CN112448363B - 提供车辆中的电路的过电流保护的电气安全系统 - Google Patents

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Abstract

提供了一种提供车辆中电路的过电流保护的电气安全系统。该系统包括：包括N型晶体管的主安全器件和包括P型晶体管的辅安全器件，主安全器件和辅安全器件在控制器的命令下交替启用。N型晶体管和P型晶体管分别在第一工作模式和第二工作模式下具有过流保护功能。辅安全器件还包括：与P型晶体管串联连接的无源部件，以用于在电流通过所述无源部件时提供电压降；以及驱动电路，以用于在第二工作模式中，在超过第一阈值的电压降的控制下控制P型晶体管的关断。

Description

提供车辆中的电路的过电流保护的电气安全系统
技术领域
本公开涉及提供电路的过电流保护的电气安全系统或设备的领域。这种系统可以用于例如车辆中，以在发生故障的情况下保护车辆的电路的器件。
背景技术
传统上，车辆使用包括金属线或金属条的电保险丝，该金属线或金属条在有过多的电流流过时会熔化，从而中断电流。保险丝的优点是它们是不消耗功率的无源部件。通过保险丝的静态电流为零。因此，当车辆的电路处于停放模式时，保险丝不消耗电能。另一个优点是保险丝具有从故障系统中去除高功率的能力。换句话说，保险丝可以排出高电流，并且无论其放电能力如何，其静态电流都等于零。然而，保险丝具有主要缺点，因为它是牺牲性器件。保险丝一旦起作用就必须被替换，这在汽车环境中是不方便的。
已知使用电子开关器件(一般称为“高侧开关”或“高侧驱动器”)作为保险丝的替代物。高侧开关包括提供过电流保护的晶体管(诸如MOSFET晶体管)和控制该晶体管的电子装置。为了能够切换高电流(通常是100毫安至几百安培之间的电流)，高侧开关配备有N型MOSFET晶体管。它们可以安全地将高电流驱动到符合汽车环境的复杂接地负载中。然而，与零毫安(对于常规保险丝)相比，高侧开关具有通常为几毫安的高静态电流。
车辆通常会花费大量时间在停放模式下，在停放模式中，电流会从电池排出。为了不从电池排出太多能量，车辆内电路的各个器件的静态电流必须非常低。几毫安的静态电流对于在停放模式下车辆的这种极低电耗的约束来说太高了。
需要对提供例如车辆中的电路的过电流保护的电气安全系统的情况进行改进，该电气安全系统可以在起作用之后重新使用，并且还具有(例如符合汽车环境中的电气要求的)非常低的静态电流。
发明内容
本公开的第一方面涉及一种提供电路的过电流保护的电气安全系统，该电气安全系统包括主安全器件，该主安全器件包括提供过电流保护的第一晶体管，其特征在于：
该电气安全系统还包括辅安全器件，该辅安全器件包括提供电路的过电流保护的第二P型晶体管，主安全器件和辅安全器件分别在电路的第一工作模式和第二工作模式中交替地提供过电流保护；以及
该辅安全器件还包括：与第二P型晶体管串联连接的无源部件，该无源部件在电流通过无源部件时提供电压降；以及驱动电路，该驱动电路在超过第一阈值的电压降的控制下对第二P型晶体管的关断进行控制。
通常，第一工作模式比第二工作模式消耗更多的电力。这种电气安全系统可以集成在车辆中以保护车辆中的电路。
本电气安全系统包括主安全器件和辅安全器件，主安全器件包括第一晶体管，例如N型晶体管，辅安全器件包括P型晶体管。两个晶体管分别在电路的第一工作模式和第二工作模式中交替地导通，以轮流实现过电流保护功能。辅安全器件包括：与P型晶体管串联连接的无源部件，以在电流通过所述无源部件时提供电压降；以及驱动电路，该驱动电路在第二工作模式中，在超过第一阈值的电压降的控制下对P型晶体管的关断进行控制。
在第一工作模式中(例如当车辆工作时)，这种系统允许使用主安全器件，该主安全器件使用功率晶体管(例如N型晶体管)并且能够从故障电路去除高电流。在第二工作模式中(例如当车辆停放好时)，该主安全器件被关断(停用)并且不消耗任何电流。为了在第二工作模式下实现过流保护功能，使用了配备有P型晶体管的辅安全器件。过电流保护功能是由与提供电压降的无源部件联接的P型晶体管实现的，当电流通过无源部件时，所述电压降用作对P型晶体管的关断进行控制的命令。
