CN104517897A - 晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统 - Google Patents

晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统 Download PDF

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CN104517897A CN201310444533.4A CN201310444533A CN104517897A CN 104517897 A CN104517897 A CN 104517897A CN 201310444533 A CN201310444533 A CN 201310444533A CN 104517897 A CN104517897 A CN 104517897A
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Abstract

本发明公开了晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统，以提高晶圆切割的质量。该切割晶圆的方法包括：对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。本发明提供的方法避免了现有技术拍摄晶圆背面所遇到的保护膜导致的问题，另一方面，由于对晶圆正面图像进行了校正，据此所获得的晶圆映射图能够精确地反映晶圆切割位置，正反两面的切割位置能够很好地重合，因此，根据所述切割位置对晶圆实施正面和反面切割时能够获得较高的晶圆切割质量。

Description

晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统
技术领域
本发明涉及激光加工领域，具体涉及晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统。
背景技术
晶圆也就是圆形的硅晶片，是制作硅半导体集成电路和其他各种电路元件的主要材料。由于电路元件对晶圆的形状要求是多样的，因此，在制作这些电路元件前一个重要的工艺就是对晶圆进行切割。晶圆切割工艺的第一步是确定晶圆的切割位置，在确定切割位置后，再利用激光依据预先确定好的位置完成相应的切割工作。一般晶圆含有正面和背面两个面，晶圆的正面具有很多经过光刻的划分线，这些划分线纵横交错，呈现出一个个的小方格，而晶圆的背面没有类似于正面的划分线。比较传统的晶圆切割方法只是对晶圆的正面进行激光切割后，利用裂膜机将其分离，这种切割方式进行操作时容易出现崩边和崩角等现象，因而切割质量不高。
为了能够改善晶圆切割的质量，现有的一种切割晶圆的方法是采用两个电荷耦合元件（Charge-Coupled Device，CCD）相机对晶圆进行拍摄，其中一个CCD相机（称为CCD1相机）用来拍摄晶圆的正面，另一个CCD相机（CCD2相机）用来拍摄晶圆的背面，具体地，通过CCD1相机拍摄晶圆正面，可以得到晶圆正面的切割位置即纵向划分线和横向划分线；由于晶圆具有一定的透明度，因此，通过CCD2相机拍摄晶圆背面也可以获得晶圆正面的划分线，由此得到晶圆背面的切割位置。根据正反两面的切割位置，对晶圆进行正反两面切割，然后再利用裂膜机进行分离。
然而，由于晶圆背面通常具有一层保护膜，采用CCD2相机拍摄背面时，所获得的晶圆正面的划分线存在成像不清晰的问题，因而无法获得晶圆背面的精确切割位置，导致后期进行正反面切割时精度差、质量不好。
发明内容
本发明实施例提供晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统，以提高晶圆切割的质量。
一种切割晶圆的方法，所述方法包括：
对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；
校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；
根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
一种晶圆映射图生成方法，所述方法包括：
校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
一种晶圆映射图生成装置，所述装置包括：
校正模块，用于校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
映射图获取模块，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
一种切割晶圆的系统，所述系统包括：
成像装置，用于对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；
晶圆映射图生成装置，包括校正模块和映射图获取模块；
所述校正模块，用于校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
所述映射图获取模块，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；
切割装置，用于根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
从上述本发明实施例可知，由于在切割之前只是对待切割晶圆的正面进行拍摄而不对其反面进行拍摄，因此避免了现有技术拍摄晶圆背面所遇到的保护膜导致的问题，另一方面，由于对晶圆正面图像进行了校正，据此所获得的晶圆映射图能够精确地反映晶圆切割位置，正反两面的切割位置能够很好地重合，因此，根据所述切割位置对晶圆实施正面和反面切割时能够获得较高的晶圆切割质量。
附图说明
图1是本发明实施例提供的切割晶圆的方法的基本流程示意图；
图2-a是本发明实施例提供的通过拍摄获得的晶圆正面图像示意图；
图2-b是图2-a示例的晶圆正面图像的局部放大图；
图3是本发明实施例提供的晶圆正面图像上两组偏角计算点示意图；
图4-a是本发明实施例提供的对晶圆正面图像进行校正后获得的晶圆正面校正图像示意图；
图4-b是图4-a示例的晶圆正面校正图像的局部放大图；
图5-a是本发明实施例提供的对晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换获得的投影示意图；
