CN112542144A - 面板驱动电路和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种面板驱动电路和显示面板，其中，面板驱动电路包括：驱动电路和发光二极管，所述驱动电路与所述发光二极管连接；其中，所述驱动电路包括多个叠加的驱动模块，根据预设灰阶选通对应数量的驱动模块；每个所述驱动模块包括扫描控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管通过所述开关晶体管与所述驱动晶体管连接，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管的第一端分别连接扫描信号端，所述发光二极管与所述每个驱动模块中的驱动晶体管依次连接。本申请可以更好的提高灰阶数，进而提升图像质量。

Description

面板驱动电路和显示面板
技术领域
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种面板驱动电路和显示面板。
背景技术
迷你发光二极管(Mini LED OE)属于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)背光技术，通过封装、尺寸微缩与巨量转移技术的导入，提高背光源区域控制的能力、减少背光的光学距离，进而实现超薄、省电、可挠、高动态对比(High-Dynamic Range，HDR)的背光技术。迷你发光二极管背光通过高密度矩阵式排列，可以更好实现较为精细的区域调光，并且功耗表现较传统背光更好。
请参阅图1，图1为相关技术中迷你发光二极管的面板驱动电路的电路结构示意图，图1中，该迷你发光二极管的面板驱动电路包括扫描控制晶体管T2、存储电容Cs、驱动晶体管T1和发光二极管LED，扫描控制晶体管T2的栅极连接扫描信号SCAN，扫描控制晶体管T2的源极连接数据信号DATA，扫描控制晶体管T2的漏极分别与存储电容的一端和驱动晶体管T1的栅极连接，驱动晶体管T1的漏极与发光二极管LED的阴极连接，发光二极管LED的阳极连接电源电压输入端，存储电容Cs的另一端和驱动晶体管T1的源极连接接地端。
当扫描信号为高电平时，使能扫描功能，此后，数据信号跳变到高电平，打开扫描控制晶体管T2，从而使驱动晶体管T1导通，则发光二极管LED有电流流过，发光二极管LED发光。然而，然而，随着市场需求及对发光二极管规格的提升，该方案受限于LED灯的特性等因素，导致显示面板显示亮度不能调节，无法更好的提高灰阶数，从而影响图像的质量。
发明内容
本申请实施例提供一种面板驱动电路和显示面板，可以更好的提高灰阶数，从而提升图像质量。
本申请实施例提供一种面板驱动电路，包括：
驱动电路和发光二极管，所述驱动电路与所述发光二极管连接；其中，
所述驱动电路包括多个叠加的驱动模块，根据预设灰阶选通对应数量的驱动模块；
每个所述驱动模块包括扫描控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管通过所述开关晶体管与所述驱动晶体管连接，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管的第一端分别连接扫描信号端，所述发光二极管与所述每个驱动模块中的驱动晶体管依次连接。
进一步地，每个所述驱动模块中的扫描晶体管的第二端与所述开关晶体管的第一端连接，每个所述驱动模块中的扫描晶体管的第三端分别连接不同的数据信号端，每个所述驱动模块中的开关晶体管的第二端分别与对应驱动晶体管的第三端连接，每个所述驱动模块中的开关晶体管的第三端连接接地端；
每个所述驱动模块中的驱动晶体管的第一端分别连接不同的片选信号端，后一个驱动模块中的驱动晶体管的第二端与前一个驱动模块中的驱动晶体管的第三端连接，与所述发光二极管位置最接近的驱动模块中的驱动晶体管的第二端与所述发光二极管的阴极连接，所述发光二极管的阳极连接电源电压输入端，通过所述片选信号端输入的片选信号选通对应的驱动晶体管以调节通过所述发光二极管的电流。
进一步地，所述驱动电路还包括存储电容，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管的第二端还分别与所述存储电容的一端连接，所述存储电容的另一端连接所述接地端。
进一步地，所述存储电容用于存储所述数据信号端输入的灰阶电压。
进一步地，所述开关晶体管为MOS管。
