CN112509913A - 金属掩模、其制造方法及显示面板制造方法 - Google Patents

金属掩模、其制造方法及显示面板制造方法 Download PDF

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俞炯硕
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Abstract

根据一实施例的金属掩模包括：掩模主体，定义有多个贯通部，并包括多种金属；以及涂层，配置于所述掩模主体的外面，所述涂层包括铝氧氮化物，从而能够提高根据沉积工艺的掩模耐久性，提高沉积工艺的精密度，提高利用沉积掩模的显示面板的制造工艺产出率，节减制造费用。

Description

金属掩模、其制造方法及显示面板制造方法
技术领域
本公开涉及一种金属掩模、其制造方法及显示面板制造方法，详细地，涉及一种工艺产出率和可靠性提高的金属掩模、其制造方法及显示面板制造方法。
背景技术
显示面板包括多个像素。像素各自包括晶体管之类的驱动元件和有机发光二极管之类的显示元件。显示元件可以通过在基板上堆叠电极和发光图案，在上方形成封装图案来制造。
封装图案可以利用定义有贯通部的掩模进行图案化以形成在预定区域。封装图案可以形成在通过贯通部暴露的区域。封装图案的形状可以根据贯通部的形状来控制。
发明内容
本公开的目的是提供一种针对沉积工艺的可靠性提高的金属掩模及利用其的显示面板制造方法。
本公开的目的是提供一种在提高金属掩模的耐久性的同时，防止沉积工艺后产生显示面板的不良的显示面板制造方法。
本公开的根据一实施例的金属掩模包括：掩模主体，定义有多个贯通部，并包括多种金属；以及涂层，配置于所述掩模主体的外面。所述涂层包括铝氧氮化物。
可以是，所述涂层包括表示为AlNx·(Al2O3)1-x(x＝0.1～0.9)的所述铝氧氮化物。
可以是，所述x为0.5。
可以是，所述铝氧氮化物为氧化铝和氮化铝的共价结合。
可以是，所述涂层包括：上涂层，配置于所述掩模主体的上面；下涂层，配置于面对所述上面的下面；以及内涂层，配置于定义有所述贯通部的所述掩模主体的内壁。
可以是，所述掩模主体包括铁和镍。
可以是，所述铁和镍为合金状态。
可以是，所述合金中镍含有比例具有30wt％以上、40wt％以下的范围。
可以是，所述涂层接触于所述掩模主体。
可以是，所述涂层的厚度为0.1μm至10μm。
根据本公开的一实施例的金属掩模制造方法包括：准备掩模主体的步骤；将涂布物质沉积于所述掩模主体而形成涂层的步骤。所述涂层包括铝氧氮化物。
可以是，所述掩模主体包括铁和镍，所述涂布物质包括铝，在沉积所述涂布物质的步骤中施加氧气和氮气。
可以是，所述准备掩模主体的步骤包括：准备包括铁和镍的母材片的步骤；以及将激光照射于所述母材片而形成多个贯通部的步骤。
可以是，在所述形成涂层的步骤中，在所述多个贯通部内壁形成所述涂层。
根据本公开的一实施例的显示面板制造方法，包括：准备对象基板的步骤；在所述对象基板上配置定义有多个贯通部的金属掩模的步骤；在所述对象基板上形成与所述贯通部对应的多个沉积图案的步骤；以及去除所述金属掩模的步骤。所述金属掩模包括：掩模主体，定义有多个贯通部；以及涂层，配置于所述掩模主体的外面，并包括铝氧氮化物。
可以是，所述对象基板包括：基底基板；多个电路层，配置在所述基底基板上；以及多个显示元件层，各自配置在所述多个电路层上。可以是，所述多个沉积图案覆盖各个所述多个显示元件层。
可以是，所述多个显示元件层包括在平面上彼此隔开的第一显示元件层和第二显示元件层。可以是，所述多个沉积图案包括：第一沉积图案，覆盖所述第一显示元件层；以及第二沉积图案，覆盖所述第二显示元件层。可以是，所述第一沉积图案和所述第二沉积图案在平面上彼此隔开。
可以是，所述多个沉积图案各自包括：第一无机图案，形成在所述显示元件层上；有机图案，形成在所述第一无机图案上；以及第二无机图案，形成在所述有机图案上。
可以是，所述多个沉积图案通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)沉积。
