CN112428138A - 单面抛光装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种单面抛光装置及方法，属于半导体技术领域。单面抛光装置，包括：固定部，用于对待抛光的晶圆进行固定；位于所述固定部上方的抛光头，用于对所述晶圆进行抛光；分布在所述晶圆周缘的多个控制销，用于固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；控制机构，用于根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。本发明能够提高晶圆的表面平坦度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种单面抛光装置及方法。
背景技术
单晶硅作为半导体器件生产的基底材料，对其表面的平坦度，粗糙度，金属以及颗粒等方面有非常严格的要求，为了满足这些要求，需要通过化学机械抛光来实现。
在单晶硅片工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化。所谓化学机械抛光，通常是将单晶硅片安装到晶片载体上，并与抛光垫的抛光层接触，抛光垫高速旋转，抛光介质(例如浆液)被分配到抛光垫上且吸入半导体晶片与抛光层之间的间隙中，半导体晶片在压力装置的压力作用与抛光垫相互摩擦，被研磨去除多余材料，并最终使半导体晶片的研磨面被抛光并获得平坦表面。
随着近来半导体器件的更高效能与更高集成(integration)化密度和需求的增加，在半导体晶片的CMP中增进生产力与表面品质已越来越被需要，其中如何改善半导体晶片最终抛光后的抛光面的平坦度是目前化学机械抛光工艺的研究重点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种单面抛光装置及方法，能够提高晶圆的表面平坦度。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供一种单面抛光装置，包括：
固定部，用于对待抛光的晶圆进行固定；
位于所述固定部上方的抛光头，用于对所述晶圆进行抛光；
分布在所述晶圆周缘的多个控制销，用于固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；
控制机构，用于根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。
一些实施例中，所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点与所述晶圆远离所述抛光头一侧表面的最小距离。
一些实施例中，所述装置还包括：
位于所述固定部上方的抛光液提供管路，用于向所述晶圆的表面提供抛光液。
一些实施例中，所述抛光液的流量为0.7-1.4l/min。
一些实施例中，所述装置还包括：
分布在所述晶圆周缘的第一冷却液提供管路，用于向所述晶圆的侧面提供冷却液。
一些实施例中，所述装置还包括：
分布在所述晶圆远离所述抛光头一侧的第二冷却液提供管路，用于向所述晶圆的底面提供冷却液。
本发明实施例还提供了一种单面抛光方法，应用于如上所述的单面抛光装置，包括：
利用所述固定部对待抛光的晶圆进行固定；
控制所述抛光头下降至所述抛光头的抛光垫与所述晶圆表面接触，所述抛光头左右往复运动对所述晶圆进行抛光；
利用分布在所述晶圆周缘的多个控制销固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；
利用控制机构根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。
一些实施例中，所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点的水平高度。
一些实施例中，包括：
利用所述抛光液提供管路以0.7-1.4l/min的流量向所述晶圆的表面提供抛光液。
一些实施例中，包括：
利用所述第一冷却液提供管路向所述晶圆的侧面提供冷却液；