图5-b是本发明实施例提供的对晶圆正面校正图像进行y方向的投影变换获得的投影示意图；
图6-a是本发明实施例提供的晶圆映射图示意图；
图6-b是图6-a示例的晶圆映射图的局部放大图；
图7是本发明实施例提供的晶圆映射图生成方法基本流程示意图；
图8是本发明实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图；
图9是本发明另一实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图；
图10是本发明另一实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图；
图11是本发明另一实施例提供的切割晶圆的系统基本逻辑结构示意图；
图12是本发明实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图；
图13是本发明另一实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图；
图14是本发明另一实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图；
图15是本发明另一实施例提供的晶圆映射图生成装置基本逻辑结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种切割晶圆的方法，包括：对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。本发明实施例还提供相应的晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的系统。以下分别进行详细说明。
本发明实施例的切割晶圆的方法的基本流程可参考图1，主要包括步骤：
S101，对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像。
在本发明实施例中，待切割晶圆的正面进行拍摄可以采用相机，例如，CCD相机，或者采用其他具有成像功能的装置。
S102，校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像。
如前所述，晶圆的正面具有光刻的划分线。这些划分线纵横交错，在晶圆的正面形成一个个小方格。由于各种因素的影响，例如拍摄时的抖动，导致步骤S102获得的晶圆正面图像上的横向划分线与水平方向存在一定的角度偏差即横向划分线与水平方向的夹角，这一角度偏差必然对生成的晶圆映射图产生不良影响甚至会产生偏差极大的映射图。
作为本发明一个实施例，校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像包括如下步骤S1021至步骤S1023：
S1021，求取晶圆正面图像上的一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角。
附图2-a是通过拍摄获得的晶圆正面图像示意图，附图2-b是附图2-a示例的晶圆正面图像的局部放大图。从附图2-b可以看出，拍摄获得的晶圆正面图像上面的横向划分线与水平方向存在一定的角度偏差。在本发明实施例中，所谓点对，是晶圆正面图像上任意两条纵向划分线与同一条横向划分线的两个交点。
作为本发明一个实施例，求取晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角可以包括如下步骤S1至步骤S3：
S1，从晶圆正面图像上选取分别包含任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标。
如附图3所示，纵横交错的线即为晶圆正面图像上的纵向划分线和横向划分线，两个区域分别包含任意两条纵向划分线中任意一条纵向划分线与一组横向划分线的交点，所述两个区域中位于同一横向划分线的两个交点构成所述一组点对中的一个点对。例如，对于附图3，图中短划线虚线构成的矩形框为两个区域中包含一条纵向划分线的一个区域，其所包围的圆黑点为一个点对即两个区域中位于同一横向划分线的两个交点中的一个交点，点划线虚线构成的矩形框为两个区域中包含另一条纵向划分线的另一个区域，其所包围的方形黑点即两个区域中位于同一横向划分线的两个交点中的另一个交点。从左至右计数，是晶圆正面图像上第三条以及第七条纵向划分线与晶圆正面图像上五条横向划分线的交点，同一条横向划分线上的两个交点即一个圆形黑点和一个方形黑点构成一个点对。
若对矩形区域进行x方向的投影，便可得到一组点对中各个点对的坐标。例如，附图3示例的一组点对，通过对其进行x方向的投影，可得到5个点对即10个交点的坐标。以图3的两个矩形区域包含的五条横向划分线中第二条横向划分线上的一个点对为例，通过矩形区域进行x方向的投影，可以得到该点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）。
S2，计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）。
S3，对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)。
进行反正切变换得到的arctan(△y/△x)即为晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，记为θ1=arctan(△y/△x)。
S1022，对晶圆正面图像的一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度。
通过求取晶圆正面图像中仅有的一个点对得到的夹角，尚不足以反映晶圆正面图像的真实角度偏差。为了获得精确的角度偏差，在本发明实施例中，可以求取所有横向划分线与纵向划分线的偏角计算点，得到相应的夹角θ1、θ2、...、θn，然后，对这n个夹角求取平均值得到平均偏转角度例如，通过上述步骤S1021示例的方法，求取了5个夹角θ1、θ2、θ3、θ4和θ5，则为平均偏转角度。
S1023，将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的横向划分线保持水平不存在角度偏差。
本发明实施例中，对晶圆正面图像进行校正后获得的晶圆正面校正图像如附图4-a所示，附图4-b是附图4-a示例的晶圆正面校正图像的局部放大图。
