TW201333885A - 晶片瑕疵檢測法 - Google Patents
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Abstract
一種晶片瑕疵檢測法，為以晶片原始影像為基礎進行晶片影像萃取，及以二元化晶片邊緣影像與邊緣像素統計分佈方法進行瑕疵檢測，使得可於封裝過程中，以自動化方式將大於篩檢標準而會影響晶片品質之瑕疵進行定量上準確之篩檢。因此，所提出之檢測法係具有計算簡單、高檢測效能及可判別瑕疵形態與尺寸等特點，可大幅提昇晶片瑕疵檢測之效能與正確率，進而達到節省大量之品質檢測人力、時間與成本。
Description
本發明係有關於一種晶片瑕疵檢測法，尤指涉及一種以晶片原始影像及二元化邊緣影像為基礎，進行晶片影像萃取及晶片瑕疵檢測，特別係指可高效能地將大於篩檢標準而會影響晶片品質之瑕疵進行定量上準確篩檢之方法。
先前之瑕疵檢測系統採面陣列取像裝置，因鏡頭之暗角效應(fall-off effect)與幾何形變等因素，其每張影像須進行輻射度與幾何修正，且對大於一個像幅之較長晶片必須採分段、停頓方式進行取像，及進行影像拼接，以得到一幅檢測用之完整晶片影像，其演算法複雜而耗時，檢測效能不佳，無法滿足檢測效能之需求。目前市場上(例如威控公司之封裝機台)均為此種型態之檢測法。
故，一般習用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。
本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提供一種以二元化晶片邊緣影像為基礎之辨識技術進行瑕疵檢測，可大幅提高檢測效能與檢測正確性之晶片瑕疵檢測法。
為達以上之目的，本發明係一種晶片瑕疵檢測法，係以晶片原始影像為基礎之處理程序，其至少包含下列步驟：(A)晶片影像擷取程序，係包含邊緣偵測(Edge Detection)、晶片四條邊緣線之解算(Chip Boundaries Derivation)、晶片四個角點之解算(Chip Corners Derivation)、仿射轉換參數解算(Parameters Derivation of Affine Transformation)及晶片影像切割(Chip Image Segmentation)之處理流程，用以從原始影像中進行該邊緣偵測，於取得原始邊緣影像後，經由該晶片四條邊緣線與四個角點之解算，分別取得晶片邊緣線之邊緣點位及其四個角點之位置，再經過該仿射轉換參數解算後取得晶片影像之座標，最後透過該晶片影像切割，依該原始影像與該晶片影像之座標定義，以該原始影像及該原始邊緣影像為基礎，並依影像之仿射轉換關係式，擷取與分割出晶片範圍之影像，俾以取得晶片影像(Chip Image)與晶片邊緣影像(Chip Edge Image)；以及(B)晶片瑕疵檢測程序，係以上述晶片邊緣影像為基礎，依瑕疵模式及其出現之區域，以檢測掃瞄窗(Scan Window)逐區掃瞄受檢晶片之邊緣影像，計算其水平方向與垂直方向之邊緣像素統計分佈，並移除其無瑕疵之檢測樣版(Template)之邊緣像素統計分佈之效應，然後依兩方向之邊緣像素統計分佈之像素寬度(Number of Pixel)，進行晶片之晶裂(Crack)、缺角(Chipping)及殘膠(Residual Glue)之瑕疵篩檢，以及晶裂角度之解算。
