CN112569999A - 一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法 - Google Patents

一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法 Download PDF

Info

Publication number
CN112569999A
CN112569999A CN202011456913.6A CN202011456913A CN112569999A CN 112569999 A CN112569999 A CN 112569999A CN 202011456913 A CN202011456913 A CN 202011456913A CN 112569999 A CN112569999 A CN 112569999A
Authority
CN
China
Prior art keywords
shaped
ball
flower
doped sno
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202011456913.6A
Other languages
English (en)
Inventor
钱建强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongxiang Jiman'er Information Technology Co ltd
Original Assignee
Tongxiang Jiman'er Information Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongxiang Jiman'er Information Technology Co ltd filed Critical Tongxiang Jiman'er Information Technology Co ltd
Priority to CN202011456913.6A priority Critical patent/CN112569999A/zh
Publication of CN112569999A publication Critical patent/CN112569999A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/24—Nitrogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
    • B01J37/08—Heat treatment
    • B01J37/10—Heat treatment in the presence of water, e.g. steam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/04—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of inorganic compounds, e.g. ammonia
    • C01B3/042—Decomposition of water
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明涉及掺杂光催化产氢领域，且公开了一种花球状N掺杂SnO2负载g‑C3N4的光催化产氢材料，SnO2在水热过程中晶核逐渐生长，在聚乙烯吡咯烷酮作用下，晶核表面形成了小块凸起的纳米粉体，N掺杂SnO2后样品形貌发生改变，最终生长为纳米花球状N掺杂SnO2，空心管状纳米g‑C3N4在与其水热过程中，纳米花球状N掺杂SnO2先在空心管状纳米g‑C3N4表面粗糙的位置生长，当光催化材料受到辐射，光生电子会从空心管状纳米g‑C3N4的价带跃迁，留下空穴，产生光生电子和空穴，两者形成异质结结构并为光生电子提供传输通道，使光生电子和空穴的快速分离，光生电子迁移到空心管状纳米g‑C3N4表面发生反应将氢离子还原成氢气，从而提高产氢效率。