由于在第二工作模式中使用提供电压降的无源部件和P型晶体管，本构造具有电消耗极低(等于或非常接近于零)的优点。在过量电流流过无源部件的情况下，无源部件提供高电压降，该高电压降控制P型晶体管的关断，并且因此电流被中断。因此，基于不消耗电能的结构元件(P型晶体管和电压降无源部件)实现了过电流保护功能。因此，这种系统的静态电流为零或非常接近于零。
在第一工作模式中，使用主安全器件并且允许在故障的情况下排出高电流。
控制器(诸如集成电气安全系统的车辆的控制器)可以在电路的第一工作模式中对主安全器件的第一晶体管的导通和辅安全器件的第二晶体管的关断进行控制，并且在电路的第二工作模式中对主安全器件的第一晶体管的关断和辅安全器件的第二晶体管的导通进行控制。
本发明的第二方面涉及一种提供电路的过电流保护的电气安全器件，其特征在于，所述电气安全器件包括：
P型晶体管，该P型晶体管提供电路的过电流保护；
无源部件，该无源部件与P型晶体管串联连接，以在电流通过所述无源部件时提供电压降，以及
驱动电路，该驱动电路在超过第一阈值的电压降的控制下对P型晶体管的关断进行控制。
有利地，提供电压降的无源部件包括电阻元件。
有利地，驱动电路包括由电压降控制的第一开关：
只要电压降未超过第一阈值，就关断第一开关，并且
在超过第一阈值的电压降的控制下，导通第一开关，以便输出对P型晶体管的关断进行控制的控制信号。
有利地，第一开关是双极晶体管或MOSFET晶体管。这些类型的晶体管具有零静态电流。
有利地，驱动电路还包括第二开关，过电流保护的P型晶体管通过该第二开关接地。
第二开关可以是N型晶体管。
有利地，驱动电路还包括利用输出信号来控制所述第二开关的锁存器部件，该输出信号取决于通过复位输入端或置位输入端接收到的控制信号，并且第一开关向锁存器部件输出控制信号。
有利地，驱动电路还包括由电压降控制的第三开关：
只要电压降未超过第二阈值，就关断第三开关，所述第二阈值小于第一阈值；并且
在超过第二阈值的电压降的控制下，导通第三开关，然后发送唤醒信号。
有利地，第三开关是双极晶体管或MOSFET。
在特定实施方式中，第一开关是MOSFET，并且第三开关是双极晶体管。MOSFET的阈值电压通常高于双极晶体管的阈值电压。这种构造允许使用这两种不同类型的晶体管(MOSFET和双极)的物理特性来限定第一“高”阈值和第二“低”阈值。
本公开的第三方面涉及一种车辆，所述车辆集成了前文限定的电气安全系统或电气安全器件。
附图说明
通过参考附图阅读非限制性实施方式的详细说明，本公开的其它特征、目的和优点将变得更加明确。
图1示出了根据第一实施方式的提供电路的过电流保护的电气安全系统；
图2示出了图1的系统的辅助电安全器件。
具体实施方式
图1示出了根据第一实施方式的提供电路(未示出)的过电流保护的电气安全系统100。例如，系统100可以集成在车辆中，该电路具有车辆的电气器件和电子器件，所述车辆的电气器件和电子器件由例如12V的汽车电池提供电流。电气安全系统100将由电路中的故障(诸如过载或短路)引起的过电流排出。更准确地说，电气安全系统100的主要功能是当电流达到过电流检测值时中断电路中的电流。
电气安全系统100具有主安全器件1和辅安全器件2。安全器件1和2两者连接(并联)到电路的输入端子3a和输出端子3b。主安全器件1在电路的第一工作模式中提供电路的过电流保护，而辅安全器件2在电路的第二工作模式中提供电路的过电流保护。因此，主安全器件1和辅安全器件2分别在电路的第一工作模式和第二工作模式下交替地提供电路的过电流保护。
预期第一工作模式比第二工作模式消耗更多的电能。通常，第一工作模式对应于车辆工作模式，例如驱动模式，而第二工作模式对应于车辆不工作模式(例如，车辆停止并停放好，电路处于休眠模式)。在第二工作模式中，电路在休眠模式中以非常低的电消耗工作。主安全器件1旨在在第一工作模式下使用，以提供过电流保护功能，并且在第二工作模式下停用。另一方面，辅安全器件2旨在在第二工作模式下使用，以提供过电流保护功能，并且在第一工作模式下停用。换句话说，主安全器件1和辅安全器件2交替工作，以提供电路的过电流保护功能。