S103，通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
作为本发明一个实施例，通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图包括如下步骤S1031和步骤S1032：
S1031，对晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换。
本发明实施例中，对晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换获得的投影如附图5-a所示，其中的竖线之间的空域为投影变换得到的小方格的水平间隔，对晶圆正面校正图像进行y方向的投影变换获得的投影如附图5-b所示，其中的竖线之间的空域为投影变换得到的小方格的垂直间隔。
S1032，根据投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
根据投影变换得到的小方格的大小，依次绘出的相应的水平线和垂直线可以作为切割晶圆时的切割位置。本发明实施例中，所获得的晶圆映射图如附图6-a所示，附图6-b是附图6-a示例的晶圆映射图的局部放大图。
S104，根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
晶圆映射图反映的切割位置即附图6-a或附图6-b示例的晶圆映射图上的水平线和垂直线。
从上述本发明实施例提供的切割晶圆的方法可知，由于在切割之前只是对待切割晶圆的正面进行拍摄而不对其反面进行拍摄，因此避免了现有技术拍摄晶圆背面所遇到的保护膜导致的问题，另一方面，由于对晶圆正面图像进行了校正，据此所获得的晶圆映射图能够精确地反映晶圆切割位置，正反两面的切割位置能够很好地重合，因此，根据所述切割位置对晶圆实施正面和反面切割时能够获得较高的晶圆切割质量。
请参阅附图7，是本发明实施例提供的一种晶圆映射图生成方法流程图，主要包括步骤S701和步骤S702，详细说明如下：
S701，校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像。
在本实施例中，晶圆正面图像可以采用相机，例如，CCD相机，或者采用其他具有成像功能的装置对待切割晶圆的正面进行拍摄获得。
如前所述，晶圆的正面具有光刻的划分线。这些划分线纵横交错，在晶圆的正面形成一个个小方格。由于各种因素的影响，例如拍摄时的抖动，导致步骤S102获得的晶圆正面图像上的横向划分线与水平方向存在一定的角度偏差即横向划分线与水平方向的夹角，这一角度偏差必然对生成的晶圆映射图产生不良影响甚至会产生偏差极大的映射图。
作为本发明一个实施例，校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像包括如下步骤S7011至步骤S7013：
S7011，求取晶圆正面图像上的一组点点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角。
附图2-a是通过拍摄获得的晶圆正面图像示意图，附图2-b是附图2-a示例的晶圆正面图像的局部放大图。从附图2-b可以看出，拍摄获得的晶圆正面图像上面的横向划分线与水平方向存在一定的角度偏差。在本实施例中，所谓点对，是晶圆正面图像上任意两条纵向划分线与同一条横向划分线的两个交点。
作为本发明一个实施例，求取晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角可以包括如下步骤S’1至步骤S’3：
S’1，从晶圆正面图像上选取分别包含任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标。
如附图3所示，纵横交错的线即为晶圆正面图像上的纵向划分线和横向划分线，两个区域分别包含任意两条纵向划分线中任意一条纵向划分线与一组横向划分线的交点，所述两个区域中位于同一横向划分线的两个交点构成所述一组点对中的一个点对。例如，对于附图3，图中短划线虚线构成的矩形框为两个区域中包含一条纵向划分线的一个区域，其所包围的圆黑点为一个点对即两个区域中位于同一横向划分线的两个交点中的一个交点，点划线虚线构成的矩形框为两个区域中包含另一条纵向划分线的另一个区域，其所包围的方形黑点即两个区域中位于同一横向划分线的两个交点中的另一个交点。从左至右计数，是晶圆正面图像上第三条以及第七条纵向划分线与晶圆正面图像上五条横向划分线的交点，同一条横向划分线上的两个交点即一个圆形黑点和一个方形黑点构成一个点对。
若对矩形区域进行x方向的投影，便可得到一组点对中各个点对的坐标。例如，附图3示例的一组点对，通过对其进行x方向的投影，可得到5个点对即10个交点的坐标。以图3的两个矩形区域包含的五条横向划分线中第二条横向划分线上的一个点对为例，通过矩形区域进行x方向的投影，可以得到该点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）。
S’2，计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）。
S’3，对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)。
进行反正切变换得到的arctan(△y/△x)即为晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，记为θ1=arctan(△y/△x)。
S7012，对晶圆正面图像的一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度。
通过求取晶圆正面图像中仅有的一个点对得到的夹角，尚不足以反映晶圆正面图像的真实角度偏差。为了获得精确的角度偏差，在本发明实施例中，可以求取所有横向划分线与纵向划分线的偏角计算点，得到相应的夹角θ1、θ2、...、θn，然后，对这n个夹角求取平均值得到平均偏转角度例如，通过上述步骤S1021示例的方法，求取了5个夹角θ1、θ2、θ3、θ4和θ5，则为平均偏转角度。
S7013，将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的横向划分线保持水平，不存在角度偏差。
本发明实施例中，对晶圆正面图像进行校正后获得的晶圆正面校正图像如附图4-a所示，附图4-b是附图4-a示例的晶圆正面校正图像的局部放大图。
