CN112477336B - 一种液晶高分子膜及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶高分子膜及其制作方法，其中，液晶高分子膜包括核心液晶高分子层和覆盖在核心液晶高分子层的至少一个表面上的复合液晶高分子层，其中，核心液晶高分子层包括熔点为Tm1的液晶高分子树脂；复合液晶高分子层，包括熔点为Tm1的液晶高分子树脂和熔点为Tm2的液晶高分子树脂，且Tm1大于Tm2，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为10.0～80.0％。本发明可以解决现有技术中在制备液晶高分子材料的电路基板过程中，液晶高分子膜与金属箔之间的粘结强度与液晶高分子膜的耐热性以及高频特性难以同时兼具的技术问题。

Description

一种液晶高分子膜及其制作方法
技术领域
本发明属于液晶高分子膜制备技术领域，尤其涉及一种液晶高分子膜及其制作方法。
背景技术
用于手机、计算机、通讯基站、路由器、车载信息终端等信息处理设备的电路板，在电子设备中起到支撑、连接各功能模块的作用。随着移动设备的快速发展，对电路板的配线密度、灵活性、可挠性提出了越来越高的要求，与之对应的柔性电路板/天线也变得至关重要。
目前，制备柔性天线的基材主要是聚酰亚胺液晶高分子膜，由于其介电常数和介电损耗较大、吸潮性较大，由其制备的天线的高频传输损耗严重、结构性能较差，仅适用于Sub-6G及其以下的高频天线。液晶高分子是一种由刚性分子链构成的芳香族聚酯类高分子材料，具有低介电常数、低介电损耗、低吸湿性、低热膨胀系数等优良特性，成为5G(28GHz)乃至6G时代的关键材料。液晶高分子材料根据其热性能通常可以被分为三种类型：I型液晶高分子材料的熔点高于320℃、热变形温度高于270℃；II型液晶高分子材料的熔点为260～320℃、热变形温度为210～270℃；III型液晶高分子材料的熔点低于260℃、热变形温度低于210℃。
传统的柔性电路基板在进行覆金属箔时，主要是通过在液晶高分子的熔点附近将液晶高分子膜和铜箔热压在一起，冷却定型后获得液晶高分子电路基板。在这类技术中，除了控制热压时温度和压力的工艺外，影响覆铜板剥离强度的主要因素是液晶高分子膜和铜箔的表面粘附性和表面粗糙度。
在现有技术中，当铜箔与液晶高分子膜热压时，为了使其与液晶高分子膜更好的结合，需要增加铜箔的表面粗糙度。然而，铜箔的高表面粗糙度会导致结合面不均匀，从而造成覆铜板面内的剥离强度均匀性差。此外，如果铜箔与液晶高分子膜结合面的粗糙度过高，高频信号传输时容易产生趋肤效应，这将会影响天线的电性能和信号传输。
在现有技术中，还有一种解决办法为，通过制备复合液晶高分子层为低熔点液晶高分子的多层液晶高分子膜来解决液晶高分子膜与铜箔粘结强度低的问题，在进行覆铜板制备时，通过使复合液晶高分子层的低熔点液晶高分子融化而达到提高粘结强度的目的。然而，由于液晶高分子本身的分子链结构特点，其在成膜过程中会在厚度方向产生分层效应，甚至是皮芯结构。通常这些缺陷可以通过加工工艺的调控、热处理等技术进行改善、消除。但是对于这类多层液晶高分子膜，其每层内的树脂材料的分子结构、熔点完全不同，特别是高熔点和低熔点的树脂分处在不同共挤层，层与层之间由于物性差异巨大，极易发生分层。这种分层缺陷，因为每层物料对温度的敏感性不同，难以通过热处理等技术完全消除。
另外，现有技术中还有通过使用胶粘剂将铜箔和液晶高分子膜粘结在一起，这类覆铜板由于使用了胶粘剂，其耐热性、耐钎焊温度会显著降低。这些覆铜板中有时也会残留一些来源于胶粘剂的低沸点物质，从而降低覆铜板使用的可靠性，同时会面临着胶粘剂介电常数较大的问题，降低覆铜板可使用的通信频率范围。
