CN112446887A - 晶圆切割晶片数计算方法及计算设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备，该计算方法包括：建立二维坐标系，确定晶片分布阵列；任定定点晶片，按较大的第一步进值在定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并取有效晶片数最大的晶圆中心作为可行位置；通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域；按较小的第二步进值在可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数，以最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。通过启发算法的思想，快速确定可行区域，缩小搜索范围，然后在可行区域内精准搜索，确定最大晶片数，由此缩短计算时间。

Description

晶圆切割晶片数计算方法及计算设备

技术领域

本发明涉及半导体切割工艺领域，尤其涉及一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备。

背景技术

在对晶圆进行加工前，需要明确晶圆的切割图案及能够切割的有效晶片(die)的数量，每一晶片在加工后可切割成一单独的芯片。为了节省成本，增加产量，需要合理设计晶圆的切割图案以获取最大的有效晶片数量。目前，常通过以下公式得到晶圆上有效晶片的数量X，即

然而，通过该公式计算得到的数据并不精确，与晶圆实际能够切割的最大晶片数量存在偏差。也有通过步进算法(stepping algorithms)来计算晶圆上有效晶片的数据，然而该计算过程复杂且耗时较长。

发明内容

基于此，本申请提出一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备，有利于实现快速精确地计算出晶圆可切割的最大晶片数。

为解决上述技术问题，本申请提出一种技术方案：晶圆切割晶片数计算方法，包括：

建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列；

任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；

通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域；

确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

上述晶圆切割晶片数计算方法，先根据已知的晶片尺寸确定晶片分布阵列，可以理解的，在晶片分布阵列中，各相邻晶片之间仅存在最小的切割间隙，在确定坐标系后，各个晶片中心坐标也确定。以较大的第一步进值在定点晶片内进行搜索，以搜索的每个点作为晶圆中心并确定晶圆在晶片分布阵列中的第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域内的有效晶片数，选出有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置，通常会存在多个可行位置，利用连接线将多个可行位置连接形成可行区域，根据启发式算法的机制，将当前最大的有效晶片数记为第一有效晶片数，若晶圆中心处于其他区域时还存在比第一有效晶片数更大的有效晶片数，那么，能取得更大有效晶片数的晶圆中心极有可能位于该可行区域内。因此，在确定可行区域后，在可行区域内按照较小的第二步进值进一步搜索整个可行区域，以可行区域搜索的各个点为晶圆中心再次确定晶圆的第二覆盖区域，比较各第二覆盖区域内的有效晶片数，最大有效晶片数即为最佳切割晶片数。在本申请中，先以较大的第一步进值快速确定可行区域，只在可行区域内进行精准搜索，缩小精准搜索的范围，然后以较小的第二步进值精确搜索可行区域，判断是否具有更优值，从而大大缩短计算时间。

在其中一个实施例中，所述确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，包括：

将所述定点晶片均匀划分为多个区间，各所述区间呈正方形且各所述区间的边长等于所述第一步进值，分别以每个区间的对角点作为晶圆中心确定晶圆的各第一覆盖区域。

在其中一个实施例中，所述可行区域还包括与所述连接线的距离小于预设距离的区域，所述预设距离等于所述第一步进值的一半。

在其中一个实施例中，所述按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，包括：

以所述第二步进值为当前步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定当前第二覆盖区域，计算当前第二覆盖区域的有效晶片数，若当前第二覆盖区域的有效晶片数大于第一覆盖区域的最大有效晶片数，标记当前第二覆盖区域的晶圆中心为较佳中心，比较各第二覆盖区域的有效晶片数。

在其中一个实施例中，当找到两个较佳中心时，所述方法还包括：

计算两个所述较佳中心之间的间距，若两个所述较佳中心之间的间距大于第二步进值，则增大步进值且增大后的步进值不超过两个所述较佳中心之间的间距，以增大后的步进值作为当前步进值移动晶圆中心并继续确定晶圆的第二覆盖区域直至完成所述可行区域的搜索。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以所述定点晶片位于所述单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式；

取具有所述最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，计算分别采用各所述曝光方式对所述优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为所述优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。

在其中一个实施例中，当所述优选晶圆覆盖区域有多个时，且各所述优选晶圆覆盖区域所需的最少曝光次数相同时，所述方法还包括：

确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各所述优选晶圆覆盖区域边缘与内部的有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为最佳晶圆覆盖区域。