S702，通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
作为本发明一个实施例，通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图包括如下步骤S7021和步骤S7022：
S7021，对晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换。
本发明实施例中，对晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换获得的投影如附图5-a所示，其中的竖线之间的空域为投影变换得到的小方格的水平间隔，对晶圆正面校正图像进行y方向的投影变换获得的投影如附图5-b所示，其中的竖线之间的空域为投影变换得到的小方格的垂直间隔。
S7022，根据投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
根据投影变换得到的小方格的大小，依次绘出的相应的水平线和垂直线可以作为切割晶圆时的切割位置。本发明实施例中，所获得的晶圆映射图如附图6-a所示，附图6-b是附图6-a示例的晶圆映射图的局部放大图。
下面对用于执行上述切割晶圆的方法的本发明实施例的切割晶圆的系统进行说明，其基本逻辑结构参考图8，主要包括成像装置801、晶圆映射图生成装置802和切割装置803，其中，晶圆映射图生成装置802包括校正模块8021和映射图获取模块8022，各装置\模块详细说明如下：
成像装置801，用于对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；
在本发明实施例中，成像装置801可以是相机，例如，CCD相机，或者其他具有成像功能的装置。
校正模块8021，用于校正成像装置801获得的晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
映射图获取模块8022，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；
切割装置803，用于根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
切割装置803可以是激光发射装置或者是具有激光切割功能的装置。
附图8示例的校正模块8021可以包括夹角求取模块901、平均值求取模块902和旋转模块903，如附图9所示本发明另一实施例提供的切割晶圆的系统，其中：
夹角求取模块901，用于求取晶圆正面图像上的一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角；
平均值求取模块902，用于对晶圆正面图像的一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度；
旋转模块903，用于将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的纵向划分线与所述待切割晶圆的正面上对应的划分线不存在角度偏差。
附图9示例的夹角求取模块901可以包括投影单元1001、计算单元1002和反正切变换单元1002，如附图10所示本发明另一实施例提供的切割晶圆的系统，其中，其中：
投影单元1001，用于从晶圆正面图像上选取分别包含任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标；
计算单元1002，用于计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）；
反正切变换单元1003，用于对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)，所述arctan(△y/△x)即为晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，记为θ1=arctan(△y/△x)。
附图8示例的映射图获取模块8022可以包括投影变换单元1101和绘图单元1102，如附图11所示本发明另一实施例提供的切割晶圆的系统，其中：
投影变换单元1101，用于对所述晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换；
绘图单元1102，用于根据所述投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
以下对用于执行上述晶圆映射图生成方法的本发明实施例的晶圆映射图生成装置进行说明，其基本逻辑结构参考图12，主要包括校正模块1201和映射图获取模块1202，各模块详细说明如下：
校正模块1201，用于校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
映射图获取模块1202，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
需要说明的是，以上附图12示例的晶圆映射图生成装置的实施方式中，各功能模块的划分仅是举例说明，实际应用中可以根据需要，例如相应硬件的配置要求或者软件的实现的便利考虑，而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将所述晶圆映射图生成装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。而且，实际应用中，本实施例中的相应的功能模块可以是由相应的硬件实现，也可以由相应的硬件执行相应的软件完成，例如，前述的校正模块，可以是具有执行前述校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像的硬件，例如校正器，也可以是能够执行相应计算机程序从而完成前述功能的一般处理器或者其他硬件设备；再如前述的映射图获取模块，可以是具有执行前述通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图功能的硬件，例如映射图获取器，也可以是能够执行相应计算机程序从而完成前述功能的一般处理器或者其他硬件设备（本说明书提供的各个实施例都可应用上述描述原则）。
附图12示例的校正模块1201可以包括夹角求取模块1301、平均值求取模块1302和旋转模块1303，如附图13所示本发明另一实施例提供的晶圆映射图生成装置，其中：
