CN114545728A - 掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法。所述制造掩模的方法包括：形成第一掩模层，在第一掩模层上形成第二掩模层，在第二掩模层上形成光致抗蚀剂图案层，去除第二掩模层的通过光致抗蚀剂图案层暴露的第一区域，限定通过第一掩模层的开口，去除光致抗蚀剂图案层的部分以暴露第二掩模层的第二区域的部分，以及去除第二掩模层的第二区域的部分。

Description

掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法
本申请要求于2020年11月26日提交的第10-2020-0161302号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
发明的实施例涉及具有改善的可靠性的掩模、制造该掩模的方法以及制造显示面板的方法。
背景技术
显示面板包括多个像素。每个像素包括设置在彼此面对的电极之间的发光图案。发光图案通过各种方法(包括使用掩模的沉积方法)形成。发光图案使用通过其限定孔的掩模被图案化，因此，发光图案形成在通过孔暴露的预定区域中。发光图案具有由孔的形状确定的形状。
发明内容
发明的实施例提供了能够通过简化的工艺制造并且在沉积工艺中具有改善的可靠性的掩模。
发明的实施例提供了一种制造掩模的方法。
发明的实施例提供了一种使用掩模制造显示面板的方法。
发明的实施例提供了一种制造掩模的方法。该方法包括以下步骤：形成第一掩模层；在第一掩模层上形成第二掩模层；在第二掩模层上形成光致抗蚀剂图案层；去除第二掩模层的通过光致抗蚀剂图案层暴露的第一区域；限定通过第一掩模层的开口；去除光致抗蚀剂图案层的部分并且暴露第二掩模层的第二区域的部分；以及去除第二掩模层的第二区域的部分。
在实施例中，形成光致抗蚀剂图案层的步骤包括：在第二掩模层上形成光致抗蚀剂层；在光致抗蚀剂层上设置曝光掩模，曝光掩模包括限定在其中的具有第一透射率的第一掩模区域、具有比第一透射率小的第二透射率的第二掩模区域以及具有比第二透射率小的第三透射率的第三掩模区域；以及使用曝光掩模使光致抗蚀剂层图案化。
在实施例中，可以将光开口和围绕光开口的凹槽限定在光致抗蚀剂图案层中，并且光开口与第二掩模层的第一区域叠置。
在实施例中，将光开口限定在光致抗蚀剂层的与第一掩模区域叠置的第一部分中，将凹槽限定在光致抗蚀剂层的与第二掩模区域叠置的第二部分中。
在实施例中，将光开口限定为从光致抗蚀剂图案层的第一表面到与光致抗蚀剂图案层的第一表面相对的光致抗蚀剂图案层的第二表面通过光致抗蚀剂图案层，并且凹槽具有比光致抗蚀剂图案层的最大厚度小的深度。
在实施例中，第二掩模层的第二区域与凹槽叠置。
在实施例中，第二掩模区域与第一掩模区域间隔开，且第三掩模区域置于第二掩模区域与第一掩模区域之间。
在实施例中，第二掩模层的第二区域与第一掩模层的限定开口的侧壁叠置。
在实施例中，当将开口限定为通过第一掩模层时，去除光致抗蚀剂图案层的部分。
在实施例中，第一掩模层具有比第二掩模层的厚度大的厚度。
在实施例中，第一掩模层包括聚合物材料，并且第二掩模层包括导电材料。
在实施例中，第二掩模层的第二区域围绕第二掩模层的第一区域。
在实施例中，在平面图中，开口的最大面积大小大于第二掩模层的第一区域的面积大小。
发明的实施例提供了一种制造显示面板的方法。该方法包括以下步骤：形成限定通孔通过其中的掩模；准备目标基底；将掩模设置在目标基底上；在目标基底的与通孔对应的发光区域中形成发光图案；以及去除掩模。形成掩模的步骤包括：形成第一掩模层；在第一掩模层上形成第二掩模层；在第二掩模层上形成在其中限定光开口和围绕所述光开口的凹槽的光致抗蚀剂图案层；去除第二掩模层的与光开口叠置的第一区域；蚀刻第一掩模层的部分和光致抗蚀剂图案层的部分；以及蚀刻第二掩模层的通过被蚀刻的凹槽暴露的第二区域。
在实施例中，去除第一掩模层的部分，并且将开口限定为从第一掩模层的第一表面到与第一掩模层的第一表面相对的第一掩模层的第二表面通过第一掩模层。
在实施例中，蚀刻第二掩模层的第二区域的步骤包括去除第二掩模层的与开口叠置的部分。
在实施例中，形成光致抗蚀剂图案层的步骤包括：在第二掩模层上形成光致抗蚀剂层；在光致抗蚀剂层上设置曝光掩模，曝光掩模包括具有第一透射率的第一掩模区域、具有比第一透射率小的第二透射率的第二掩模区域以及具有比第二透射率小的第三透射率的第三掩模区域；以及使用曝光掩模使光致抗蚀剂层图案化。将光开口限定在光致抗蚀剂层的与曝光掩模的第一掩模区域叠置的部分中，并且将凹槽限定在光致抗蚀剂层的与曝光掩模的第二掩模区域叠置的另一部分中。