在本实施方式中，主安全器件1包括第一晶体管10，例如N型晶体管，以提供过电流保护功能，第一晶体管10连接在电路的输入端子3a和输出端子3b之间。主安全器件1还包括电荷泵11，以根据来自主安全器件1外部的控制器4的控制信号“ON”(启用)或“OFF”(停用)来驱动晶体管10。电荷泵11连接到第一晶体管10的命令门并且连接到输入端子3a与输出端子3b(例如，图1所示的输入端子3a与晶体管10之间)之间的连接点12。控制信号“ON”用于导通(或启用，或接通)第一晶体管10，使得电流可以流过晶体管10，而控制信号“OFF”用于关断(或停用或切断)第一晶体管10，使得流过晶体管10的电流被中断。主安全器件1例如是市场上已知的高侧开关。在车辆的电路发生故障或过载的情况下，其具有将高电流安全地驱动到接地负载中的良好能力。
辅安全器件2是通过利用一些电气部件的物理特性来提供具有接近于零的极低电耗的过电流保护功能的电子器件，这将在后面的描述中变得明显。它具有在故障的情况下去除电流的排出容量，该排出容量可能低于主安全器件1的排出容量。
现在参考图2描述辅安全器件2的第一实施方式。
参考图2，辅安全器件2包括：第二P型晶体管20，用于提供车辆电路的过电流保护功能；以及与P型晶体管20串联连接的无源部件21，用于在电流流过所述无源部件21时提供电压降。例如，过电流保护的晶体管20是PMOSFET。
还提供了驱动电路22，以在电路的第二工作模式中，在超过第一阈值VTH1的电压降(由部件21提供)的控制下，对过电流保护的第二P型晶体管20的关断进行控制。
在第一实施方式中，在电路的第二工作模式中，驱动电路22在超过第二阈值VTH2的电压降(由部件21提供的)的控制下产生唤醒(或启用)控制信号。
第一阈值VTH1和第二阈值VTH2是电压值。第二阈值VTH2小于第一阈值VTH1。
驱动电路22的基本功能是在第二工作模式中对过电流保护的第二晶体管20的切断进行控制。驱动电路22的唤醒功能是可选的。
驱动电路22具有由电压降21控制的第一开关220，并且：
只要由部件21提供的电压降未超过第一阈值VTH1，就关断驱动电路22；并且
在超过第一阈值VTH1的电压降21的控制下，导通驱动电路22，以便输出用于对P型晶体管20关断进行控制的控制信号。
在第一实施方式中，第一开关220是晶体管。例如，晶体管220是双极晶体管或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。晶体管220连接到电压降部件21的两个端子，使得电压降控制晶体管220的工作。如果晶体管220是双极晶体管，则晶体管220的基极和发射极分别连接到电压降部件21的两个端子。如果晶体管220是MOSFET，则晶体管220的栅极和源极分别连接到电压降部件21的两个端子，使得电压降对应于VGS(即晶体管220的栅极与源极之间的电压)，并且控制晶体管220的工作。
晶体管220(第一开关)如下工作：
只要电压降小于第一阈值VTH1，晶体管220就被阻塞并作为开路开关工作；并且
如果电压降超过第一阈值VTH1，则晶体管220饱和并且作为闭合开关工作。
第一阈值VTH1对应于晶体管220的阈值电压。
例如，阈值电压VTH1在1V至5V之间，例如，阈值电压VTH1等于1.2V。
无源部件21(也称为“电压降部件”)具有电阻元件。例如，无源部件21仅具有电阻。无源部件21的电阻值适于提供等于阈值电压VTH1的电压降值，该电压降值适于在通过部件21的电流达到或超过过电流检测值ITH1时对第一开关220的导通进行控制。过电流检测值对应于电流阈值，超过该电流阈值时则期望实现过电流保护功能并且中断电路中的电流流动。换句话说，当流过部件21的电流达到电流阈值ITH1(或过电流检测值)时，确定电压降部件21的电阻值R以提供等于VTH1的电压降。更准确地说，在本实施方式中，电压降部件21的电阻值R等于VTH1/ITH1。例如(仅给出示例性值以例示本公开)：
如果VTH1＝1.2V并且ITH1＝200mA；
则R＝VTH1/ITH1＝1.2/0.2＝6Ω。
在驱动电路22中，开关220通过第三开关221对过电流保护的P型晶体管20的关断(或切断)进行控制。第二开关222例如是对过电流保护20的P型晶体管进行控制的N型晶体管。它具有将P型晶体管20的命令门接地的功能。换句话说，P型晶体管20的命令门通过N型晶体管222接地。