综上所述，液晶高分子膜与金属箔热压制备电路基板时，两者之间的粘结力较低。增大金属箔或液晶高分子膜的表面粗糙度虽然可以有效增加电路基板的剥离强度，但是却牺牲了其优异的高频特性；已公开的发明中，利用多层液晶高分子膜的复合液晶高分子层低熔点高分子来提高剥离强度，当这些高分子是非液晶高分子材料时，往往会使电路板的介电损耗增加、耐钎焊温度降低；当这些高分子时熔点较低的液晶高分子时，会造成多层液晶高分子膜共挤层之间的分层，柔性电路板在弯折过程中容易发生失效；在已公开的发明中，通过增设胶粘层提高电路基板的剥离强度，胶粘层中胶粘剂使电路基板的耐热性和高频特性显著降低，同时残存的低沸点物质也可能造成电路基板出现鼓泡等缺陷。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明主要解决现有技术中在制备液晶高分子材料的电路基板过程中，液晶高分子膜与金属箔之间的粘结强度与液晶高分子膜的耐热性以及高频特性难以同时兼具的技术问题。
(二)技术方案
基于上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种液晶高分子膜，包括核心液晶高分子层和覆盖在核心液晶高分子层的至少一个表面上的复合液晶高分子层，其中，核心液晶高分子层包括熔点为Tm1的液晶高分子树脂；复合液晶高分子层，包括熔点为Tm1的液晶高分子树脂和熔点为Tm2的液晶高分子树脂，且Tm1大于Tm2，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占该液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为10.0～80.0％。因液晶高分子膜与金属箔直接接触的复合液晶高分子层结构是决定粘合强度的关键因素，本发明在不改变金属箔表面粗糙度以及不使用胶粘剂的情况下，在液晶高分子膜的复合液晶高分子层混入特定含量的熔点相对较低的液晶高分子树脂，能够降低液晶高分子膜表面的热变形温度或熔点，增加液晶高分子膜表面液晶高分子分子链的活动能力，就可以与金属箔产生较强的粘合力，因此可以很好地提高剥离强度。同时，因液晶高分子膜的主体仍是具有熔点相对较高的液晶高分子树脂，可以兼具液晶高分子膜作为绝缘基材所需的耐热性和高频特性。
可选地，复合液晶高分子层中的熔点为Tm1的液晶高分子树脂，与核心液晶高分子层中的熔点为Tm1的液晶高分子树脂为同一种材料的树脂。这样，复合液晶高分子层和核心液晶高分子层的粘合性更好，可以防止液晶高分子膜中，复合液晶高分子层和核心液晶高分子层的分层。
出于对液晶高分子膜耐热性和加工性的目的，可选地，Tm1与Tm2的差值范围为：Tm1范围为：250℃≤Tm1≤400℃；Tm2范围为：200℃≤Tm2≤320℃，且两者之间的温度差值需要在一个合理的范围，可选为：10℃～80℃。
可选地，液晶高分子膜的厚度范围为：10μm～500μm；在用于高频电路板时，液晶高分子膜的厚度越厚，其信号的传输损耗就越小，且液晶高分子膜过薄其力学性能会下降，但是液晶高分子膜厚度增加会降低液晶高分子膜的柔性，因此液晶高分子膜厚度应处于合适的范围内。且可选地，复合液晶高分子层的厚度与核心液晶高分子层的厚度的比值范围为：1:6～5:6。
可选地，液晶高分子膜的厚度均匀性小于8％。
可选地，在本发明的实施例中，熔点为Tm1与熔点为Tm2的液晶高分子材料为各种可以进行熔融挤出加工的液晶共聚酯或聚酯酰胺材料。
在本发明的实施例中，还提供一种液晶高分子膜的制作方法，即通过熔融共挤出的方式形成包括核心液晶高分子层和复合液晶高分子层的液晶高分子膜。
(三)有益效果
使用本发明中实施例提供的的液晶高分子膜制备电路基板时，液晶高分子膜可以与金属箔产生较强的粘合力，可以很好地提高剥离强度。同时，因液晶高分子膜的主体仍是具有熔点相对较高的液晶高分子树脂，可以兼具液晶高分子膜作为绝缘基材所需的耐热性和高频特性，对于工业化制备高频单层或多层柔性电路基板具有重要意义。
并且，本发明中实施例提供的液晶高分子膜，相对于现有技术中的多层液晶高分子膜，液晶高分子层间的结合力强，所制备的电路板不易出现失效的问题。
本发明中实施例提供的液晶高分子膜，具有制造简单、能耗低等优点，同时根据使用需求可以进行多种结构组合(单层板、双层板等)，具有较为广泛地适应性，有突出的工业化应用潜力。
附图说明
图1为本发明一实施例的液晶高分子膜的断面结构示意图；
图2为采用本发明一实施例的液晶高分子膜所制备的电路基板的断面结构示意图；
