CN112420972A - 一种石墨相氮化碳量子点膜及其制备方法和应用 - Google Patents

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CN112420972A CN202011349004.2A CN202011349004A CN112420972A CN 112420972 A CN112420972 A CN 112420972A CN 202011349004 A CN202011349004 A CN 202011349004A CN 112420972 A CN112420972 A CN 112420972A
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高建宾
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燕莎
朱江花
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Abstract

本发明公开了一种石墨相氮化碳量子点膜及其制备方法和应用，具体包括以下步骤：步骤一、制备石墨相氮化碳量子点；步骤二、上述石墨相氮化碳量子点与不饱和双键单体、树脂、引发剂、交联剂、助剂、溶剂搅拌至溶液均匀后静置消泡，制得石墨相氮化碳量子点胶水溶液；步骤三、制备石墨相氮化碳量子点膜：提供第一保护层，在所述第一保护层表面涂布石墨相氮化碳量子点胶水形成量子点层，在所述的量子点层表面压合第二保护层，得到石墨相氮化碳量子点膜半成品；将所述的量子点膜半成品进行固化处理，得到石墨相氮化碳量子点膜。本发明提供的石墨相氮化碳量子点膜作为蓝色发射极，具有高的色域值和色彩饱和度，量子点膜的发光效率、亮度也更高。

Description

一种石墨相氮化碳量子点膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于平面显示技术领域，尤其涉及一种石墨相氮化碳量子点膜及其制备方法和应用。
背景技术
近些年，随着电子技术的快速发展，人们对柔性显示技术的需求日益上升。有机发光显示（OLED）作为柔性显示的主流技术，由于其存在色域值低、寿命短、成本高的缺点，发展受到严重制约。相比于OLED，量子点显示（QLED）具有宽色域、高纯度、高稳定性等优点，被认为是继OLED后下一代显示技术。但是，当前的QLED发光层含有重金属和不稳定硫，对环境有害。除此以外，QLED背光组采用的是LED作为蓝色发射极，其产生的白色背光纯度仍然偏低且能耗大。因此开发出廉价低耗环保的QLED具有广阔的前景。
石墨相氮化碳（g-C3N4）是一种由碳和氮原子sp2杂化，并以三嗪为结构单位连接形成的新型二维碳材料。类石墨烯的共轭网络结构赋予g-C3N4高的稳定性和特殊的化学性质。另外，g-C3N4还具有宽的光谱吸收范围和中等的带隙能量（约2.7eV），这使其又展现出优异的光学与电学特性。
相比与块体g-C3N4，g-C3N4量子点体积更小，三维尺寸约1-10nm，具有明显的量子尺寸效应，其量子产率高、荧光信号强，已经广泛的应用在光催化，光降解，荧光检测，新能源等领域。现有技术中，专利文献CN 108101010 A通过乙二醇高温剥离g-C3N4制备出g-C3N4量子点，对Ag+具有强的荧光响应。李等以氢氟酸、浓硫酸和水的混合溶液对g-C3N4超声剥离制备出g-C3N4量子点，对亚甲基橙具有高的降解率（Nano Energy, 2016, 19:446~448）。
然而，具有制备简单、原料丰富、绿色环保的g-C3N4的量子点作为QLED的应用却鲜有报道。因此，开发出g-C3N4量子点膜作为背光组蓝色发射电极具有深远的意义。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种石墨相氮化碳量子点膜及其制备方法和应用，旨在解决传统QLED污染环境以及背光组以LED作为蓝色发射极存在的纯度低、耗能高、亮度暗、成本高等问题。
本发明实施例的技术方案是：
一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤一、制备石墨相氮化碳量子点：
将尿素在马弗炉中高温热聚合得到石墨相氮化碳；将得到的石墨相氮化碳加入到浓硫酸中，搅拌超声得到石墨相氮化碳纳米片；多次离心洗涤、干燥后得到石墨相氮化碳量子点粉料；
步骤二、制备石墨相氮化碳量子点胶水溶液：
上述制备出的石墨相氮化碳纳米片粉料与不饱和双键单体、树脂、引发剂、交联剂、助剂、溶剂依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出石墨相氮化碳量子点胶水溶液；
步骤三、制备石墨相氮化碳量子点膜：
提供第一保护层，在所述第一保护层表面涂布石墨相氮化碳量子点胶水形成量子点层，在所述的量子点层表面压合第二保护层，得到石墨相氮化碳量子点膜半成品；将所述的量子点膜半成品进行固化处理，得到石墨相氮化碳量子点膜。
步骤二中，所述不饱和双键单体为丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸、丙烯酰胺、丙烯酸羟乙酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或多种；所述树脂为正丁基醚化三聚氰胺甲醛、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙二醇、聚乙烯醇中的一种或多种；所述引发剂为偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰、2-甲基-2-(吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、1-羟基环己基苯甲酮中的任意一种；所述交联剂为N,N-亚甲基双丙烯酰胺、三烯丙基异三聚氰酸酯、2,5-二甲基-2,5二叔丁基过氧化乙烷中的任意一种；所述助剂为偶联剂、阻燃剂、附着力促进剂、消泡剂中的一种或多种；所述溶剂为丁酮、异丙醇、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇单甲醚中的一种或多种。