第三开关221通过电子锁存器部件223来控制。锁存器部件223包括置位输入端“S”、复位输入端“R”和输出端，所述输出端具有根据通过置位输入端或复位输入端接收的控制信号设定的两个稳定状态。有利地，锁存器部件223仅包括MOSFET和/或双极晶体管以实现锁存器功能，同时避免任何静态电流。锁存器部件223的输出端连接到开关221的命令门。锁存器部件223输出对第三开关221进行控制的控制信号。锁存器部件223的置位输入端和复位输入端在这里通过两个相应的链路连接到外部控制器4。置位输入端从外部控制器4接收控制信号“ON”(启用)，以导通(或接通)第三开关221，并因此导通(或接通)P型晶体管20。复位输入端从外部控制器4接收控制信号“OFF”(停用)，以关断(或切断)第三开关221，并因此关断(或切断)P型晶体管20。
第一开关220还连接到锁存器部件223的复位输入端，并向锁存器部件223的复位输入端发送控制信号“OFF”(停用)，以便在启用(或接通)时关断第三开关221，从而关断P型晶体管20，如将在后面解释的那样。
在第一实施方式中，驱动电路22还具有第二开关224，以在第二工作模式中，当由于车辆的一个或更多个器件的正常动作而使流过电压降部件21的电流稍微增加时，生成唤醒或启用信号。该开关224的功能是，在第二工作模式中，当流过电压降部件21的电流超过第二阈值VTH2时，将唤醒信号发送到电路，所述第二阈值VTH2小于第一阈值VTH1。因为预期电路将很快进入第一工作模式，所以该唤醒信号可以直接地或通过控制器4来重新启用主安全器件1。像第一开关220一样，第二开关224由电压降来控制，并且是：
只要电压降(由部件21提供)未超过第二阈值VTH2，则关断第二开关224；并且
在超过第二阈值VTH2的电压降的控制下导通第二开关224，然后向电路发送唤醒信号。
在第一实施方式中，第二开关224是晶体管。例如，晶体管224是双极晶体管或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。晶体管224连接到电压降部件21的两个端子，使得电压降控制晶体管224的工作。如果晶体管224是双极晶体管，则晶体管224的基极和发射极分别连接到电压降部件21的两个端子。如果晶体管224是MOSFET，则晶体管224的栅极和源极分别连接到电压降部件21的两个端子，使得电压降对应于VGS(即晶体管224的栅极与源极之间的电压)，并且控制晶体管224的工作。晶体管224如下工作：
只要电压降小于第二阈值VTH2，晶体管224就被阻塞并作为开路开关工作；并且
如果电压降超过第二阈值VTH2，则晶体管224饱和并且作为闭合开关工作。
第二阈值VTH2对应于晶体管224的阈值电压。有利地，阈值电压VTH2在0.6V至1V之间。例如，阈值电压VTH2等于0.7V。在先前给出的例示性示例中，电压降部件21的电阻值R等于6Ω。在那种情况下，如果流过部件21的电流超过VTH2/R＝0.7/6≈116mA，则开关224导通。
由于第二阈值VTH2小于第一阈值VTH1，所以电压降可以在未达到VTH1的情况下或在达到VTH1之前超过VTH2。在这种情况下，第二开关224允许唤醒车辆中的电路的一个或更多个器件，特别是主安全器件1。当主安全器件1被重新启用时，车辆的计算器4(控制器)通过向锁存器部件223的复位或“R”输入端发送控制信号OFF来对辅安全器件2的过电流保护的P型晶体管20的关断进行控制。
提供控制器4，以控制主安全器件1和辅安全器件2的工作。更准确地说，控制器4控制：
在电路的第一工作模式中，导通主安全器件1的过电流保护的N型晶体管10，并且关断辅安全器件2的过电流保护的P型晶体管20；
在电路的第二工作模式中，关断主安全器件1的过电流保护的N型晶体管10，并且导通辅安全器件2的过电流保护的P型晶体管20；
第一工作模式比第二工作模式消耗更多的电力。
例如，控制器4是车辆的计算器。
现在将描述安全系统100的工作。