夹角求取模块1301，用于求取晶圆正面图像上的一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角；
平均值求取模块1302，用于对晶圆正面图像的一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度；
旋转模块1303，用于将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的横向划分线保持水平不存在角度偏差。
附图13示例的夹角求取模块1301可以包括投影单元1401、计算单元1402和反正切变换单元1402，如附图14所示本发明另一实施例提供的晶圆映射图生成装置，其中：
投影单元1401，用于从晶圆正面图像上选取分别包含任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标；
计算单元1402，用于计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）；
反正切变换单元1403，用于对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)，所述arctan(△y/△x)即为晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，记为θ1=arctan(△y/△x)。
附图12示例的映射图获取模块1202可以包括投影变换单元1501和绘图单元1502，如附图15所示本发明另一实施例提供的晶圆映射图生成装置，其中：
投影变换单元1501，用于对所述晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换；
绘图单元1502，用于根据所述投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
需要说明的是，上述装置各模块/单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本发明方法实施例基于同一构思，其带来的技术效果与本发明方法实施例相同，具体内容可参见本发明方法实施例中的叙述，此处不再赘述。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：只读存储器（ROM，Read Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁盘或光盘等。
以上对本发明实施例所提供的晶圆映射图生成方法、装置和一种切割晶圆的方法、系统进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (13)

1.一种切割晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括：
对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；
校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；
根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像包括：
求取所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，所述点对为所述晶圆正面图像上任意两条纵向划分线与同一条横向划分线的两个交点；
对所述晶圆正面图像的所述一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度；
将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的横向划分线处在水平的位置不存在角度偏差。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述求取所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角包括：
从所述晶圆正面图像上选取分别包含所述任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标，所述两个区域分别包含所述任意两条纵向划分线中任意一条纵向划分线与一组横向划分线的交点，所述两个区域中位于同一横向划分线的两个交点构成所述一组点对中的一个点对；
计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）；
对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)，所述arctan(△y/△x)为所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图包括：
对所述晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换；
根据所述投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
5.一种晶圆映射图生成方法，其特征在于，所述方法包括：
校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像包括：
求取所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，所述点对为所述晶圆正面图像上任意两条纵向划分线与同一条横向划分线的两个交点；
对所述晶圆正面图像的所述一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度；
将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的横向划分线保持水平不存在角度偏差。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述求取所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角包括：
从所述晶圆正面图像上选取分别包含所述任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标，所述两个区域分别包含所述任意两条纵向划分线中任意一条纵向划分线与一组横向划分线的交点，所述两个区域中位于同一横向划分线的两个交点构成所述一组点对中的一个点对；