图3为本发明一实施例的液晶高分子膜的断面结构示意图；
图4为采用本发明一实施例的液晶高分子膜所制备的电路基板的断面结构示意图。
附图标记说明：
1-核心液晶高分子层；2-复合液晶高分子层；3-金属箔。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
图1为本发明一实施例的液晶高分子膜的断面结构示意图。
如图1所示，为核心液晶高分子层1单侧表面结合复合液晶高分子层2的一个实施方式。具体地，该实施例提供了一种液晶高分子膜，包括核心液晶高分子层1和覆盖在该核心液晶高分子层1其中一个表面的复合液晶高分子层2。
利用本发明的实施例提供的液晶高分子膜，可以和金属箔3结合用于制备电路基板，和金属箔3结合时，复合液晶高分子层2作为和金属箔3结合的结合面。
图2为采用本发明一实施例的液晶高分子膜所制备的电路基板的断面结构示意图。
如图2所示，电路基板为采用图1所示的液晶高分子膜所制备的电路基板的结构示意图。
图3为本发明一实施例的液晶高分子膜的断面结构示意图。
如图3所示的液晶高分子膜，为核心液晶高分子层1双侧表面结合复合液晶高分子层2的一个实施方式。
图4为采用本发明一实施例的液晶高分子膜所制备的电路基板的断面结构示意图。
如图4所示的电路基板，为采用图3所示的实施例的液晶高分子膜所制备的电路基板的结构示意图。
在本发明的实施例中，提供的的液晶高分子材料为各种可以进行熔融挤出加工的液晶共聚酯或聚酯酰胺材料。在这些液晶共聚酯中，可选至少含有6-羟基-2-萘甲酸和/或对羟基苯甲酸作为重复单元的高分子，特别可选(i)含有6-羟基-2-萘甲酸和对羟基苯甲酸的重复单元的共聚物、(ii)含有6-羟基-2-萘甲酸和对羟基苯甲酸中的至少一种芳香族羟基羧酸、含有4，4’-二羟基联苯和氢醌中的至少一种芳香族二醇、以及含有对苯二甲酸、间苯二甲酸和2，6-萘二甲酸中的至少一种芳香族二羧酸的重复单元的共聚物。
复合液晶高分子层2中的熔点相对较高的液晶高分子材料，是具有上述结构的熔点Tm1在250～400℃的范围内的热塑性液晶高分子材料，出于对液晶高分子膜耐热性和加工性的目的，可选为270～380℃；复合液晶高分子层2中的熔点相对较低的液晶高分子材料，是具有上述结构的熔点Tm2在200～320℃的范围内的热塑性液晶高分子材料，出于对液晶高分子膜耐热性和加工性的目的，可选为220～300℃。核心液晶高分子层1中的液晶高分子树脂与复合液晶高分子层2中的熔点相对较高的液晶高分子树脂是同一种树脂。
熔点是利用差示扫描量热仪将液晶高分子树脂熔体以50℃/min的降温速度降至25℃，保温5min后，再以20℃/min的升温速度升温，记录升温过程中主吸热峰的峰值温度，最终获得液晶高分子材料的熔点。
上述复合液晶高分子层2中不同熔点的液晶高分子树脂可以直接混合进行液晶高分子膜成型加工，也可以先进共混造粒，再利用共混后的树脂进行液晶高分子膜成型加工。从混合均匀性和加工均匀性的角度，可选采用先进行共混造粒，再进行成膜的方式。共混造粒，这里不限制使用何种形式的机器，可以使用混炼机、双螺杆挤出机以及基于它们的各种衍生的挤出机。
在本发明的实施例中，在进行成型之前将上述液晶高分子材料进行干燥预处理，防止在共混、液晶高分子膜加工过程中出现气泡、降解等现象，不限制干燥形式，干燥处理后液晶高分子树脂的含水量可选为不高于600ppm，更可选为不高于400ppm。具体而言，例如将液晶高分子树脂放在鼓风或真空干燥箱中，在玻璃化温度以下干燥超过5小时。
根据本发明的实施例，在本发明的实施例中对液晶高分子膜的加工方式不做限定，根据本申请的实施例，核心液晶高分子层1和复合液晶高分子层2可以通过熔融共挤出的方式形成，液晶高分子膜成型方式可以采用流延-双向拉伸法、层压体延伸法、吹膜法等技术制备。
具体而言，利用拉伸法制备时，首先获得液晶高分子膜的基膜，再沿着基膜的纵向和横向进行拉伸，为了获得面内物理性能较为均匀的液晶高分子膜，可选采用纵向和横向同步进行拉伸的方式。纵向的拉伸倍率可以是1.2～20，可选为1.5～15，或可选为1.5～10；横向的拉伸倍率可以是1.5～20，可选为1.8～15，或可选为2.0～8。
