CN112534727B - 用于混频器的可编程驱动器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于移位信号的频率范围的技术。在一方面中，电路包括混频器、用于生成振荡器信号的频率合成器、可编程驱动器和控制器。可编程驱动器用于从频率合成器接收振荡器信号，并且将振荡器信号提供给混频器的振荡器输入。可编程驱动器被配置为具有可变的驱动强度。控制器用于基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器的驱动强度，以调整在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。

Description

用于混频器的可编程驱动器
技术领域
本申请要求于2018年8月6日递交的发明名称为“用于混频器的可编程驱动器”的第16/056,175号美国非临时专利申请案的在先申请优先权，该在先申请的内容以引入的方式并入本文。
技术领域
本发明通常涉及用于混频器的驱动器。
背景技术
混频器用于混合两个输入信号，以在新频率下生成新信号。混频器可以在两个频率f1、f2上输入信号，并将它们混合以产生两个新信号，一个信号的和为f1+f2，而另一个信号的差为f1–f2。通常，仅使用这些新信号中的一个。例如，无线接收器中的混频器可以用于通过振荡器信号的频率对射频上的传入信号进行下移或频率转换。射频信号可以占用频率范围，此时混频器可以通过振荡器信号的频率对射频信号的频率范围进行移位。混频器可以用于无线信号接收器和发射器，但其使用不限于此。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种用于移位信号的频率范围的电路。电路包括混频器，具有信号输入、振荡器输入和信号输出。电路还包括频率合成器，用于生成振荡器信号。电路还包括可编程驱动器，用于从频率合成器接收振荡器信号，并且将振荡器信号提供给混频器的振荡器输入。可编程驱动器被配置为具有可变的驱动强度。电路还包括控制器，用于基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器的驱动强度，以调整在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。混频器用于基于振荡器信号的频率在混频器的信号输出处输出在混频器的信号输入处接收到的信号的频率范围移位版本。基于振荡器信号的频率调整在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间，使得混频器在宽频率范围内具有良好的线性和增益。
可选地，为了推动第一方面，在第二方面中，控制器还用于响应于振荡器信号的频率为第一频率，控制可编程驱动器的驱动强度具有第一驱动强度，以使在振荡器输入处的振荡器信号的上升时间具有第一上升时间和在振荡器输入处的振荡器信号的下降时间具有第一下降时间。控制器还用于响应于振荡器信号的频率为第二频率，控制可编程驱动器的驱动强度具有第二驱动强度，以使在振荡器输入处的振荡器信号的上升时间具有第二上升时间和在振荡器输入处的振荡器信号的下降时间具有第二下降时间，其中第一驱动强度小于第二驱动强度，第一频率低于第二频率，第一上升时间长于第二上升时间，并且第一下降时间长于第二下降时间。
可选地，为了推动第一方面或第二方面，在第三方面中，可编程驱动器包括多个阶。此外，控制器用于基于振荡器信号的频率选择一个或多个阶，以选择可编程驱动器的驱动强度。
可选地，为了推动第三方面，在第四方面中，每个阶包括一个或多个逆变器。此外，控制器用于基于振荡器信号的频率打开或关闭每个逆变器，以选择可编程驱动器的驱动强度。
可选地，为了推动第三方面，在第五方面中，多个阶中的每个阶具有与频率合成器耦合的输入以接收振荡器信号。此外，多个阶中的每个阶具有与混频器的振荡器输入耦合的输出。
可选地，为了推动第一至第五方面中的任一方面，在第六方面中，电路还包括：电路系统，用于当控制器控制可编程驱动器的驱动强度时，在混频器中施加偏置电压以抵消混频器中的偶数阶非线性。
可选地，为了推动第一至第六方面中的任一方面，在第七方面中，混频器包括具有第一控制端子的第一晶体管、具有第二控制端子的第二晶体管、具有第三控制端子的第三晶体管、具有第四控制端子的第四晶体管、与第一控制端子耦合的第一偏置电阻、与第二控制端子耦合的第二偏置电阻、与第三控制端子耦合的第三偏置电阻和与第四控制端子耦合的第四偏置电阻，其中振荡器信号包括同相信号和异相信号，同相信号提供给第一控制端子和第二控制端子，异相信号提供给第三控制端子和第四控制端子，其中控制器用于控制施加到第一偏置电阻的第一偏置电压与施加到第二偏置电阻的第二偏置电压之间的第一电压偏移，并且控制施加到第三偏置电阻的第三偏置电压与施加到第四偏置电阻的第四偏置电压之间的第二电压偏移，以抵消混频器中的非线性。
可选地，为了推动第一至第七方面中的任一方面，在第八方面中，电路位于直接变频接收器中。
可选地，为了推动第一至第八方面中的任一方面，在第九方面中，混频器为下混频器。
根据本发明的另一个方面，提供了一种用于移位信号的频率范围的方法。方法包括通过频率合成器生成具有频率的振荡器信号。方法包括将来自可编程驱动器的振荡器信号提供给混频器的振荡器输入，可编程驱动器被配置为具有可变的驱动强度。方法包括基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器的驱动强度，以调整在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。方法包括基于振荡器信号的频率在混频器的信号输出处输出在混频器的信号输入处接收到的信号的频率范围移位版本。
根据本发明的又一个方面，提供了一种射频(radio frequency，简称RF)信号接收器。RF信号接收器包括混频器，具有振荡器信号输入、RF信号输入和基带信号输出。RF信号接收器包括放大器，耦合到RF信号输入，并且用于向混频器提供RF信号。RF信号接收器包括本地振荡器，具有频率合成器和与频率合成器耦合的可编程驱动器，频率合成器用于向可编程驱动器提供具有频率的振荡器信号，可编程驱动器耦合到混频器的振荡器信号输入以将振荡器信号提供给混频器的振荡器信号输入，可编程驱动器被配置为具有可编程驱动强度以调整在混频器的振荡器信号输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。RF信号接收器包括控制器，用于基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器的驱动强度，以调整在混频器的振荡器信号输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。混频器用于基于RF信号和振荡器信号在基带信号输出处输出基带信号。
提供本发明内容是为了以简化的形式引入概念的选择，这些概念将在以下具体实施方式中进行进一步的描述。本发明内容的目的不在于识别权利要求书保护的主题的关键特征或必要特征，也不在于帮助确定权利要求书保护的主题的范围。权利要求书保护的主题不限于用于解决在背景技术中提到的任何或全部缺点的实现方式。
附图说明
本发明的各个方面通过举例的方式示出但不受附图的限制，附图中相同的附图标记表示相同的元件。
图1示出了用于传送数据的无线网络；
图2示出了可以执行根据本发明的方法和理念的用户设备(user equipment，简称UE)的示例细节；
图3示出了可以执行根据本发明的方法和理念的示例基站；
图4示出了直接变频接收器(direct conversion receiver，简称DCR)的一个实施例的方框图；
图5示出了直接变频发射器的一个示例的细节；
图6A为用于移位信号的频率范围的电路的图；
图6B描绘了两个振荡器信号以说明上升和下降时间；
图7为可编程驱动器的一个实施例的方框图；
图8A为可编程驱动器的一个实施例的示意图；
图8B为可编程驱动器的实施例的示意图，其中各阶具有不同数量的逆变器；
图8C描绘了可编程驱动器的一个实施例的示意图，其中每个阶具有缓存器；
图9为混频器和一对可编程驱动器的一个实施例的示意图；
图10描绘了控制器的一个实施例；
图11为移位信号的频率范围的过程的一个实施例的流程图；
图12为基于振荡器信号的频率选择可编程驱动器的驱动强度的过程的一个实施例的流程图；
图13为用于控制混频器中的非线性的过程的一个实施例的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图描述本发明，该附图通常涉及用于混频器的驱动器。
本文公开了一种用于移位信号的频率范围的电路。在一个实施例中，电路具有可编程驱动器，用于向混频器的振荡器信号输入提供振荡器信号。在一个实施例中，电路具有控制器，用于基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器的驱动强度，以调整在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。基于振荡器信号的频率调整在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间，使得混频器在宽频率范围内提供良好的线性和增益。
在一个实施例中，当振荡器信号的频率较低时，使用较低的驱动强度，这可以有助于减少混频器和/或RF信号路径中的失真。在一个实施例中，可编程驱动器具有较低的驱动强度会减缓在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的上升和下降时间。在混频器的振荡器输入处的振荡器信号的较慢的上升和下降时间可以减少或消除混频器和/或RF信号路径中的失真。因此，在较低的振荡器信号频率下，可以通过使用可编程驱动器的较低的驱动强度来减少或消除非线性失真。
混频器可能至少部分地由于混频器中的电子组件(例如，晶体管)失配而易于发生二阶非线性失真。在一个实施例中，将同相振荡器信号施加到混频器中第一对晶体管的栅极，并且将180度异相振荡器信号施加到混频器中第二对晶体管的栅极。第一对和/或第二对的栅极可以称为“振荡器信号输入”。在一个实施例中，将偏置电压施加到与这些晶体管的栅极连接的电阻以产生抵消上述二阶非线性失真的二阶失真。例如，第一对电阻可以连接到第一对晶体管的相应栅极，并且第二对电阻可以连接到第二对电阻的相应栅极。通过向第一对电阻施加不同的偏置电压和向第二对电阻施加不同的偏置电压，可以引入“反”二阶非线性失真。因此，净结果是可以减少或消除混频器的整体二阶非线性失真。