可以是，根据本公开的一实施例的显示面板制造方法还包括：在形成所述多个沉积图案的步骤之后，切割所述对象基板的步骤。
根据本公开的实施例，能够防止用于形成封装图案等的沉积用掩模腐蚀的同时，也防止沉积时形成宽阴影，从而能够防止在利用掩模形成的显示面板产生不良。
附图说明
图1是根据本公开的一实施例的显示面板的截面图。
图2是根据本公开的一实施例的金属掩模的立体图。
图3是根据本公开的一实施例的金属掩模的截面图。
图4a至图4e是简要示出利用根据本公开的一实施例的金属掩模的显示面板制造方法的立体图。
图4f是简要示出利用根据本公开的一实施例的金属掩模制造的显示面板的截面图。
图5a至图5c是简要示出利用根据本公开的一实施例的金属掩模的显示面板制造方法中一部分步骤的截面图。
图6a至图6c是依次示出根据本公开的一实施例的金属掩模制造方法中一部分步骤的立体图。
图6d是示出根据一实施例的金属掩模制造方法中一部分步骤的截面图。
附图标记说明
DP：显示面板 MSK：金属掩模
MB：掩模主体 OC：涂层
OP：贯通部
具体实施方式
以下，参照附图说明本公开的实施例。在本说明书中，当提及某构成要件(或者区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接”或“结合”于其它构成要件时，意指可以是直接连接/结合于其它构成要件上，或者也可以是第三构成要件配置于它们之间。
相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例和尺寸为了技术内容的有效说明而扩大。“及/或”全部包括相关构成所能够定义的一个以上的组合。
第一、第二等的用语可以用于说明各种构成要件，但是上述构成要件并不限于上述用语。上述用语仅用于将一个构成要件区分于其它构成要件的目的。例如，在不脱离本公开的权利范围的情况下，可以是第一构成要件命名为第二构成要件，类似地，也可以是第二构成要件命名为第一构成要件。单数的表达只要在上下文中没有明确表示为不同，则包含复数的表达。
另外，“在...之下”、“在...下侧”、“在...之上”、“在…上侧”等用语为了说明图示于附图的构成的相关关系而使用。上述用语是相对概念，基于附图中标示的方向进行说明。
“包括”或“具有”等用语应理解为是要指定存在说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要件、配件或这些组合，并不预先排除一个或其以上其它特征或数字、步骤、动作、构成要件、零件或这些组合的存在或附加可能性。
以下，参照附图说明本公开的实施例。
图1是根据本公开的一实施例的显示面板的截面图。在本实施例中，显示面板DP可以是发光显示面板。图1示出了对应于多个像素中一个的截面。示出了对应于两个晶体管T1、T2以及一个发光元件OLED的截面。
各构成要件的上面与第一方向DR1和第二方向DR2定义的面平行。各构成要件的厚度方向指示第三方向DR3。各构成要件的上侧(或上方)和下侧(或下方)由第三方向DR3区分。但是，第一方向(DR1)、第二方向(DR2)、第三方向(DR3)指示的方向是相对概念，可以变换为其它方向。
如图1所示，显示面板DP包括：基底层BL；电路元件层ML，配置在基底层BL上；显示元件层EL，配置在电路元件层ML上；以及沉积图案ECP，配置在显示元件层EL上。
基底层BL可以包括合成树脂层。在制造显示面板DP时利用的支撑基板上形成合成树脂层。之后在合成树脂层上形成导电层和绝缘层等。若去除支撑基板，则合成树脂层对应于基底层BL。
电路元件层ML包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件包括信号线、像素的驱动电路等。可以通过基于涂布、沉积等的绝缘层、半导体层和导电层形成工艺以及基于光刻工艺的绝缘层、半导体层和导电层的图案化工艺来形成电路元件层ML。
在本实施例中，电路元件层ML包括缓冲层BFL、阻挡层BRL以及第一绝缘层10至第七绝缘层70。缓冲层BFL、阻挡层BRL以及第一绝缘层10至第七绝缘层70可以包括无机膜和有机膜中任一个。缓冲层BFL和阻挡层BRL可以包括无机膜。第五绝缘层50至第七绝缘层70中至少任一个可以包括有机膜。