請參閱『第1圖』所示，係本發明之晶片瑕疵檢測流程示意圖。如圖所示：本發明係一種晶片瑕疵檢測法，為以二元化晶片邊緣影像為基礎之辨識技術進行瑕疵檢測，可大幅提高檢測效能與檢測正確性。當運用時，係以晶片之原始影像及邊緣影像為基礎，對晶片上之大於篩檢標準而會影響品質之瑕疵進行定量上精確之檢測，其檢測步驟主要包含：(A)晶片影像擷取程序1，係包含邊緣偵測(Edge Detection)、晶片四條邊緣線之解算(Chip Boundaries Derivation)、晶片四個角點之解算(Chip Corners Derivation)、仿射轉換參數解算(Parameters Derivation of Affine Transformation)及晶片影像切割(Chip Image Segmentation)之處理流程，用以從原始影像中進行該邊緣偵測，於取得原始邊緣影像後，經由該晶片四條邊緣線與四個角點之解算，分別取得晶片邊緣線之邊緣點位及其四個角點之位置，再經過該仿射轉換參數解算後取得晶片影像之座標，最後透過該晶片影像切割，依該原始影像與該晶片影像之座標定義，以該原始影像及該原始邊緣影像為基礎，並依影像之仿射轉換關係式，擷取與分割出晶片範圍之影像，俾以取得晶片影像(Chip Image)與晶片邊緣影像(Chip Edge Image)；以及(B)晶片瑕疵檢測程序2，係以上述晶片邊緣影像為基礎，依瑕疵模式及其出現之區域，以檢測掃瞄窗(Scan Window)逐區掃瞄受檢晶片之邊緣影像，計算其水平方向與垂直方向之邊緣像素統計分佈，並移除其無瑕疵之檢測樣版(Template)之邊緣像素統計分佈之效應，然後依兩方向之邊緣像素統計分佈之像素寬度(Number of Pixel)，進行晶片之晶裂(Crack)、缺角(Chipping)及殘膠(Residual Glue)之瑕疵篩檢，計算其瑕疵大小並查驗是否大於篩檢標準，以及晶裂角度之解算。
利用檢測掃瞄窗影像的水平方向及垂直方向的邊緣像素統計分佈，計算晶裂在兩方向的邊緣像素分佈及其長度分量，以解算得到晶裂與晶片邊線之法線的夾角，即晶裂角度。
至於圖中所示影像輻射度與幾何校正程序，依據晶片瑕疵檢測裝置之需求與規格，其係選用具有相對照度變易與幾何形變均很小之光學鏡頭，及高性能線陣列取像儀，例如採用Schneider MRV 4.5/85鏡頭及Basler sprint spL2048-140km線掃瞄儀，其鏡頭從光軸至邊緣區之相對照度變易與幾何形變分別為小於3%與0.2%，；每一晶片直接對應一幅影像，不需拼接；且取像時受檢晶片盡量定位於鏡頭之中央區域，故對檢測精度幾乎無影響。因此，鑑於其採用之光學取像模組之幾何與輻射度變易均很小，可不影響檢測精度要求而可加以忽略，故本發明之檢測法係可忽略影像輻射度與幾何修正程序，進而達到大幅提昇系統之檢測效能。
上述所提之晶片瑕疵檢測裝置主要由一光機取像模組及一影像擷取模組所組成之線陣列影像擷取模組；一取像區照明控制機構及一控制電路所組成之照明控制模組；一取像時序控制單元、一影像資料讀取與儲存單元、一影像資料處理(Region Of Interest,ROI)單元及一瑕疵檢測單元所組成之瑕疵檢測模組；以及一系統操作與管理之圖形操作介面(Graphical User Interface,GUI)單元、一系統型態設定單元、一系統狀態記錄與顯示單元及一檢測結果之記錄、顯示與統計單元所組成之操作管理模組所構成。可使晶片於封裝過程中，以自動化之方式進行快速之瑕疵檢測，可大幅降低人力與時間成本，及提高產品之品質控管。
請參閱『第2圖～第4圖』所示，係分別為本發明之原始影像與晶片影像之座標定義示意圖、本發明之晶片影像擷取程序之流程示意圖、及本發明之晶片四個角點解算示意圖。如圖所示：上述所提之步驟(A)晶片影像擷取程序，係從影像中擷取出感興趣區(Region Of Interest,ROI，即晶片區)影像，其原始影像與晶片影像之座標定義如第2圖所示，兩個影像間之幾何對應則係以仿射轉換關係式來定義(請見後述)。其中，原始影像及晶片影像之大小係與線陣列取像儀之CCD數及受檢晶片之長度有關。