为解决上述技术问题，本申请提出的另一种技术方案为：一种晶圆切割晶片数计算设备，包括：

坐标建立模组，用于建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列；

可行位置确定模组，用于任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；

可行区域确定模组，用于通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域；

最佳切割晶片数确定模组，用于确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

上述晶圆切割晶片数计算设备，通过可行区域确定模组，先利用启发算法的思想，快速确定精准搜索的范围，然后在可行区域内进行精准搜索，找到最大的有效晶片数，大大缩短了计算时间。

在其中一个实施例中，还包括：

曝光方式确定模组，用于确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以所述定点晶片位于所述单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式，取具有所述最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，计算采用各所述曝光方式对所述优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为所述优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。

在其中一个实施例中，还包括：

最佳晶圆覆盖区域确定模组，用于当优选晶圆覆盖区域有多个时，且各所述优选晶圆覆盖区域所需的最少曝光次数相同时，确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各所述优选晶圆覆盖区域边缘与内部的有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为最佳晶圆覆盖区域。

附图说明

图1为本申请一实施例中晶圆切割晶片数计算方法的步骤流程图；

图2为本申请一实施例中在坐标系中的晶片分布阵列；

图3a为本申请一实施例中晶圆中心在定点晶片内各区间的分布示意图；

图3b为本申请另一实施例中晶圆中心在定点晶片内各区间的分布示意图；

图4为本申请一实施例中单次曝光区域内晶片位置分布图；

图5a为本申请一实施例中定片晶片位于A1位置的曝光示意图；

图5b为本申请一实施例中定片晶片位于A2位置的曝光示意图；

图5c为本申请一实施例中定片晶片位于A5位置的曝光示意图；

图6a为本申请一实施例中优选晶圆覆盖区域及其晶片分布阵列示意图；

图6b为本申请一实施例中对应图6a中410的放大示意图；

图7为本申请一实施例中晶圆切割晶片数计算设备的结构框图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所述，晶圆切割晶片数计算方法包括以下几个步骤：

步骤S110：建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列。

如图2所示，以X轴为横坐标，Y轴为纵坐标，建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在二维坐标系中确定晶片分布阵列100，并可获知晶片分布阵列100中的各个晶片的中心坐标。可以理解的，在晶圆切割工艺中，为便于切割，每行晶片和每列晶片均排布整齐，且为了获取最大的晶圆切割数，相邻晶片之间的间距为最小的切割间隙。

步骤S120：任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置。

在晶片分布阵列中，任取一个晶片作为定点晶片，晶圆中心设于该定点晶片内，且晶圆中心位于定点晶片内的不同位置时，对应的晶圆覆盖区域内有效晶片数不同，因此，需要在该定点晶片内找到具有最大有效晶片数的晶圆中心。

在本申请中，设定第一步进值，按第一步进值搜索定点晶片，以每个搜索点作为晶圆中心，以晶圆中心为圆心，以晶圆半径为半径画圆，圆内区域即为晶圆第一覆盖区域，每个晶圆中心的间距相等为第一步进值。在一具体实施例中，如图3a所示，通过分割线(图3a虚线)将定点晶片110划分为多个呈正方形的区间111，区间111的边长等于第一步进值，以每个区间111的对角点作为晶圆中心确定晶圆第一覆盖区域，此时，相邻晶圆中心之间的间距为第一步进值。在其他实施例中，也可在每个区间内任取一点作为晶圆中心，只要保证相邻晶圆中心之间的间距相等即可，如图3b所示，也可以以每个区间111的中心作为晶圆中心。如图2所示的圆圈围绕区域为其中的一个第一覆盖区域200，第一覆盖区域确定后，计算其中的有效晶片数，其中，有效晶片指的是落入第一覆盖区域内的完整的晶片，如图2所示的阴影部分的晶片为落入第一覆盖区域200内的有效晶片。比较各第一覆盖区域的有效晶片数，取其中最大值并记为第一数值G1，同时，将具有最大有效晶片数的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置，如图3a所示的实心点为找到的可行位置310，即晶圆中心设于实心点处时，对应的第一覆盖区域内具有G1个有效晶片数，而晶圆中心设于空心点处时，对应的第一覆盖区域内的有效晶片数小于G1。

在本步骤中，第一步进值可根据需要设定，第一步进值越小，搜索越精确，得到的可行区域越小，步骤S120所花的计算时间也相应较长；反之，第一步进值越大，步骤S120中的搜索越粗糙，得到的可行区域范围越大，步骤S120所花的计算时间也相应较短。相应的，当将定点晶片划分为多个区间时，区间111的个数M越大，步骤S120中的搜索越精确，得到的可行区域范围越小，步骤S120所花的计算时间也相应较长；反之，M越小，步骤S120中的搜索越粗糙，得到的可行区域范围越大，步骤S120所花的计算时间也相应较短。在一实施例中，第一步进值的范围为90μm至110μm，具体可取100μm。需要说明的是，第一步进值的上述取值范围是根据经验而设，但并不限定于该取值范围，也可以是其他范围的取值。

