CN112420900A - 一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法 - Google Patents

一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种贵金属纳米颗粒‑量子棒阵列的偏振器件制备方法，属于光电技术领域。所述方法利用激光倏逝驻波聚焦沉积技术，制备极化固定的贵金属银纳米颗粒线阵列基底，该银纳米颗粒线阵列基底与附有聚酰亚胺PI取向层的玻片复合作为量子棒的定向模板，在制备的复合定向结构中注射半导体量子棒溶液，制备贵金属纳米颗粒阵列‑定向半导体量子棒复合发光器件，同时实现量子棒阵列的荧光增强与偏振发光。该方法制备的贵金属阵列‑量子棒定向排列的复合结构，荧光强度可调且具有较高的偏振度，有助于为液晶显示技术、纳米表征技术、固态偏振光源技术提供新的原理和方法。

Description

一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法
技术领域
本发明属于光电技术领域，具体涉及一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法。
背景技术
半导体量子点发光技术(Semiconductor Quantum Dots LuminescenceTechnology)是当半导体材料被激光照射时吸收光子，价带上的电子跃迁到导带，导带上的电子还可以再跃迁回价带而发射光子，从而产生荧光。半导体量子点具有发射峰可调、半峰宽窄、量子效率高、色纯度高、稳定性好的特点。在液晶显示等领域具有广阔的应用场景。如量子点电视，采用蓝光LED和量子点作为背光源，有效提高了电视的色域、显色性、亮度以及发光部件的稳定性，但是依旧需要使用偏振片、液晶、滤光片等光学元器件来控制光的输出，系统构造复杂且造成一定程度的能量损失。
与量子点不同，量子棒因其结构的各向异性，具有偏振选择与偏振发射特性，且其出射光的偏振沿量子棒长轴状态，因此在大量的量子棒定向排布的情况下可实现偏振发射。定向排列的量子棒用于液晶显示将有效解决量子点液晶显示技术中存在的问题。
目前现有的技术制备的定向量子棒的偏振发光器件，偏振荧光较弱。贵金属纳米结构与荧光材料耦合，能够有效增强荧光强度。首先，贵金属纳米结构能够将入射光辐射限制在一个亚波长热点中，发生局域场增强，该局域场增强能够显著提高荧光团的激发效率，被激发的荧光团随后释放光子反过来耦合贵金属结构。贵金属纳米结构的存在潜在的导致了荧光团辐射衰减速率和量子产率的提高。研究表明阵列化的贵金属纳米颗粒可以有效地增强量子点的发光效率与发光强度。公开号为CN106847797A，名称为“一种贵金属纳米颗粒—量子点阵列发光器件制备方法”的发明专利中公开了一种贵金属纳米颗粒——量子点阵列发光器件的制备方法，所制备的量子点器件的荧光强度得到增强，但由于量子点的发光具有各向同性的特点，其出射荧光偏振特性不明显。本发明在该方法的基础上，利用贵金属纳米颗粒阵列与附有PI取向层的玻片结合作为具有各项异性发射特性的量子棒的取向模板，量子棒沿贵金属纳米颗粒阵列方向排列，所制备的光学器件，发射出偏振方向沿量子棒长轴方向的偏振光，且通过调整入射光的偏振方向，实现器件偏振荧光强度的动态调控。
发明内容
本发明提供一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，具体为一种贵金属纳米颗粒线阵列——定向半导体量子棒阵列的发光器件的制备方法，利用激光倏逝驻波聚焦沉积技术，制备具有极化排布特性的银纳米颗粒线阵列，在沉积有银纳米颗粒线阵列的棱台表面利用化学气相沉积法制备间隔层，与附有定向摩擦的PI取向层的玻片结合，PI的摩擦方向与银纳米颗粒线阵列的方向平行，辅助半导体量子棒沿银纳米颗粒线阵列的方向排列，该复合结构增强半导体量子棒的荧光发射同时作为半导体量子棒的取向模板，从而获得一种金属纳米颗粒线阵列——定向半导体量子棒复合结构，发射出高强度的偏振荧光。该装置用于液晶背光，可有效简化系统，降低能量损耗。
本发明具体采用的技术方案：
一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1.制备银纳米颗粒胶体溶液；
配置硝酸银与柠檬酸钠溶液，利用光化学还原反应制备直径为20±5nm的银纳米颗粒胶体溶液；
步骤2.激光倏逝驻波聚焦沉积银纳米颗粒线阵列基底；
步骤2-1.构建用于沉积银纳米颗粒线阵列的激光倏逝驻波光场：将满足相干条件的两束激光I1、I2分别垂直于倒置的正四边形棱台相对的两侧面表面相向入射，使两束光在倒置的正四边形棱台上表面内侧同一位置发生全反射，在倒置的正四边形棱台上表面形成倏逝驻波光场，此时两束激光I1、I2全反射形成的明亮光斑在所述倒置的正四边形棱台的上表面完全重合。