具体而言，利用多层共挤吹膜法制备时，液晶高分子膜的熔体型胚从环形口模中挤出，复合液晶高分子层2在核心高分子层的一侧，控制牵引比(沿液晶高分子膜的挤出方向的拉伸，即纵向)和吹胀比(类似与垂直于液晶高分子膜挤出方向的拉伸，即横向)可以实现液晶高分子膜的制备。牵引比可以是0.8～50，可选为1.0～30，或可选为1.0～20；吹胀比可以是0.8～40，可选为1.2～30，或可选为2～25。
进一步地，上述任一方法中，沿纵向的牵引比(或拉伸倍率)与沿横向的吹胀比(或拉伸倍率)之比应该小于4，可选为小于3.0。
上述制备的液晶高分子膜的厚度为10～500μm。在用于高频电路板时，液晶高分子膜的厚度越厚，其信号的传输损耗就越小，且液晶高分子膜过薄其力学性能会下降，但是液晶高分子膜厚度增加会降低液晶高分子膜的柔性，因此液晶高分子膜厚度应处于合适的范围内，液晶高分子膜厚度可选为12～400μm，或可选为15～300μm；液晶高分子膜中复合液晶高分子层2的厚度与核心液晶高分子层1的厚度之比为1/6～5/6，厚度的均匀性小于8％。
将上述液晶高分子膜和铜箔热压粘合在一起，制备电路基板时，热压的方式可以采用辊对辊方式的辊压法，也可以采用平板式的真空热压法，也可以采用双带式压制法。
热压的温度范围为：从复合液晶高分子层2中熔点较低的液晶高分子树脂的熔点Tm2+5℃以上至熔点较高的液晶高分子树脂的熔点Tm1-5℃，可选为从熔点较低的液晶高分子树脂的熔点Tm2+10℃以上至熔点较高的液晶高分子树脂的熔点Tm1-5℃。选择这样的温度范围的原因是：在该温度内，熔点较低的液晶高分子树脂处于熔融状态，分子链具有很高的活动能力可以很好的与金属箔3进行覆合，金属箔3表面的凸起也有可能通过熔点较低的液晶高分子树脂进入液晶高分子膜的内部，从而电路基板的剥离强度显著提高。此外，液晶高分子膜中核心层的液晶高分子并未熔融其可以保持液晶高分子膜本征的各种物理性能，也减少液晶高分子膜在热压过程中出现褶皱、形变等缺陷。
在本发明的实施例中，剥离强度的测试方法为：用制备出的液晶高分子电路基板制出宽度5mm的剥离试验片，在室温条件下，从边缘将液晶高分子膜与金属层的结合面揭开，用双面胶带将液晶高分子膜层固定在平板上，以50mm/min的速度朝90°方向剥离金属层，用数显推拉力计记录剥离负荷，剥离长度大于50mm，根据剥离过程中负荷的平均值计算剥离强度。
在本发明的实施例中，耐热性的测试方法为：对电路基板耐钎焊性能的测试是将电路基板放置在焊料浴中进行测试，将焊料浴的温度设为290℃，漂浮时间设为60s，用光学显微镜在至少5倍的放大倍率下观察漂浮实验后的电路基板是否有鼓泡，每个电路基板裁剪成：50mm×50mm的正方形，每种电路基板测试5次。
在本发明的实施例中，关于电路基板的介电性能，本发明使用谐振腔微扰法测试液晶高分子膜的介电性能，测试频率为10GHz。
此外，利用本发明的实施例提供的液晶高分子膜，还可以用于电子产品封装，可作为该产品的另一用途，在此处不做详细描述。
实施例1
核心液晶高分子层1的液晶高分子树脂选择熔点Tm1为320℃的对羟基苯甲酸、4，4’-二羟基联苯和对苯二甲酸的液晶共聚酯，复合液晶高分子层2中的熔点较低的液晶高分子树脂选择熔点Tm2为280℃的对羟基苯甲酸和6-羟基-2-萘甲酸的液晶共聚酯；将液晶高分子材料在真空干燥箱中进行干燥预处理，干燥温度为150℃，干燥时间为5小时，干燥后树脂的含水量低于300ppm。
复合液晶高分子层2所用的树脂：按照熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为15％的比例，将两种液晶高分子混合均匀，再经同向双螺杆挤出机进行共混造粒，共混造粒后的液晶高分子材料在真空干燥箱中进行干燥处理，干燥温度为160℃，干燥时间为5小时，干燥后树脂的含水量低于300ppm。利用多层共挤吹膜装置对液晶高分子进行熔融挤出成膜加工，在牵引比为9，吹胀比为3.5的条件下得到厚度为40μm的液晶高分子膜，其中复合液晶高分子层2与核心液晶高分子的厚度之比为1/5；获得的液晶高分子膜的结构如图1所示。