然而，使用偏置电压来产生反二阶非线性失真的有效性可能取决于振荡器信号的频率。在较低的振荡器信号频率下，有效性可能较低。通过减缓在混频器的振荡器信号输入处的振荡器信号的上升和下降时间，可以提高产生反二阶非线性失真的有效性。因此，当振荡器信号频率较低时，可以通过降低可编程驱动器的驱动强度来减少或消除混频器的整体二阶非线性失真。在一个实施例中，在较低的振荡器信号频率下降低可编程驱动器的驱动强度也减少了功耗。
在一个实施例中，当振荡器信号的频率较高时，可编程驱动器的驱动强度更强，以使在混频器的振荡器信号输入处的振荡器信号具有较快的上升和下降时间。较快的上升和下降时间有利于提高混频器在较高的振荡器信号频率下的增益。较快的上升和下降时间还有助于提高混频器在较高的振荡器信号频率下的线性。在一个实施例中，对于高频，振荡器信号应该足够快以满足噪声和增益规范。因此，在较高的振荡器信号频率下具有较高的驱动强度有助于满足噪声和增益规范。对于高频，振荡器信号的上升/下降时间占(振荡器信号)周期的足够大的百分比，可以使二阶校正工作正常进行。在一个实施例中，在较低的振荡器信号频率下，(在混频器的振荡器输入处的)振荡器信号的上升/下降时间较慢，使得非线性校正工作正常进行。
在一个实施例中，在广泛的振荡器信号频率范围内使用相同的混频器。例如，可编程驱动器可以在广泛的频率范围内将振荡器信号提供给混频器的振荡器信号输入。因此，相对于针对不同的振荡器信号频率使用单独的混频器，减小了无线信号接收器和/或发射器的管芯面积。
可以理解的是，本发明的实施例可以以许多不同的形式实现，并且权利要求书范围不应视为对本文所阐述的实施例的限制。相反，提供这些实施例是为了使本发明内容更加透彻和完整，并将本发明实施例概念完整地传达给本领域技术人员。事实上，本发明公开旨在覆盖包括在由所附权利要求书限定的本发明公开的精神和范围内的这些实施例的替代物、修改和等同物。另外，在以下本发明的实施例的详细描述中，阐述了许多特定细节以便提供透彻的理解。然而，所属领域的普通技术人员将清楚到，可以在没有这样具体细节的情况下实践本请求保护的主题。
图1示出了用于传送数据的无线网络。通信系统100包括例如用户设备110A、110B和110C、无线接入网(radio access network，简称RAN)120A和120B、核心网130、公共交换电话网络(public switched telephone network，简称PSTN)140、互联网150和其他网络160。附加或替代网络包括专用和公用数据包网络，包括企业内部网。虽然图中示出了一定数量的这些组件或元件，但系统100中可以包括任意数量的这些组件或元件。
在一个实施例中，无线网络可以为第五代(fifth generation，简称5G)网络，包括至少一个采用正交频分复用(orthogonal frequency division multiplexing，简称OFDM)和/或非OFDM以及传输时间间隔(transmission time interval，简称TTI)小于1ms(例如，100或200微秒)的5G基站，用于与通信设备进行通信。通常，基站也可以指代eNB和5G BS(gNB)中的任一个。此外，网络还可以包括网络服务器，用于处理经由至少一个eNB或gNB从通信设备接收到的信息。
系统100使多个无线用户能够发射和接收数据和其他内容。系统100可以实现一种或多种信道接入方法，例如但不限于码分多址(code division multiple access，简称CDMA)、时分多址(time division multiple access，简称TDMA)、频分多址(frequencydivision multiple access，简称FDMA)、正交FDMA(orthogonal FDMA，简称OFDMA)或单载波FDMA(single-carrier FDMA，简称SC-FDMA)。
用户设备(user equipment，简称UE)110A、110B和110C可以单独称为UE 110或统称为UE 110，用于在系统100中进行操作和/或通信。例如，UE 110可以用于发射和/或接收无线信号或有线信号。每个UE 110表示任何合适的终端用户设备并且可以包括(或可以称为)诸如用户设备/设备、无线发射/接收单元(user equipment，简称UE)、移动台、固定或移动用户单元、寻呼机、蜂窝电话、个人数字助理(personal digital assistant，简称PDA)、智能手机、笔记本电脑、计算机、触摸板、无线传感器或消费电子设备等此类设备。
在所描绘的实施例中，RAN 120A、120B分别包括一个或多个基站(base station，简称BS)170A、170B。RAN 120A和120B可以单独称为RAN 120或者统称为RAN 120。类似地，基站(base station，简称BS)170A和170B可以单独称为基站(base station，简称BS)170或者统称为基站(base station，简称BS)170。每个所述BS 170用于与一个或多个所述UE 110进行无线交互，以便能够接入核心网130、PSTN 140、互联网150和/或其他网络160。例如，基站(base station，简称BS)170可以包括一个或者多个熟知的设备，如基站收发台(basetransceiver station，简称BTS)、3G基站(NodeB)、演进型基站(evolved NodeB，简称eNodeB)、下一(第五)代(fifth generation，简称5G)NodeB(next generation NodeB，简称gNB)、家庭NodeB、家庭eNodeB、站点控制器、接入点(access point，简称AP)、或无线路由器或服务器、路由器、交换器或者其他有有线或者无线网络的处理实体。
在一个实施例中，BS 170A构成RAN 120A的一部分，该RAN 120A可以包括一个或多个其他BS 170、元件和/或设备。类似地，BS 170B构成RAN 120B的一部分，该RAN 120B可以包括一个或多个其他BS 170、元件和/或设备。每个所述BS 170在特定地理区域或地区内进行操作以发射和/或接收无线信号，该区域或地区有时也称为“小区”。在一些实施例中，可以采用对每个小区具有多个收发器的多输入多输出(multiple-input multiple-output，简称MIMO)技术。
BS 170使用无线通信链路经由一个或多个空口(未示出)与一个或多个所述UE110进行通信。空口可以利用任何合适的无线接入技术。
预期系统100可以使用多种信道接入功能，包括例如BS 170和UE 110用于实现长期演进(Long Term Evolution，简称LTE)无线通信标准、LTE高级(LTE Advanced，简称LTE-A)和/或LTE多媒体广播多播业务(Multimedia Broadcast Multicast Service，简称MBMS)的方案。在其他实施例中，基站170和用户设备110A-110C用于实现UMTS、HSPA或HSPA+标准和协议。当然，可以利用其他多接入方案和无线协议。
RAN 120与核心网130通信，以向UE 110提供语音、数据、应用、基于IP的语音传输(Voice over Internet Protocol，简称VoIP)或其他业务。应理解，RAN 120和/或核心网130可以与一个或多个其他RAN(未示出)直接或间接通信。核心网130也可以作为其他网络(如PSTN 140、互联网150和其他网络160)的网关接入。此外，部分或全部所述UE 110可以包括使用不同无线技术和/或协议在不同无线链路上与不同无线网络通信的功能。
RAN 120还可以包括毫米和/或微波接入点(access point，简称AP)。AP可以是BS170的一部分，或者可以远离BS 170。AP可以包括但不限于连接点(mmW CP)或能够进行mmW通信的BS 170(例如，mmW基站)。mmW AP可以在例如24GHz至100GHz的频率范围内发射和接收信号，但不需要在整个范围内进行操作。本文所使用的术语基站用于指基站和/或无线接入点。
尽管图1示出了通信系统的一个示例，但是可以对图1进行各种变换。例如，通信系统100可以包括任何数量的用户设备、基站、网络或任何合适配置的其他组件。还应理解，术语用户设备可以指与蜂窝或移动通信系统中的无线网络节点通信的任何类型的无线设备。用户设备的非限制性示例是目标设备、设备到设备(device-to-device，简称D2D)用户设备、机器类型用户设备或能够进行机器对机器(machine-to-machine，简称M2M)通信的用户设备、笔记本电脑、PDA、iPad、平板电脑、移动终端、智能手机、笔记本电脑嵌入式装备(laptop embedded equipment，简称LEE)、笔记本电脑安装装备(laptop mountedequipment，简称LME)和USB软件狗。
图2示出了可以执行根据本发明的方法和理念的UE 110的示例细节。UE 110可以例如是移动电话，但是在进一步示例中可以是其他设备，如台式计算机、膝上型计算机、平板电脑、手持计算设备、汽车计算设备和/或其他计算设备。如图所示，示例性UE 110被示出为包括至少一个发射器202、至少一个接收器204、存储器206、至少一个处理器208和至少一个输入/输出设备212。处理器208可以实现UE 110的各种处理操作。例如，处理器208可以执行信号编码、数据处理、功率控制、输入/输出处理或任何其他功能，以使UE 110能够在系统100(图1)中进行操作。处理器208可以包括用于执行一个或多个操作的任何合适的处理或计算设备。例如，处理器208可以包括微处理器、微控制器、数字信号处理器、现场可编程门阵列或专用集成电路。
发射器202可以用于调制数据或其他内容，以便由至少一个天线210进行传输。发射器202还可以用于对RF信号进行放大、滤波和变频，然后将此类信号提供给天线210进行传输。发射器202可以包括生成用于无线传输的信号的任何合适的结构。