进一步地，所述扫描控制晶体管、MOS管和驱动晶体管为薄膜晶体管。
进一步地，所述第一端为栅极，所述第二端为漏极，所述第三端为源极。
进一步地，每个所述MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值不同。
进一步地，每个所述MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值为与所述发光二极管的位置最接近的MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值的不同整数倍。
进一步地，当目标数据信号端输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与所述目标数据信号端连接的MOS管导通。
进一步地，所述目标数据信号端为一个或多个不同的数据信号端。
进一步地，所述片选信号端根据不同的灰阶与所述数据信号端相对独立的切分灰阶。
本申请实施例提供了一种显示面板，包括本申请实施例提供的所述面板驱动电路。
本申请实施例中，通过设置驱动电路和发光二极管，驱动电路包括多个叠加的驱动模块，根据预设灰阶选通对应数量的驱动模块，每个驱动模块包括扫描控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管；通过导通不同的开关晶体管及选通一个或多个驱动晶体管可以组合出不同的电流，从而可以对通过发光二极管的电流进行调节，便于提升亮度的层级，因此本申请实施例可以更好的提高灰阶数，进而提升图像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为相关技术中迷你发光二极管的面板驱动电路的电路结构示意图。
图2为本申请实施例提供的面板驱动电路的电路结构示意图。
图3为本申请实施例提供的一个时序图中电压类信号的电压波形示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的面板驱动电路的电路结构示意图。该面板驱动电路包括驱动电路100和发光二极管LED，驱动电路100与发光二极管LED连接。
其中，驱动电路100包括多个叠加的驱动模块，该驱动电路100根据预设灰阶选通对应数量的驱动模块，比如，该驱动电路100可以根据预设灰阶选通一个驱动模块，再如，该驱动电路100可以根据预设灰阶选通四个驱动模块，又如，该驱动电路100可以根据预设灰阶选通六个驱动模块，等等。当预设灰阶不同时，对应选通的驱动模块的数量也是不同的。
图1中以驱动电路100包括四个驱动模块为例进行说明，该四个驱动模块为驱动模块101、驱动模块102、驱动模块103和驱动模块104。实际应用中，可以根据具体需求相应调整驱动模块的数量，例如，驱动模块的数量为一个，或者，驱动模块的数量为六个，或者，驱动模块的数量为十个，等等，本申请实施例对驱动模块的数量不做限制。
本申请实施例中，每个驱动模块包括扫描控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管，每个驱动模块中的扫描控制晶体管通过开关晶体管与驱动晶体管连接，每个驱动模块中的扫描控制晶体管的第一端分别连接扫描信号端Scan，发光二极管LED与每个驱动模块中的驱动晶体管依次连接。
比如，驱动模块101包括扫描控制晶体管T1、开关晶体管M1和驱动晶体管Q1，扫描控制晶体管T1通过开关晶体管M1与驱动晶体管Q1连接，驱动模块102包括扫描控制晶体管T2、开关晶体管M2和驱动晶体管Q2，扫描控制晶体管T2通过开关晶体管M2与驱动晶体管Q2连接，驱动模块103包括扫描控制晶体管T3、开关晶体管M3和驱动晶体管Q3，扫描控制晶体管T3通过开关晶体管M3与驱动晶体管Q3连接，驱动模块104包括扫描控制晶体管T4、开关晶体管M4和驱动晶体管Q4，扫描控制晶体管T4通过开关晶体管M4与驱动晶体管Q4连接，等等。
本申请实施例中，通过设置驱动电路100和发光二极管LED，驱动电路100包括多个叠加的驱动模块，根据预设灰阶选通对应数量的驱动模块，每个驱动模块包括扫描控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管；通过导通不同的开关晶体管及选通一个或多个驱动晶体管可以组合出不同的电流，从而可以对通过发光二极管LED的电流进行调节，便于提升亮度的层级，因此本申请实施例可以更好的提高灰阶数，进而提升图像质量。