於一較佳實施例中，在檢測晶片之瑕疵之前，須先從原始影像中進行邊緣偵測，並擷取與分割出晶片範圍之影像，如第3圖所示為晶片影像擷取程序之處理流程，可得到晶片影像與晶片邊緣影像，詳細之演算流程分述如下：
[處理流程a1] 邊緣偵測11
(a11)設定邊緣偵測之範圍：依受檢晶片之長寬尺寸為參數，設定邊緣偵測之範圍；即以晶片寬度為參考值，在其兩邊各加上若干裕度之寬度，因此可節省可觀之處理時間，以達到快速(即時)檢測之處理需求，進而提高晶片擷取及後續影像處理之效能；
(a12)以坎尼(Canny)邊緣偵測法對該原始影像進行原始邊緣影像之獲取。
[處理流程a2] 晶片四條邊緣線之解算12
(a21)利用八鄰近連通法(Connected Component of 8-Neighbor)對該原始邊緣影像進行運算，將有關係之邊緣點連接在一起，形成數個集合，並加以標記；
(a22)進行每個標記集合之面積計算，並設定閥值(Threshold)以獲得可能為晶片之邊緣線點；以及
(a23)儲存可能為晶片邊緣線之邊緣點位。
[處理流程a3] 晶片四個角點之解算13
(a31)利用邊緣點之位置分別與參考點(RefPoint)計算其距離，以找出晶片四個角點之位置，如第4圖所示，Corner-1與參考點之距離(R1)最短；Corner-2與參考點之距離(R2)第二短，R1<R2<R4；Corner-3與參考點之距離(R3)最長；及Corner-4與參考點之距離(R4)第三短，R2<R4<R3；
(a32)將晶片之四個邊緣線點標記為四組邊緣點集合；
(a33)分別求取四條邊緣線之方程式，因靠近角點之邊緣點可能會受到缺角之影響，故以間隔取樣方式選擇不含晶片角附近點之足夠(例如30個)邊緣點，經由最小平方擬合(Least Square Fitting)進行最小平方近似解之運算，利用選擇之邊緣點近似出一條直線方程式：
Y=β0+β1X (1)
其中β1= (2)
於其中，首先求出Xi以及Yi，再將此與代入(2)式可求得β 1，並將β 1代入(3)式可求得β 0，最後將β 0與β 1代入(1)式即可求得直線方程式；以及
(a34)求出邊緣線之四個交點為正確之晶片角點(Corner)位置，其中：
其中a12=a22=-1；b1=-β 01；b2=-β 02；a11=β 1 1；以及a21=β 12。
[處理流程a4] 仿射轉換參數解算14
利用Corner-1與Corner-4計算晶片偏轉角度，並定義逆時針方向旋轉為正偏轉角，其方程式表示如下：
以左上角Corner-1為參考原點，計算旋轉後之晶片(邊緣)影像座標。
X'=(X-X1)cosθ+(Y-Y1)sinθ
Y'=-(X-X1)sinθ+(Y-Y1)cosθ
其中，X、Y為原始影像之座標位置；X’、Y’為晶片影像之座標位置，其單位須至次像元(Sub-Pixel)等級。故影像仿射轉換關係式如下：
X=X'cos θ-Y'sin θ+X1
Y=X'sin θ+Y'cos θ+Y1
[處理流程a5] 晶片影像切割15
依第2圖之原始影像與晶片影像之座標定義，以原始影像及原始邊緣影像為基礎，及依前述求得影像之仿射轉換關係式，可得到晶片影像與晶片邊緣影像，其演算流程如下：
(a51)依晶片影像大小(line,sample)為參數，建立晶片影像與晶片邊緣影像之格點系統；
(a52)分別將晶片影像與晶片邊緣影像座標上之影像格點，利用仿射轉換關係式求得其在原始影像與原始邊緣影像座標上之影像格點位置；以及
(a53)晶片影像之灰階值以雙線性內插法(Bilineaf interpolation,BL)進行重取樣(Resampling)，晶片邊緣影像則以最鄰近法(Nearest Neighboring,NN)解算，以獲得各點位之灰階值與邊緣像素值。