步骤二中，所述石墨相氮化碳量子点粉料的质量百分比为5%～30%。
步骤一中，热聚合的焙烧温度为450～550℃，焙烧温度为4～6h；超声功率为500～800W，超声时间为12～48h，搅拌速率为100～800 r/min。
步骤三中，所述第一保护层为PET、BOPP、PVDF、PE、PC、PS中的一种或多种；所述第二保护层为PET、BOPP、PVDF、PE、PC、PS中的一种或多种。
步骤三中，所述量子点层的厚度在5-50μm；所述第一保护层、所述第二保护层的厚度单独为25-250μm，透光率≥90%，水蒸气透过率≤10-2 g/m2day，黄度值≤1。
按上述制备方法制得的的一种石墨相氮化碳量子点膜。
按上述制备方法制得的的一种石墨相氮化碳量子点膜作为背光组蓝色发射电极的应用。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明提供的石墨相氮化碳量子点膜作为蓝色发射极，相比于LED作为蓝色发射极具有高的色域值，具有更好的色彩饱和度。除此以外，石墨相氮化碳量子点膜作为蓝色发射极，其厚度也更薄，量子点膜的发光效率、亮度也更高。
附图说明
图1为本发明的量子点膜的结构示意图；
图2为本发明实施例中石墨相氮化碳的红外吸收图谱；
图3为本发明实施例中石墨相氮化碳的XDR图谱；
图4为本发明实施例中石墨相氮化碳的紫外吸收图谱；
图5为本发明实施例中石墨相氮化碳的粒径分布图。
具体实施方式
为了更好的说明本发明的提供的技术方案，下面结合实施例和附图对本发明作进一步详述。应当理解，此处所具体叙述的实施例仅仅是为了解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
g-C3N4氮化碳量子点的制备
(1)将尿素放入坩埚中，在马弗炉中500℃下焙烧4h，升温速率为5℃/min，冷却研磨即得g-C3N4粉末；
(2)将g-C3N4粉末分散在浓硫酸中，在500 r/min搅拌速率下，800W功率超声处理24h，得到g-C3N4量子点；
(3)多次洗涤、离心收集g-C3N4量子点后，在60℃真空烘箱中干燥24h得到超薄g-C3N4纳米片粉料。
g-C3N4量子点膜的制备
原材料 质量分数
g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>量子点粉料 10wt%
丙烯酸 10 wt%
丙烯酸羟乙酯 5wt%
丙烯酰胺 28wt%
聚乙二醇（2000） 5wt%
N,N-亚甲基双丙烯酰胺 1 wt%（占单体质量）
偶氮二异丁腈 1 wt%（占单体质量）
N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷 1 wt%
磷酸三丁酯 1wt%
丁酮 40wt%
(1)将上述制备出的g-C3N4纳米粉料与丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、聚乙二醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、偶氮二异丁腈、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧、磷酸三丁酯、丁酮按照上表中质量比依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出g-C3N4胶水；
(2)选用50μm高透明PET薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在第一保护膜表面涂布10μm的g-C3N4胶水后，经干燥后，压合第二保护膜制备出g-C3N4量子点膜半成品。所述干燥温度依次为100-120-140-150-160-140(℃)，进风口风频依次为25-20-20-20-20-25(HZ)，出风口风频为40HZ，干燥时间3min；所述压合压力为60bar，压合温度100℃；
(3)将g-C3N4量子点膜半成品放置到80℃的烘箱中后固化24h后，得到g-C3N4量子点膜成品膜。
实施例二
g-C3N4量子点的制备
(1)将尿素放入坩埚中，在马弗炉中500℃下焙烧4h，升温速率为5℃/min，冷却研磨即得g-C3N4粉末；
(2)将g-C3N4粉末分散在浓硫酸中，在500 r/min搅拌速率下，800W功率超声处理24h，得到g-C3N4量子点；
(3)多次洗涤、离心收集g-C3N4量子点后，在60℃真空烘箱中干燥24h得到超薄g-C3N4纳米片粉料。
g-C3N量子点膜的制备
原材料 质量分数/%
g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>量子点粉料 15wt%
丙烯酸 10wt%
丙烯酸羟乙酯 5wt%
丙烯酰胺 23wt%
聚乙二醇（2000） 5wt%
N,N-亚甲基双丙烯酰胺 1 wt%（占单体质量）
偶氮二异丁腈 1 wt%（占单体质量）