接收器204可以用于解调至少一个天线210接收的数据或其他内容。接收器204还可以用于对经由天线210接收的RF信号进行放大、滤波和变频。在一些实施例中，接收器204为RF信号接收器。接收器204可以包括用于处理无线接收的信号的任何合适的结构。天线210可以包括用于发射和/或接收无线信号的任何合适的结构。相同的天线210可以用于发射和接收RF信号，或者不同的天线210可以用于发射信号和接收信号。
应理解，一个或多个发射器202可以用于UE 110，一个或多个接收器204可以用于UE 110，并且一个或多个天线210可以用于UE 110。尽管示出为单独的块或组件，但至少一个发射器202和至少一个接收器204可以组成收发器。因此，在图2中，与其示出发射器202的单独块和接收器204的单独块，不如示出收发器的单个块。
UE 110还包括一个或多个输入输出设备212。输入/输出设备212促进与用户的交互。每个输入/输出设备212包括用于向用户提供信息或从用户接收信息的任何合适的结构，如扬声器、麦克风、小键盘、键盘、显示器或触摸屏。
另外，UE 110包括至少一个存储器206。存储器206存储由UE 110使用、生成或收集的指令和数据。例如，存储器206可以存储由处理器208执行的软件或固件指令和用于减少或消除传入信号干扰的数据。每个存储器206包括任何合适的易失性和/或非易失性存储和检索设备。可以使用任何合适类型的存储器，如随机存取存储器(random access memory，简称RAM)、只读存储器(read-only memory，简称ROM)、硬盘、光盘、用户识别模块(subscriber identity module，简称SIM)卡、记忆棒和安全数码(secure digital，简称SD)存储卡等。
图3示出了可以执行根据本发明的方法和理念的示例BS 170。如图所示，BS 170包括至少一个处理器308、至少一个发射器302、至少一个接收器304、一个或多个天线310和至少一个存储器306。处理器308实现BS 170的各种处理操作，如信号编码、数据处理、功率控制、输入/输出处理或者任何其他功能。每个处理器308包括用于执行一个或多个操作的任何合适的处理或计算设备。每个处理器308可以例如包括微处理器、微控制器、数字信号处理器、现场可编程门阵列或专用集成电路。
每个发射器302包括生成向一个或多个UE 110或其他设备无线传输的信号的任何合适的结构。每个接收器304包括用于处理从一个或多个UE 110或其他设备无线接收到的信号的任何合适的结构。虽然示出为单独的块或组件，但是至少一个发射器302和至少一个接收器304可以组成收发器。每个天线310包括用于发射和/或接收无线信号的任何合适的结构。虽然此处示出公共天线310同时耦合到发射器302和接收器304上，但是一个或多个天线310可以耦合到发射器302，且一个或多个单独的天线310可以耦合到接收器304。每个存储器306包括任何合适的易失性和/或非易失性存储和检索设备。
图4示出了直接变频接收器(direct conversion receiver，简称DCR)404的一个实施例的方框图，该DCR 404可以为包括在UE 110(图2中所示)中的接收器204或包括在BS170(图3中所示)中的接收器304，但不限于此。DCR 404也可以称为零差接收器或零中频(Intermediate Frequency，简称IF)接收器。DCR 404使用由本地振荡器(localoscillator，简称LO)431驱动的同步检测来解调传入射频(radio frequency，简称RF)信号。本地振荡器431的频率可以非常接近或等于期望信号的载波频率。DCR 404也可以称为RF信号接收器。
参考图4，接收器404被示出为包括输入406，在该输入406处作为射频(radiofrequency，简称RF)信号接收，因此输入406也可以称为RF输入406。RF输入406可以耦合到天线或耦合器，但不限于此。将RF输入406接收到的RF信号提供给低噪声放大器(low noiseamplifier，简称LNA)408，该LNA 408可以具有可调增益。LNA 408放大其接收的较低功率RF信号，而不会显著地降低信噪比(signal-to-noise ratio，简称SNR)。
将LNA 408输出的放大RF信号提供给混频器410。混频器410可以在两个频率f1、f2上输入信号，并将它们混合以产生两个新信号，一个信号的和为f1+f2，而另一个信号的差为f1–f2。通常，仅使用这些新信号中的一个。混频器410从LNA 408接收放大器RF信号并从本地振荡器接收振荡器信号(oscillator signal，简称LO)作为两个输入信号。因此，混频器410可以从放大器RF信号和振荡器信号中产生新信号。混频器410可以通过振荡器信号的频率对放大器RF信号的频率进行移位(例如，降低)以产生新信号。放大器RF信号可以占用频率范围，此时混频器410可以通过振荡器信号的频率对放大器RF信号的频率范围进行移位。在一个实施例中，图4中的混频器410为下混频器(DN混合)，该下混频器将放大的RF信号从较高频率下变频为基带频率。
仍然参考图4，示出将从混频器410输出的频率下变频信号提供给跨阻放大器(trans-impedance amplifier，简称TIA)412。TIA 412用作电流缓存器，以将TIA 412下游的多反馈(multi-feedback，简称MFB)滤波器414与TIA 412上游的混频器410分离。MFB滤波器414对频率下变频信号进行低通滤波，以滤除不感兴趣的高频信号分量，例如HF噪声。将从MFB滤波器414输出的滤波信号提供给可变增益放大器(variable gain amplifier，简称VGA)416，其中在将滤波信号提供给模数转换器(analog-to-digital，简称A/D)418之前，该VGA 416用于放大滤波信号，而该A/D 418将信号从模拟信号转换为数字信号。然后，将从A/D 418输出的数字信号提供给数字滤波器420，该数字滤波器420执行附加滤波以去除带外信号分量并衰减来自A/D 418的量化能量。然后，将数字滤波器420输出的滤波后的数字信号提供给数字滤波器420下游的另外的数字电路系统。此类另外的数字电路系统可以包括例如数字信号处理器(digital signal processor，简称DSP)，但不限于此。可以使用相同的DSP或不同的DSP来实现数字滤波器420。
本地振荡器431可以包括压控振荡器(voltage-controlled oscillator，简称VCO)、数控振荡器(digital controlled oscillator，简称DCO)或其他提供LO信号的电路。在一个实施例中，本地振荡器431包括含VCO的锁相环(phase-locked loop，简称PLL)。将LO信号提供给混频器410以用于下变频过程。尽管示出为在接收器404的外部，但根据实施例，本地振荡器431可以与图4中的一个或多个所述其他元件形成在同一集成电路上。
UE 110(图2中所示)中的接收器204以及BS 170中包括的接收器304不限于直接变频接收器。例如，接收器204、304可以为超外差接收器，该超外差接收器具有将传入无线信号变为中频的混频器。在处理中频信号后，超外差接收器可以具有混频器，该混频器将处理后的中频信号下变频为基带信号。
图5示出了直接变频发射器502的一个示例的细节，该直接变频发射器502可以为包括在UE 110(图2中示出)中的发射器202或包括在BS 170(图3中示出)中的发射器302，但不限于此。直接变频发射器502也可以称为直接调制发射器。参考图5，发射器502被示出为包括输出518，在该输出518处被提供为射频(radio frequency，简称RF)信号，因此输出518也可以称为RF输出518。RF输出518可以耦合到天线或耦合器，但不限于此。通过带通或陷波滤波器516从功率放大器PA 514提供RF输出518的RF信号。滤波器516可以例如为双工/SAW滤波器，并且用于从由PA 514生成的放大RF输出信号中去除期望RF频率范围上下的不需要的频率分量。功率放大器PA 514从功率前置放大器PPA 512接收其输入，该功率前置放大器PPA 512首先接收要从混频器510发射的上变频信号。
仍然参考图5，在数模转换器506处从图2的UE 110的处理器208或图3的BS 170的处理器308接收待发射信号，其中数字信号由低通滤波器508滤波，以在混频器510上进行上变频之前首先去除任何高频噪声。
混频器510可以在两个频率f1、f2上输入信号，并将它们混合以产生两个新信号，一个信号的和为f1+f2，另一个信号的差为f1–f2。通常，仅使用这些新信号中的一个。将信号(“模拟信号”)的模拟版本作为输入信号提供给混频器510。混频器510还从本地振荡器接收作为另一输入信号的振荡器信号LO。因此，混频器510可以从模拟信号和振荡器信号中产生新信号。混频器510可以通过振荡器信号的频率对模拟信号的频率进行移位(例如，增加)以产生新信号。在一个实施例中，模拟信号为基带信号。在一个实施例中，振荡器信号用作载波。在一个实施例中，混频器510利用基带信号调制振荡器信号(例如，载波)以生成射频信号。
模拟信号可以占用频率范围，此时混频器510可以通过振荡器信号的频率对模拟信号的频率范围进行移位。图5中的混频器510为将模拟信号进行上变频的上混频器(上混合)。在一个实施例中，混频器510为将模拟信号上变频为RF信号的上混频器(上混合)。
图5中的本振信号LO可以由本地振荡器531提供。本地振荡器531可以包含VCO、DCO或其他提供LO信号的电路。在一个实施例中，本地振荡器531包括含VCO的PLL。将LO信号提供给混频器510以用于上变频过程。尽管示出为在发射器502的外部，但根据实施例，本地振荡器531可以与图5中的一个或多个所述其他元件形成在同一集成电路上。
UE 110(图2中所示)中的发射器202以及BS 170中包括的发射器302不限于直接变频发射器。例如，接收器204、304可以为超外差发射器，该超外差发射器具有将模拟信号转变为中频信号的混频器。在一个实施例中，混频器利用模拟信号调制振荡器信号以生成中频信号。在处理中频信号后，超外差发射器可以具有将处理后的中频信号上变频为射频信号的混频器。