Description

一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法
技术领域
本发明涉及掺杂光催化产氢领域，具体为一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法。
背景技术
相对于其他氢气制取方法，光催化水解产氢具有非常明显的优势，水分解产生氢气，且氢气燃烧后终产物是水，形成一种环保的良性循环，因此，光催化水解产氢是一种满足环境和经济双方面发展的新途径，而杂原子掺杂二氧化锡使得其电阻率降低，对可见光的透射率提高，这些特性使得掺杂二氧化锡材料在发光二极管、平板显示器等方面应用十分广泛，虽然纳米二氧化锡合成方法多样，操作简单，但在产氢性能尤其是掺杂二氧化锡的产氢性能研究相对较少，因此二氧化锡半导体功能材料制备和产氢性能的研究需要更加广泛。
石墨烯氮化碳g-C3N4是一种用途广泛的非金属半导体，具有十分良好的耐酸、耐碱、稳定性、和光催化等性能，这些性能使得g-C3N4具有十分巨大的潜在研究价值，目前已广泛应用于助催化剂、有机物选择性合成、光催化等方面，除此之外，g-C3N4还具有在可见光驱动下稳定有效地光解水产氢的性能，但是普通的g-C3N4可见光利用率低、比表面积较小，很大程度上影响了光催化水解产氢性能，同时g-C3N4的光生电子和空穴很容易复合，进一步影响了其光催化活性。
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种高效的花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法，解决了g-C3N4光催化剂比表面积较小，光生电子和空穴容易复合，光催化分解水产氢性能较差的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，所述花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料制备方法包括以下步骤：
(1)向反应瓶中加入去离子水为溶剂中，再加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，边搅拌边加入聚乙烯吡咯烷酮，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到170-190℃，反应18-30h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)向反应瓶中加入三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末并均匀混合，置于管式炉内，在氮气氛围中加热至550-650℃，保持3-6h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向反应瓶中加入乙醇和水的混合溶剂，再加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至140-160℃，反应3-6h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧300-350℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
优选的，所述步骤(1)中的电热鼓风干燥箱装置包括电机，电机与导轮固定连接，导轮活动连接有转轮，转轮与鼓风扇固定连接，电热鼓风干燥箱内部设置有加热器，电热鼓风干燥箱表面设置有显示器和开关。
优选的，所述步骤(1)中的四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:90-110:80-100:15-30:310-390。
优选的，所述步骤(2)中三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:0.8-1.2。
优选的，所述步骤(3)中的纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:10-15。
(三)有益的技术效果
与现有技术相比，本发明具备以下实验原理和有益技术效果：
该一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，在水热反应开始阶段，前驱液中形成沉淀，并开始晶核生长过程，在聚乙烯吡咯烷酮表面活性剂的作用下，晶核表面形成了小块凸起、尺寸较小、分散性良好的纳米粉体，随着反应继续进行，晶体会优先向结核能较低的晶面生长，最终凝结核生长为纳米花球状N掺杂SnO2，N掺杂SnO2后样品形貌发生改变，提高了SnO2结晶度，形成了具有独特的纳米花球形貌和更高的比表面积。
该一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，三聚氰胺与碳酸氢铵混合后，碳酸氢铵表面会附着三聚氰胺，随温度升高，碳酸氢铵分解释放大量氨气，诱导g-C3N4形成纳米管结构，空心管状纳米g-C3N4在与纳米花球状N掺杂SnO2水热反应过程中，在高温高压条件下，纳米花球状N掺杂SnO2会优先在空心管状纳米g-C3N4表面相对粗糙的位置生长成核并逐渐长大，有效避免了纳米花球状N掺杂SnO2团聚的现象。
该一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，当光催化材料受到高能量的光照射时，光生电子会从空心管状纳米g-C3N4的价带跃迁到导带，而留下空穴在价带中，产生光生电子和空穴，由于花球状N掺杂SnO2和管状纳米g-C3N4的能带相匹配，两者形成异质结结构，异质结结构为光生电子提供传输通道，从而使大部分光生电子通过异质结转移至花球状N掺杂SnO2的导带中，实现光生电子和空穴的快速分离，显著减少了光生载流子的重组和复合，光生电子迁移到半导体表面发生还原反应将氢离子还原成氢气，从而表现出优异的光催化分解水产氢活性和产氢效率。
附图说明
图1是电热鼓风干燥箱装置结构示意图；
图2是转轮放大示意图。
1-鼓风干燥箱；2-电机；3-导轮；4-转轮；5-鼓风扇；6-加热器；7-显示器；8-开关。
实施方式
为实现上述目的，本发明提供如下具体实施方式和实施例：一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，制备方法包括以下步骤：
实施例1
(1)向反应瓶中加入去离子水为溶剂中，再加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，边搅拌边加入聚乙烯吡咯烷酮，四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:90:80:15:310，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到170℃，反应18h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)向反应瓶中加入三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末并均匀混合，三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:0.8，置于管式炉内，在氮气氛围中加热至550℃，保持3h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向反应瓶中加入乙醇和水的混合溶剂，再加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:10，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至140℃，反应3h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧300℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
实施例2
(1)向反应瓶中加入去离子水为溶剂中，再加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，边搅拌边加入聚乙烯吡咯烷酮，四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:100:90:20:350，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到180℃，反应20h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)向反应瓶中加入三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末并均匀混合，三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:1，置于管式炉内，在氮气氛围中加热至600℃，保持4h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向反应瓶中加入乙醇和水的混合溶剂，再加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:12，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至150℃，反应4h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧320℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
实施例3
(1)向反应瓶中加入去离子水为溶剂中，再加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，边搅拌边加入聚乙烯吡咯烷酮，四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:110:100:30:390，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到190℃，反应30h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)向反应瓶中加入三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末并均匀混合，三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:1.2，置于管式炉内，在氮气氛围中加热至650℃，保持6h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向反应瓶中加入乙醇和水的混合溶剂，再加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:15，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至160℃，反应6h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧350℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
对比例1
(1)向反应瓶中加入去离子水为溶剂中，再加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，边搅拌边加入聚乙烯吡咯烷酮，四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:70:60:5:270，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到160℃，反应16h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)向反应瓶中加入三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末并均匀混合，三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:0.6，置于管式炉内，在氮气氛围中加热至520℃，保持2h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向反应瓶中加入乙醇和水的混合溶剂，再加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:8，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至130℃，反应2h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧300℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
对比例2
(1)向反应瓶中加入去离子水为溶剂中，再加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，边搅拌边加入聚乙烯吡咯烷酮，四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:120:110:35:440，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到200℃，反应32h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)向反应瓶中加入三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末并均匀混合，三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:1.5，置于管式炉内，在氮气氛围中加热至600℃，保持7h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向反应瓶中加入乙醇和水的混合溶剂，再加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:18，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至180℃，反应8h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧400℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
向去离子水中加入0.2g的花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，再加入助催化剂六氯合铂酸和牺牲剂三乙醇胺，选择光源为300W氙灯，进入420nm滤光片，进行光催化产氢过程，使用GC-MS 6800质谱联用仪测试花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料的产氢速率，测试标准为GB/T 26915-2011。
Figure BDA0002829042030000071

Claims (5)