比如，在一种实施方式中，每个驱动模块中的扫描晶体管的第二端与开关晶体管的第一端连接，每个驱动模块中的扫描晶体管的第三端分别连接不同的数据信号端，每个驱动模块中的开关晶体管的第二端分别与对应驱动晶体管的第三端连接，每个驱动模块中的开关晶体管的第三端连接接地端GND。
每个驱动模块中的驱动晶体管的第一端分别连接不同的片选信号端，后一个驱动模块中的驱动晶体管的第二端与前一个驱动模块中的驱动晶体管的第三端连接，与发光二极管LED位置最接近的驱动模块中的驱动晶体管的第二端与发光二极管LED的阴极连接，发光二极管LED的阳极连接电源电压输入端VDD。
通过片选信号端输入的片选信号选通对应的驱动晶体管以调节通过发光二极管LED的电流。当有一个片选信号端输入的片选信号为高电平时，则选通与该片选信号端连接的驱动晶体管，当有多个片选信号端输入的片选信号为高电平时，则选通与这些片选信号端连接的驱动晶体管。通过选通不同数量的驱动晶体管，可以组合出的不同电流，从而可以对通过发光二极管LED的电流进行多层次调节，提升亮度的层级，这样可以进一步提高灰阶数，进而进一步提升图像质量。
比如，在一种实施方式中，该驱动电路100还包括存储电容Cst，每个驱动模块中的扫描控制晶体管的第二端还分别与存储电容Cst的一端连接，存储电容Cst的另一端连接接地端GND。存储电容Cst可以存储数据信号端输入的灰阶电压，通过发光二极管LED的电流取决于灰阶电压，即可以根据存储电容Cst中存储的灰阶电压，相应调节发光二极管LED的电流，这样可以更进一步增加电流的调节层次，即更进一步提升亮度层次，更进一步提高灰阶数，更进一步提升图像质量。
比如，在一种实施方式中，驱动电路100可以是一种集成化的MOS芯片，该集成MOS芯片中包括多个叠加的驱动模块和存储电容Cst。该多个驱动模块和存储电容Cst均设置在集成MOS芯片MOS IC的内部。通过对驱动电路100进行集成化，可以大大减少零散元器件的数量，将元器件进行集成后，可以减少外界电信号的干扰，电路设计方面也有了很大提升，从而可以提高运行速度，提高性能。
比如，在一种实施方式中，开关晶体管可以为MOS管。采用MOS管，其导电性可控。
比如，在一种实施方式中，第一端可以为栅极，第二端可以为漏极，第三端可以为源极。
例如，每个驱动模块中扫描控制晶体管的栅极分别连接扫描信号端Scan，每个驱动模块中扫描控制晶体管的源极分别连接不同的数据信号端，每个驱动模块中MOS管的漏极分别与对应驱动晶体管的源极连接，每个驱动模块中MOS管的源极连接接地端GND。
每个驱动模块中驱动晶体管的栅极分别连接不同的片选信号端，后一个驱动晶体管的漏极与前一个驱动晶体管的源极连接，与发光二极管LED的位置最接近的驱动晶体管的漏极与发光二极管LED的阴极连接，发光二极管LED的阳极连接电源电压输入端VDD。其中，前一个、后一个指的是距离发光二极管LED的位置的远近，驱动晶体管与发光二极管LED的位置越接近，则越靠前，否则越靠后。
以图1中的四个驱动模块为例，其中，扫描控制晶体管T1的栅极、扫描控制晶体管T2的栅极、扫描控制晶体管T3的栅极和扫描控制晶体管T4的栅极均连接扫描信号端Scan，扫描控制晶体管T1的源极连接数据信号端D1，扫描控制晶体管T2的源极连接数据信号端D2，扫描控制晶体管T3的源极连接数据信号端D3，扫描控制晶体管T4的源极连接数据信号端D4，扫描控制晶体管T1的漏极分别与存储电容Cst的一端和MOS管M1的栅极连接，扫描控制晶体管T2的漏极分别与存储电容Cst的一端和MOS管M2的栅极连接，扫描控制晶体管T3的漏极分别与存储电容Cst的一端和MOS管M3的栅极连接，扫描控制晶体管T4的漏极分别与存储电容Cst的一端和MOS管M4的栅极连接，存储电容Cst的另一端连接接地端GND。
MOS管M1的漏极与驱动晶体管Q1的源极连接，MOS管M1的源极连接接地端GND，MOS管M2的漏极与驱动晶体管Q2的源极连接，MOS管M2的源极连接接地端GND，MOS管M3的漏极与驱动晶体管Q3的源极连接，MOS管M3的源极连接接地端GND，MOS管M4的漏极与驱动晶体管Q4的源极连接，MOS管M4的源极连接接地端GND。其中，接地端GND提供直流低电压。