請參閱『第5圖～第8圖』所示，係分別為本發明之晶片瑕疵檢測程序之流程示意圖、本發明晶片檢測之三種瑕疵模式及其位置分佈示意圖、本發明之殘膠瑕疵檢測之邊緣像素統計分佈示意圖、本發明之缺角瑕疵檢測之邊緣像素統計分佈示意圖、本發明之晶裂瑕疵檢測之邊緣像素統計分佈示意圖、及本發明之晶裂角度解算示意圖。如圖所示：於完成前述之晶片影像擷取程序之處理流程，得到晶片邊緣影像之後，進行晶裂、缺角及殘膠等瑕疵之檢測程序，若晶片存有晶裂且大於篩選規格，則進行晶裂角度之解算。
依照瑕疵之位置分佈，可分成三種瑕疵模式，須先建立其檢測樣版，如第5、6圖所示，以進行瑕疵檢測程序：
(b1)瑕疵模式-1檢測殘膠21：殘膠為分佈於晶片中間區域，其無殘膠瑕疵之檢測樣版為31；
(b2)瑕疵模式-2檢測缺角22：係分佈於晶片四個角落區，其無缺角瑕疵之檢測樣版為32；其中，對應晶片四個角-左上、右上、左下、右下(UL、UR、LL、LR)之四種無缺角瑕疵之檢測樣版分別為template_UL321、template_UR322、template_LL323、template_LR324；以及
(b3)瑕疵模式-3檢測晶裂23：係分佈於晶片四個邊界區域，其無晶裂瑕疵之檢測樣版為33；其中，對應晶片四個邊-上、下、左、右之四種無晶裂瑕疵之檢測樣版分別為template_Upper331、template_Lower332、template_Left333、template_Right334。
晶片檢測之三種瑕疵模式之檢測樣版及掃瞄窗影像(Mask Image)之瑕疵分佈如第7A圖～第7C圖所示，茲將三種瑕疵檢測之流程分述如下：
[檢測模式-1] 殘膠檢測(如第7A圖所示)
(b11)依殘膠瑕疵檢測所設定之掃瞄窗大小(例如21*21)，在晶片中之殘膠檢測設定區域，從該區域左上方開始，依次建立掃瞄窗影像41；
(b12)對應S201無缺角瑕疵之檢測樣版31，以S200統計掃瞄窗影像之兩方向之邊緣像素統計分佈，並進行S202計算其兩方向之殘膠寬度，取其較大者為殘膠尺寸；
(b13)依殘膠之篩檢閥值，判斷S203是否大於篩檢閥值，若殘膠尺寸大於閥值，則代表該晶片有超出規格之殘膠瑕疵，進入S204判定為瑕疵晶片；以及
(b14)若無超出規格之殘膠瑕疵，係判斷S205是否完成所有殘膠之檢測，若未完成，則移動掃瞄窗至下一個影像位置，直至完成晶片中之殘膠瑕疵檢測區域之檢測，其中，連續之掃瞄窗之間係有適當之影像重疊區，如6 pixels。
[檢測模式-2] 缺角檢測(如第7B圖所示)
(b21)依缺角瑕疵檢測所設定之掃瞄窗大小(例如41*41)，在晶片之四個角落區域，依次建立掃瞄窗影像42；
(b22)缺角之檢測僅對晶片四個角落-左上、右上、左下、右下區域之掃瞄窗影像，分別對應S207無缺角瑕疵之檢測樣版32(template_UL、template_UR、template_LL、template_LR)，以S206統計掃瞄窗影像之兩方向之邊緣像素統計分佈，並進行S208計算其兩方向之缺角寬度分量，故缺角尺寸可以(ΔX*ΔY)/2來估算；
(b23)依缺角之篩檢閥值，判斷S209是否大於篩檢閥值，若其尺寸大於閥值，則代表該晶片有超出規格之缺角瑕疵，進入S204判定為瑕疵晶片；以及
(b24)若無超出規格之缺角瑕疵，係判斷S210是否完成所有缺角之檢測，若未完成，則移動掃瞄窗至下一個影像位置，直至完成晶片中之缺角瑕疵檢測區域之檢測，其中，連續之掃瞄窗之間係有適當之影像重疊區。
[檢測模式-3] 晶裂檢測(如第7C圖所示)
(b31)依晶裂瑕疵檢測所設定之掃瞄窗大小(例如31*31)，在晶片之四個邊緣區域，依次建立掃瞄窗影像43；