图6A为用于移位信号的频率范围的电路600的图。电路600具有振荡器631和混频器610。在一个实施例中，电路600包括在无线接收器中。电路600可以包括在无线接收器204或304中，但不限于包括在这些无线接收器中。电路600可以包括在直接变频接收器(例如，DCR 404)或超外差接收器中，但不限于此。在一个实施例中，振荡器631用于实现本地振荡器431(图4)，而混频器610用于实现下混频器410。在一个实施例中，电路600包括在无线发射器中。电路600可以包括在无线发射器202或302中，但不限于包括在这些无线发射器中。电路600可以包括在直接变频发射器(例如，发射器502)或超外差发射器中，但不限于此。在一个实施例中，振荡器631用于实现本地振荡器531(图5)，而混频器610用于实现上混频器510。
混频器610具有接收输入信号(V_sigi)的信号输入612。混频器610用于基于在混频器的振荡器输入614处接收的振荡器信号(LO_out)的频率，在混频器610的信号输出616处输出输入信号的频率范围移位版本。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为下变频的射频信号。因此，在一个实施例中，输入信号为RF信号输入。在一个实施例中，射频信号下变频为基带信号。基带信号可以在信号输出616上输出，其中信号输出616可以称为基带信号输出。在一个实施例中，射频信号下变频为中频信号。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为基带信号，该基带信号上变频为射频(radio frequency，简称RF)信号。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为中频信号，该中频信号上变频为射频(radio frequency，简称RF)信号。在一个实施例中，混频器610利用输入信号调制载波(例如，振荡器信号)。
振荡器631具有频率合成器602、可编程驱动器604和控制器608。频率合成器602用于生成提供给可编程驱动器604的振荡器信号(LO_in)。可编程驱动器604耦合到混频器610的振荡器输入614，以向混频器610提供振荡器信号(LO_out)。
频率合成器602可以为任何能够生成振荡器信号的电路。在一个实施例中，频率合成器602包括锁相环(phase-locked loop，简称PLL)。在一个实施例中，PLL包含压控振荡器(voltage-controlled oscillator，简称VCO)。在一个实施例中，PLL包含数控振荡器(digital controlled oscillator，简称DCO)。在一个实施例中，PLL接收可以由例如主振荡器提供的参考频率信号。PLL可以包含诸如计数器等组件，该计数器可以用于划分参考频率信号的频率。在一个实施例中，控制器608包含频率选择逻辑，该频率选择逻辑向PLL发送控制信号(在图6A中称为“频率选择”)，以控制振荡器信号(LO_in)的频率。作为示例，控制器608可以向PLL中的可编程计数器发出控制信号，以控制振荡器信号(LO_in)的频率。频率合成器602不需要包含PLL。
可编程驱动器604从频率合成器602接收振荡器信号(LO_in)，并且向混频器610的振荡器信号输入614提供振荡器信号(LO_out)。振荡器信号(LO_in、LO_out)具有相同的频率。可编程驱动器604有可能使振荡器信号反相。因此，在一个实施例中，LO_out为LO_in的反相版本。然而，不要求LO_out为LO_in的反相版本。
在一个实施例中，振荡器信号LO_in、LO_out都是脉冲波。脉冲波是一种周期波，其中振幅在固定的最小值与最大值之间交替。脉冲波也可以称为矩形波。如果占空比为50％，则脉冲波称为方波。振荡器信号的占空比不需要为50％。
现实世界的系统通常不能生成形状正是矩形的振荡器信号。例如，瞬时上升和下降时间通常是不可能的。因此，将理解，振荡器信号不需要是完美的矩形波。此外，振荡器信号LO_in、LO_out的特性不需要相同。例如，LO_out的上升和下降时间可能比LO_in的上升和下降时间慢。在本文中，相对于波形幅度的10％和90％来定义振荡器信号LO_in、LO_out的上升和下降时间。
图6B描绘了两个振荡器信号以说明上升和下降时间。波形650为振荡器信号LO_in的示例，该振荡器信号LO_in可以由频率合成器602生成。波形660为振荡器信号LO_out的示例，该振荡器信号LO_out可以由可编程驱动器604生成。对于每个波形650和660，标记“10％”的虚线表示波形何时处于最大与最小幅度之差的10％。对于每个所述波形650和660，标记“90％”的虚线表示波形何时处于最大与最小幅度之差的90％。上升时间在本文中定义为从10％增加到90％所需的时间。下降时间在本文中定义为从90％下降到10％所需的时间。在本示例中，波形660具有比波形650更慢的上升时间(也称为更长的上升时间)，但这不是必需的。在本示例中，波形660还具有比波形650更慢的下降时间(也称为更长的下降时间)，但这不是必需的。
再次参考图6A，可编程驱动器604被配置为具有可变的驱动强度。驱动强度是指向与可编程驱动器604连接的负载提供电流的能力。因此，当驱动强度较高时，可编程驱动器604能够向负载提供更多的电流。在图6A中，负载位于混频器610的振荡器输入614处。提供较高的电流可以在例如混频器610中提供更快的电容充电和放电。
可以通过向可编程驱动器604施加一个或多个控制信号来控制驱动强度。在图6A中，控制信号标记为“驱动器强度控制”。因此，可以说可编程驱动器604具有可编程的驱动强度。控制器608用于基于振荡器信号(LO_in)的频率控制可编程驱动器604的驱动强度，以调整在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号(LO_out)的上升时间和下降时间。在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号的上升和下降时间可以是混频器610的增益和线性的因素。因此，通过调整在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号(LO_out)的上升时间和下降时间，可以提高混频器610的增益和/或线性。
在一个实施例中，控制器608用于对可编程驱动器604进行编程，以在较低的振荡器信号频率处具有较低的驱动强度，而在较高的振荡器信号频率处具有较高的驱动强度。较低的驱动强度导致在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号的上升和下降时间较慢。结合非线性抵消电路系统的较慢的上升和下降时间可以减少或消除在较低的振荡器信号频率下的混频器610中的失真。较高的驱动强度导致在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号的上升和下降时间较快。较快的上升和下降时间将提供良好的混频器增益，同时仍然能够使非线性抵消电路系统在更高的振荡器信号频率下减少或消除混频器610中的失真。
此外，可以在广泛的振荡器信号频率范围内使用相同的混频器610。例如，当使用较低的驱动强度时，相同的混频器610可以用于较低的振荡器信号频率，而当使用较强的驱动强度时，相同的混频器610可以用于较高的振荡器信号频率。作为示例，可以在蜂窝电话中通常使用的振荡器信号频率范围内使用相同的混频器610。
图6A描绘了一个可编程驱动器604，该可编程驱动器604输入一个振荡器信号(LO_in)，并且输出一个振荡器信号(LO_out)。在一个实施例中，频率合成器602生成多个不同的振荡器信号，该振荡器信号分别具有相同的频率但是相位不同。例如，频率合成器602可以具有正交信号生成器，该正交信号生成器接受振荡器信号，并且输出两个具有相同频率但是相位相差90度的振荡器信号。在一个实施例中，振荡器631具有一个可编程驱动器604，用于频率合成器602提供的每个振荡器信号。在一个实施例中，两个可编程驱动器604向相同的混频器610提供相应的两个振荡器信号。在一个实施例中，提供给相同的混频器610的两个振荡器信号具有相同的频率，但彼此异相180度。在一个实施例中，两个或两个以上可编程驱动器604向不同的混频器提供相应的两个或两个以上振荡器信号。例如，一个混频器610可以用于I信道，而另一个混频器610用于Q信道。尽管控制器608被描绘为振荡器631的一部分，但是控制器608的全部或一部分可以与振荡器631分离。
图7为可编程驱动器604的一个实施例的方框图。图7的可编程驱动器604可以用于本地振荡器431、本地振荡器531或振荡器631中，但不限于此。图7的可编程驱动器604包括多个阶704(1)、704(2)、…704(n)。附图编号704通常将用于指代阶，而不涉及特定阶。每个阶704接受本振信号(LO_in)。在一个实施例中，本振信号(LO_in)由频率合成器602(参见图6A)提供。在一个实施例中，每个阶704具有启用输入(EN)。启用输入(EN)用于启用阶，使得该阶输出本振信号(LO_out)。阶704的输出连接在一起。在一个实施例中，每个阶704能够提供一定量的电流。因此，由可编程驱动器604提供的总电流可以是由启用的阶704提供的电流的总和。
可编程驱动器604的驱动强度可以由所选择的阶704的数量控制。在一个实施例中，每个阶704具有相同的驱动强度。然而，不同的阶可以具有不同的驱动强度。例如，每个所述阶704的驱动强度之间可以存在二元关系。在上下文中，二元关系是指强度关系是二的幂次方。例如，四个不同阶704的驱动强度可以分别为8x、4x、2x和x，其中“x”是最弱阶704的驱动强度。在一个实施例中，控制器608用于基于振荡器信号的频率选择一个或多个所述阶704，以选择可编程驱动器604的驱动强度。
图8A为可编程驱动器604的一个实施例的示意图。图8A的可编程驱动器604是图7的可编程驱动器的一个实施例。图8A的可编程驱动器604可以用于本地振荡器431、本地振荡器531或振荡器631中，但不限于此。
图8A的可编程驱动器604具有四个阶704(1a)、704(2a)、704(3a)和704(4a)。在图8A的实施例中，每个阶704包括逆变器。每个逆变器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管。