驱动晶体管Q1的栅极连接片选信号端O1，驱动晶体管Q1的漏极连接发光二极管LED的阴极，驱动晶体管Q1是与发光二极管LED的位置最接近的驱动晶体管。发光二极管LED的阳极连接电源电压输入端VDD，电源电压输入端VDD输入的电压为直流高电压。驱动晶体管Q2的栅极连接片选信号端O2，驱动晶体管Q2的漏极与驱动晶体管Q1的源极连接，驱动晶体管Q3的栅极连接片选信号端O3，驱动晶体管Q3的漏极与驱动晶体管Q2的源极连接，驱动晶体管Q4的栅极连接片选信号端O4，驱动晶体管Q4的漏极与驱动晶体管Q3的源极连接。
需要说明的是，扫描信号端Scan、数据信号端D1、数据信号端D2、数据信号端D3、数据信号端D4、电源电压输入端VDD和接地端GND可以为显示面板提供电压类信号。请参阅图3，图3为本申请实施例提供的一个时序图中电压类信号的电压波形示意图，从图3中可以看出扫描信号端Scan、数据信号端D1、片选信号端O1、数据信号端D2、片选信号端O2、数据信号端D3、片选信号端O3、数据信号端D4、片选信号端O4、电源电压输入端VDD和接地端GND输入的电压波形。一般是前端根据图像信息给后端发送这些电压类信号的需求电压。
可以理解的是，发光二极管LED的亮度取决于通过发光二极管LED的电流的大小，当通过发光二极管LED的电流增大时，则发光二极管LED的亮度增强，反之，当通过发光二极管LED的电流减小时，则发光二极管LED的亮度减弱。
比如，本申请实施例利用四个MOS管，即MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的组合可以组合出不同的电流，具体是通过导通不同数量的MOS管。比如，导通MOS管M1，导通MOS管M2，MOS管M3，MOS管M4，导通MOS管M1和MOS管M2，导通MOS管M1和MOS管M3，导通MOS管M1和MOS管M4，导通MOS管M2和MOS管M3，导通MOS管M2和MOS管M4，导通MOS管M3和MOS管M4，导通MOS管M1、MOS管M2和MOS管M3，导通MOS管M1、MOS管M2和MOS管M4，导通MOS管M1、MOS管M3和MOS管M4，或者导通MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4，这样可以组合出多种不同的电流。
通过片选信号端选通一个或多个与MOS管连接的驱动晶体管，以对通过发光二极管LED的电流进行不同程度的调节。比如，选通驱动晶体管Q1时，通过发光二极管LED的电流为I，选通驱动晶体管Q1和驱动晶体管Q2时，通过发光二极管LED的电流为3I，等等，选通的驱动晶体管的数量不同，通过发光二极管LED的电流也不同，相应的，发光二极管LED的亮度也不同，因此可以细部调整发光二极管LED的亮度。
在显示面板的屏幕上看到的每一个点(即为一个像素)。它是由红、绿、蓝(RGB)三个子像素组成。每一个子像素显现出来的不同亮度级别就是灰阶。要实现画面色彩的变化，就必须对RGB三个子像素分别作出不同的明暗度的控制，以调配处不同的色彩。比如6bit显示面板，其中，6bit表示每个子像素可以显示2的6次方个不同级别的亮度。灰阶越分明，显示的画面也就越逼真。而8bit显示面板能显示2的8次方个亮度层次，即256个亮度层次，称之为256灰阶。由此可知，亮度层次越多，则灰阶越大。
本申请实施例通过导通不同的MOS管，并通过选通相应的驱动晶体管，可以组合出多种不同的通过发光二极管LED的电流，提高发光二极管LED的亮度层次，从而提高灰阶。灰阶越高，显示的色彩越丰富，画面也越细腻，更易表现丰富的细节。
需要说明的是，图像的灰度值以多少位的二进制数来表示，也就是灰阶分辨率，通常以bit为单位，如8bit、12bit。灰阶分辨率是衡量图像质量的重要指标。比如，如果图像以8bit存储一个像素点，即灰阶分辨率是8bit，则表示图像有28＝256种颜色，即灰阶级数为256，能表示的灰度值为0～255；如果以12bit存储一个像素点，即灰阶分辨率是12bit，则表示图像由212＝4096种颜色，即灰阶级数为4096，能表示的灰度值为0～4095。
图像的灰阶分辨率越高，图像中存储的颜色数量越多，灰阶层次越丰富，包含更多的灰阶信息，图像的质量越好。反之，则图像质量越差，会出现假轮廓(原始图像中没有的轮廓)的现象。因此本申请实施例中，当提高灰阶时，也有利于提供灰阶分辨率的bit数。
需要说明的是，在其它实施例中，可以采用更多的驱动模块，这样可以组合出更多层级的电流。
由此可知，本申请实施例中，通过导通不同驱动模块中的MOS管，并通过片选信号选通一个或多个驱动晶体管可以组合出不同的电流，从而可以对通过发光二极管LED的电流进行不同程度的调节，便于提升亮度的层级，因此本申请实施例可以更进一步提高灰阶数，进而更进一步提升图像质量。