在图1中例示性地示出了构成第一晶体管T1和第二晶体管T2的第一有源区A1、第二有源区A2、第一栅极G1、第二栅极G2、第一源极S1、第二源极S2、第一漏极D1、第二漏极D2的配置关系。在本实施例中，第一有源区A1和第二有源区A2可以包括彼此不同的物质。可以是，第一有源区A1包括多晶硅半导体，第二有源区A2包括金属氧化物半导体。第一源极S1和第一漏极D1是与第一有源区A1相比掺杂浓度大的区域，具有电极功能。第二源极S2和第二漏极D2是使金属氧化物半导体还原的区域，具有电极功能。
在本公开的一实施例中，第一有源区A1和第二有源区A2可以包括彼此相同的半导体物质，此时电路元件层ML的叠层结构可以变得更加简单。
显示元件层EL包括像素定义膜PDL和发光元件OLED。发光元件OLED可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。阳极AE配置在第七绝缘层70上。像素定义膜PDL的开口部PDL-OP使阳极AE的至少一部分暴露。像素定义膜PDL的开口部PDL-OP可以定义发光区域PXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。
空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以共同配置于发光区域PXA和非发光区域NPXA。发光层EML可以提供为图案形式以对应于开口部PDL-OP。与膜形式的空穴控制层HCL和电子控制层ECL相比，发光层EML可以以其它方式沉积。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以利用开放掩模共同形成于多个像素。在电子控制层ECL上配置有阴极CE。
在阴极CE上配置有沉积图案ECP。沉积图案ECP可以是用于封装显示元件层EL的薄膜封装层(TFE，Thin Film Encapsulation)。沉积图案ECP可以包括多个薄膜。多个薄膜可以包括无机膜和有机膜。沉积图案ECP可以包括用于封装显示元件层EL的绝缘层和用于提高发光效率的绝缘层等。沉积图案ECP可以通过一实施例的金属掩模而沉积在显示元件层EL上。
图2是根据本公开的一实施例的金属掩模的立体图。图3是根据本公开的一实施例的金属掩模的截面图。在图3中示出了沿着图2所示的I-I'截取的截面。
如图2和图3所示，金属掩模MSK包括掩模主体MB和涂层OC。涂层OC配置于掩模主体MB的外面。
在掩模主体MB定义有至少一个贯通部OP。在掩模主体MB定义有多个贯通部OP。多个贯通部OP可以向第一方向DR1和/或第二方向DR2彼此隔开一定间隔而配置，可以形成一定图案。多个贯通部OP各自可以通过沿着金属掩模MSK的厚度方向DR3(以下，第三方向)贯通金属掩模MSK而定义。
掩模主体MB包括多种金属。掩模主体MB可以包括铁和镍。掩模主体MB可以包括铁和镍的合金。掩模主体MB可以由铁和镍的合金形成。尽管不限于此，但是掩模主体MB可以包括殷钢(invar)。在铁和镍的合金中，镍的含有比例可以具有30wt％以上、40wt％以下的范围。更具体地，在铁和镍的合金中，镍的含有比例可以具有33wt％以上、37wt％以下的范围。
涂层OC可以配置在掩模主体MB的外面，并覆盖掩模主体MB的外面。涂层OC包括铝氧氮化物。涂层OC可以包括氧化铝和氮化铝共价结合的物质。涂层OC可以包括表示为AlNx·(Al2O3)1-x(x＝0.1～0.9)的铝氧氮化物。此时，x可以是0.5。即，氧化铝和氮化铝可以以1：1的比例以共价结合的状态包括于涂层OC。
涂层OC可以包括：内涂层OC-S，配置于在掩模主体MB中定义贯通部OP的内壁MB-S。除了配置于贯通部OP内壁MB-S的内涂层OC-S之外，涂层OC可以还包括：上涂层OC-U，配置于掩模主体MB的上面MB-U；以及下涂层OC-L，配置于掩模主体MB的下面MB-L。涂层OC可以配置于掩模主体MB的全面，从而覆盖掩模主体MB的全面。涂层OC可以接触于掩模主体MB的外面。涂层OC可以接触于掩模主体MB的内壁MB-S、上面MB-U和下面MB-L全部。