制备厚度为40μm的液晶高分子薄膜；选择一张厚度为12μm，表面粗糙度约为1.5μm的电解铜箔作为金属箔3。按照铜箔/液晶高分子膜的顺序叠放好，利用表面硬度为90度的平板热压机在温度为295℃、压力为100kg/cm2、热压时间为5s的条件下将液晶高分子膜和铜箔层压在一起，获得单面覆铜的柔性电路基板，如图2所示，复合液晶高分子层2作为粘合层将铜箔与液晶高分子膜粘合在一起。
实施例2
核心液晶高分子层1的液晶高分子树脂选择熔点Tm1为320℃的对羟基苯甲酸、4，4’-二羟基联苯和对苯二甲酸的液晶共聚酯，复合液晶高分子层2中的熔点较低的液晶高分子树脂选择熔点Tm2为280℃的对羟基苯甲酸和6-羟基-2-萘甲酸的液晶共聚酯；将液晶高分子材料在真空干燥箱中进行干燥预处理，干燥温度为150℃，干燥时间为5小时，干燥后树脂的含水量低于300ppm。
复合液晶高分子层2所用的树脂：按照熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为15％的比例，将两种液晶高分子混合均匀，再经同向双螺杆挤出机进行共混造粒，共混造粒后的液晶高分子材料在真空干燥箱中进行干燥处理，干燥温度为160℃，干燥时间为5小时，干燥后树脂的含水量低于300ppm。利用多层共挤吹膜装置对液晶高分子进行熔融挤出成膜加工，在牵引比为9，吹胀比为3.5的条件下得到厚度为40μm的液晶高分子膜，其中复合液晶高分子层2与核心液晶高分子的厚度之比为1/5；获得的液晶高分子膜的结构如图1所示。
实施例3
利用与实施例2中同样的方法，制备厚度为40μm的液晶高分子薄膜；选择一张厚度为12μm，表面粗糙度约为1.5μm的电解铜箔作为金属箔3。按照铜箔/液晶高分子膜的顺序叠放好，利用表面硬度为90度的平板热压机在温度为295℃、压力为100kg/cm2、热压时间为5s的条件下将液晶高分子膜和铜箔层压在一起，获得单面覆铜的柔性电路基板，如图2所示，复合液晶高分子层2作为粘合层将铜箔与液晶高分子膜粘合在一起。
实施例4
使用与实施例3中相同的方法，与实施例3的不同之处在于：复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为25.0％。
实施例5
使用与实施例3中相同的方法，与实施例3的不同之处在于：复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为45.0％。
实施例6
使用与实施例3中相同的方法，与实施例3的不同之处在于：复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为70.0％。
实施例7
使用与实施例3中相同的方法，与实施例3的不同之处在于：复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为80.0％。
实施例8
一种液晶高分子膜，与实施例2的不同之处在于：所制备的液晶高分子膜如图3所示，核心液晶高分子层1的两侧均覆盖有复合液晶高分子层2。
实施例9
利用与实施例8中同样的方法，制备厚度为40μm的液晶高分子膜；选择一张厚度为12μm，表面粗糙度约为1.5μm的电解铜箔作为金属箔3。按照铜箔/液晶高分子膜/铜箔的顺序叠放好，利用表面硬度为90度的平板热压机在温度为295℃、压力为100kg/cm2、热压时间为5s的条件下将液晶高分子膜和铜箔层压在一起，获得双面覆铜的柔性电路基板，如图4所示。
实施例10
使用与实施例9中相同的方法，与实施例9的不同之处在于：
复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为45.0％。
对比例1
使用与实施例3中相同的方法，与实施例3的不同之处在于：复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为90.0％。
对比例2
使用与实施例3中相同的方法，与实施例3的不同之处在于：复合液晶高分子层2中，熔点为Tm2的液晶高分子树脂占液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为0％。