比如，在一种实施方式中，片选信号端通过增加选通的驱动晶体管的数量，以增大通过发光二极管LED的电流，片选信号端通过减少选通的驱动晶体管的数量，以减小通过发光二极管LED的电流。例如，当前状态为选通驱动晶体管Q1和驱动晶体管Q2，为了增大通过发光二极管LED的电流，则选通驱动晶体管Q1、驱动晶体管Q2和驱动晶体管Q3，即通过增加选通的驱动晶体管的数量，以增大通过发光二极管LED的电流。为了减小通过发光二极管LED的电流，则选通驱动晶体管Q1或选通驱动晶体管Q2，即通过减少选通的驱动晶体管的数量，以减小通过发光二极管LED的电流。
比如，在一种实施方式中，存储电容Cst可以存储数据信号端输入的灰阶电压，如存储电容Cst存储数据信号端D1、数据信号端D2、数据信号端D3、数据信号端D4分别输入的灰阶电压。通过发光二极管LED的电流取决于灰阶电压，如，当数据信号端D1输入的灰阶电压为高电平时，则扫描控制晶体管T1导通，MOS管M1也相应导通，当数据信号D1输入的灰阶电压为低电平时，则扫描控制晶体管T1断开，MOS管M1也相应断开，由此可知，数据信号端D1、数据信号端D2、数据信号端D3、数据信号端D4输入的灰阶电压的高低电平决定了MOS管导通的数量，进而通过片选信号端的片选信号的选通，可以组合出不同大小的电流，因此决定了通过发光二极管LED的电流大小。
比如，在一种实施方式中，每个扫描控制晶体管、MOS管和驱动晶体管可以为薄膜晶体管。如扫描控制晶体管T1、扫描控制晶体管T2、扫描控制晶体管T3、扫描控制晶体管T4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、驱动晶体管Q1、驱动晶体管Q2、驱动晶体管Q3和驱动晶体管Q4均为薄膜晶体管。薄膜晶体管对显示面板的工作性能具有重要的作用。对于MOS管，不同MOS管有具有不同的沟道宽度/沟道长度设计，用W表示沟道宽度，用L表示沟道长度，即不同MOS管有不同的W/L设计。当W/L比较大时，则通过发光二极管LED的电流比较大，当W/L比较小时，则通过发光二极管LED的电流比较小。
比如，在一种实施方式中，每个MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值可以不同。例如，用W1表示MOS管M1的沟道宽度，用L1表示MOS管M1的沟道长度，则MOS管M1的沟道宽度与沟道长度的比值为W1/L1；用W2表示MOS管M2的沟道宽度，用L2表示MOS管M2的沟道长度，则MOS管M2的沟道宽度与沟道长度的比值为W2/L2；用W3表示MOS管M3的沟道宽度，用L3表示MOS管M3的沟道长度，则MOS管M3的沟道宽度与沟道长度的比值为W3/L3；用W4表示MOS管M4的沟道宽度，用L4表示MOS管M4的沟道长度，则MOS管M4的沟道宽度与沟道长度的比值为W4/L4，等等。
当MOS管M1的沟道宽度与沟道长度的比值W1/L1、MOS管M2的沟道宽度与沟道长度的比值W2/L2、MOS管M3的沟道宽度与沟道长度的比值W3/L3、MOS管M4的沟道宽度与沟道长度的比值W4/L4不同时，则分别对应的通过发光二极管LED的电流也是不同的。如，MOS管M2的沟道宽度与沟道长度的比值W2/L2大于MOS管M1的沟道宽度与沟道长度的比值W1/L1时，将MOS管M1导通时，通过发光二极管LED的电流记作I，将MOS管M2导通时，通过发光二极管LED的电流记作I2，则I2大于I。
需要说明的是，在其它实施方式中，也可以将每个驱动模块中MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值设置为相等。通过导通不同数量的MOS管，以及选通相应的驱动晶体管，也可以组合出不同的电流，提升发光二极管LED的亮度层次，进而提高灰阶，有利于提高灰阶分辨率的bit数。
比如，在一种实施方式中，每个MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值可以为与发光二极管LED的位置最接近的MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值的不同整数倍。例如，与发光二极管LED的位置最接近的MOS管是MOS管M1，MOS管M1的沟道宽度与沟道长度的比值W1/L1＝W/L，MOS管M2的沟道宽度与沟道长度的比值W2/L2＝2W/L，MOS管M3的沟道宽度与沟道长度的比值W3/L3＝3W/L，MOS管M4的沟道宽度与沟道长度的比值W4/L4＝4W/L，等等。