(b32)晶裂之檢測區域為晶片之上、下、左、右四個邊緣區域，分別對應S212四種無晶裂瑕疵之檢測樣版33(template_Upper、template_Lower、template_Left、template_Right)，以S211統計掃瞄窗影像之兩方向之邊緣像素統計分佈，並進行S213計算其兩方向之晶裂寬度分量，故晶裂尺寸為sqrt(ΔX*ΔX+ΔY*ΔY)；
(b33)依晶裂之篩檢閥值，判斷S214是否大於篩檢閥值，若其尺寸大於閥值，則代表該晶片有超出規格之晶裂瑕疵；
(b34)若出現超出規格之晶裂瑕疵，則如第8圖所示，進入S215、S204依掃瞄窗影像兩方向之晶裂寬度分量計算晶裂角度，並判定為瑕疵晶片，其中晶裂角度定義為晶裂與晶片邊線之法線之夾角：
上下邊緣之晶裂角度：θ=tan-1
左右邊緣之晶裂角度：θ=tan-1 ；以及
(b35)若無超出規格之晶裂瑕疵，係判斷S216是否完成所有晶裂之檢測，若未完成，則移動掃瞄窗至下一個影像位置，直至完成晶片中之晶裂瑕疵檢測區域之檢測，其中，連續之掃瞄窗之間係有適當之影像重疊區。
最後，判斷S217是否完成所有瑕疵模式之檢測，即可進入S218判定為非瑕疵晶片。
本發明係一種晶片瑕疵檢測法，為以晶片原始影像為基礎進行晶片影像萃取，及以二元化晶片邊緣影像與邊緣像素統計分佈方法進行瑕疵檢測，使得晶片可於封裝過程中，以自動化方式將大於篩檢標準而會影響晶片品質之瑕疵進行定量上準確之篩檢。因此，所提出之檢測法係具有計算簡單、高檢測效能及可判別瑕疵形態與尺寸等特點，可大幅提昇晶片瑕疵檢測之效能與正確率，進而達到節省大量之品質檢測人力、時間與成本。
綜上所述，本發明係一種晶片瑕疵檢測法，可有效改善習用之種種缺點，係以晶片之原始影像與邊緣影像為基礎，進行晶片影像萃取及晶片瑕疵檢測，使得可於封裝過程中，以自動化方式將大於篩檢標準而會影響晶片品質之瑕疵進行定量上準確之篩檢，具有計算簡單、高檢測效能及可判別瑕疵形態與尺寸等特點，可大幅提昇晶片瑕疵檢測之效能與正確率，以達到節省大量之品質檢測人力、時間與成本，進而使本發明之產生能更進步、更實用、更符合使用者之所須，確已符合發明專利申請之要件，爰依法提出專利申請。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1．．．步驟(A)晶片影像擷取程序
11．．．步驟(a1)邊緣偵測
12．．．步驟(a2)晶片四條邊緣線之解算
13．．．步驟(a3)晶片四個角點之解算
14．．．步驟(a4)仿射轉換參數解算
15．．．步驟(a5)晶片影像切割
2．．．步驟(B)晶片瑕疵檢測程序
31．．．檢測樣版為
32．．．檢測樣版為
321．．．template_UL
322．．．template_UR
323．．．template_LL
324．．．template_LR
33．．．檢測樣版為
331．．．template_Upper
332．．．template_Lower
333．．．template_Left
334．．．template_Right
41、42、43．．．掃瞄窗影像
S200～S218．．．步驟
第1圖，係本發明之晶片瑕疵檢測流程示意圖。
第2圖，係本發明之原始影像與晶片影像之座標定義示意圖。
第3圖，係本發明之晶片影像擷取程序之流程示意圖。
第4圖，係本發明之晶片四個角點解算示意圖。
第5圖，係本發明之晶片瑕疵檢測程序之流程示意圖。
第6圖，係本發明晶片檢測之三種瑕疵模式及其位置分佈示意圖。
第7A圖，係本發明之殘膠瑕疵檢測之邊緣像素統計分佈示意圖。
第7B圖，係本發明之缺角瑕疵檢測之邊緣像素統計分佈示意圖。
第7C圖，係本發明之晶裂瑕疵檢測之邊緣像素統計分佈示意圖。
第8圖，係本發明之晶裂角度解算示意圖。
Claims (10)