下面介绍不同实施例中制备出的液晶高分子膜及相应电路基板的物性测试结果，如下表1所示。
表1
Figure BDA0002795925350000111
表1中，电路基板的耐热性测试结果一栏中：
○：电路基板的耐热性好，5次测试均未观察到膨胀的现象。
▲：电路基板的耐热性良，5次测试中有1次观察到膨胀现象。
╳：电路基板的耐热性差，5次测试中有1次以上观察到膨胀现象。
从表1的实施例0-4和实施例8-9的结果可以看出，利用本发明一种液晶高分子膜，相对于实施例7没有在复合液晶高分子层2添加熔点较低的液晶高分子所制备的电路基板具有良好的剥离强度，剥离强度均大于0.75kN/m，随着低熔点的液晶聚合物含量的增加，粘结强度曾现出上升的趋势，但是当含量超过本发明所提出的范围时，例如对比例1，尽管剥离强度仍维持着较高水平，但是电路基板的耐热性显著下降；由于在本发明的实施例中未引入高介电的物质，也没有改变液晶高分子膜表面的粗糙度，上述实施例中的电路基板的介电常数均在2.9～3.1，介电损耗因子在0.002～0.004。
综上所述，由本发明提供的液晶高分子膜作为绝缘基材制备柔性电路板时，具有优异的剥离强度和耐热性，同时可以保持较为优异的高频特性，对于工业化制备高频单层或多层柔性电路基板具有重要意义。
另外，在本发明的实施例中，因液晶高分子膜的主体仍是具有熔点相对较高的液晶高分子树脂，可以兼具液晶高分子膜作为绝缘基材所需的高粘结性、耐热性和高频特性的同时，复合液晶高分子层2，熔点相对较低的液晶高分子树脂含量可以做到比较高的含量，相对于采用单一熔点相对较低的液晶高分子树脂的材料，或者仅采用由熔点较高的液晶高分子树脂和熔点较低的液晶高分子树脂做成的复合材料，可以具有更加优异的耐热性能和高频特性。
此外，复合液晶高分子层2中的熔点为Tm1的液晶高分子树脂，与核心液晶高分子层1中的熔点为Tm1的液晶高分子树脂为同一种材料的树脂。这样，复合液晶高分子层2和核心液晶高分子层1的粘合性更好，可以防止液晶高分子膜中，复合液晶高分子层2和核心液晶高分子层1的分层。
本发明未详细阐述的部分属于本领域公知技术。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种液晶高分子膜，其特征在于，包括：
核心液晶高分子层，包括熔点为Tm1的液晶高分子树脂；
复合液晶高分子层，覆盖在所述核心液晶高分子层的至少一个表面，其中，所述复合液晶高分子层包括熔点为Tm1的液晶高分子树脂，和熔点为Tm2的液晶高分子树脂，所述Tm1大于所述Tm2，所述熔点为Tm2的液晶高分子树脂占所述液晶高分子膜的树脂总量的质量百分比为10.0～80.0％；
所述复合液晶高分子层中的熔点为Tm1的液晶高分子树脂，与所述核心液晶高分子层中的熔点为Tm1的液晶高分子树脂为同一种材料的树脂；
所述Tm1与所述Tm2的差值范围为：10℃～80℃；
所述复合液晶高分子层的厚度与所述核心液晶高分子层的厚度的比值范围为：1:6～5:6。
2.根据权利要求1所述的液晶高分子膜，其特征在于，包括：
所述Tm1范围为：250℃≤Tm1≤400℃。
3.根据权利要求1所述的液晶高分子膜，其特征在于，包括：
所述Tm2范围为：200℃≤Tm2≤320℃。
4.根据权利要求1所述的液晶高分子膜，其特征在于，包括：
所述液晶高分子膜的厚度范围为：10μm～500μm。
5.根据权利要求1所述的液晶高分子膜，其特征在于，包括：
所述液晶高分子膜的厚度均匀性小于8％。
6.根据权利要求1所述的液晶高分子膜，其特征在于，包括：
所述熔点为Tm1的液晶高分子树脂包含以下至少之一:液晶共聚酯、聚酯酰胺；所述熔点为Tm2的液晶高分子树脂包含以下至少之一:液晶共聚酯、聚酯酰胺。
7.一种如权利要求1～6任一项所述的液晶高分子膜的制作方法，其特征在于，包括：
通过熔融共挤出的方式形成包括所述核心液晶高分子层和所述复合液晶高分子层的液晶高分子膜。
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