比如，本申请实施例中，用DH表示高电平，用DL表示低电平，当数据信号端D1输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，即当数据信号端D1输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T1导通，MOS管M1导通，片选信号端O1输入的片选信号为DH，驱动晶体管Q1导通，通过发光二极管LED的电流为I。
当数据信号端D2输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，即当数据信号端D2输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T2导通，MOS管M2导通，片选信号端O2输入的片选信号为DH，驱动晶体管Q2导通，通过发光二极管LED的电流为I2，I2＝2I。
当数据信号端D3输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，即当数据信号端D3输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T3导通，MOS管M3导通，片选信号端O3输入的片选信号为DH，驱动晶体管Q3导通，通过发光二极管LED的电流为I3，I3＝3I。
当数据信号端D4输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，即当数据信号端D4输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T4导通，MOS管M4导通，片选信号端O4输入的片选信号为DH，驱动晶体管Q4导通，通过发光二极管LED的电流为I4，I4＝4I。
比如，当数据信号端D1输入的数据信号为DH，数据信号端D2输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T1导通，MOS管M1导通，扫描控制晶体管T2导通，MOS管M2导通，相应的，驱动晶体管Q1和驱动晶体管Q2导通，通过发光二极管LED的电流为I+I2＝3I。
再比如，当数据信号端D1输入的数据信号为DH，数据信号端D2输入的数据信号为DH，数据信号端D3输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T1导通，MOS管M1导通，扫描控制晶体管T2导通，MOS管M2导通，扫描控制晶体管T3导通，MOS管M3导通，相应的，驱动晶体管Q1、驱动晶体管Q2和驱动晶体管Q3导通，通过发光二极管LED的电流为I+I2+I3＝6I。
又比如，当数据信号端D1输入的数据信号为DH，数据信号端D2输入的数据信号为DH，数据信号端D3输入的数据信号为DH，数据信号端D4输入的数据信号为DH时，扫描控制晶体管T1导通，MOS管M1导通，扫描控制晶体管T2导通，MOS管M2导通，扫描控制晶体管T3导通，MOS管M3导通，扫描控制晶体管T4导通，MOS管M4导通，相应的，驱动晶体管Q1、驱动晶体管Q2、驱动晶体管Q3和驱动晶体管Q4导通，通过发光二极管LED的电流为I+I2+I3+I4＝10I。
比如，当数据信号端D2输入的数据信号为DH，数据信号端D3输入的数据信号为DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T2导通，MOS管M2导通，扫描控制晶体管T3导通，MOS管M3导通，相应的，驱动晶体管Q2和驱动晶体管Q3导通，通过发光二极管LED的电流为I2+I3＝5I。比如，当数据信号端D2输入的数据信号为DH，数据信号端D3输入的数据信号为DH，数据信号端D4为输入的数据信号DH，其它数据信号端输入的数据信号为DL时，扫描控制晶体管T2导通，MOS管M2导通，扫描控制晶体管T3导通，MOS管M3导通，扫描控制晶体管T4导通，MOS管M4导通，相应的，驱动晶体管Q2、驱动晶体管Q3和驱动晶体管Q4导通，通过发光二极管LED的电流为I2+I3+I4＝9I，等等。
由此可知，通过导通不同数量的MOS管以及选通相应的驱动晶体管，可以组合出不同的电流，扩大通过发光二极管LED的电流调节范围，提升发光二极管LED的亮度层次，进而提高灰阶，有利于提高灰阶分辨率的bit数。