发明的实施例提供了一种掩模，所述掩模包括：第一掩模层，限定通过第一掩模层的第一开口，并且第一掩模层包括聚合物材料；以及第二掩模层，接触第一掩模层的表面，并且限定通过第二掩模层的第二开口。由第一掩模层的第一侧壁限定的第一开口的中心与由第二掩模层的第二侧壁限定的第二开口的中心对齐。
在实施例中，第一掩模层的第一侧壁和第二掩模层的第二侧壁彼此连续地连接且限定侧壁。
在实施例中，第一掩模层的第一侧壁和第二掩模层的第二侧壁在平面图中彼此间隔开，并且第一侧壁和第二侧壁之间的距离是恒定的。
根据上文，在使用通过一个光刻工艺设置的光致抗蚀剂图案层去除第二掩模层的突出尖端部分的同时限定第一掩模层的第一开口。因此，改善了掩模的产品质量，并且降低了制造掩模的成本。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，发明的上述和其他实施例、特征和优点将容易变得明显，在附图中：
图1是示出根据发明的掩模组件的实施例的分解透视图；
图2是示出根据发明的掩模的实施例的剖视图；
图3是示出制造根据发明的掩模的实施例的方法的流程图；
图4A至图4G是示出制造根据发明的掩模的方法的实施例的剖视图；
图5是示出根据发明的掩模的实施例的剖视图；
图6是示出根据发明的掩模的实施例的剖视图；
图7是示出根据发明的曝光掩模的实施例的平面图；
图8是示出根据发明的显示面板的实施例的剖视图；
图9是示出根据发明的沉积设备的实施例的剖视图；
图10是示出根据发明的掩模的一部分和目标基底的一部分的实施例的放大剖视图；以及
图11A和图11B是示出制造根据发明的显示面板的方法的实施例的视图。
具体实施方式
在本公开中，将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接或直接结合到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。
同样的附图标记始终表示同样的元件。在图中，为了技术内容的有效描述，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关的所列项中的任何组合或所有组合。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语第一、第二等描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。如这里使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确说明。
为了易于描述，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式的意义进行解释，除非这里明确地这样定义。
还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
考虑到被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“大约(约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值，并意味着在由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
在下文中，将参照附图描述发明的实施例。
图1是示出根据发明的掩模组件MA的实施例的分解透视图。
参照图1，掩模组件MA可以用于使沉积材料沉积的工艺。在实施例中，掩模组件MA可以包括框架FR和掩模MK。
每个元件的上表面可以基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。第三方向DR3表示每个元件的厚度方向。每个元件的上侧(或上部)和下侧(或下部)由第三方向DR3区分。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向可以彼此垂直，并且可以改变为其他方向。
在平面图中，框架FR可以具有环形形状。也就是说，开口OP可以被限定在包括框架FR的中心的区域中。开口OP可以是从框架FR的上表面穿透到框架FR的下表面的孔。表述“在平面图中”可以意味着在第三方向DR3上观看的状态。图1示出了四边形环形形状作为框架FR的代表性形状，然而，框架FR的形状不应限于此或由此限制。例如，在实施例中，框架FR可以具有其他形状，例如，圆环形状、多边形环形形状等。
图1示出了框架FR设置在掩模MK下方并且支撑掩模MK的结构，然而，框架FR和掩模MK不应限于此或由此限制。在实施例中，框架FR可以设置在掩模MK的边缘上以及在掩模MK的边缘下面，可以支撑掩模MK，并且可以在第一方向DR1和第二方向DR2上使掩模MK延伸。