利用所述第二冷却液提供管路向所述晶圆的底面提供冷却液。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在晶圆周缘分布有多个控制销，多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动，在对晶圆进行抛光时，控制机构根据抛光头的位置以及晶圆表面的形状控制目标控制销的上下运动，从而调节晶圆与抛光头之间的压力，保证晶圆的不同区域的去除速率一致，能够改善晶圆表面的平坦度。
附图说明
图1为本发明实施例单面抛光装置的结构示意图；
图2为本发明实施例单面抛光装置的仰视示意图；
图3为本发明实施例晶圆测定点的示意图；
图4为晶圆厚度的曲线示意图。
附图标记
100旋转轴的主体；110旋转轴；120、121、122、123、124、125、126、127控制销；200抛光头的旋转轴；210抛光垫；300抛光液提供管路；310、311、312、313、314第一冷却液提供管路；320、321、322第二冷却液提供管路；400晶圆；500晶圆测定点。
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
目前的单面化学机械抛光是通过吸附垫对晶圆夹持并进行加工的，加工过程对晶圆固定部分的平坦度有着很高的要求，吸附垫对晶圆表面平坦度的优化与晶圆表面形状有高度的相关性，所以对吸附垫提出了很高的要求。
由于吸附垫的局限性，晶圆的不同区域的去除速率不一致，导致晶圆的平坦度存在一定程度的恶化，为了保证晶圆的不同区域的去除速率一致，本发明实施例提供一种单面抛光装置及方法，能够提高晶圆的表面平坦度。
本发明实施例提供一种单面抛光装置，包括：
固定部，用于对待抛光的晶圆进行固定；
位于所述固定部上方的抛光头，用于对所述晶圆进行抛光；
分布在所述晶圆周缘的多个控制销，用于固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；
控制机构，用于根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。
本实施例中，在晶圆周缘分布有多个控制销，多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动，在对晶圆进行抛光时，控制机构根据抛光头的位置以及晶圆表面的形状控制目标控制销的上下运动，从而调节晶圆与抛光头之间的压力，保证晶圆的不同区域的去除速率一致，能够改善晶圆表面的平坦度。
其中，在晶圆周缘可以分布有三个、四个或更多个控制销，该多个控制销在晶圆周缘均匀分布，可以是该多个控制销均能够上下移动，也可以是该多个控制销中的一个或几个目标控制销能够上下移动。目标控制销的位置可以是固定的，也可以根据需要调整目标控制销的位置。
一些实施例中，所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点与所述晶圆远离所述抛光头一侧表面的最小距离。
通过上述公式可以根据抛光头的位置以及晶圆表面的形状控制目标控制销的位置，调节晶圆与抛光头之间的压力，保证晶圆的不同区域的去除速率一致，能够改善晶圆表面的平坦度。
一些实施例中，所述装置还包括：
位于所述固定部上方的抛光液提供管路，用于向所述晶圆的表面提供抛光液。在抛光过程中，是将晶圆固定在可旋转的载体中，并将抛光垫放置在一个可旋转的平台上，两者在一定压力及抛光液的作用下相互运动，以实现晶圆表面的高度平坦化。其中，抛光液提供管路位于固定部上方，在进行抛光时，直接向晶圆的表面提供抛光液，抛光液是均匀分散胶粒的乳白色胶体，主要起到抛光、润滑、冷却的作用。根据酸碱性可以分为酸性抛光液和碱性抛光液，根据应用场景可以分为金属抛光液和非金属抛光液。以碱性SiO2抛光液为例，其重要成分包含磨料(SiO2胶粒)、碱、去离子水、表面活性剂、氧化剂、稳定剂等。SiO2胶粒主要作用是进行机械摩擦并吸附腐蚀产物，尺寸可以在1-100nm。碱性溶液在抛光过程中主要起到腐蚀作用，因避免引入Na+、K+等金属离子，其组成通常是有机胺，其PH值一般为9.4-11.1之间。氧化剂用于加速腐蚀反应速率，由于Si本身与碱反应速率较慢，而SiO2与碱反应速率较快，氧化剂可将表层Si进行氧化，从而获得较快的腐蚀速度。表面活性剂用于不溶性颗粒，防止胶粒凝聚沉淀。