比如，在一种实施方式中，MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值增大时，通过发光二极管LED的电流可以随之增大。即当W/L增大时，通过发光二极管LED的电流随之增大。如，MOS管M1的沟道宽度与沟道长度的比值W1/L1＝W/L时，通过发光二极管LED的电流为I，MOS管M2的沟道宽度与沟道长度的比值W2/L2＝2W/L时，通过发光二极管LED的电流为I2＝2I，I2大于I。
再如，MOS管M3的沟道宽度与沟道长度的比值W3/L3＝3W/L时，通过发光二极管LED的电流为I3＝3I，I3大于I，且I3大于I2。由此可知，当MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值增大时，通过发光二极管LED的电流也会增大，通过设置不同沟道宽度与沟道长度比值的MOS管，是为了进一步扩大电流的调节范围，从而进一步提升亮度层次，进一步提高灰阶，以进一步提高灰阶分辨率的bit数。
比如，在一种可能的实施方式中，可以通过导通其它沟道宽度与沟道长度的比值小的MOS管，来减小通过发光二极管LED的电流。例如，当前状态下为导通MOS管M3，选通驱动晶体管Q3，为了减小通过发光二极管LED的电流，则断开MOS管M3，使驱动晶体管Q3处于未选通状态，然后导通MOS管M1，选通驱动晶体管Q1，或者导通MOS管M2，选通驱动晶体管Q2，这样就可以减小通过发光二极管LED的电流，等等。
再例如，当前状态下为导通MOS管M3，选通驱动晶体管Q3，导通MOS管M4，选通驱动晶体管Q4，为了减小通过发光二极管LED的电流，则断开MOS管M4，使驱动晶体管Q3处于未选通状态，然后导通MOS管M1，选通驱动晶体管Q1，或者导通MOS管M2，选通驱动晶体管Q2，这样就可以减小通过发光二极管LED的电流，等等。在实际应用中，可以根据具体的电流调节需求，相应选择导通哪些MOS管及选通哪些驱动晶体管，本申请实施例对选择方式不做限制。
比如，在一种实施方式中，当目标数据信号端输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与该目标数据信号端连接的MOS管可以导通。例如，当数据信号端D1输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与该数据信号端D1连接的MOS管M1导通。当数据信号端D2输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与该数据信号端D2连接的MOS管M2导通。
当数据信号端D3输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与该数据信号端D3连接的MOS管M3导通。当数据信号端D4输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与该数据信号端D4连接的MOS管M4导通。当进行电流组合时，可以根据需要选通的驱动晶体管，确定出哪些MOS管是需要导通的，与这些需要导通的MOS管连接的数据信号为高电平时，则这些MOS管就可以导通。不需要导通的MOS管，与其连接的数据信号端输入的数据信号可以为低电平。
比如，在一种实施方式中，目标数据信号端可以为一个或多个不同的数据信号端。例如，当目标数据信号端为一个数据信号端时，若目标数据信号端为数据信号端D1，当该数据信号端D1输入的数据信号为高电平时，则MOS管M1导通。若目标数据信号端为数据信号端D3，当该数据信号端D3输入的数据信号为高电平时，则MOS管M3导通。
当目标数据信号端为两个数据信号端时，若目标数据信号端为数据信号端D1和数据信号端D2，则MOS管M1和MOS管M2导通。若目标数据信号端为数据信号端D2和数据信号端D3，则MOS管M2和MOS管M3导通
当目标数据信号端为三个数据信号时，若目标数据信号端为数据信号端D1、数据信号端D2和数据信号端D3，则MOS管M1、MOS管M2和MOS管M3导通。
当目标数据信号端为四个数据信号时，若目标数据信号为数据信号端D1、数据信号端D2、数据信号端D3和数据信号端D4，则MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4导通，等等。