掩模MK可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上布置的多个单元区域CA。在例示的实施例中，单元区域CA沿着第一方向DR1和第二方向DR2以三行乘三列的矩阵布置，然而，这仅仅是一个示例。在实施例中，例如，掩模MK可以包括比图1中所示的单元区域CA的数量多的数量的单元区域CA。作为另一种方式，单元区域CA可以布置在第一方向DR1和第二方向DR2中的仅一个方向上。作为另一种方式，掩模MK可以仅包括限定在其中的一个单元区域CA，发明不应被特别限制。
实施例中的掩模MK可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的板形状。掩模MK可以具有单个单一板形状以将单元区域CA彼此连接。掩模MK可以包括包含诸如聚酰亚胺(“PI”)的聚合物材料的第一掩模层MK1(参照图2)。因此，掩模MK可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2中的每个方向上延伸的板形状，而不是具有在第一方向DR1和第二方向DR2中的仅一个方向上延伸的棒形状，然而，其不应限于此或由此限制。在发明的实施例中，掩模MK可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2中的一个方向上延伸的棒形状。在这种情况下，掩模组件MA可以包括多个掩模，并且掩模可以在第一方向DR1和第二方向DR2中的另一方向上彼此间隔开。
可以通过单元区域CA中的每个限定多个通孔OPP。通孔OPP可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置为彼此间隔开。通孔OPP中的每个可以在掩模MK的厚度方向DR3上穿透掩模MK。
图2是示出根据发明的掩模MK的实施例的剖视图。图2示出了沿着图1中所示的线I-I'截取的截面。
参照图1和图2，掩模MK可以包括第一掩模层MK1和第二掩模层MK2。第二掩模层MK2可以设置在第一掩模层MK1的一个表面上。
掩模MK可以设置有限定通过其中的至少一个通孔OPP。在实施例中，例如，掩模MK可以设置有限定通过其中的通孔OPP。通孔OPP可以布置在第一方向DR1和/或第二方向DR2上，并且可以以规则的间隔彼此间隔开以形成预定图案。通孔OPP中的每个可以在第三方向DR3上穿透掩模MK。
第一掩模层MK1可以设置有限定通过其中的第一开口MKO1，并且第二掩模层MK2可以设置有限定通过其中的第二开口MKO2。通孔OPP可以由第一开口MKO1和第二开口MKO2限定。
第一掩模层MK1可以包括聚合物材料。在实施例中，例如，第一掩模层MK1可以包括聚合物材料，诸如PI、聚碳酸酯(“PC”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)，然而，其不应被特别限制。
第二掩模层MK2可以包括可以固定到静电吸盘的材料。固定到静电吸盘可以意味着在静电吸盘与第二掩模层MK2之间产生吸引力。第二掩模层MK2可以包括金属、金属合金或透明导电氧化物。在实施例中，例如，第二掩模层MK2可以包括导电金属(诸如镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钼(Mo)等)和导电金属氧化物(诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)等)中的至少一种。
第一掩模层MK1可以具有通过考虑掩模MK的耐久性和沉积精度而确定的厚度Th1。在实施例中，例如，第一掩模层MK1的厚度Th1可以在约5微米(μm)至约15μm的范围内，然而，其不应被特别限制。第二掩模层MK2可以具有比第一掩模层MK1的厚度小的厚度Th2。在实施例中，例如，第二掩模层MK2的厚度Th2可以在约
Figure BDA0003353599420000071
至约
Figure BDA0003353599420000072
的范围内，然而，其不应限于此或由此限制。
在实施例中，掩模MK可以包括包含聚合物树脂的第一掩模层MK1。在这种情况下，与用诸如因瓦合金的合金形成掩模的情况相比，可以提供具有较小厚度的掩模，并且在形成通孔OPP的工艺中可以减少成本和时间。另外，由于掩模MK包括包含导电材料的第二掩模层MK2，因此掩模MK与目标基底可以彼此紧密接触，可以减少沉积工艺中出现的阴影，因此可以实现更精确的沉积工艺。