计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）；
对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)，所述arctan(△y/△x)为所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图包括：
对所述晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换；
根据所述投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
9.一种晶圆映射图生成装置，其特征在于，所述装置包括：
校正模块，用于校正晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像；
映射图获取模块，用于通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述校正模块包括：
夹角求取模块，用于求取所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角，所述点对为所述晶圆正面图像上任意两条纵向划分线与同一条横向划分线的两个交点；
平均值求取模块，用于对所述晶圆正面图像的所述一组点对得到的夹角取平均值得到平均偏转角度；
旋转模块，用于将所述晶圆正面图像旋转所述平均偏转角度，使得所述旋转后的晶圆正面图像上的横向划分线保持水平不存在角度偏差。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述夹角求取模块包括：
投影单元，用于从所述晶圆正面图像上选取分别包含所述任意两条纵向划分线的两个区域，对所述两个区域分别进行x方向的投影得到所述一组点对的坐标，所述两个区域分别包含所述任意两条纵向划分线中任意一条纵向划分线与一组横向划分线的交点，所述两个区域中位于同一横向划分线的两个交点构成所述一组点对中的一个点对；
计算单元，用于计算所述一组点对中构成任意一个点对的第一交点的坐标（x1，y1）和第二交点的坐标（x2，y2）的差值（△x，△y）；
反正切变换单元，用于对所述差值进行反正切变换得到arctan(△y/△x)，所述arctan(△y/△x)为所述晶圆正面图像上一组点对中由任意点对构成的直线与水平方向的夹角。
12.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述映射图获取模块包括：
投影变换单元，用于对所述晶圆正面校正图像进行x方向的投影变换和y方向的投影变换；
绘图单元，用于根据所述投影变换得到的小方格的大小，依次绘出相应的水平线和垂直线以获得晶圆映射图。
13.一种切割晶圆的系统，其特征在于，所述系统包括成像装置、切割装置和权利要求9至权利要求12任意一项所述的晶圆映射图生成装置；
所述成像装置，用于对待切割晶圆的正面进行拍摄以获得晶圆正面图像；
所述晶圆映射图生成装置，用于校正所述晶圆正面图像，以获取晶圆正面校正图像，通过对所述晶圆正面校正图像进行投影，获得晶圆映射图；
切割装置，用于根据所述晶圆映射图反映的切割位置，对所述待切割晶圆实施晶圆正面和反面的切割。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104992915A (zh) * 2015-07-20 2015-10-21 翼龙设备（大连）有限公司 8寸固晶机分割12寸晶圆mapping图设备及方法
CN112446887A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 长鑫存储技术有限公司 晶圆切割晶片数计算方法及计算设备
WO2023226185A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 睿励科学仪器（上海）有限公司 一种用于旋正晶圆的方法和装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1225502A (zh) * 1998-02-06 1999-08-11 三菱电机株式会社 从半导体晶片中分离芯片的方法
JP2008053341A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN103187333A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 夏普株式会社 多芯片探测器及其接触位置校正方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1225502A (zh) * 1998-02-06 1999-08-11 三菱电机株式会社 从半导体晶片中分离芯片的方法
JP2008053341A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN103187333A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 夏普株式会社 多芯片探测器及其接触位置校正方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104992915A (zh) * 2015-07-20 2015-10-21 翼龙设备（大连）有限公司 8寸固晶机分割12寸晶圆mapping图设备及方法
CN112446887A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 长鑫存储技术有限公司 晶圆切割晶片数计算方法及计算设备
CN112446887B (zh) * 2019-09-05 2022-04-08 长鑫存储技术有限公司 晶圆切割晶片数计算方法及计算设备
WO2023226185A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 睿励科学仪器（上海）有限公司 一种用于旋正晶圆的方法和装置

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