阶704(1a)包括PMOS晶体管802和NMOS晶体管804。两个晶体管802、804的栅极连接在一起，并且作为接收振荡器信号(LO_in)的输入。振荡器信号(LO_in)可以由频率合成器602提供。假设启用阶704(1a)，则两个晶体管802、804的漏极连接在一起，并且作为提供振荡器信号(LO_out)的输出。可以将振荡器信号(LO_out)提供给混频器610的振荡器信号输入。
阶704(1a)包括PMOS晶体管802与正电压端子838之间的开关818。阶704(1a)包括NMOS晶体管804与接地836之间的开关820。在一个实施例中，通过关闭开关818将PMOS晶体管802连接到正电压端子838和关闭开关820将NMOS晶体管804连接到接地836来启用阶704(1a)。在一个实施例中，通过打开开关818将PMOS晶体管802从正电压端子838断开和打开开关820将NMOS晶体管804从接地836断开来禁用阶704(1a)。
阶704(2a)、704(3a)和704(4a)分别具有类似的部件，并且以类似于针对阶704(1a)所描述的方式进行操作。阶704(2a)包括PMOS晶体管806和NMOS晶体管808。两个晶体管806、808的栅极连接在一起，并且作为接收振荡器信号(LO_in)的输入。假设启用阶704(2a)，则两个晶体管806、808的漏极连接在一起，并且作为提供振荡器信号(LO_out)的输出。阶704(2a)包括PMOS晶体管806与正电压端子838之间的开关822。阶704(2a)包括NMOS晶体管808与接地836之间的开关824。以类似于开关818、820针对阶704(1a)进行操作的方式，开关822、824针对阶704(2a)进行操作。
阶704(3a)包括PMOS晶体管810和NMOS晶体管812。两个晶体管810、812的栅极连接在一起，并且作为接收振荡器信号(LO_in)的输入。假设启用阶704(3a)，则两个晶体管810、812的漏极连接在一起，并且作为提供振荡器信号(LO_out)的输出。阶704(3a)包括PMOS晶体管810与正电压端子838之间的开关826。阶704(3a)包括NMOS晶体管812与接地836之间的开关828。以类似于开关818、820针对阶704(1a)进行操作的方式，开关826、828针对阶704(3a)进行操作。
阶704(4a)包括PMOS晶体管814和NMOS晶体管816。两个晶体管814、816的栅极连接在一起，并且作为接收振荡器信号(LO_in)的输入。假设启用阶704(4a)，则两个晶体管814、816的漏极连接在一起，并且作为提供振荡器信号(LO_out)的输出。阶704(4a)包括PMOS晶体管814与正电压端子838之间的开关830。阶704(4a)包括NMOS晶体管816与接地836之间的开关832。以类似于开关818、820针对阶704(1a)进行操作的方式，开关830、832针对阶704(4a)进行操作。
图8A的可编程驱动器604的驱动强度可以通过启用/禁用阶704的不同子集来控制。如上所述，每个所述阶704可以通过使用开关818-832单独地启用/禁用。在一个实施例中，开关818-832通过晶体管实现。在一个实施例中，开关818、822、826和830为PMOS晶体管，而开关820、824、828和832为NMOS晶体管。在一个实施例中，开关818-832显著地大于(例如，宽度大于)逆变器晶体管802-816。
在一个实施例中，图8A的可编程驱动器604的每个阶704具有相同的强度。因此，在一个实施例中，每个阶704能够向提供了振荡器信号LO_out的负载提供相同量的电流。在一个实施例中，PMOS晶体管802、806、810和814的尺寸是相同的(例如，相同的W/L)，并且NMOS晶体管804、808、812和816的尺寸是相同的(例如，相同的W/L)，以为每个阶704提供相同的驱动强度。
图8A的可编程驱动器604的每个阶704不需要具有相同的强度。此外，并不要求每个阶704中的相应晶体管在尺寸上相同。例如，不同阶704中的PMOS晶体管802、806、810和814可以具有不同的尺寸(例如，不同的W/L)。同样地，不同阶704中的NMOS晶体管804、808、812和816可以具有不同的尺寸(例如，不同的W/L)。
在一个实施例中，图8A的可编程驱动器604的阶704的驱动强度具有二元关系。例如，在一个实施例中，阶704(4a)的驱动强度是阶704(3a)的两倍；阶704(3a)的驱动强度是阶704(2a)的两倍；并且阶704(2a)的驱动强度是阶704(1a)的两倍。因此，在一个二元关系实施例中，阶704(4a)的驱动强度是阶704(1a)的八倍。二元关系可以通过相对较少的阶704提供大量不同的驱动强度。
尽管图8A的实施例描绘了一个逆变器(例如，每个阶704的一对PMOS/NMOS晶体管)，在另一实施例中，阶704包括一个以上的逆变器。此外，不同阶704可以包含不同数量的逆变器。这是在不同阶中实现不同驱动强度的一种技术。图8B为可编程驱动器604的实施例的示意图，其中阶704具有不同数量的逆变器。阶704(1b)具有四个逆变器，而阶704(2b)具有两个逆变器。
阶704(1b)具有PMOS晶体管842、844、846和848。阶704(1b)具有NMOS晶体管852、854、856和858。阶704(1b)在四个逆变器与正电压端子838之间具有单个开关840。阶704(1b)在四个逆变器与接地836之间具有单个开关850。
阶704(2b)具有PMOS晶体管862和864。阶704(2b)具有NMOS晶体管866和868。阶704(2b)在两个逆变器与正电压端子838之间具有单个开关860。阶704(2b)在两个逆变器与接地836之间具有单个开关870。
可以扩展每个阶具有不同数量的逆变器的概念。例如，在一个实施例中，为了实现二元关系，可以修改图8A的电路，使得阶704(4a)具有八个逆变器，阶704(3a)具有四个逆变器，阶704(2a)具有两个逆变器，并且阶704(1a)具有一个逆变器。在一个二元关系实施例中，其中每个阶704中使用不同数量的逆变器，每个所述逆变器中的晶体管在尺寸上可以相同(例如，W/L)。
可编程驱动器604中的阶704不需要包括逆变器。在一个实施例中，每个阶具有缓存器而不是逆变器。图8C描绘了可编程驱动器604的一个实施例的示意图，其中每个阶704(1c)、704(2c)具有缓存器。
阶704(1c)具有PMOS晶体管872、PMOS晶体管874、NMOS晶体管876和NMOS晶体管878，它们一起形成缓存器。开关892位于缓存器与正电压端子838之间。开关894位于缓存器与接地836之间。
阶704(2c)具有PMOS晶体管882、PMOS晶体管884、NMOS晶体管886和NMOS晶体管888，它们一起形成缓存器。开关896位于缓存器与正电压端子838之间。开关898位于缓存器与接地836之间。
在阶704(1c)中向PMOS晶体管872和NMOS晶体管876的栅极提供振荡器信号(LO_in)。也在阶704(2c)中向PMOS晶体管882和NMOS晶体管886的栅极提供振荡器信号(LO_in)。
当启用阶704(1c)时，从PMOS晶体管874和NMOS晶体管878的漏极提供振荡器信号(LO_out)。当启用阶704(2c)时，从PMOS晶体管884和NMOS晶体管888的漏极提供振荡器信号(LO_out)。
可编程驱动器的阶704中的组件可能有其他替代方案。在一个实施例中，双极晶体管(例如，BJT)代替MOSFET。在图8A-8C的示例中，阶704连接在正电压端子838与接地836之间。更一般地说，阶704可以连接在第一电压端子与第二电压端子之间，其中不需要将其中一个所述端子连接到接地。例如，阶704可以连接在正电压端子838与负电压端子之间。
图9为混频器610和一对可编程驱动器604a、604b的一个实施例的示意图。在本实施例中，使用两个可编程驱动器来提供两个相位不同的本振信号。可编程驱动器604a接收本振信号LO_in(θ)，并且输出本振信号LO_out(θ)，在本文中称为“同相振荡器信号”。可编程驱动器604b接收本振信号LO_in(θ_b)，并且输出本振信号LO_out(θ_b)，在本文中称为“异相振荡器信号”。在一个实施例中，两个本振信号(输入和输出)在相位上相隔180度，并且是25％的占空比脉冲。当与不同的混频器一起使用时，振荡器信号可能具有不同的占空比。例如，当与一些混频器一起使用时，振荡器信号的占空比可能为50％。
图9的混频器610具有接收V_sigi+和V_sigi–的信号输入。将V_sigi+提供给电容器932，并且将V_sigi–提供给电容器934。电容器932、934可以对V_sigi的DC电平进行移位。混频器610具有输出V_sigo+和V_sigo–的信号输出。V_sigo+为在晶体管902、906的漏极处的输出。V_sigo–为在晶体管904、908的漏极处的输出。
将来自可编程驱动器604a的本振信号LO_out(θ)提供给混频器610的一个振荡器信号输入。具体地，将本振信号LO_out(θ)提供给晶体管902和908的栅极，可以认为是振荡器信号输入。电容器922连接到晶体管902的栅极，并且电容器928连接到晶体管908的栅极，以向晶体管902、908的栅极提供本振信号LO_out(θ)。电容器922、928可以对本振信号LO_out(θ)的DC电平进行移位。在一个实施例中，控制可编程驱动器604a的强度，以控制在晶体管902、908的栅极处的本振信号LO_out(θ)的上升和下降时间。
将来自可编程驱动器604b的本振信号LO_out(θ_b)提供给混频器610的另一振荡器信号输入。具体地，将本振信号LO_out(θ_b)提供给晶体管904和906的栅极，可以认为是振荡器信号输入。电容器924连接到晶体管904的栅极，并且电容器926连接到晶体管906的栅极，以向晶体管904、906的栅极提供本振信号LO_out(θ_b)。电容器924、926可以对本振信号LO_out(θ_b)的DC电平进行移位。在一个实施例中，控制可编程驱动器604b的强度，以控制在晶体管904、906的栅极处的本振信号LO_out(θ_b)的上升和下降时间。