在下文中，将描述制造发明的实施例中的掩模的方法。在描述实施例中的掩模的制造方法时，上述组件将被分配相同的附图标记，因此将省略其细节。
图3是示出根据发明的掩模的制造方法的实施例的流程图。图4A至图4G是示出根据发明的掩模的制造方法的实施例的剖视图。
参照图3、图4A和图4B，可以将聚合物树脂MT1涂覆在载体基底CS上以形成第一掩模层MK1L(S100)。
参照图3、图4B和图4C，可以在第一掩模层MK1L的一个表面上设置导电材料MT2以形成第二掩模层MK2L(S200)。可以通过物理沉积、化学沉积或涂覆工艺在第一掩模层MK1L的一个表面上设置导电材料MT2。在实施例中，例如，物理沉积工艺可以是溅射工艺，并且化学沉积工艺可以是化学气相沉积方法(“CVD”)或等离子体化学气相沉积方法(“PECVD”)。
然后，可以在第二掩模层MK2L上设置光致抗蚀剂层PR。可以将曝光掩模PMK设置在光致抗蚀剂层PR上方以图案化光致抗蚀剂层PR。可以在将曝光掩模PMK设置在光致抗蚀剂层PR上方的同时执行曝光工艺。
曝光掩模PMK可以设置有限定在其中的第一掩模区域PMA1、第二掩模区域PMA2以及第三掩模区域PMA31和PMA32。第一掩模区域PMA1、第二掩模区域PMA2以及第三掩模区域PMA31和PMA32可以具有彼此不同的透射率。
第一掩模区域PMA1可以具有第一透射率，第二掩模区域PMA2可以具有第二透射率，并且第三掩模区域PMA31和PMA32可以具有第三透射率。第二透射率可以小于第一透射率，并且第三透射率可以小于第二透射率。在实施例中，例如，第一透射率可以是约100％，并且第三透射率可以是零(0)％。第二透射率可以大于零(0)％且小于100％。因此，第一掩模区域PMA1可以是透射区域，第二掩模区域PMA2可以是半透射区域或半色调区域，并且第三掩模区域PMA31和PMA32可以是光阻挡区域。
参照图3、图4C和图4D，可以通过显影工艺去除具有通过接收光而改变的化学性质的光致抗蚀剂层PR，以形成光致抗蚀剂图案层PRT(S300)。
可以在光致抗蚀剂图案层PRT中限定光开口PROP和围绕光开口PROP的凹槽PRH。可以通过去除光致抗蚀剂层PR的与第一掩模区域PMA1叠置的第一部分PRP1来设置光开口PROP，并且可以通过去除光致抗蚀剂层PR的与第二掩模区域PMA2叠置的第二部分PRP2的在厚度方向DR3上的部分来设置凹槽PRH。
光开口PROP可以从光致抗蚀剂图案层PRT的上表面PRU到光致抗蚀剂图案层PRT的下表面PRB穿透光致抗蚀剂图案层PRT。凹槽PRH可以具有小于光致抗蚀剂图案层PRT的最大厚度PRT-T的深度PRH-D。在实施例中，例如，凹槽PRH的深度PRH-D可以处于光致抗蚀剂图案层PRT的最大厚度PRT-T的约50％的水平，然而，其不应被特别限制。
第二掩模层MK2L可以包括限定在其中的第一区域MKA1和第二区域MKA2。第一区域MKA1可以被限定为通过光开口PROP暴露的第二掩模层MK2L的一部分。也就是说，可以通过去除光致抗蚀剂层PR的第一部分PRP1来暴露第二掩模层MK2L的第一区域MKA1(参照图4C)。
第二区域MKA2可以围绕第一区域MKA1。第二区域MKA2可以与光致抗蚀剂图案层PRT叠置。第二区域MKA2的部分可以与凹槽PRH叠置。
参照图3、图4D和图4E，可以去除第一区域MKA1中的第二掩模层MK2L(S400)。可以通过蚀刻工艺去除第一区域MKA1中的第二掩模层MK2L。在实施例中，例如，可以通过湿法蚀刻工艺去除第一区域MKA1中的第二掩模层MK2L，然而，其不应被特别限制。
参照图3、图4E和图4F，可以通过从其去除第一区域MKA1的第二掩模层MK2L1暴露第一掩模层MK1L的部分。可以从暴露的第一掩模层MK1L的部分执行蚀刻工艺。可以基本上同时蚀刻第一掩模层MK1L的部分和光致抗蚀剂图案层PRT的部分。在实施例中，例如，可以通过干法蚀刻工艺去除第一掩模层MK1L的部分和光致抗蚀剂图案层PRT的部分，然而，其不应被特别限制。
可以蚀刻第一掩模层MK1L的部分以形成第一开口MKO1(S500)。可以基本上同时蚀刻光致抗蚀剂图案层PRT的在厚度方向DR3上的部分，以形成具有减小的厚度的光致抗蚀剂图案层PRT1。由于蚀刻的凹槽PRHE，可以暴露第二区域MKA2中的第二掩模层MK2L1的部分OPA(S600)。
在平面图中，第一开口MKO1的最大面积大小可以大于第二掩模层MK2L1的第一区域MKA1的面积大小。在实施例中，例如，在截面中，与第一开口MKO1的最大面积大小对应的第一开口MKO1的最大宽度Wth1可以大于与第二掩模层MK2L1的第一区域MKA1的面积大小对应的第二掩模层MK2L1的第一区域MKA1的宽度Wth2。因此，第二区域MKA2的部分可以与第一开口MKO1叠置。也就是说，第二区域MKA2可以比限定第一开口MKO1的侧壁进一步突出。