步骤S130：通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域。

如图3a或3b所示，通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，可行区域包括连接线以及连接线围合的区域。

通常，通过步骤S120可找到多个可行位置310，由于在步骤S120中，是以第一步进值寻找有效晶片最大值，此时，在定点晶片110内的搜索步进值较大，搜索精度不高，因此，当通过步骤S120在晶片110内找到多个可行位置310，该可行位置310有可能并不是取得最佳切割晶片数的最佳晶圆中心位置，当晶圆中心处于定点晶片110中除可行位置310外的其他位置时，有可能出现有效晶片数大于第一数值G1的情况。根据启发式算法的思想，若还存在有效晶片数大于第一数值G1的情况，则对应的晶圆中心极有可能位于上述可行区域320内。因此，通过步骤S130，快速确定可行区域130，以便缩小后续的精准搜索范围。

在一实施例中，如图3所示，以连接线为基准，将连接线周围与连接线之间的距离小于预设距离的区域也归于可行区域320内，即将可行区域320的范围适当扩大，可行区域320除包括连接线和连接线所围合的区域，还包括与连接线的距离小于预设距离的区域。在本实施例中，将可行区域320的范围适当放大，可增加寻得最佳切割晶片数的机会。其中，预设距离可根据实际情况设定，一般不大于第一步进值，即不大于区间边长。在一实施例中，预设距离等于第一步进值的一半。进一步的，第一步进值的范围为90μm至110μm，具体可取100μm，预设距离的范围可为40μm至60μm，具体可取50μm。

步骤S140：确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

通过步骤S130，已经确定了可行区域320，具有最佳切割晶片数对应的晶圆中心极有可能位于该可行区域320内，因此，在可行区域320内进一步进行精准搜索，便能找到最佳值。

具体的，先要确定第二步进值，该第二步进值越小，搜索越精确，找到最佳值的概率越高。第二步进值小于第一步进值，一般第二步进值与第一步进值之间相差一到两个数量级。在一实施例中，第二步进值的取值范围为0.5μm～1.5μm，具体可取1μm。按照第二步进值在可行区域320内移动晶圆中心并确定各晶圆中心对应的晶圆第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域内的有效晶片数，比较各第二覆盖区域内的有效晶片数，取其中最大值并记为第二数值G2，以作为最终的晶圆切割晶片数。需要说明的是，可行区域320包括上述可行位置310，对可行区域320的搜索也包括对可行位置310的搜索，因此，G2≥G1。

在一实施例中，按第二步进值在可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，具体包括：以第二步进值为当前步进值在可行区域内移动晶圆中心并确定当前第二覆盖区域，计算当前第二覆盖区域的有效晶片数，若当前第二覆盖区域的有效晶片数大于第一覆盖区域的最大有效晶片数，标记当前第二覆盖区域的晶圆中心为较佳中心比较各第二覆盖区域的有效晶片数，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

进一步的，当找到前两个较佳中心时，计算前两个较佳中心之间的间距，若前两个较佳中心之间的间距大于第二步进值，则增大步进值，以增大后的步进值作为当前步进值移动晶圆中心并重新确定晶圆的第二覆盖区域直至完成可行区域的搜索。例如，当对可行区域320进行搜索时，第二步进值为1μm，在找到第一个较佳中心和第二个较佳中心时，计算第一个较佳中心和第二个较佳中心的间距，若该间距均远大于5μm，则在后续的搜索过程中，将第二步进值由1μm增大至5μm，1μm和5μm二者的差为步进增加值，然后以5μm为步进值继续移动晶圆中心重新确定第二覆盖区域，直至搜索完成，以缩短搜索时间。上述第二步进值和步进增加值的具体取值是根据本领域技术人员的经验所设定，也可以选定其他数值。

上述晶圆切割晶片数计算方法，先根据已知的晶片尺寸确定晶片分布阵列，在确定坐标系后，各个晶片中心坐标也确定。选取晶片分布阵列中的任意一个晶片作为定点晶片，以第一步进值搜索定点晶片并以各搜索点作为晶圆中心，选出其中具有最大有效晶片数的晶圆中心作为可行位置，根据启发式算法的机制，连接可行位置形成可行区域，在确定可行区域后，在可行区域内按第二步进值进一步精确搜索整个可行区域，以可行区域搜索的各个点为晶圆中心再次找出其中的最大有效晶片数，从而得到最佳晶圆切割晶片数。在本申请中，先按较大的第一步进值快速确定可行区域，再按较小的第二步进值在可行区域内进行精准搜索，缩小精准搜索的范围，大大缩短计算时间。通过上述步骤S110～S140，确定了最佳切割晶片数，以具有最佳切割晶片数的第二覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，便确定了晶圆内具有最佳切割晶片数的晶片的分布。