图9中的混频器610具有差分设计，这可以帮助减少偶数阶非线性，如二阶非线性。然而，组件之间可能失配。例如，各种晶体管902、904、906、908的宽度可能不相同。这种失配能够在引入偶数阶非线性中起一定作用。如果使晶体管902、904、906、908非常大，则可以减少失配的百分比。然而，这是以使晶体管消耗更多电流以及占用更多空间为代价的。因此，混频器610的实用设计可能导致当混频器610混合其输入信号时产生偶数阶非线性。二阶非线性通常是偶数阶非线性中最重要的。
图9中的混频器610具有若干个偏置电阻912、914、916、918。可以向这些电阻施加电压来减少或消除非线性，如二阶非线性。也可以减少或消除其他偶数阶非线性。在一个实施例中，将电压施加到偏置电阻912、914、916、918，以在设备之间产生电失配，这会产生“反”二阶非线性，以抵消至少部分由部件失配导致的二阶非线性。偏置电阻912连接到晶体管902的栅极。偏置电阻912设有偏置电压Vbias_n1。偏置电阻916连接到晶体管906的栅极。偏置电阻916设有偏置电压Vbias_n2。偏置电阻914连接到晶体管904的栅极。偏置电阻914设有偏置电压Vbias_p2。偏置电阻918连接到晶体管908的栅极。偏置电阻918设有偏置电压Vbias_p1。
在一个实施例中，施加到电阻912的Vbias_n1的大小与施加到电阻916的Vbias_n2的大小相同。在一个实施例中，施加到电阻914的Vbias_p2的大小与施加到电阻918的Vbias_p1的大小相同。然而，不需要Vbias_n1的大小等于Vbias_n2。同样，也不需要Vbias_p1的大小等于Vbias_p2。Vbias_p1与Vbias_n1之间的第一偏移和Vbias_p2与Vbias_n2之间的第二偏移可以用于产生反二阶非线性。在一个实施例中，第一偏移和第二偏移在大小和极性上相等。然而，并不需要第一偏移和第二偏移在大小或极性上相等。在一个实施例中，对于没有二阶失真校正，Vbias_p1等于Vbias_n1，并且Vbias_p2等于Vbias_n2。在一个实施例中，“p”和“n”偏置电压沿相反方向移动，以提供校正的二阶失真。例如，取决于所需的校正，增大Vbias_p1和Vbias_p2而减小Vbias_n1和Vbias_n2，或者减小Vbias_p1和Vbias_p2而增大Vbias_n1和Vbias_n2。
图9的混频器610描绘了一种减少或消除偶数阶非线性的技术。然而，可编程驱动器604可以与使用其他技术来减少或消除偶数阶非线性的混频器一起使用。此外，可编程驱动器604可以与不采用任何技术来减少或消除偶数阶非线性的混频器一起使用。因此，如图9的示例中所示，可编程驱动器604可以与不施加偏置电压以产生反二阶非线性的混频器一起使用。此外，可编程驱动器604可以与具有与图9中的电路不同的电路配置的混频器一起使用。
图10描绘了控制器608的一个实施例。在一个实施例中，控制器608具有频率选择逻辑1010、驱动强度选择逻辑1020和偏置电压逻辑1030。图10的控制器608可以用于实现图6A中的控制器。然而，图6的控制器608不需要具有图10的控制器608的所有所述元件。在一个实施例中，图6的控制器608不具有偏置电压逻辑1030。
频率选择逻辑1010用于向频率合成器602发出振荡器频率选择信号。在一个实施例中，振荡器频率选择信号被输入到频率合成器602中的PLL以控制振荡器信号(LO_in)的频率。在一个实施例中，振荡器频率选择信号用于控制频率合成器602中的可编程计数器。
在一个实施例中，控制器608接收指示控制器608关于振荡器信号(LO_in)的期望频率的一个或多个输入。图10描绘了输入到控制器608的“目标频率”信号。目标频率信号可以为指示振荡器信号(LO_in)的目标频率的数字或模拟信号。例如，包含振荡器631的电子设备(例如，蜂窝电话)可以具有确定振荡器631应产生的目标振荡器信号频率的逻辑。这可能基于诸如允许蜂窝网络操作的频率等考虑。该逻辑可以通知控制器608将要产生的频率。在一个实施例中，控制器608包含这种确定目标频率的逻辑，并且因此不需要控制器608接收通知控制器608期望频率的目标频率信号。
驱动强度选择逻辑1020用于向可编程驱动器604中的控制开关发出信号。控制信号在图10中称为Vs1、Vs2、Vs3、Vs4、Vs5、Vs6、…Vsn。在一个实施例中，这些是用于控制可编程驱动器604中的开关的电压。可编程驱动器604中的每个开关可以包括一个或多个晶体管。在一个实施例中，至少一个所述晶体管具有用于打开或关闭开关的控制端子。在一个实施例中，控制端子是FET的栅极。在一个实施例中，控制端子是BJT的基极。因此，该组电压可以施加到晶体管的控制端子以关闭或打开开关。因此，可以启用/禁用阶704。驱动强度选择逻辑1020可以产生用于开关818-832(参见图8A)；840、850、860、870(参见图8B)；892、894、896、898(参见图8C)的控制端子电压。控制信号的数量可能取决于开关的数量。在一个实施例中，驱动强度选择逻辑1020连接到频率选择逻辑1010，该频率选择逻辑1010允许驱动强度选择逻辑1020基于振荡器信号(LO_in)的频率生成控制信号。
偏置电压逻辑1030用于发送偏置电压(例如，图9中的Vbias_n1、Vbias_n2、Vbias_p1和Vbias_p2)到混频器610。偏置电压可以施加到混频器610中。例如，偏置电压可以施加到混频器610中的晶体管的栅极。在一个实施例中，偏置电压用于在混频器610中产生反二阶非线性。反二阶非线性可以用来抵消至少部分由混频器610中的部件失配导致的偶数(例如，二)阶非线性。在一个实施例中，当控制器608控制可编程驱动器604的驱动强度时，将偏置电压施加到混频器610中以抵消混频器中的偶数阶(例如，二阶)非线性。
频率选择逻辑1010、驱动强度选择逻辑1020和/或偏置电压逻辑1030可以通过硬件、软件或硬件和软件两者的组合来实现。例如，频率选择逻辑1010、驱动强度选择逻辑1020和偏置电压逻辑1030可以通过现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)、专用集成电路(Application-Specific Integrated Circuit，简称ASIC)、专用标准产品(Application-Specific Standard Product，简称ASSP)、片上系统(System-On-a-Chip System，简称SOC)、复杂可编程逻辑器件(Complex Programmable Logic Device，简称CPLD)，专用计算机等实现。在一个实施例中，(存储在存储设备上的)软件用于对一个或多个处理器进行编程以实现由频率选择逻辑1010、驱动强度选择逻辑1020和/或偏置电压逻辑1030执行的功能。
图11为移位信号的频率范围的过程1100的一个实施例的流程图。在一个实施例中，用于移位信号的频率范围的电路600执行过程1100。在一个实施例中，在无线接收器中执行过程1100。可以由无线接收器204或304执行过程1100，但不限于这些无线接收器。可以由直接变频接收器(例如，DCR 404)或超外差接收器执行过程1100，但不限于此。在一个实施例中，在无线发射器中执行过程1100。可以由无线发射器202或302执行过程1100，但不限于这些无线发射器。可以由直接变频发射器(例如，发射器502)或超外差发射器执行过程1100，但不限于此。
步骤1102包括生成振荡器信号。在一个实施例中，由频率合成器602生成振荡器信号。在一个实施例中，由具有可编程驱动器604的振荡器(例如，振荡器631)生成振荡器信号。在一个实施例中，可编程驱动器604被配置为具有可变的驱动强度。在一个实施例中，步骤1102包括控制器608的频率选择逻辑1010向频率合成器602发出控制信号，以控制振荡器信号(LO_in)的频率。
步骤1104包括将来自可编程驱动器604的振荡器信号提供给混频器610。在一个实施例中，将振荡器信号提供给混频器610的振荡器输入。混频器610还提供有输入信号。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为射频信号。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为基带信号。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为中频信号。
步骤1106包括基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器604的驱动强度。在一个实施例中，步骤1106包括基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器604的驱动强度，以调整在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号的上升时间和下降时间。在一个实施例中，控制器608发出控制信号以控制可编程驱动器604。在一个实施例中，控制信号用于打开和关闭开关以禁用/启用可编程驱动器604的阶704。在一个实施例中，步骤1106包括控制器608的驱动强度逻辑1020向可编程驱动器604中的晶体管的控制端子(例如，栅极)发出控制信号(例如，电压)，以控制可编程驱动器604的驱动强度。
在一个实施例中，步骤1106包括控制可编程驱动器以在较低的振荡器信号频率处具有较低的驱动器强度并且在较高的振荡器信号频率处具有较高的驱动强度。例如，可以在第一振荡器信号频率使用第一驱动强度，并且可以在第二振荡器信号频率使用第二驱动强度。在本示例中，第一驱动强度小于第二驱动强度，并且第一振荡器信号频率低于第二振荡器信号频率。这可能导致在混频器610的振荡器输入处的振荡器信号的上升和下降时间在第一(较低的)振荡器信号频率相对于第二(较高的)振荡器信号频率更慢。因此，在第一(较低的)和第二(较高的)振荡器信号频率下混频器610中均获得良好的增益和线性。
在一些情况下，可能需要覆盖宽频率范围(例如，600MHz至6000MHz)。此外，可编程驱动器可以仅具有两种状态，其中较低的驱动强度可以应用于频率范围的下半部分，而较高的驱动强度可以应用于频率范围的上半部分。