在与第一开口MKO1叠置的第二区域MKA2保留的情况下，在显示面板的制造工艺期间第二区域MKA2可能分离，并且可能出现异物，从而导致沉积精度的劣化。在实施例中，可以蚀刻由于凹槽PRHE而暴露的第二区域MKA2的部分OPA，因此可以去除与第一开口MKO1叠置的突出的第二区域MKA2。因此，当使用掩模MK(参照图2)执行沉积工艺时，可以改善沉积精度和沉积可靠性。
参照图3、图4F和图4G，可以通过蚀刻工艺去除第二区域MKA2的部分OPA以形成第二开口MKO2(S700)。在实施例中，例如，可以通过湿法蚀刻工艺来蚀刻第二区域MKA2的部分OPA，然而，其不应被特别限制。然后，可以去除剩余的光致抗蚀剂图案层PRT2。
在实施例中，可以限定第一掩模层MK1的第一开口MKO1，并且可以使用通过一个光刻工艺设置的光致抗蚀剂图案层PRT(参照图4E)去除第二掩模层MK2L1的突出尖端部分。因此，可以改善掩模MK(参照图2)的质量，并且可以降低掩模MK(参照图2)的制造成本。
图5是示出根据发明的掩模MK的剖视图。
参照图5，掩模MK可以包括第一掩模层MK1和第二掩模层MK2，第一开口MKO1可以限定为通过第一掩模层MK1，并且第二开口MKO2可以限定为通过第二掩模层MK2。第二掩模层MK2可以与第一掩模层MK1的一个表面接触。
在实施例中，可以使用限定第一开口MKO1时使用的光致抗蚀剂图案层(也称为光致抗蚀剂图案)PRT1(参照图4F)来去除第二掩模层MK2L1(参照图4F)的突出尖端部分，而无需使用额外的光致抗蚀剂工艺。因此，可以改善掩模MK的制造良率。
另外，由于使用光致抗蚀剂图案层PRT1(参照图4F)限定第一开口MKO1和第二开口MKO2，因此在平面图中的第一开口MKO1的中心和在平面图中的第二开口MKO2的中心可以彼此叠置。第一开口MKO1的中心与第二开口MKO2的中心对齐。
限定第一开口MKO1的第一掩模层MK1的第一侧壁MK1S和限定第二开口MKO2的第二掩模层MK2的第二侧壁MK2S可以彼此对齐。在实施例中，例如，第一侧壁MK1S和第二侧壁MK2S可以连续地延伸到彼此以限定一个侧壁。
图6是示出根据发明的掩模MKx的剖视图。
参照图6，掩模MKx可以包括第一掩模层MK1和第二掩模层MK2x，可以通过第一掩模层MK1限定开口OPPx中的第一开口MKO1，并且可以通过第二掩模层MK2x限定开口OPPx中的第二开口MKO2x。在平面图中，第二开口MKO2x的面积大小可以大于第一开口MKO1的面积大小。
限定第一开口MKO1的第一掩模层MK1的第一侧壁MK1S与限定第二开口MKO2x的第二掩模层MK2x的第二侧壁MK2Sx可以在平面图中对齐以彼此间隔开。也就是说，第一掩模层MK1的部分可以不被第二掩模层MK2x覆盖。
在实施例中，可以使用限定第一开口MKO1时使用的光致抗蚀剂图案层PRT1(参照图4F)来去除第二掩模层MK2L1(参照图4F)的突出尖端部分，而无需使用额外的光致抗蚀剂工艺。因此，可以减小第一掩模层MK1的第一侧壁MK1S与第二掩模层MK2x的第二侧壁MK2Sx之间的距离DT的离差(dispersion)。在实施例中，例如，第一掩模层MK1的第一侧壁MK1S与第二掩模层MK2x的第二侧壁MK2Sx之间的距离DT可以彼此基本相同。
图7是示出根据发明的曝光掩模PMK的平面图。
参照图7，曝光掩模PMK可以设置有限定通过其中的开口，并且其中限定有开口的区域可以对应于第一掩模区域PMA1。第三掩模区域PMA31可以围绕第一掩模区域PMA1，第二掩模区域PMA2可以围绕第三掩模区域PMA31，并且第三掩模区域PMA32可以围绕第二掩模区域PMA2。第二掩模区域PMA2可以与第一掩模区域PMA1间隔开，且第三掩模区域PMA31置于第二掩模区域PMA2与第一掩模区域PMA1之间。
第一掩模区域PMA1在平面图中可以具有四边形形状，然而，第一掩模区域PMA1的形状不应限于四边形形状。第一掩模区域PMA1可以具有对应于沉积目标区域的形状。因此，除了四边形形状之外，第一掩模区域PMA1可以具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、菱形形状、多边形形状、不规则形状。
可以基于与开口MKO1(参照图4F)叠置的第二掩模层MK2L1(参照图4F)的宽度WT(参照图4F)来确定第一掩模区域PMA1与第二掩模区域PMA2之间的距离MDT。
曝光掩模PMK可以包括阻挡光的光阻挡层。可以通过去除光阻挡层的在厚度方向DR3上的部分来控制第二掩模区域PMA2的透射率。光阻挡层可以包括铬，然而，其不应被特别限制。