N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷 1 wt%
磷酸三丁酯 1wt%
丁酮 40wt%
(1)将上述制备出的g-C3N4纳米粉料与丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、聚乙二醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、偶氮二异丁腈、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧、磷酸三丁酯、丁酮按照上表中质量比依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出g-C3N4胶水；
(2)选用50μm高透明PET薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在第一保护膜表面涂布10μm的g-C3N4胶水后，经干燥后，压合第二保护膜制备出g-C3N4量子点膜半成品。所述干燥温度依次为100-120-140-150-160-140(℃)，进风口风频依次为25-20-20-20-20-25(HZ)，出风口风频为40HZ，干燥时间3min；所述压合压力为60bar，压合温度100℃；
(3)将g-C3N4量子点膜半成品放置到80℃的烘箱中后固化24h后，得到g-C3N4量子点膜成品膜。
实施例三
g-C3N4量子点的制备
(1)将尿素放入坩埚中，在马弗炉中500℃下焙烧4h，升温速率为5℃/min，冷却研磨即得g-C3N4粉末；
(2)将g-C3N4粉末分散在浓硫酸中，在500 r/min搅拌速率下，800W功率超声处理24h，得到g-C3N4量子点；
(3)多次洗涤、离心收集g-C3N4量子点后，在60℃真空烘箱中干燥24h得到超薄g-C3N4纳米片粉料。
g-C3N4量子点膜的制备
原材料 质量分数/%
g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>量子点粉料 20wt%
丙烯酸 10 wt%
丙烯酸羟乙酯 5wt%
丙烯酰胺 18wt%
聚乙二醇（2000） 5wt%
N,N-亚甲基双丙烯酰胺 1 wt%（占单体质量）
偶氮二异丁腈 1 wt%（占单体质量）
N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷 1 wt%
磷酸三丁酯 1wt%
丁酮 40wt%
(1)将上述制备出的g-C3N4纳米粉料与丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、聚乙二醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、偶氮二异丁腈、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧、磷酸三丁酯、丁酮按照上表中质量比依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出g-C3N4胶水；
(2)选用50μm高透明PET薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在第一保护膜表面涂布10μm的g-C3N4胶水后，经干燥后，压合第二保护膜制备出g-C3N4量子点膜半成品。所述干燥温度依次为100-120-140-150-160-140(℃)，进风口风频依次为25-20-20-20-20-25(HZ)，出风口风频为40HZ，干燥时间3min；所述压合压力为60bar，压合温度100℃；
(3)将g-C3N4量子点膜半成品放置到80℃的烘箱中后固化24h后，得到g-C3N4量子点膜成品膜。
实施例四
g-C3N4量子点的制备
(1)将尿素放入坩埚中，在马弗炉中500℃下焙烧4h，升温速率为5℃/min，冷却研磨即得g-C3N4粉末；
(2)将g-C3N4粉末分散在浓硫酸中，在500 r/min搅拌速率下，800W功率超声处理24h，得到g-C3N4量子点；
(3)多次洗涤、离心收集g-C3N4量子点后，在60℃真空烘箱中干燥24h得到超薄g-C3N4纳米片粉料。
g-C3N4量子点膜的制备
原材料 质量分数/%
g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>量子点粉料 25wt%
丙烯酸 10 wt%
丙烯酸羟乙酯 5wt%
丙烯酰胺 13wt%
聚乙二醇（2000） 5wt%
N,N-亚甲基双丙烯酰胺 1 wt%（占单体质量）
偶氮二异丁腈 1 wt%（占单体质量）
N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷 1 wt%
磷酸三丁酯 1wt%
丁酮 40wt%
(1)将上述制备出的g-C3N4纳米粉料与丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、聚乙二醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、偶氮二异丁腈、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧、磷酸三丁酯、丁酮按照上表中质量比依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出g-C3N4胶水；