在一实施例中，上述方法还包括：

步骤S150：确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以定点晶片位于单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式，取具有最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，计算采用各曝光方式对优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。

在半导体工艺制程中，当确定晶圆内晶片分布方式后，以及在晶片切割之前，会先对各晶片进行加工处理，将各晶片加工成芯片后，再进行切割。加工过程通常会涉及到曝光工艺，由于晶圆尺寸较大，曝光机一次曝光仅能实现数个晶片的曝光，难以通过一次曝光完成晶圆上所有晶片的曝光，因此，要完成晶圆上所有晶片的曝光，需要进行多次曝光。

在本实施例中，获取曝光机单次曝光区域内的晶片分布图案，如图4所示，例如曝光机单次曝光区域内具有9个呈阵列分布的晶片，即曝光机一次能曝光9个呈该阵列分布的晶片。定义该单次曝光区域内9个晶片的位置分别为A1～A9，分别以其中的一个晶片位置作为上述定点晶片110的位置，得到9种不同的曝光方式。确定优选晶圆覆盖区域、优选晶圆覆盖区域内的晶片分布和定点晶片后，便能确定晶圆上需要曝光的晶片数和晶片分布，计算分别采用上述9种曝光方式对优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数。如图5a所示为定点晶片(阴影部分)位于单次曝光区域的A1位置，图中的每个粗线条方框包括9个晶片，代表一次曝光区域，经计算，定点晶片位于单次曝光区域的A1位置时，晶圆需要曝光33次才能完成对晶圆内的所有晶片完成曝光；如图5b所示为定点晶片(阴影部分)位于单次曝光区域的A2位置，经计算，晶圆需要曝光36次才能完成对晶圆内的所有晶片完成曝光；如图5c所示为定点晶片(阴影部分)位于单次曝光区域的A5位置，经计算，晶圆需要曝光37次才能完成对晶圆内的所有晶片完成曝光。以上只列举其中的几种曝光方式，定点晶片位于单次曝光区域的其他位置的曝光方式以此类推。由此可以看出，定点晶片位于单次曝光区域的不同位置时，晶圆完成曝光所需的曝光次数并不相同，比较定点晶片位于单次曝光区域内各个位置时晶圆曝光所需次数，选择最少的曝光次数所对应的曝光方式，以节省曝光时间和曝光成本。

在一实施例中，当通过步骤S110～步骤S150确定的晶圆优选晶圆覆盖区域有多个，且每个优选晶圆覆盖区域所需要的最少曝光次数也相同时，上述方法还包括：

步骤S160：确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各所述优选晶圆覆盖区域边缘与内部有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为晶圆切割覆盖区域。

在本实施例中，如图6a和6b所示，优选晶圆覆盖区域400以及其内部晶片分布阵列确定，优选晶圆覆盖区域400内的有效晶片覆盖区域为图6a中的阴影部分，有效晶片覆盖区域的边缘由位于最外围的有效晶片的边缘构成，定义有效晶片覆盖区域边缘与优选晶圆覆盖区域边缘之间的间距为第一间距。由于晶圆不同位置的应力不同，越靠近边缘的晶圆应力越不稳定，且靠近边缘的晶圆硬度也较硬，应力不稳定或是硬度较大，均利于晶片的加工，因此，当通过上述步骤得到多个优选晶圆覆盖区域后，选择以第一间距最大的为最佳晶圆切割覆盖区域，使有效晶片尽量远离晶圆边缘，以提高产品良率。在一实施例中，位于最外围的有效晶片与优选晶圆覆盖区域400的边缘具有最小间距，取位于最外围的各个有效晶片边缘与优选晶圆覆盖区域400的边缘之间的最小间距组成一组按大小顺序排列的数组，取该数组的中位数作为上述第一间距。其中，有效晶片边缘与优选晶圆覆盖区域400的边缘之间的间距，指的是有效晶片边缘上的各点与优选晶圆覆盖区域400边缘切线之间的垂直距离。在具体计算时，如图6b所示，以优选晶圆覆盖区域400在平行于图中Y轴方向的直径ss’为界，当有效晶片411位于图中的左下方时，有效晶片411与优选晶圆覆盖区域400的最小距离d1为优选晶圆覆盖区域的半径减去优选晶圆覆盖区域中心与该有效晶片左下方顶点的距离；当有效晶片412位于图中的右下方时，有效晶片412与优选晶圆覆盖区域400的最小距离d2为优选晶圆覆盖区域的半径减去优选晶圆覆盖区域中心与该有效晶片右下方顶点的距离；同理，当有效晶片位于图中的左上方时，有效晶片与优选晶圆覆盖区域400的最小距离为优选晶圆覆盖区域的半径减去优选晶圆覆盖区域中心与该有效晶片左上方顶点的距离；当有效晶片位于图中的右上方时，有效晶片与优选晶圆覆盖区域400的最小距离为优选晶圆覆盖区域的半径减去优选晶圆覆盖区域中心与该有效晶片右上方顶点的距离。