涂层OC的厚度可以为0.1μm至10μm。在涂层OC的厚度小于0.1μm的情况下，金属掩模MSK使用于沉积工艺时，可能无法确保寿命提高效果。在涂层OC的厚度大于10μm的情况下，金属掩模MSK使用于沉积工艺时，沉积精密度可能降低。
根据一实施例的金属掩模MSK在包括金属的掩模主体MB的外面包括涂层OC，涂层OC包括铝氧氮化物。包括于涂层OC的铝氧氮化物可以为氧化铝和氮化铝的共价结合。可以是，包括于涂层OC的铝氧氮化物中，氧化铝针对氟类化合物的耐蚀性优异。可以是，包括于涂层OC的铝氧氮化物中，氮化铝与氧化铝相比绝缘特性优异，与氧化铝相比硬度(hardness)高。根据一实施例的金属掩模MSK中，涂布于外面的涂层OC包括氧化铝和氮化铝共价结合的铝氧氮化物，从而防止在沉积工艺中金属掩模MSK被氟类化合物腐蚀的同时，还能够具有高绝缘特性和硬度，因此能够提高金属掩模MSK的耐久性。另外，通过包括铝氧氮化物的涂层OC，减小了在沉积工艺中产生的阴影(shadow)部分的宽度，从而能够实现更精密的沉积工艺。
图4a至图4e是简要示出利用根据本公开的一实施例的金属掩模的显示面板制造方法的立体图。图4f是简要示出利用根据本公开的一实施例的金属掩模而制造的显示面板的截面图。图5a至图5c是简要示出利用根据本公开的一实施例的金属掩模的显示面板制造方法中一部分步骤的截面图。图5a至图5c示出了沿着图4b的II-II'截取的截面。另一方面，对于与在图1至图3中说明的构成相同的构成，赋予相同的附图标记，省略重复的描述。
如图4a和图4b所示，在对象基板DP-I1上配置金属掩模MSK。在本实施例中，尽管例示性地示出了金属掩模MSK包括沿着第一方向DR1和第二方向DR2排列的多个贯通部，但是不限于此，金属掩模MSK的贯通部可以具有多种形式和排列。另外，在图4a和图4b中，例示性地示出了在对象基板DP-I1上配置一个金属掩模MSK，但是在对象基板DP-I1上也可以配置多个金属掩模MSK。
另一方面，在本实施例中，在金属掩模MSK和对象基板DP-I1之间也可以还配置支撑台SP。支撑台SP可以提供为使对象基板DP-I1的至少一部分暴露的框架形状。但是，不限于此，支撑台SP只要是与除金属掩模MSK的贯通部之外的其余区域重叠的区域，可以不受限制地配置。金属掩模MSK可以结合于支撑台SP而提供为一体。在本实施例中，支撑台SP能够防止金属掩模MSK与对象基板DP-I1之间的直接接触。由此，能够防止与金属掩模MSK接触导致的对象基板DP-I1损坏。但是，这是例示性地示出的，在根据本公开的一实施例的显示面板制造方法中，也可以是省略支撑台SP，金属掩模MSK直接配置在对象基板DP-I1上，不限制为任一个实施例。
通过支撑台SP暴露的对象基板DP-I1的一部分可以与金属掩模MSK的定义有贯通部OP的区域重叠。可以是，在对象基板DP-I1形成多个显示元件层EL，金属掩模MSK在对象基板DP-I1上配置为形成多个显示元件层EL的区域与金属掩模MSK的定义有贯通部OP的区域重叠。
参照图4c，在将金属掩模MSK配置在对象基板DP-I1上的步骤之后，通过沉积工艺在与金属掩模MSK的贯通部OP对应的区域形成多个沉积图案ECP，之后去除金属掩模MSK。去除了金属掩模MSK的对象基板DP-I2可以处于在对象基板DP-I1上形成有多个沉积图案ECP的状态。多个沉积图案ECP可以对应于金属掩模MSK的贯通部OP而形成。在本实施例中，多个沉积图案ECP示出为彼此隔开的总共12个。多个沉积图案ECP各自可以包括多个无机层和一个有机层，包括于多个沉积图案ECP的无机层和有机层可以各自对应于贯通部OP而形成。
参照图4c和图4d，沿着在去除了金属掩模MSK的对象基板DP-I2定义的切割线CL，切割去除了金属掩模MSK的对象基板DP-I2而分离为多个面板DP-P。面板DP-P各自形成显示面板DP。
根据本公开，由于可以通过对一个对象基板DP-I1进行图案化而形成多个显示面板DP，因此能够缩短工艺时间，节减工艺费用。但是，这是例示性地示出，根据本公开，也可以根据显示面板DP的尺寸从对象基板DP-I1提供一个显示面板DP，不限制为任一个实施例。
参照图4e和图4f，显示面板DP包括：基底层BL；以及沉积图案ECP，配置在基底层BL上。沉积图案ECP可以配置为覆盖配置在基底层BL上的电路元件层ML和显示元件层EL。关于基底层BL、电路元件层ML和显示元件层EL的具体构成可以应用与图1中说明的相同说明。