图8是示出根据发明的显示面板DP的实施例的剖视图。
参照图8，显示面板DP可以是发光显示面板。图8示出了对应于像素中的一个像素的截面，即，对应于两个晶体管T1和T2以及发光元件OLED的截面。
参照图8，显示面板DP可以包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路元件层ML、设置在电路元件层ML上的显示元件层EL以及设置在显示元件层EL上的封装层ECP。
基体层BL可以包括玻璃基底或合成树脂层。可以通过在制造显示面板DP时使用的支撑基底上形成合成树脂层、在合成树脂层上形成导电层和绝缘层以及去除支撑基底来设置基体层BL。
电路元件层ML可以包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件可以包括信号线和像素的驱动电路。由通过涂覆或沉积工艺形成绝缘层、半导体层和导电层并且由通过几个光刻工艺来图案化绝缘层、半导体层和导电层，可以设置电路元件层ML。
在例示的实施例中，电路元件层ML可以包括缓冲层BFL、阻挡层BRL和第一绝缘层10至第七绝缘层70。缓冲层BFL、阻挡层BRL和第一绝缘层10至第七绝缘层70可以包括无机层和有机层中的一种。缓冲层BFL和阻挡层BRL可以包括无机层。第五绝缘层50至第七绝缘层70中的至少一个可以包括有机层。
图8示出了形成第一晶体管T1和第二晶体管T2的第一有源层A1、第二有源层A2、第一栅极G1、第二栅极G2、第一源极S1、第二源极S2、第一漏极D1和第二漏极D2之间的布置关系。在例示的实施例中，第一有源层A1和第二有源层A2可以包括彼此不同的材料。在实施例中，例如，第一有源层A1可以包括多晶硅半导体，并且第二有源层A2可以包括金属氧化物半导体。第一源极S1和第一漏极D1可以具有比第一有源层A1的掺杂浓度高的掺杂浓度，并且可以具有电极的功能。第二源极S2和第二漏极D2可以是金属氧化物半导体被还原的区域，并且可以具有电极的功能。
在实施例中，第一有源层A1和第二有源层A2可以包括彼此相同的半导体材料。在这种情况下，第二晶体管T2可以具有与第一晶体管T1的堆叠结构相同的堆叠结构，因此，可以简化电路元件层ML的堆叠结构。
显示元件层EL可以包括像素限定层PDL和发光元件OLED。发光元件OLED可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。阳极AE可以设置在第七绝缘层70上。阳极AE的至少一部分可以通过开口PDL-OP暴露，开口PDL-OP通过像素限定层PDL限定。像素限定层PDL的开口PDL-OP可以限定发光区域PXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。
空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以共同设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。可以以对应于开口PDL-OP的图案形状设置发光图案EML。与均具有层形状的空穴控制层HCL和电子控制层ECL相比，发光图案EML可以以不同的方式沉积。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以使用开口掩模共同设置在像素中。可以使用掩模以对应于开口PDL-OP的图案形状设置发光图案EML。然而，其不应限于此或由此限制，空穴控制层HCL和电子控制层ECL也可以使用与发明的实施例中的发光图案EML的掩模相同的掩模以对应于开口PDL-OP的图案形状设置。
阴极CE可以设置在电子控制层ECL上。封装层ECP可以设置在阴极CE上。封装层ECP可以是封装显示元件层EL的薄膜封装(“TFE”)层。封装层ECP可以包括多个薄膜。薄膜可以包括无机层和有机层。封装层ECP可以包括封装显示元件层EL和多个绝缘层的绝缘层以改善发光效率。
图9是示出根据发明的沉积设备DPD的实施例的剖视图。
参照图9，沉积设备DPD可以包括腔室CHB、沉积源S、台STG、移动板PP以及掩模组件MA。
腔室CHB可以提供密封空间。沉积源S、台STG、移动板PP以及掩模组件MA可以设置在腔室CHB中。腔室CHB可以包括至少一个门GT。由于门GT，腔室CHB可以被打开和关闭。目标基底SUB可以经由通过腔室CHB限定的门GT进入腔室CHB或可以从腔室CHB取出。
沉积源S可以包括沉积材料。在这种情况下，沉积材料可以是可升华或可蒸发的材料，并且可以包括无机材料、金属材料和有机材料中的至少一种。在下文中，将描述根据发明的沉积源S作为代表性实例，沉积源S包括用于制造有机发光元件OLED(参照图8)的有机材料。