- 一種晶片瑕疵檢測法，其至少包含下列步驟：(A)晶片影像擷取程序，係包含邊緣偵測(Edge Detection)、晶片四條邊緣線之解算(Chip Boundaries Derivation)、晶片四個角點之解算(Chip Corners Derivation)、仿射轉換參數解算(Parameters Derivation of Affine Transformation)及晶片影像切割(Chip Image Segmentation)之處理流程，用以從原始影像中進行該邊緣偵測，於取得原始邊緣影像後，經由該晶片四條邊緣線與四個角點之解算，分別取得晶片邊緣線之邊緣點位及其四個角點之位置，再經過該仿射轉換參數解算後取得晶片影像之座標，最後透過該晶片影像切割，依該原始影像與該晶片影像之座標定義，以該原始影像及該原始邊緣影像為基礎，並依影像之仿射轉換關係式，擷取與分割出晶片範圍之影像，俾以取得晶片影像(Chip Image)與晶片邊緣影像(Chip Edge Image)；以及(B)晶片瑕疵檢測程序，係以上述晶片邊緣影像為基礎，依瑕疵模式及其出現之區域，以檢測掃瞄窗(Scan Window)逐區掃瞄受檢晶片之邊緣影像，計算其水平方向與垂直方向之邊緣像素統計分佈，並移除其無瑕疵之檢測樣版(Template)之邊緣像素統計分佈之效應，然後依兩方向之邊緣像素統計分佈之像素寬度(Number of Pixel)，進行晶片之晶裂(Crack)、缺角(Chipping)及殘膠(Residual Glue)之瑕疵篩檢，以及晶裂角度之解算。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(A)邊緣偵測係依受檢晶片之長寬尺寸為參數，設定邊緣偵測之範圍，並以坎尼(Canny)邊緣偵測法對該原始影像進行原始邊緣影像之獲取。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(A)晶片四條邊緣線之解算，係包含：(a21)利用八鄰近連通法(Connected Component of 8-Neighbor)對該原始邊緣影像進行運算，將有關係之邊緣點連接在一起，形成數個集合，並加以標記；(a22)進行每個標記集合之面積計算，並設定閥值(Threshold)以獲得可能為晶片之邊緣線點；以及(a23)儲存可能為晶片邊緣線之邊緣點位。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(A)晶片四個角點之解算，係包含：(a31)利用邊緣點之位置分別與參考點(RefPoint)計算其距離，以找出晶片四個角點之位置；(a32)將晶片之四個邊緣線點標記為四組邊緣點集合；(a33)分別求取四條邊緣線之方程式；以及(a34)求出邊緣線之四個交點為正確之晶片角點(Corner)位置。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(A)仿射轉換參數解算之仿射轉換關係式係為：X=X'cosθ-Y'sinθ+X1Y=X'sinθ+Y'cosθ+Y1其中，該X、Y為原始影像之座標位置；該X’、Y’為晶片影像之座標位置，其單位須至次像元(Sub-Pixel)等級。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(A)晶片影像切割，係包含：(a51)依晶片影像大小(line,sample)為參數，建立晶片影像與晶片邊緣影像之格點系統；(a52)分別將晶片影像與晶片邊緣影像座標上之影像格點，利用仿射轉換關係式求得其在原始影像與原始邊緣影像座標上之影像格點位置；以及(a53)晶片影像之灰階值以雙線性內插法(Bilinear interpolation,BL)進行重取樣(Resampling)，晶片邊緣影像則以最鄰近法(Nearest Neighboring,NN)解算，以獲得各點位之灰階值與邊緣像素值。