以下，参照图5a至图5c说明在本公开中形成沉积图案ECP的工艺。
在图5a中示出了与图4a和4b所示的对象基板DP-I1对应的截面图。参照图5a，对象基板DP-I1可以包括基底层BL、电路元件层ML1、ML2以及显示元件层EL1、EL2。在本实施例中，为了容易说明，简要示出了电路元件层ML1、ML2以及显示元件层EL1、EL2的叠层结构。
基底层BL可以包括塑料基板、玻璃基板、金属基板等。塑料基板包括树脂。例如，基底层BL可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中至少任一种。
电路元件层ML1、ML2可以包括多个绝缘层和至少一个晶体管。显示元件层EL1、EL2可以包括像素定义膜和发光元件。电路元件层ML1、ML2可以包括在基底层BL上沿着第一方向DR1隔开的第一电路元件层ML1和第二电路元件层ML2。显示元件层EL1、EL2可以包括：第一显示元件层EL1，配置在第一电路元件层ML1上；以及第二显示元件层EL2，配置在第二电路元件层ML2上。在一实施例中，第一显示元件层EL1和第二显示元件层EL2可以定义为彼此相邻的显示元件层。
在本实施例中，金属掩模MSK的贯通部OP1、OP2可以配置为在平面上与各个显示元件层EL1、EL2重叠。可以是，在金属掩模MSK定义多个贯通部OP1、OP2，多个贯通部OP1、OP2各自配置为在平面上与多个显示元件层EL1、EL2各自重叠。在图5a中，可以在金属掩模MSK定义与第一显示元件层EL1重叠的第一贯通部OP1以及与第二显示元件层EL2重叠的第二贯通部OP2。
参照图5a和图5b，在一实施例的显示面板制造方法中，在与金属掩模MSK的贯通部OP1、OP2对应的区域通过沉积物质DM形成多个沉积图案ECP1、ECP2。多个沉积图案ECP1、ECP2可以形成为分别覆盖多个显示元件层EL1、EL2。在根据一实施例的显示面板制造方法中，可以是，在与金属掩模MSK的贯通部OP1、OP2对应的区域沉积沉积物质DM，从而形成覆盖第一显示元件层EL1的第一沉积图案ECP1，并形成覆盖第二显示元件层EL2的第二沉积图案ECP2。
沉积物质DM可以包括有机物和无机物。根据沉积图案ECP1、ECP2的叠层结构，沉积物质DM可以包括多种有机物和无机物。在一实施例中，可以是，沉积图案ECP1、ECP2包括两个无机层和配置于其之间的一个有机层，沉积物质DM交替提供第一无机物、有机物和第二无机物以符合叠层结构。
沉积图案ECP1、ECP2可以通过多种沉积法沉积沉积物质DM而形成。在一实施例中，沉积图案ECP1、ECP2可以通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)沉积。
多个沉积图案ECP1、ECP2可以是封装显示元件层EL1、EL2的薄膜封装层。沉积图案ECP1、ECP2可以包括第一无机膜、有机膜和第二无机膜。第一无机膜和第二无机膜可以包括氮化硅、氧化硅或它们组合的化合物。第一无机膜和第二无机膜可以通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)形成。
有机膜可以在第一无机膜上提供平坦面。形成于第一无机膜上面的弯曲或在第一无机膜上存在的颗粒(particle)等被有机膜覆盖，从而能够阻断第一无机膜的上面的表面状态对形成在第二无机膜等有机膜上的构成造成的影响。另外，有机膜能够缓解接触的层之间的应力。有机膜可以包括有机物，也可以通过旋涂、狭缝涂布、喷墨工艺之类的溶液工艺形成。
参照图5b，当形成根据一实施例的多个沉积图案ECP1、ECP2时，除了与金属掩模MSK的贯通部OP1、OP2对应的区域之外，可能形成沉积物质沉积至与金属掩模MSK的下方重叠的区域而形成的阴影SD1、SD2。在沉积图案ECP1、ECP2的阴影SD1、SD2形成于宽的区域的情况下，相邻的沉积图案ECP1、ECP2的阴影SD1、SD2彼此接触而可能产生短路(short)或裂纹等的不良，尽管未图示，但是可能在包括于显示面板的焊盘部等的构成上形成阴影SD1、SD2而在显示面板产生不良。具体地，在图4c和图4d所示的对象基板的切割步骤中，在切割彼此接触的阴影SD1、SD2的过程中，也可能产生脱膜或裂纹等的不良。