台STG可以设置在沉积源S上。掩模组件MA可以设置在台STG上。掩模组件MA可以面向沉积源S。台STG可以与掩模组件MA的框架FR叠置以支撑掩模组件MA。台STG可以不与框架FR的开口OP叠置。也就是说，台STG可以设置在从沉积源S向目标基底SUB供应沉积材料的路径的外侧。
目标基底SUB可以设置在掩模组件MA上。沉积材料可以在穿过通孔OPP之后沉积在目标基底SUB上。
移动板PP可以使目标基底SUB对齐到掩模组件MA上。移动板PP可以垂直地或水平地移动。在实施例中，磁性物质MN可以设置在移动板PP上，并且目标基底SUB可以通过磁力移动。另外，磁性物质MN可以产生磁力以允许掩模MK与目标基底SUB的下部接触，因此，可以改善沉积工艺的精度。
图10是示出根据发明的掩模MK的一部分和目标基底SUB的一部分的放大剖视图。
参照图8、图9和图10，在显示面板的制造方法中，可以使用掩模MK以对应于开口PDL-OP的图案形状提供发光图案EML。更详细地，在沉积设备DPD中，发光图案EML可以允许从沉积源S向上沉积的沉积材料DM通过掩模MK被图案化为对应于开口PDL-OP。在图案化发光图案EML的工艺中，可以将掩模MK设置为通过包括在沉积设备DPD中的磁性物质MN而与目标基底SUB接触。
图11A和图11B是示出根据发明的显示面板的制造方法的实施例的视图。
参照图1、图9、图11A和图11B，可以在通过沉积设备DPD将沉积材料DM(参照图10)沉积在目标基底SUB上之后去除掩模组件MA。从其去除掩模组件MA的初始基底DP-I1可以处于发光图案层EPP设置在目标基底SUB上的状态。发光图案层EPP可以分别对应于掩模MK的单元区域CA。发光图案层EPP中的每个可以包括发光图案EML(参照图8)。
然后，可以沿着切割线CL切割初始基底DP-I1，并且可以将初始基底DP-I1划分成多个面板DP-P。面板DP-P中的每个可以形成显示面板DP。显示面板DP可以包括至少一个有效区域AA。有效区域AA可以包括多个像素。有效区域AA可以对应于其中设置有发光图案层EPP的区域。
在实施例中，随着一个初始基底DP-I1被图案化，可以提供多个显示面板DP。另外，由于用于形成显示面板的掩模包括包含诸如PI的聚合物材料的层，因此可以执行适于形成多个显示面板DP的大面积掩模工艺。因此，可以缩短工艺时间，并且可以降低工艺成本。然而，在实施例中，根据显示面板DP的尺寸，可以从初始基底DP-I1提供一个显示面板DP。
尽管已经描述了发明的实施例，但是应当理解的是，发明不应限于这些实施例，而是本领域普通技术人员可以如所要求保护的发明的精神和范围内做出各种改变和修改。因此，所公开的主题不应限于这里描述的任何单个实施例。

Claims (20)

1.一种制造掩模的方法，所述方法包括以下步骤：
形成第一掩模层；
在所述第一掩模层上形成第二掩模层；
在所述第二掩模层上形成光致抗蚀剂图案层；
去除所述第二掩模层的通过所述光致抗蚀剂图案层暴露的第一区域；
限定通过所述第一掩模层的开口；
去除所述光致抗蚀剂图案层的部分并且暴露所述第二掩模层的第二区域的部分；以及
去除所述第二掩模层的所述第二区域的所述部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述光致抗蚀剂图案层的步骤包括：
在所述第二掩模层上形成光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层上设置曝光掩模，所述曝光掩模包括限定在其中的具有第一透射率的第一掩模区域、具有比所述第一透射率小的第二透射率的第二掩模区域以及具有比所述第二透射率小的第三透射率的第三掩模区域；以及
使用所述曝光掩模使所述光致抗蚀剂层图案化。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，将光开口和围绕所述光开口的凹槽限定在所述光致抗蚀剂图案层中，并且所述光开口与所述第二掩模层的所述第一区域叠置。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述光开口限定在所述光致抗蚀剂层的与所述第一掩模区域叠置的第一部分中，并且将所述凹槽限定在所述光致抗蚀剂层的与所述第二掩模区域叠置的第二部分中。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述光开口限定为从所述光致抗蚀剂图案层的第一表面到与所述光致抗蚀剂图案层的所述第一表面相对的所述光致抗蚀剂图案层的第二表面通过所述光致抗蚀剂图案层，并且所述凹槽具有比所述光致抗蚀剂图案层的最大厚度小的深度。