例如，当车辆以驱动模式工作时，其电路处于第一工作模式。在该第一工作模式中，主安全器件1以传统方式工作，以提供电路的过电流保护功能。过电流保护的N型晶体管10在控制器4的命令下被导通，并且作为闭合开关工作，使得电流可以流过晶体管10以及车辆电路的输入端子3a和输出端子3b。输入端子3a和输出端子3b通过N型晶体管10(闭合开关)彼此连接。
在该第一工作模式中，辅安全器件1被停用。这意味着过电流保护的P型晶体管20被关断并作为开路开关工作。因此，没有电流流过电压降部件21。电压降为零，因此第一开关220和第二开关224也被关断并作为开路开关工作。辅安全器件1的停用通常由从控制器4发送到锁存器部件223的置位输入端的脉冲信号“OFF”来触发。作为结果，来自锁存器部件223的输出信号控制第三开关221关断并作为开路开关工作。在这种状态下，晶体管20不接地，因此被关断。
然后，我们假设车辆停止并停放好。因此，该车辆的电路进入第二工作模式(或“停放模式”或“休眠模式”)。在该第二工作模式中，车辆的电子器件进入休眠模式，并且这些电子器件的电力消耗为零或接近于零。为了进入第二工作模式，控制器4向辅安全器件2发送使主安全器件1停用的控制信号OFF，同时发送使辅安全器件2启用的控制信号ON。
在主安全器件1接收到来自控制器4的控制信号OFF时，电荷泵21停止，并且因此过电流保护的N型晶体管10关断并作为开路开关工作。
在辅安全器件20中，由锁存器部件223的置位输入端接收来自控制器4的控制信号ON。因此，来自锁存器部件223的输出信号被改变，并因此控制第三开关221导通。因此，第三开关221在来自锁存器部件223的输出信号的控制下作为闭合开关工作。作为结果，P型晶体管20的命令门通过第三开关221接地，这导致作为闭合开关工作的P型晶体管20导通。因此，电路的输入端子3a和输出端子3b通过电压降部件21和P型晶体管20彼此连接。
在第二工作模式中，因为电路的大多数电子器件处于休眠或待机模式，所以通过电压降部件21的电流通常等于或接近于零。作为结果，由部件21提供的电压降等于或接近于零。因此，第一开关和第三开关被关断并作为开路开关工作。
在第二工作模式中，根据第一情形，由于车辆的一个或更多个电子器件完成的正常动作，使得流过电压降部件21的电流略微增加。电流的这种小的增加导致由部件21提供的电压降小的增加。例如，当具有非接触式钥匙的用户接近车辆时，可能发生这种情形。非接触式钥匙唤醒车辆内的一些器件，这导致电路中的电流增加。如果所产生的电压降超过第二阈值电压VTH2，则其具有导通第二开关224的效果。第三开关224在超过VTH2的电压降的控制下接通，并因此向电路发送唤醒信号。例如，来自第三开关225的唤醒信号用于启用或唤醒控制器4，然后控制器4可以通过向电荷泵21发送信号ON来启用主安全器件1，并且通过向锁存器部件223发送信号OFF来停用辅安全器件2。如前所示，由第二开关224提供的唤醒功能是可选的。
只要电压降保持在第一阈值VTH1以下，第一开关220就保持关断并继续作为开路开关工作。
在第二工作模式中，根据第二情形，流过电压降部件21的电流增加太多，这导致例如由于电路中的故障(过载、短路等)而引起的电压降的显著增加。在这种情况下，电压降通常在非常短的时间段内不仅超过第一阈值电压VTH1，而且还超过第二阈值电压VTH2。第一开关220在超过第一阈值VTH1的电压降的控制下导通。作为结果，第一开关220输出被发送到锁存器部件223的复位输入端的控制信号，该控制信号进而控制第三开关221在来自锁存器部件223的输出信号(其状态改变)的控制下的关断。在切断第三开关221时，过电流保护的P型晶体管20不再接地，并因此被关断。当晶体管20关断时，流过晶体管20的电流中断。因此实现了过电流保护。
在上述电压降超过第一阈值VTH1的第二情形中，电压降也超过第二阈值VTH2，并且因此，第二开关224被导通并向电路发送唤醒信号。
在特定实施方式中，第一开关220是MOSFET，并且第二开关224是双极晶体管。这种结构是有利的，因为双极晶体管的阈值电压通常小于MOSFET晶体管的阈值电压。因此，通过简单地使用这两种不同类型的晶体管的物理特性，允许提供用于过电流保护功能的“高”电压阈值VTH1以及“低”电压阈值VTH2。