步骤1108包括基于振荡器信号从混频器输出频率范围移位信号。步骤1108包括对射频信号进行下变频。在一个实施例中，射频信号下变频为基带信号。在一个实施例中，射频信号下变频为中频信号。在一个实施例中，步骤1108包括对输入信号(V_sigi)进行上变频。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为基带信号，其上变频为射频信号。在一个实施例中，输入信号(V_sigi)为中频信号，其上变频为射频信号。在一个实施例中，步骤1108包括利用输入信号(V_sigi)调制载波(例如，振荡器信号)。
图12为基于振荡器信号的频率选择可编程驱动器604的驱动强度的过程1200的一个实施例的流程图。过程1200用于过程1100的步骤1106的一个实施例中。在一个实施例中，由控制器608执行过程1200。为了说明，过程1200讨论了低、中和高驱动强度。术语“低驱动强度”、“中驱动强度”和“高驱动强度”是相对于彼此使用的。因此，“中驱动强度”意味着比“低驱动强度”大但是比“高驱动强度”小的强度。
步骤1202为振荡器信号频率的确定。在一个实施例中，控制器608做出此确定。步骤1202不需要确定振荡器信号频率的精确频率。相反，在一个实施例中，确定振荡器信号频率是低、中还是高就足够了。
可以使用多种技术来确定振荡器信号频率。在一个实施例中，包含振荡器631的电子设备(例如，蜂窝电话)具有确定振荡器631应产生的振荡器信号频率的逻辑。这可能基于诸如允许蜂窝网络操作的频率等考虑。该逻辑可以通知控制器608将要产生的频率。例如，如图10所描绘，可以向控制器608提供“目标频率”信号。在一个实施例中，控制器608包含这种确定目标频率的逻辑。
可以以另一种方式确定振荡器信号频率。例如，结合图10，频率选择逻辑1010可以向驱动强度选择逻辑1020提供信号，该信号至少指示振荡器信号频率是低、中还是高。作为示例，频率选择逻辑1010可以将振荡器频率选择信号提供给驱动强度选择逻辑1020。回想一下，振荡器频率选择信号可以为控制频率合成器中的可编程计数器的信号。因此，在本示例中，低振荡器信号频率可以由信号指示给在第一值以下(或以上)的可编程计数器，而高振荡器信号频率可以由信号指示给在第二值以上(或以下)的可编程计数器。
过程1200基于振荡器信号频率是否低于第一频率(低频)、高于第二频率(高频)或介于第一与第二频率之间(中频)采取三个分支之一。对于蜂窝电话的实施例，第一频率的示例约为1GHz，而第二频率的示例约为3GHz。这些仅仅是示例，其中将理解，可以针对低频和高频作出其他选择。
在步骤1204中，响应于确定振荡器信号频率低于第一频率，控制器608选择低驱动强度。在一个实施例中，控制器608向可编程驱动器604发出控制信号以启用/禁用阶704来取得低驱动强度。关于图8A的可编程驱动器604，控制器608可以通过适当选择开关818-832来启用一个阶704并且禁用三个阶。
具有低驱动强度可能导致在混频器610的振荡器信号输入处的振荡器信号的上升和下降时间较慢(相对于中和高驱动强度的情况)。较慢的上升和下降时间可以有助于引入反二阶非线性，从而抵消至少部分由混频器610中的部件失配导致的二阶非线性。因此，可以在低频或低频以下减少或消除混频器610中的二阶非线性。
在步骤1208中，响应于确定振荡器信号频率高于第二频率，控制器608选择高驱动强度。在一个实施例中，控制器608向可编程驱动器604发出控制信号以启用/禁用阶704来取得高驱动强度。关于图8A的可编程驱动器604，控制器608可以通过适当选择开关818-832来启用所有四个阶704。
具有高驱动强度可能导致在混频器610的振荡器信号输入处的振荡器信号的上升和下降时间较快(相对于中和低驱动强度的情况)。在较高的振荡器信号频率下，较快的上升和下降时间可以提供良好的增益，同时仍然能够改善混频器610在高频或高频以上的线性。
在步骤1206中，响应于确定振荡器信号频率在第一频率与第二频率之间，控制器608选择中驱动强度。在一个实施例中，控制器608向可编程驱动器604发出控制信号以启用/禁用阶704来取得中驱动强度。关于图8A的可编程驱动器604，控制器608可以通过适当选择开关818-832来启用两个或三个阶704并且禁用其余阶。中振荡器信号频率范围还可以分为中低频率范围和中高频率范围。可以基于振荡器信号频率来选择驱动强度，使得在混频器610的振荡器信号输入处的振荡器信号达到目标上升和下降时间，以减少或消除非线性失真。
过程1200描述了基于振荡器信号落入三个频率范围中的哪一个来选择三种驱动强度中的其中之一。该概念可以应用于少于或多于三种驱动强度(及其相应的频率范围)。在一个实施例中，针对两个频率范围仅使用两种不同的驱动强度。然而，可以存在四个、五个或更多的频率范围，每个频率范围具有用于可编程驱动器604的相应驱动强度。
图13为用于控制混频器610中的非线性的过程1300的一个实施例的流程图。过程1300用于控制混频器610中的偶数阶非线性，包括二阶非线性。过程1300可以在宽频率范围内为混频器610产生良好的线性。
步骤1302包括基于振荡器信号的频率控制可编程驱动器604的驱动强度。步骤1302可以与图11的步骤1106类似。
步骤1304包括在混频器610中施加偏置电压。在一个实施例中，步骤1304包括产生反二阶非线性。反二阶非线性可以用于抵消由于混频器610中的组件失配导致的二阶非线性。在一个实施例中，步骤1304包括选择偏置电压以产生反二阶非线性。
在一个实施例中，控制器608中的偏置电压逻辑1030向偏置电阻912发出Vbias_n1，并且向偏置电阻916发出Vbias_n2。在一个实施例中，Vbias_n1的大小等于Vbias_n2的大小。然而，并不需要Vbias_n1的大小等于Vbias_n2的大小。在一个实施例中，控制器608中的偏置电压逻辑1030将Vbias_p1施加到偏置电阻918，并且将Vbias_p2施加到偏置电阻914。在一个实施例中，Vbias_p1的大小等于Vbias_p2的大小。然而，并不需要Vbias_p1的大小等于Vbias_p2的大小。Vbias_p1与Vbias_n1之间的第一偏移和Vbias_p2与Vbias_n2之间的第二偏移用于产生反二阶非线性，该反二阶非线性可以用于抵消由于混频器610中的组件失配导致的二阶非线性。在一个实施例中，第一偏移和第二偏移在大小和极性上相等。Vbias_p1可以大于或者小于Vbias_n1。同理，Vbias_p2可以大于或小于Vbias_n2。
第一偏移和第二偏移在不同振荡器信号频率下可以不同。在一个实施例中，第一和第二偏移在较低的振荡器信号频率下更大。在较低的振荡器信号频率下，更大的偏移有助于产生更多的反二阶非线性。如果由于例如在较低的振荡器信号频率下的组件失配而产生更多的二阶非线性，则这可能是有益的。对于至少一些混频器，由于例如在较低的振荡器信号频率下的组件失配，可能会存在更多的二阶非线性。
另一方面，对于至少一些混频器，由于例如在较高的振荡器信号频率下的组件失配，可能会存在较少的二阶非线性。因此，在较高的振荡器信号频率下(相对于在较低的振荡器信号频率下的偏移)可以使用更少的偏移。然而，混频器610在较高的振荡器信号频率下仍然具有良好的线性。在较高的振荡器信号频率下的良好线性的因素可以是可编程驱动器604在较高的振荡器信号频率下的较高的驱动强度。
本文所描述的技术可以使用硬件、软件或硬件和软件两者的组合来实现。所使用的软件存储在一个或多个上述处理器可读存储设备上，以对一个或多个所述处理器进行编程来执行本文所描述的功能。处理器可读存储设备可以包括计算机可读介质，如易失性和非易失性介质或可移动和不可移动介质。借助于实例而非限制，计算机可读媒体可以包括计算机存储媒体和通信媒体。计算机可读存储介质可以在存储诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据等信息的任意方法或技术中实现。计算机可读存储介质的示例包括RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储技术、CD-ROM、数字多功能光盘(digital versatiledisk，简称DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储设备，或者能够用来存储所需信息和计算机能够访问的任何其他介质。一种或多种计算机可读介质不包括传播的、调制的或瞬时的信号。
通信媒体通常体现计算机可读指令、数据结构、程序模块或例如载波或其他输送机构的调制后数据信号中的其他数据，且包含任何信息传送媒体。术语“调制的数据信号”是指有一个或多个特征集或以这种方式改变从而在信号中对信息编码的信号。例如但不限于，通信介质包括有线介质，如有线网或直接有线连接，以及无线介质，如RF和其他无线介质。上述各项的组合也应包含在计算机可读媒体的范围内。
在替代实施例中，部分或全部所述软件可以由专用硬件逻辑组件替换。例如但不限于，可以使用的硬件逻辑组件的示例性类型包括现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，简称FPGA)、专用集成电路(Application-SpecificIntegrated Circuit，简称ASIC)、专用标准产品(Application-Specific StandardProduct，简称ASSP)、片上系统(System-On-a-Chip System，简称SOC)、复杂可编程逻辑器件(Complex Programmable Logic Device，简称CPLD)、专用计算机等。在一个实施例中，实现一个或多个实施例的(存储在存储设备上的)软件用于对一个或多个处理器进行编程。一个或多个处理器可以与一个或多个计算机可读介质/存储设备、外设和/或通信接口通信。
应理解，本发明可以具体体现为许多不同的形式且不应被解释为仅限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本主题内容更加透彻和完整，并将本发明完整地传达给本领域技术人员。事实上，本主题旨在覆盖包括在由所附权利要求书限定的本主题公开的精神和范围内的这些实施例的替代物、修改和等同物。另外，在以下本主题细描述中，阐述了许多特定细节以便提供对本主题的透彻理解。然而，所属领域的普通技术人员将清楚到，可以在没有这样具体细节的情况下实践本请求保护的主题。