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二掩模层的所述第二区域与所述凹槽叠置。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二掩模区域与所述第一掩模区域间隔开，且所述第三掩模区域置于所述第二掩模区域与所述第一掩模区域之间。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掩模层的所述第二区域与所述第一掩模层的限定所述开口的侧壁叠置。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，当将所述开口限定为通过所述第一掩模层时，去除所述光致抗蚀剂图案层的所述部分。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模层具有比所述第二掩模层的厚度大的厚度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模层包括聚合物材料，并且所述第二掩模层包括导电材料。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掩模层的所述第二区域围绕所述第二掩模层的所述第一区域。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在平面图中，所述开口的最大面积大小大于所述第二掩模层的所述第一区域的面积大小。
14.一种制造显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：
形成限定通孔通过其中的掩模，形成所述掩模包括以下步骤：形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层；在所述第二掩模层上形成在其中限定光开口和围绕所述光开口的凹槽的光致抗蚀剂图案层；去除所述第二掩模层的与所述光开口叠置的第一区域；蚀刻所述第一掩模层的部分和所述光致抗蚀剂图案层的部分；以及蚀刻所述第二掩模层的通过被蚀刻的凹槽暴露的第二区域；
准备目标基底；
将所述掩模设置在所述目标基底上；
在所述目标基底的与所述通孔对应的发光区域中形成发光图案；以及
去除所述掩模。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，去除所述第一掩模层的所述部分，并且将开口限定为从所述第一掩模层的第一表面到与所述第一掩模层的所述第一表面相对的所述第一掩模层的第二表面通过所述第一掩模层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，蚀刻所述第二掩模层的所述第二区域的步骤包括去除所述第二掩模层的与所述开口叠置的部分。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述光致抗蚀剂图案层的步骤包括：
在所述第二掩模层上形成光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层上设置曝光掩模，所述曝光掩模包括具有第一透射率的第一掩模区域、具有比所述第一透射率小的第二透射率的第二掩模区域以及具有比所述第二透射率小的第三透射率的第三掩模区域；以及
使用所述曝光掩模使所述光致抗蚀剂层图案化，将所述光开口限定在所述光致抗蚀剂层的与所述曝光掩模的所述第一掩模区域叠置的部分中，并且将所述凹槽限定在所述光致抗蚀剂层的与所述曝光掩模的所述第二掩模区域叠置的另一部分中。
18.一种掩模，所述掩模包括：
第一掩模层，限定通过所述第一掩模层的第一开口，所述第一掩模层包括聚合物材料；以及
第二掩模层，所述第二掩模层接触所述第一掩模层的表面，并且限定通过所述第二掩模层的第二开口，
其中，由所述第一掩模层的第一侧壁限定的所述第一开口的中心与由所述第二掩模层的第二侧壁限定的所述第二开口的中心对齐。
19.根据权利要求18所述的掩模，其中，所述第一掩模层的所述第一侧壁和所述第二掩模层的所述第二侧壁彼此连续地连接且限定侧壁。
20.根据权利要求18所述的掩模，其中，所述第一掩模层的所述第一侧壁和所述第二掩模层的所述第二侧壁在平面图中彼此间隔开，并且所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的距离是恒定的。
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