本申请还涉及一种晶圆切割晶片数计算设备，用于实现上述晶圆切割晶片数计算方法，如图7所示，该晶圆切割计算设备包括坐标建立单位、可行位置确定模组、可行区域确定模组、最佳切割晶片数确定模组，其中，坐标建立单位用于建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在二维坐标系中确定晶片分布阵列；可行位置确定模组用于任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按第一步进值在定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；可行区域确定模组用于通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，可行区域包括连接线以及连接线围合的区域，最佳切割晶片数确定模组用于确定第二步进值，第二步进值小于第一步进值，按第二步进值在可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。在一实施例中，上述计算设备还包括曝光方式确定模组，曝光方式确定模组用于取具有最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以定点晶片位于单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式，计算采用各曝光方式对优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。在一实施例中，上述计算设备还包括最佳晶圆覆盖区域确定模组，用于当优选晶圆覆盖区域有多个时，且各优选晶圆覆盖区域所需的最少曝光次数相同时，确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各优选晶圆覆盖区域边缘与内部的有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为最佳晶圆覆盖区域。具体的，各模组的具体工作方式已在上文详细介绍，在此不再赘述。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种晶圆切割晶片数计算方法，其特征在于，包括：

建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列；

任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；

通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域；

确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

2.如权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，包括：

将所述定点晶片均匀划分为多个区间，各所述区间呈正方形且各所述区间的边长等于所述第一步进值，分别以每个区间的对角点作为晶圆中心确定晶圆的各第一覆盖区域。

3.如权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述可行区域还包括与所述连接线的距离小于预设距离的区域，所述预设距离等于所述第一步进值的一半。

4.如权利要求1至3任一项所述的计算方法，其特征在于，所述按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，包括：

以所述第二步进值为当前步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定当前第二覆盖区域，计算当前第二覆盖区域的有效晶片数，若当前第二覆盖区域的有效晶片数大于第一覆盖区域的最大有效晶片数，标记当前第二覆盖区域的晶圆中心为较佳中心，比较各第二覆盖区域的有效晶片数。

5.如权利要求4所述的计算方法，其特征在于，当找到两个所述较佳中心时，所述方法还包括：

计算两个所述较佳中心之间的间距，若两个所述较佳中心之间的间距大于第二步进值，则增大步进值且增大后的步进值不超过两个所述较佳中心之间的间距，以增大后的步进值作为当前步进值移动晶圆中心并继续确定晶圆的第二覆盖区域直至完成所述可行区域的搜索。

6.如权利要求1至5任一项所述的计算方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以所述定点晶片位于所述单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式；

取具有所述最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，计算分别采用各所述曝光方式对所述优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为所述优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。

7.如权利要求6所述的计算方法，其特征在于，当所述优选晶圆覆盖区域有多个时，且各所述优选晶圆覆盖区域所需的最少曝光次数相同时，所述方法还包括：

确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各所述优选晶圆覆盖区域边缘与内部的有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为最佳晶圆覆盖区域。

8.一种晶圆切割晶片数计算设备，其特征在于，包括：

坐标建立模组，用于建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列；

可行位置确定模组，用于任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；

可行区域确定模组，用于通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域；

最佳切割晶片数确定模组，用于确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

9.如权利要求8所述的计算设备，其特征在于，还包括：

曝光方式确定模组，用于确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以所述定点晶片位于所述单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式，取具有所述最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，计算分别采用各所述曝光方式对所述优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为所述优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。

10.如权利要求9所述的计算设备，其特征在于，还包括：

最佳晶圆覆盖区域确定模组，用于当所述优选晶圆覆盖区域有多个时，且

各所述优选晶圆覆盖区域所需的最少曝光次数相同时，确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各所述优选晶圆覆盖区域边缘与内部的有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为最佳晶圆覆盖区域。

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