目标基板的至少部分所述微型发光二极管转移体与所述目标基板相向加压连接；
或，将位于所述目标基板的至少部分所述微型发光二极管转移体与所述目标基板上的金属结构粘结连接。
7.一种微型发光二极管的转移装置，其特征在于，所述转移装置用于实现如权利要求1-6中任一所述的转移方法，所述转移装置包括：
真空结构，具有真空腔；
转移基板，包括平行布置的第一面和第二面；所述第一面与所述真空结构的一侧连接，所述第二面用于与微型发光二极管转移体中的可膨胀材料单元接触；所述转移基板具有至少一个通孔，所述通孔的第一端开口开设于所述第一面、且与所述真空结构的所述真空腔连通，所述通孔的第二端开口开设于所述第二面、用于吸附所述微型发光二极管转移体；所述微型发光二极管转移体包括一对相连接的微型发光二极管晶粒与所述可膨胀材料单元。
8.根据权利要求7所述的转移装置，其特征在于，所述通孔的内径尺寸小于处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元的外径尺寸。
9.根据权利要求7所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：至少一对相对布置的端头挡板；
至少一对所述端头挡板与所述转移基板连接，并且所述端头挡板由所述第二面向远离所述第一面的方向延伸。
10.根据权利要求9所述的转移装置，其特征在于，每一对相对布置的所述端头挡板之间的距离是处于膨胀状态的所述可膨胀材料单元的外径尺寸的正整数倍。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：振动器；
所述振动器与所述转移基板传动连接。
12.根据权利要求7-10中任一项所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：脉冲控制阀；
所述脉冲控制阀位于所述真空结构的所述真空腔内；或，所述脉冲控制阀位于所述真空结构的所述真空腔与所述转移基板的所述通孔之间的气道中；或，所述脉冲控制阀位于与所述真空结构的所述真空腔连通的上游气道中。
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