比如，在一种实施方式中，片选信号端可以根据不同的灰阶与数据信号端相对独立的切分灰阶。如片选信号端O1、片选信号端O2、片选信号端O3、片选信号端O4可以根据不同的灰阶与数据信号端D1、数据信号端D2、数据信号端D3、数据信号端D4相对独立的切分灰阶，切分灰阶后，灰阶得到提升，这样有助于提高灰阶分辨率的bit数。
本申请实施例还提供一种显示面板，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。该显示面板200包括本申请实施例提供的面板驱动电路201。
需要说明的是，本申请实施例以上各实施例之间可以相互结合，共同作用以通过组合不同的电流，提升发光二极管LED的亮度层次，从而提高灰阶，进而有助于提高灰阶分辨率的bit数，在此不再一一举例说明。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

Claims (13)

1.一种面板驱动电路，其特征在于，包括：
驱动电路和发光二极管，所述驱动电路与所述发光二极管连接；其中，
所述驱动电路包括多个叠加的驱动模块，根据预设灰阶选通对应数量的驱动模块；
每个所述驱动模块包括扫描控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管通过所述开关晶体管与所述驱动晶体管连接，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管的第一端分别连接扫描信号端，所述发光二极管与所述每个驱动模块中的驱动晶体管依次连接。
2.根据权利要求1所述的面板驱动电路，其特征在于，每个所述驱动模块中的扫描晶体管的第二端与所述开关晶体管的第一端连接，每个所述驱动模块中的扫描晶体管的第三端分别连接不同的数据信号端，每个所述驱动模块中的开关晶体管的第二端分别与对应驱动晶体管的第三端连接，每个所述驱动模块中的开关晶体管的第三端连接接地端；
每个所述驱动模块中的驱动晶体管的第一端分别连接不同的片选信号端，后一个驱动模块中的驱动晶体管的第二端与前一个驱动模块中的驱动晶体管的第三端连接，与所述发光二极管位置最接近的驱动模块中的驱动晶体管的第二端与所述发光二极管的阴极连接，所述发光二极管的阳极连接电源电压输入端，通过所述片选信号端输入的片选信号选通对应的驱动晶体管以调节通过所述发光二极管的电流。
3.根据权利要求2所述的面板驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括存储电容，每个所述驱动模块中的扫描控制晶体管的第二端还分别与所述存储电容的一端连接，所述存储电容的另一端连接所述接地端。
4.根据权利要求3所述的面板驱动电路，其特征在于，所述存储电容用于存储所述数据信号端输入的灰阶电压。
5.根据权利要求2所述的面板驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管为MOS管。
6.根据权利要求5所述的面板驱动电路，其特征在于，所述扫描控制晶体管、MOS管和驱动晶体管为薄膜晶体管。
7.根据权利要求5所述的面板驱动电路，其特征在于，所述第一端为栅极，所述第二端为漏极，所述第三端为源极。
8.根据权利要求5所述的面板驱动电路，其特征在于，每个所述MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值不同。
9.根据权利要求8所述的面板驱动电路，其特征在于，每个所述MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值为与所述发光二极管的位置最接近的MOS管的沟道宽度与沟道长度的比值的不同整数倍。
10.根据权利要求5所述的面板驱动电路，其特征在于，当目标数据信号端输入的数据信号为高电平，其它数据信号端输入的数据信号为低电平时，与所述目标数据信号端连接的MOS管导通。
11.根据权利要求10所述的面板驱动电路，其特征在于，所述目标数据信号端为一个或多个不同的数据信号端。
12.根据权利要求10所述的面板驱动电路，其特征在于，所述片选信号端根据不同的灰阶与所述数据信号端相对独立的切分灰阶。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至12中任一项所述的面板驱动电路。
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