(2)选用50μm高透明PET薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在第一保护膜表面涂布10μm的g-C3N4胶水后，经干燥后，压合第二保护膜制备出g-C3N4量子点膜半成品。所述干燥温度依次为100-120-140-150-160-140(℃)，进风口风频依次为25-20-20-20-20-25(HZ)，出风口风频为40HZ，干燥时间3min；所述压合压力为60bar，压合温度100℃；
(3)将g-C3N4量子点膜半成品放置到80℃的烘箱中后固化24h后，得到g-C3N4量子点膜成品膜。
实施例一至四制备的量子点膜性能数据
Figure 931713DEST_PATH_IMAGE002
由上表数据可知，制备的g-C3N4量子点膜均具有较低的发射峰、较高的发光效率，这主要归结于高温生成的g-C3N4具有较多的π-共轭键以及高的石墨碳和三嗪碳比例。此外制备出的量子点膜也同时具有色域宽的优点。随着g-C3N4量子点质量分数的逐步提高，亮度有明显的提升，这可以进一步改善显示器件整体性能及其画面显示品质。但是当g-C3N4量子点质量分数达到25%时，亮度逐渐趋于饱和。
实施例五
g-C3N4量子点的制备
(1)将尿素放入坩埚中，在马弗炉中500℃下焙烧4h，升温速率为5℃/min，冷却研磨即得g-C3N4粉末；
(2)将g-C3N4粉末分散在浓硫酸中，在500 r/min搅拌速率下，800W功率超声处理24h，得到g-C3N4量子点；
(3)多次洗涤、离心收集g-C3N4量子点后，在60℃真空烘箱中干燥24h得到超薄g-C3N4纳米片粉料。
g-C3N4量子点膜的制备
原材料 质量分数/%
g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>量子点粉料 25wt%
丙烯酸 10 wt%
丙烯酸羟乙酯 5wt%
丙烯酰胺 13wt%
聚乙二醇（2000） 5wt%
N,N-亚甲基双丙烯酰胺 1 wt%（占单体质量）
偶氮二异丁腈 1 wt%（占单体质量）
N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷 1 wt%
磷酸三丁酯 1wt%
丁酮 40wt%
(1)将上述制备出的g-C3N4纳米粉料与丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、聚乙二醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、偶氮二异丁腈、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧、磷酸三丁酯、丁酮按照上表中质量比依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出g-C3N4胶水；
(2)选用50μm高透明PET薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在第一保护膜表面涂布10μm的g-C3N4胶水后，经干燥后，压合第二保护膜制备出g-C3N4量子点膜半成品。所述干燥温度依次为100-120-130-140-150-140(℃)，进风口风频依次为25-20-20-20-20-25(HZ)，出风口风频为40HZ，干燥时间3min；所述压合压力为60bar，压合温度100℃；
(3)将g-C3N4量子点膜半成品放置到80℃的烘箱中后固化24h后，得到g-C3N4量子点膜成品膜。
实施例六
g-C3N4量子点的制备
(1)将尿素放入坩埚中，在马弗炉中500℃下焙烧4h，升温速率为5℃/min，冷却研磨即得g-C3N4粉末；
(2)将g-C3N4粉末分散在浓硫酸中，在500 r/min搅拌速率下，800W功率超声处理24h，得到g-C3N4量子点；
(3)多次洗涤、离心收集g-C3N4量子点后，在60℃真空烘箱中干燥24h得到超薄g-C3N4纳米片粉料。
g-C3N4量子点膜的制备
原材料 质量分数/%
g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>量子点粉料 25wt%
丙烯酸 10 wt%
丙烯酸羟乙酯 5wt%
丙烯酰胺 13wt%
聚乙二醇（2000） 5wt%
N,N-亚甲基双丙烯酰胺 1 wt%（占单体质量）
偶氮二异丁腈 1 wt%（占单体质量）
N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷 1 wt%
磷酸三丁酯 1wt%
丁酮 40wt%
(1)将上述制备出的g-C3N4纳米粉料与丙烯酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酰胺、聚乙二醇、N,N-亚甲基双丙烯酰胺、偶氮二异丁腈、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧、磷酸三丁酯、丁酮按照上表中质量比依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出g-C3N4胶水；
(2)选用50μm高透明PET薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在第一保护膜表面涂布10μm的g-C3N4胶水后，经干燥后，压合第二保护膜制备出g-C3N4量子点膜半成品。所述干燥温度依次为100-120-140-160-160-140(℃)，进风口风频依次为25-20-20-20-20-25(HZ)，出风口风频为40HZ，干燥时间3min；所述压合压力为60bar，压合温度100℃。