抛光垫是一种疏松多孔的材料，具有一定弹性，可以采用聚亚氨酯类材料，主要作用是存储和传输抛光液，对晶圆提供一定的压力并对其表面进行机械摩擦。抛光垫具有类似海绵的机械特性和多孔特性，表面有特殊的沟槽，可提高抛光均匀性。
一些实施例中，所述抛光液的流量可以为0.7-1.4l/min。在抛光液的流量为0.7-1.4l/min时，可以满足抛光需要，并且不会因为流量过大导致抛光液飞溅。
一些实施例中，所述装置还包括：
分布在所述晶圆周缘的第一冷却液提供管路，用于向所述晶圆的侧面提供冷却液。第一冷却液提供管路可以从晶圆的侧面提供冷却液，对晶圆的侧面进行冷却，避免晶圆的温度过高。
一些实施例中，所述装置还包括：
分布在所述晶圆远离所述抛光头一侧的第二冷却液提供管路，用于向所述晶圆的底面提供冷却液。第二冷却液提供管路可以从晶圆的底面提供冷却液，对晶圆的底面进行冷却，避免晶圆的温度过高。
一具体实施例中，如图1所示，单面抛光装置包括：固定部，用于对待抛光的晶圆400进行固定，其中，110为固定部的旋转轴，100为旋转轴的主体，旋转轴110的旋转方向根据加工工艺决定，不仅限于顺时针或逆时针；位于固定部上方的抛光头，抛光头包括旋转轴200和抛光垫210，旋转轴200的旋转方向根据加工工艺决定，不仅限于顺时针或逆时针；分布在晶圆400周缘的多个控制销120，其中，圆圈内为控制销120的放大示意图，控制销120用于固定晶圆400的边缘，控制销120能够限定晶圆400在竖直方向(平行于水平面的方向)上的移动范围；位于固定部上方的抛光液提供管路300；位于晶圆400周缘的第一冷却液提供管路310；位于晶圆400远离抛光头一侧的第二冷却液提供管路320。
如图2所示，一具体示例中，在晶圆400的周缘可以均匀分布有7个控制销：121、122、123、124、125、126、127，其中6个控制销的位置固定，一个控制销的位置可以随控制机构的控制上下移动。
抛光液提供管路300的支路可以有一个或多个；第一冷却液提供管路310的支路也可以有一个或多个，一具体示例中，如图2所示，第一冷却液提供管路310包括支路311、312、313和314，这些支路均匀分布在晶圆400的不同方向，可以向晶圆400的侧面均匀地提供冷却液，避免晶圆400冷却不均匀；第二冷却液提供管路320的支路也可以有一个或多个，一具体示例中，如图2所示，第二冷却液提供管路320包括支路321和322，这些支路分布在晶圆400的不同方向，可以向晶圆400的底面提供冷却液，避免晶圆400的温度过高。
如图3所示为晶圆400表面晶圆测定点500的分布示意图，在晶圆400表面可以均匀分布有多个晶圆测定点500，由于晶圆400呈圆形，因此，晶圆测定点500可以沿晶圆400的直径排布；晶圆测定点500之间的距离可以为1mm左右，由于晶圆400的表面形貌是对称的，因此，只需要测量几条直径上晶圆测定点500的数据即可确定晶圆400的形貌。
如图4所示为一条直径上的晶圆测定点500位置处测得的晶圆的厚度，单位为nm，其中一个圆圈代表一个晶圆测定点500。
在进行抛光时，首先机械臂从晶圆盒中将晶圆取出，放置于夹持装置的中心处，等待固定部将晶圆400固定后，机械臂恢复至原位。抛光头开始旋转(转速可以为20-50rpm/min)并慢速下降至指定位置处，保证抛光头表面的抛光垫210与晶圆400表面接触，与此同时，抛光液开始按照指定的供给量连续供液(流量可以0.7-1.4l/min)，抛光头左右往复运动对晶圆400进行抛光。
抛光头从左向右匀速运动，当抛光头到达不同的晶圆测定点500位置，控制机构会根据该晶圆测定点500位置处晶圆的厚度控制所述目标控制销的上下运动，目标控制销的运动距离S利用以下公式确定：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点与所述晶圆远离所述抛光头一侧表面的最小距离。
目标控制销的位置可以是固定的，也可以根据抛光头的位置确定，比如目标控制销与抛光头对应晶圆的同一直径，当抛光头达到一目标位置，将该目标位置对应的晶圆的直径的延长线上的控制销确定为目标控制销。
本发明实施例还提供了一种单面抛光方法，应用于如上所述的单面抛光装置，包括：