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該無瑕疵之檢測樣版係包含無晶裂瑕疵之檢測樣版、無缺角瑕疵之檢測樣版、以及無殘膠瑕疵之檢測樣版。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(B)殘膠瑕疵篩檢，係包含下列檢測步驟：(b11)依殘膠瑕疵檢測所設定之掃瞄窗大小，在晶片中之殘膠檢測設定區域，從該區域左上方開始，依次建立掃瞄窗影像；(b12)統計掃瞄窗影像之兩方向之邊緣像素統計分佈，並計算其兩方向之殘膠寬度，並取其較大者為殘膠尺寸；(b13)依殘膠之篩檢閥值，若殘膠尺寸大於閥值，則代表該晶片有超出規格之殘膠瑕疵；以及(b14)若無超出規格之殘膠瑕疵，則移動掃瞄窗至下一個影像位置，直至完成晶片中之殘膠瑕疵檢測區域之檢測，其中，連續之掃瞄窗之間係有適當之影像重疊區。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(B)缺角瑕疵篩檢，係包含下列檢測步驟：(b21)依缺角瑕疵檢測所設定之掃瞄窗大小，在晶片之四個角落區域，依次建立掃瞄窗影像；(b22)缺角之檢測僅對晶片四個角落-左上、右上、左下、右下(UL、UR、LL、LR)區域之掃瞄窗影像，分別對應無缺角瑕疵之檢測樣版(template_UL、template_UR、template_LL、template_LR)，統計掃瞄窗影像之兩方向之邊緣像素統計分佈，並計算其兩方向之缺角寬度分量；(b23)依缺角之篩檢閥值，若其尺寸大於閥值，則代表該晶片有超出規格之缺角瑕疵；以及(b24)若無超出規格之缺角瑕疵，則移動掃瞄窗至下一個影像位置，直至完成晶片中之缺角瑕疵檢測區域之檢測，其中，連續之掃瞄窗之間係有適當之影像重疊區。
- 依申請專利範圍第1項所述之晶片瑕疵檢測法，其中，該步驟(B)晶裂瑕疵篩檢，係包含下列檢測步驟：(b31)依晶裂瑕疵檢測所設定之掃瞄窗大小，在晶片之四個邊緣區域，依次建立掃瞄窗影像；(b32)晶裂之檢測區域為晶片之上、下、左、右四個邊緣區域，分別對應四種無晶裂瑕疵之檢測樣版(template_Upper、template_Lower、template_Left、template_Right)，統計掃瞄窗影像之兩方向之邊緣像素統計分佈，並計算其兩方向之晶裂寬度分量；(b33)依晶裂之篩檢閥值，若其尺寸大於閥值，則代表該晶片有超出規格之晶裂瑕疵；(b34)若出現超出規格之晶裂瑕疵，則依掃瞄窗影像兩方向之晶裂寬度分量計算晶裂角度，其中晶裂角度定義為晶裂與晶片邊線之法線之夾角；以及(b35)若無超出規格之晶裂瑕疵，則移動掃瞄窗至下一個影像位置，直至完成晶片中之晶裂瑕疵檢測區域之檢測，其中，連續之掃瞄窗之間係有適當之影像重疊區。
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| CN112446887A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆切割晶片数计算方法及计算设备 |
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-
2012
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| CN112446887B (zh) * | 2019-09-05 | 2022-04-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆切割晶片数计算方法及计算设备 |
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