(3)将g-C3N4量子点膜半成品放置到80℃的烘箱中后固化24h后，得到g-C3N4量子点膜成品膜
Figure 380012DEST_PATH_IMAGE004
由上表数据可知，不同干燥温度制备的g-C3N4量子点膜均具宽的色域和高的亮度。相比于实施例四，当干燥温度较低时，发射峰出现蓝移的现象且发光效率下降，这主要由于温度影响了g-C3N4纳米片堆叠结晶，即g-C3N4纳米晶型不完整，尺寸偏小，进而造成了发射峰峰位偏小和发光效率降低；当干燥温度较高时，发射峰出现蓝移的现象且发光效率下降，这主要由于g-C3N4纳米结晶尺寸偏大，量子效应衰落，从而造成了发射峰峰位偏大和发光效率降低。
对比例一
量子点层的主要成分
原材料 质量分数/%
红光量子点粉料 2wt%
绿光量子点粉料 8wt%
PMMA 10wt%
聚苯乙烯树脂 100wt%
选用5层层叠结构设计量子点膜，从上往下依次为阻隔层、保护层、量子点层、保护层、阻隔层。所述阻隔层为PVDC，厚度为50μm；所述保护层为丙烯酸树脂，厚度为10μm，且在保护层中加入5wt%的PMMA；所述量子点层的厚度为150μm，PMMA粒径为20μm。选用LED作为蓝色发射极，所得到的薄膜量子点发光效率较差、色域值低、亮度值小。
由下表数据可知，本发明提供的g-C3N4量子点膜作为蓝色发射极，相比于LED作为 蓝色发射极具有高的色域值，具有更好的色彩饱和度。除此以外，g-C3N4量子点膜作为蓝色 发射极，其厚度也更薄，量子点膜的发光效率、亮度也更高。
色域（NTSC1931） 发光效率（%） 亮度（cd·cm-1）
对比例一 81% 37 110.31
实施例四 110% 50 122.94
综上，相比于LED作为蓝色发射极，g-C3N4量子点膜更具优势。
上述实施例仅为本发明中较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤一、制备石墨相氮化碳量子点：
将尿素在马弗炉中高温热聚合得到石墨相氮化碳；将得到的石墨相氮化碳加入到浓硫酸中，搅拌超声得到石墨相氮化碳纳米片；多次离心洗涤、干燥后得到石墨相氮化碳量子点粉料；
步骤二、制备石墨相氮化碳量子点胶水溶液：
上述制备出的石墨相氮化碳纳米片粉料与不饱和双键单体、树脂、引发剂、交联剂、助剂、溶剂依次加入到容器中，搅拌至溶液均匀后静置1h消泡，制备出石墨相氮化碳量子点胶水溶液；
步骤三、制备石墨相氮化碳量子点膜：
提供第一保护层，在所述第一保护层表面涂布石墨相氮化碳量子点胶水形成量子点层，在所述的量子点层表面压合第二保护层，得到石墨相氮化碳量子点膜半成品；将所述的量子点膜半成品进行固化处理，得到石墨相氮化碳量子点膜。
2.根据权利要求1所述的一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，其特征在于：
步骤二中，所述不饱和双键单体为丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸、丙烯酰胺、丙烯酸羟乙酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或多种；所述树脂为正丁基醚化三聚氰胺甲醛、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙二醇、聚乙烯醇中的一种或多种；所述引发剂为偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰、2-甲基-2-(吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、1-羟基环己基苯甲酮中的任意一种；所述交联剂为N,N-亚甲基双丙烯酰胺、三烯丙基异三聚氰酸酯、2,5-二甲基-2,5二叔丁基过氧化乙烷中的任意一种；所述助剂为偶联剂、阻燃剂、附着力促进剂、消泡剂中的一种或多种；所述溶剂为丁酮、异丙醇、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇单甲醚中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，其特征在于：
步骤二中，所述石墨相氮化碳量子点粉料的质量百分比为5%～30%。
4.根据权利要求1所述的一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，其特征在于：
步骤一中，热聚合的焙烧温度为450～550℃，焙烧温度为4～6h；超声功率为500～800W，超声时间为12～48h，搅拌速率为100～800 r/min。
5.根据权利要求1所述的一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，其特征在于：
步骤三中，所述第一保护层为PET、BOPP、PVDF、PE、PC、PS中的一种或多种；所述第二保护层为PET、BOPP、PVDF、PE、PC、PS中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种石墨相氮化碳量子点膜的制备方法，其特征在于：
所述量子点层的厚度在5-50μm；所述第一保护层、所述第二保护层的厚度单独为25-250μm，透光率≥90%，水蒸气透过率≤10-2 g/m2day，黄度值≤1。
7.如权利要求1-6所述制备方法制得的的一种石墨相氮化碳量子点膜。
8.如权利要求1-6所述制备方法制得的的一种石墨相氮化碳量子点膜作为背光组蓝色发射电极的应用。
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