在第一实施方式中，根据固定的过电流检测值(例如200mA)和第一开关的晶体管220的阈值电压(例如1.2V)来确定电压降部件21的电阻值。
在一种变型中，阈值电压VTH2不是等于晶体管224的阈值电压，而是取决于与电阻元件联接的晶体管224的阈值电压。
在另一变型中，阈值电压VTH1不是等于晶体管220的阈值电压，而是取决于与电阻元件联接的晶体管220的阈值电压。
这种配置允许调整阈值电压值VTH1和/或VTH2。
电气安全系统的第二实施方式类似于第一实施方式，并且不同之处仅在于辅安全器件不包括第二开关224。

Claims (10)

1.一种提供电路的过电流保护的电气安全系统(100)，所述电气安全系统(100)包括：主安全器件(1)，所述主安全器件(1)包括提供所述电路的过电流保护的第一晶体管(10)；辅安全器件(2)，用于提供所述电路的过电流保护，所述主安全器件(1)和所述辅安全器件(2)并联连接并且分别在所述电路的第一工作模式和第二工作模式中交替使用，以提供所述过电流保护，
其中，所述辅安全器件(2)包括：P型晶体管(20)；无源部件(21)，所述无源部件(21)与所述P型晶体管(20)串联连接并且在电流通过所述无源部件(21)时提供电压降；以及驱动电路(22)，所述驱动电路(22)在超过第一阈值(VTH1)的所述电压降的控制下对所述P型晶体管(20)的关断进行控制，
其中，所述驱动电路(22)包括第一开关(220)和第二开关(224)，所述第一开关和所述第二开关均连接到所述无源部件(21)的两个端子并且由通过所述无源部件(21)的电压降控制，
其中，所述第一开关(220)被配置为：
只要所述电压降未超过所述第一阈值(VTH1)，就关断，并且
在超过所述第一阈值(VTH1)的所述电压降的控制下导通，以输出用于对所述P型晶体管(20)的关断进行控制的控制信号；并且
其中，所述第二开关(224)被配置为：
只要所述电压降未超过第二阈值(VTH2)，就关断，所述第二阈值小于所述第一阈值，并且
在超过所述第二阈值(VTH2)的电压降的控制下导通，然后发送唤醒信号以重新启用所述主安全器件。
2.根据权利要求1所述的电气安全系统(100)，其特征在于，提供所述电压降的所述无源部件(21)包括电阻元件。
3.根据权利要求1所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述第一开关(220)是双极晶体管或MOSFET晶体管。
4.根据权利要求1所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述驱动电路(22)还包括第三开关(221)，所述辅安全器件(2)的P型晶体管(20)通过所述第三开关(221)接地。
5.根据权利要求4所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述第三开关(221)是N型晶体管。
6.根据权利要求4或5所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述驱动电路(22)还包括：利用输出信号来对所述第三开关(221)进行控制的锁存器部件(223)，所述输出信号取决于通过所述锁存器部件(223)的复位输入端或置位输入端接收到的控制信号，并且所述第一开关(220)被配置成向所述锁存器部件(223)输出控制信号。
7.根据权利要求1所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述第二开关(224)是双极晶体管或MOSFET晶体管。
8.根据权利要求1所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述第一开关(220)是MOSFET晶体管，并且所述第二开关(224)是双极晶体管。
9.根据权利要求1所述的电气安全系统(100)，其特征在于，所述主安全器件的所述第一晶体管是N型晶体管。
10.一种车辆，所述车辆集成了根据权利要求1至9中任一项所述的电气安全系统。
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