本文结合本发明实施例的方法、装置(系统)以及计算机程序产品的流程图和/或方框图描述本发明的各方面。应当理解，流程图和/或方框图的每个框以及流程图和/或方框图中的框的组合可以由计算机程序指令来实现。可以将这些计算机程序指令提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器，以生成机制，使得这些通过计算机或其他可编程指令执行装置的处理器所执行的指令创建实现所述流程图和/或方框图中的一个或多个方框所指定的功能/动作的机制。
对本发明的描述只是为了说明的目的，而这些描述并不旨在穷举或限于所公开的实施例。在不偏离本发明的范围和精神的前提下，多种修改和改变对本领域技术人员而言是显而易见的。选择和描述的本发明各个方面以便更好地解释本发明的原理和实际应用，并且使本领域技术人员能够理解本发明适合预期特定用途的各种修改。
为了本文档的目的，与所公开的技术相关联的每个过程可以连续执行并由一个或多个计算设备执行。过程中的每个步骤可以由与其他步骤中使用的相同或不同的计算设备执行，并且每个步骤不一定由单个计算设备执行。
虽然已经以特定于结构特征和/或方法动作的语言描述了主题，但是应该理解的是，权利要求书定义的主题不必局限于上面描述的具体特征或动作。相反，上述具体的特征和动作被公开作为实施权利要求的示例性方式。

Claims (20)

1.一种用于移位信号的频率范围的电路，其特征在于，包括：
混频器，具有信号输入、振荡器输入和信号输出；
频率合成器，用于生成具有频率的振荡器信号；
可编程驱动器，用于从所述频率合成器接收所述振荡器信号，并且将所述振荡器信号提供给所述混频器的振荡器输入，所述可编程驱动器被配置为具有可变的驱动强度；以及
控制器，用于基于所述振荡器信号的频率控制所述可编程驱动器的驱动强度，以调整在所述混频器的振荡器输入处的所述振荡器信号的上升时间和下降时间，
其中所述混频器用于基于所述振荡器信号的频率在所述混频器的信号输出处输出在所述混频器的信号输入处接收到的信号的频率范围移位版本。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述控制器还用于：
响应于所述振荡器信号的频率为第一频率，控制所述可编程驱动器的驱动强度具有第一驱动强度，以使在所述振荡器输入处的振荡器信号的上升时间具有第一上升时间和在所述振荡器输入处的振荡器信号的下降时间具有第一下降时间；以及
响应于所述振荡器信号的频率为第二频率，控制所述可编程驱动器的驱动强度具有第二驱动强度，以使在所述振荡器输入处的振荡器信号的上升时间具有第二上升时间和在所述振荡器输入处的振荡器信号的下降时间具有第二下降时间，其中所述第一驱动强度小于所述第二驱动强度，所述第一频率低于所述第二频率，所述第一上升时间长于所述第二上升时间，并且所述第一下降时间长于所述第二下降时间。
3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，
所述可编程驱动器包括多个阶；以及
所述控制器用于基于所述振荡器信号的频率选择一个或多个所述阶，以选择所述可编程驱动器的驱动强度。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
每个所述阶包括一个或多个逆变器；以及
所述控制器用于基于所述振荡器信号的频率打开或关闭每个逆变器，以选择所述可编程驱动器的驱动强度。
5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述多个阶中的每个阶具有与所述频率合成器耦合的输入以接收所述振荡器信号，并且其中所述多个阶中的每个阶具有与所述混频器的振荡器输入耦合的输出。
6.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，还包括：
电路系统，用于当所述控制器控制所述可编程驱动器的驱动强度时，在所述混频器中施加偏置电压以抵消所述混频器中的偶数阶非线性。
7.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述混频器包括具有第一控制端子的第一晶体管、具有第二控制端子的第二晶体管、具有第三控制端子的第三晶体管、具有第四控制端子的第四晶体管、与所述第一控制端子耦合的第一偏置电阻、与所述第二控制端子耦合的第二偏置电阻、与所述第三控制端子耦合的第三偏置电阻和与所述第四控制端子耦合的第四偏置电阻，其中所述振荡器信号包括同相信号和异相信号，所述同相信号提供给所述第一控制端子和所述第二控制端子，所述异相信号提供给所述第三控制端子和第四控制端子，其中所述控制器用于控制施加到所述第一偏置电阻的第一偏置电压与施加到所述第二偏置电阻的第二偏置电压之间的第一电压偏移，并且控制施加到所述第三偏置电阻的第三偏置电压与施加到所述第四偏置电阻的第四偏置电压之间的第二电压偏移，以抵消所述混频器中的非线性。
8.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述电路位于直接变频接收器中。
9.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述混频器为下混频器。
10.一种用于移位信号的频率范围的方法，其特征在于，所述方法包括：
通过频率合成器生成振荡器信号，所述振荡器信号具有频率；
将来自可编程驱动器的所述振荡器信号提供给混频器的振荡器输入，所述可编程驱动器被配置为具有可变的驱动强度；
基于所述振荡器信号的频率控制所述可编程驱动器的驱动强度，以调整在所述混频器的振荡器输入处的所述振荡器信号的上升时间和下降时间；以及
基于所述振荡器信号的频率在所述混频器的信号输出处输出在所述混频器的信号输入处接收到的信号的频率范围移位版本。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，基于所述振荡器信号的频率控制所述可编程驱动器的驱动强度，以调整在所述混频器的振荡器输入处的所述振荡器信号的上升时间和下降时间包括：
响应于所述振荡器信号的频率为第一频率，控制所述可编程驱动器的驱动强度具有第一驱动强度，以使在所述振荡器输入处的振荡器信号的上升时间具有第一上升时间和在所述振荡器输入处的振荡器信号的下降时间具有第一下降时间；以及
响应于所述振荡器信号的频率为第二频率，控制所述可编程驱动器的驱动强度具有第二驱动强度，以使在所述振荡器输入处的振荡器信号的上升时间具有第二上升时间和在所述振荡器输入处的振荡器信号的下降时间具有第二下降时间，其中所述第一驱动强度小于所述第二驱动强度，所述第一频率低于所述第二频率，所述第一上升时间长于所述第二上升时间，并且所述第一下降时间长于所述第二下降时间。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，控制所述可编程驱动器的驱动强度包括：
基于所述振荡器信号的频率选择所述可编程驱动器中的一个或多个阶。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，选择一个或多个阶包括：
打开或关闭每个所述阶中的一个或多个逆变器。
14.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，还包括：
当基于所述振荡器信号的频率控制所述可编程驱动器的驱动强度时，在所述混频器中施加偏置电压以抵消所述混频器中的二阶非线性。
15.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，将来自所述可编程驱动器的所述振荡器信号提供给所述混频器的振荡器输入包括将同相振荡器信号提供给所述混频器中第一晶体管的第一控制端子和所述混频器中第二晶体管的第二控制端子，并且将异相振荡器信号提供给所述混频器中的第三晶体管的第三控制端子和所述混频器中的第四晶体管的第四控制端子，所述第一控制端子与所述混频器中的第一偏置电阻耦合，所述第二控制端子与所述混频器中的第二偏置电阻耦合，所述第三控制端子与所述混频器中的第三偏置电阻耦合，所述第四控制端子与所述混频器中的第四偏置电阻耦合，并且还包括：
调整施加到所述第一偏置电阻的第一偏置电压、施加到所述第二偏置电阻的第二偏置电压、施加到所述第三偏置电阻的第三偏置电压、施加到所述第四偏置电阻的第四偏置电压以抵消所述混频器中的偶数阶非线性。
16.一种射频RF信号接收器，其特征在于，包括：
混频器，具有振荡器信号输入、RF信号输入和基带信号输出；
放大器，耦合到所述RF信号输入，并且用于向所述混频器提供RF信号；
本地振荡器，具有频率合成器和与所述频率合成器耦合的可编程驱动器，所述频率合成器用于向所述可编程驱动器提供具有频率的振荡器信号，所述可编程驱动器耦合到所述混频器的振荡器信号输入以将所述振荡器信号提供给所述混频器的振荡器信号输入，所述可编程驱动器被配置为具有可编程驱动强度以调整在所述混频器的振荡器信号输入处的所述振荡器信号的上升时间和下降时间；以及
控制器，用于基于所述振荡器信号的频率控制所述可编程驱动器的驱动强度，以调整在所述混频器的振荡器信号输入处的所述振荡器信号的上升时间和下降时间，
所述混频器用于基于所述RF信号和所述振荡器信号在所述基带信号输出处输出基带信号。
17.根据权利要求16所述的RF信号接收器，其特征在于，所述控制器还用于响应于所述振荡器信号的频率增加而增加所述可编程驱动器的驱动强度，并且响应于所述振荡器信号的频率降低而降低所述可编程驱动器的驱动强度。
18.根据权利要求16或17所述的RF信号接收器，其特征在于，
所述可编程驱动器包括多个阶，每个所述阶具有与所述频率合成器连接的输入以接收所述振荡器信号，每个所述阶具有与所述混频器的振荡器信号输入连接的输出；以及
所述控制器还用于选择所述可编程驱动器的一个或多个所述阶，从而基于所述振荡器信号的频率控制所述可编程驱动器的驱动强度。
19.根据权利要求18所述的RF信号接收器，其特征在于，所述多个阶中的每个阶包括：
与第一电压端子连接的第一开关；
与第二电压端子连接的第二开关；以及
在所述第一开关与所述第二开关之间连接的逆变器。
20.根据权利要求19所述的RF信号接收器，其特征在于，所述控制器还用于：
在特定阶中同时打开所述第一开关和所述第二开关以启用所述特定阶；
在所述特定阶中同时关闭所述第一开关和所述第二开关以禁用所述特定阶。
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