在根据一实施例的显示面板制造方法中，涂层OC涂布于在沉积工艺中使用的金属掩模MSK，涂层OC包括铝氧氮化物，从而能够缩小沉积图案ECP1、ECP2的阴影SD1、SD2产生的范围。尤其，与涂层OC包括氧化铝的情况相比，在保持针对沉积过程中施加的氟类化合物的耐蚀性而防止金属掩模MSK被腐蚀的同时，能够缩小阴影SD1、SD2产生的范围而防止在显示面板产生的不良，能够提高工艺可靠性。
图6a至图6c是依次示出根据本公开的一实施例的金属掩模制造方法中一部分步骤的立体图。图6d是示出根据一实施例的金属掩模制造方法中一部分步骤的截面图。在图6d中示出了沿着图6c所示的III-III'截取的截面。
如图6a所示，在根据一实施例的金属掩模制造方法中，可以包括沿着标记于提供的母材片FS的假想虚线照射激光LS的步骤。母材片FS可以包括铁和镍。母材片FS可以通过铁和镍的合金而形成。在一实施例中，母材片FS可以将通过铁和镍合金形成的金属薄膜切割为一定尺寸而形成。
如图6a至图6c所示，包括将激光LS施加于母材片FS形成多个贯通部OP而形成掩模主体MB，之后在掩模主体MB沉积涂布物质MS的步骤。在一实施例中，涂布物质MS可以包括铝。涂布物质MS可以是铝金属。在沉积涂布物质MS的步骤中，可以通过溅射(sputtering)工艺将铝沉积在掩模主体MB表面。
在将涂布物质MS沉积于掩模主体MB的步骤中，可以一起施加多种气体GS1、GS2进行沉积。多种气体GS1、GS2可以是氧气GS1和氮气GS2。在将涂布物质MS沉积于掩模主体MB的步骤中，作为涂布物质MS沉积铝的同时，一起施加氧气GS1和氮气GS2，从而形成的涂层OC可以包括氧化铝和氮化铝。涂层OC可以包括氧化铝和氮化铝共价结合的铝氧氮化物。
如图6d所示，在定义于掩模主体MB的多个贯通部OP的内壁MB-S形成涂层OC。涂层OC通过沉积工艺在掩模主体MB的上面MB-U、下面MB-L和贯通部OP的内壁MB-S均可形成。涂层OC可以包括：内涂层OC-S，形成于贯通部OP的内壁MB-S；上涂层OC-U，形成于上面MB-U；以及下涂层OC-L，形成于下面MB-L。
在根据一实施例的金属掩模制造方法中，制造为在母材金属片形成贯通部后，通过沉积工艺在贯通部的内壁和片的上下面均形成涂层，从而能够在利用金属掩模的沉积工艺中防止金属掩模被氟类化合物等腐蚀，提供耐久性高的金属掩模。
尽管以上参照本公开的优选实施例进行了说明，但是本领域技术人员或具有本领域公知常识的人员可以理解在不超出记载于随附的权利要求书的本公开的思想和技术领域的范围内可以对本公开进行各种修改和变更。
因此，本公开的技术范围不限于记载于说明书的详细说明的内容，而应由权利要求书确定。

Claims (10)

1.一种金属掩模，其中，包括：
掩模主体，定义有多个贯通部，并包括多种金属；以及
涂层，配置于所述掩模主体的外面，
所述涂层包括铝氧氮化物。
2.根据权利要求1所述的金属掩模，其中，
所述涂层包括表示为AlNx·(Al2O3)1-x的所述铝氧氮化物，
其中，x＝0.1～0.9。
3.根据权利要求2所述的金属掩模，其中，
所述x为0.5。
4.根据权利要求1所述的金属掩模，其中，
所述铝氧氮化物为氧化铝和氮化铝的共价结合。
5.根据权利要求1所述的金属掩模，其中，
所述涂层包括：上涂层，配置于所述掩模主体的上面；下涂层，配置于面对所述上面的下面；以及内涂层，配置于定义有所述贯通部的所述掩模主体的内壁。
6.根据权利要求1所述的金属掩模，其中，
所述掩模主体包括铁和镍。
7.根据权利要求6所述的金属掩模，其中，
所述铁和镍为合金状态。
8.根据权利要求7所述的金属掩模，其中，
所述合金中镍含有比例具有30wt％以上、40wt％以下的范围。
9.根据权利要求1所述的金属掩模，其中，
所述涂层接触于所述掩模主体。
10.根据权利要求1所述的金属掩模，其中，
所述涂层的厚度为0.1μm至10μm。
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