利用所述固定部对待抛光的晶圆进行固定；
控制所述抛光头下降至所述抛光头的抛光垫与所述晶圆表面接触，所述抛光头左右往复运动对所述晶圆进行抛光；
利用分布在所述晶圆周缘的多个控制销固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；
利用控制机构根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。
本实施例中，在晶圆周缘分布有多个控制销，多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动，在对晶圆进行抛光时，控制机构根据抛光头的位置以及晶圆表面的形状控制目标控制销的上下运动，从而调节晶圆与抛光头之间的压力，保证晶圆的不同区域的去除速率一致，能够改善晶圆表面的平坦度。
其中，在晶圆周缘可以分布有三个、四个或更多个控制销，该多个控制销在晶圆周缘均匀分布，可以是该多个控制销均能够上下移动，也可以是该多个控制销中的一个或几个目标控制销能够上下移动。目标控制销的位置可以是固定的，也可以根据需要调整目标控制销的位置。
一些实施例中，所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点的水平高度。
通过上述公式可以根据抛光头的位置以及晶圆表面的形状控制目标控制销的位置，调节晶圆与抛光头之间的压力，保证晶圆的不同区域的去除速率一致，能够改善晶圆表面的平坦度。
一些实施例中，包括：
利用所述抛光液提供管路以0.7-1.4l/min的流量向所述晶圆的表面提供抛光液。在抛光液的流量为0.7-1.4l/min时，可以满足抛光需要，并且不会因为流量过大导致抛光液飞溅。
一些实施例中，包括：
利用所述第一冷却液提供管路向所述晶圆的侧面提供冷却液；第一冷却液提供管路可以从晶圆的侧面提供冷却液，对晶圆的侧面进行冷却，避免晶圆的温度过高。
利用所述第二冷却液提供管路向所述晶圆的底面提供冷却液。第二冷却液提供管路可以从晶圆的底面提供冷却液，对晶圆的底面进行冷却，避免晶圆的温度过高。
一具体实施例中，如图1所示，单面抛光装置包括：固定部，用于对待抛光的晶圆400进行固定，其中，110为固定部的旋转轴，100为旋转轴的主体，旋转轴110的旋转方向根据加工工艺决定，不仅限于顺时针或逆时针；位于固定部上方的抛光头，抛光头包括旋转轴200和抛光垫210，旋转轴200的旋转方向根据加工工艺决定，不仅限于顺时针或逆时针；分布在晶圆400周缘的多个控制销120，用于固定晶圆400的边缘，控制销120能够限定晶圆400在竖直方向(平行于水平面的方向)上的移动范围；位于固定部上方的抛光液提供管路300；位于晶圆400周缘的第一冷却液提供管路310；位于晶圆400远离抛光头一侧的第二冷却液提供管路320。
如图2所示，一具体示例中，在晶圆400的周缘可以均匀分布有7个控制销：121、122、123、124、125、126、127，其中6个控制销的位置固定，一个控制销的位置可以随控制机构的控制上下移动。
抛光液提供管路300的支路可以有一个或多个；第一冷却液提供管路310的支路也可以有一个或多个，一具体示例中，如图2所示，第一冷却液提供管路310包括支路311、312、313和314，这些支路均匀分布在晶圆400的不同方向，可以向晶圆400的侧面均匀地提供冷却液，避免晶圆400冷却不均匀；第二冷却液提供管路320的支路也可以有一个或多个，一具体示例中，如图2所示，第二冷却液提供管路320包括支路321和322，这些支路分布在晶圆400的不同方向，可以向晶圆400的底面提供冷却液，避免晶圆400的温度过高。
如图3所示为晶圆400表面晶圆测定点500的分布示意图，在晶圆400表面可以均匀分布有多个晶圆测定点500，由于晶圆400呈圆形，因此，晶圆测定点500可以沿晶圆400的直径排布；晶圆测定点500之间的距离可以为1mm左右，由于晶圆400的表面形貌是对称的，因此，只需要测量几条直径上晶圆测定点500的数据即可确定晶圆400的形貌。
如图4所示为一条直径上的晶圆测定点500位置处测得的晶圆的厚度，单位为nm，其中一个圆圈代表一个晶圆测定点500。