1.一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，其特征在于：所述花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料制备方法包括以下步骤：
(1)向去离子水中溶剂中加入四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢溶液、浓氨水，搅拌后加入聚乙烯吡咯烷酮，放入反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热到170-190℃，反应18-30h，产物洗涤、抽滤并烘干，得到纳米花球状N掺杂SnO2。
(2)将三聚氰胺和碳酸氢铵的粉末均匀混合，放入反应瓶中并置于管式炉内，在氮气氛围中加热至550-650℃，保持3-6h，得到空心管状纳米g-C3N4。
(3)向乙醇和水混合溶剂中加入纳米花球状N掺杂SnO2和空心管状纳米g-C3N4，搅拌并分散后置于水热反应釜中并在电热鼓风干燥箱中加热至140-160℃，反应3-6h，冷却后洗涤、离心并烘干，煅烧300-350℃，得到花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料。
2.根据权利要求1所述的一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，其特征在于：所述步骤(1)中的电热鼓风干燥箱装置包括电机，电机与导轮固定连接，导轮活动连接有转轮，转轮与鼓风扇固定连接，电热鼓风干燥箱内部设置有加热器，电热鼓风干燥箱表面设置有显示器和开关。
3.根据权利要求1所述的一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，其特征在于：所述步骤(1)中的四氯化锡、氢氧化钠、过氧化氢、浓氨水、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为100:90-110:80-100:15-30:310-390。
4.根据权利要求1所述的一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，其特征在于：所述步骤(2)中三聚氰胺和碳酸氢铵的质量比为3:0.8-1.2。
5.根据权利要求1所述的一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料，其特征在于：所述步骤(3)中的纳米花球状N掺杂SnO2、空心管状纳米g-C3N4的质量比为10:10-15。
CN202011456913.6A 2020-12-10 2020-12-10 一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法 Withdrawn CN112569999A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011456913.6A CN112569999A (zh) 2020-12-10 2020-12-10 一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011456913.6A CN112569999A (zh) 2020-12-10 2020-12-10 一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112569999A true CN112569999A (zh) 2021-03-30

Family

ID=75131460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011456913.6A Withdrawn CN112569999A (zh) 2020-12-10 2020-12-10 一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112569999A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113880132A (zh) * 2021-10-25 2022-01-04 济南大学 一种3dom结构的氮掺杂二氧化锡材料及其制备方法与应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113880132A (zh) * 2021-10-25 2022-01-04 济南大学 一种3dom结构的氮掺杂二氧化锡材料及其制备方法与应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108607593B (zh) 硫化镉纳米粒子修饰的五氧化二铌纳米棒/氮掺杂石墨烯复合光催化剂与应用
CN106669756B (zh) 一种纳米层状g-C3N4/Ag@AgCl复合光催化材料的制备方法
CN105771948B (zh) 具有高光催化制氢性能的双壳二氧化钛催化剂的制备方法
CN111437846B (zh) 一种多孔CoO/CoP纳米管及其制备方法和应用
CN105585043B (zh) 一种花状纳米氧化铈材料的制备方法
CN105977502A (zh) 一种以泡沫镍为基体的三维石墨烯/银纳米粒子复合材料及其制备方法
CN114471639B (zh) 过渡金属元素掺杂及具有硫空位的硫化镉负载过渡金属磷化物光催化材料及其制备方法
CN111774083B (zh) 低温磷掺杂氮化碳负载高分散钯的析氢催化剂的制备方法及产品和应用
CN110707301A (zh) 一种具有纳米球结构的三氧化二钒/碳复合材料及其制备方法和应用
CN113680346B (zh) 一种核壳结构还原二氧化碳光催化剂及其制备方法与应用
CN109225182B (zh) 一种超薄硅纳米片光催化剂及其制备方法与应用
CN104607226A (zh) 一种氧氮化钽光催化材料的制备方法
CN113862719B (zh) 一种过渡金属氧化物催化剂及其制备方法和应用
CN115999614A (zh) 一种紫外-可见-近红外光响应的二氧化碳还原光催化剂
CN111659441A (zh) 一种g-C3N4-Bi2WO6异质结光催化产氢材料及其制法
CN112569999A (zh) 一种花球状N掺杂SnO2负载g-C3N4的光催化产氢材料及制法
CN114632536A (zh) 具有光催化性能的NiCo2O4/NiO/g-C3N4纳米管制备方法和应用
CN113976165A (zh) 一种铋钨酸盐与氮化碳复合光催化材料的制备及应用
WO2021238083A1 (zh) 一种利用凹凸棒石制备硅酸盐/碳复合材料的方法及其应用
CN112408317A (zh) 一种碳负载二氧化钛掺杂氢化铝锂储氢材料及其制备方法
CN112047372A (zh) 一种CuO多孔纳米片、其制备方法及其在热催化和光热催化方面的应用
CN105060272B (zh) 一种以卤虫卵壳作为碳源低温下制备碳纳米管的方法
CN111204741A (zh) 一种三维石墨烯/碳纳米管交联复合材料的制备方法
CN106673118A (zh) 一种锐钛矿二氧化钛/碳复合材料的制备方法
CN111847501B (zh) 一种偏锡酸锌量子点的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210330

WW01 Invention patent application withdrawn after publication