在进行抛光时，首先机械臂从晶圆盒中将晶圆取出，放置于夹持装置的中心处，等待固定部将晶圆400固定后，机械臂恢复至原位。抛光头开始旋转(转速可以为20-50rpm/min)并慢速下降至指定位置处，保证抛光头表面的抛光垫210与晶圆400表面接触，与此同时，抛光液开始按照指定的供给量连续供液(流量可以0.7-1.4l/min)，抛光头左右往复运动对晶圆400进行抛光。
抛光头从左向右匀速运动，当抛光头到达不同的晶圆测定点500位置，控制机构会根据该晶圆测定点500位置处晶圆的厚度控制所述目标控制销的上下运动，目标控制销的运动距离S利用以下公式确定：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点与所述晶圆远离所述抛光头一侧表面的最小距离。
目标控制销的位置可以是固定的，也可以根据抛光头的位置确定，比如目标控制销与抛光头对应晶圆的同一直径，当抛光头达到一目标位置，将该目标位置对应的晶圆的直径的延长线上的控制销确定为目标控制销。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种单面抛光装置，其特征在于，包括：
固定部，用于对待抛光的晶圆进行固定；
位于所述固定部上方的抛光头，用于对所述晶圆进行抛光；
分布在所述晶圆周缘的多个控制销，用于固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；
控制机构，用于根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。
2.根据权利要求1所述的单面抛光装置，其特征在于，所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点与所述晶圆远离所述抛光头一侧表面的最小距离。
3.根据权利要求1所述的单面抛光装置，其特征在于，所述装置还包括：
位于所述固定部上方的抛光液提供管路，用于向所述晶圆的表面提供抛光液。
4.根据权利要求3所述的单面抛光装置，其特征在于，所述抛光液的流量为0.7-1.4l/min。
5.根据权利要求1所述的单面抛光装置，其特征在于，所述装置还包括：
分布在所述晶圆周缘的第一冷却液提供管路，用于向所述晶圆的侧面提供冷却液。
6.根据权利要求5所述的单面抛光装置，其特征在于，所述装置还包括：
分布在所述晶圆远离所述抛光头一侧的第二冷却液提供管路，用于向所述晶圆的底面提供冷却液。
7.一种单面抛光方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6中任一项所述的单面抛光装置，包括：
利用所述固定部对待抛光的晶圆进行固定；
控制所述抛光头下降至所述抛光头的抛光垫与所述晶圆表面接触，所述抛光头左右往复运动对所述晶圆进行抛光；
利用分布在所述晶圆周缘的多个控制销固定所述晶圆的边缘，所述多个控制销中的至少一个目标控制销能够上下运动；
利用控制机构根据所述抛光头的位置以及所述晶圆表面的形状控制所述目标控制销的上下运动。
8.根据权利要求7所述的单面抛光方法，其特征在于，所述控制机构具体用于根据以下公式确定所述目标控制销的运动距离S：
S＝0.4×(晶圆测定点的值-所述目标控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第一控制销的初始位置)+0.3×(晶圆测定点的值-第二控制销的初始位置)；
其中，所述晶圆测定点的值为所述抛光头的中心在所述晶圆上的正投影所在位置处所述晶圆的厚度，所述第一控制销和所述第二控制销为所述目标控制销两侧的控制销，控制销的初始位置为控制销的中心点的水平高度。
9.根据权利要求7所述的单面抛光方法，其特征在于，应用于如权利要求3所述的单面抛光装置，包括：
利用所述抛光液提供管路以0.7-1.4l/min的流量向所述晶圆的表面提供抛光液。
10.根据权利要求7所述的单面抛光方法，其特征在于，应用于如权利要求6所述的单面抛光装置，包括：
利用所述第一冷却液提供管路向所述晶圆的侧面提供冷却液；
利用所述第二冷却液提供管路向所述晶圆的底面提供冷却液。
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