步骤2-2.在所述倒置的正四边形棱台的上表面两束激光所形成的明亮光斑处滴加步骤1中所制备的银纳米颗粒胶体溶液，使银纳米颗粒胶体溶液覆盖整个明亮光斑区域，在银纳米颗粒胶体溶液表面放置盖玻片。保持激光I1、I2持续辐照直到沉积形成周期为180nm，厚度为80nm的银纳米颗粒线阵列。
步骤2-3.去掉盖玻片，用去离子水清洗所得的沉积样品，即可得到银纳米颗粒线阵列基底。
步骤3.化学气相沉积法制备间隔层；
利用化学气相沉积法，在步骤2中制备的银纳米颗粒线阵列基底上表面沉积20nm厚的氮化硅Si3N4间隔层。
步骤4.配置半导体量子棒溶液；
将预先购置的长径比为7：1的CdSe/CdS核壳结构的半导体量子棒溶于正己烷，配置浓度为5mg/ml的量子棒溶液。
步骤5.制备上层定向层
步骤5-1.在载玻片上表面旋涂一层聚合物PI，通过定向擦拭产生定向沟槽，形成PI取向层，再用掺有30um直径的二氧化硅小球的紫外固化胶NOA-65将载玻片上表面与沉积有间隔层的银纳米颗粒线阵列基底上表面粘合，具体为用掺有直径为30um的二氧化硅小球的紫外固化胶NOA-65旋涂在该载玻片上表面边沿，与沉积有间隔层的银纳米颗粒线阵列基底上表面粘合以形成一个缝隙为30um的腔体，同时保证银纳米颗粒线阵列方向与PI取向层的上表面定向沟槽方向平行，形成封装好的取向盒。最后使用注射器将步骤4所配置的量子棒溶液注射到封装好的取向盒中。
步骤1所述的柠檬酸钠与硝酸银溶液的浓度均为0.005mol/L。
步骤2-1所述的相干条件具体指I1、I2两束激光在相遇区域，两束激光的频率相同，相位差恒定，振动方向一致。
步骤2-2所述的两束激光I1、I2的波长为532nm，单光束功率为20～30mw。持续辐照时间为10～15min。
所述正四边形棱台在使用前应依次放入重铬酸钾洗液、酒精、去离子水中进行超声清洗，保持洁净。
进一步的，所述激光I1、I2均为TE偏振。
进一步的，步骤1制备的胶体溶液的纳米颗粒形状为圆形或椭球形。
进一步的，所述正四边形棱台采用的玻璃折射率为1.8～2.1，粗糙度小于0.01um，通透性高于99.5％。
本发明利用激光倏逝驻波聚焦沉积具有极化排列特性的银纳米颗粒线阵列，在阵列表面利用化学气相沉积方法制备间隔层，与摩擦定向的PI取向层结合，用作半导体量子棒的取向模板。定向的半导体量子棒发射沿量子棒长轴方向的偏振光。同时，银纳米颗粒线阵列激发局域表面等离激元共振产生的强局域场对半导体量子棒的荧光发射起增强在作用。利用中心波长为448nm的激光器，垂直于倒置的正四边形棱台上表面照射到所制备的样品表面，激发银纳米颗粒线阵列-半导体量子棒复合光学器件发射荧光，对比普通的定向方法所制备的量子棒定向器件，同等条件激发光下，本发光器件的荧光强度明显增强，且具有偏振发射与偏振选择特性。旋转半波片改变激发光的偏振态，该光电器件的荧光强度随半波片的旋转角度改变在180°的范围内做周期性变化，可实现该器件的亮度动态可调。且发射的荧光具有一定的偏振度，出射荧光的偏振方向与银纳米颗粒线阵列的方向一致。
附图说明
图1为本发明的流程图
图2为激光倏逝驻波聚焦沉积银纳米颗粒阵列光路示意图
图3为金属纳米颗粒线阵列的激光聚焦沉积示意图
图4为银纳米颗粒阵列-定向半导体量子棒复合结构模型示意图
图5为银纳米颗粒阵列局域场强度随入射光偏振方向的变化图
图6为量子棒发光与银纳米颗粒阵列耦合，局域场增强示意图
图7为银纳米颗粒阵列增强单根量子棒周围局域场仿真示意图
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式以及工作原理作进一步详细说明。
一种贵金属纳米颗粒线阵列-定向半导体量子棒复合结构光电器件制备方法，即一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其流程图如图1所示。
步骤1.银纳米颗粒胶体溶液配置
利用光化学还原法制备直径20nm左右的银纳米颗粒胶体溶液。
步骤2.激光倏逝驻波聚焦沉积银纳米颗粒
本发明采用的构建激光倏逝驻波光场的光路图如图2所示，BS为扩束准直镜，PBS为功率分光棱镜，M1/M2/M3为反射镜，LBE为扩束镜。
步骤2-1.构建银纳米颗粒线阵列沉积时的单一方向的激光倏逝驻波光场。让满足干涉条件的两束激光I1、I2分别与上述倒置的正四玻璃棱台相对的两侧面相向入射，调节两束激光的入射角，使得两束激光的入射角均为90°，垂直于棱台侧面入射，于棱台上表面内侧相同位置发生全反射，形成倏逝驻波，产生明亮光斑。倏逝驻波的形成以及银纳米颗粒沉积过程如图2所示。
步骤2-2.在所述倒置棱台上表面的明亮光斑处滴加步骤1中所配置的银纳米颗粒胶体溶液，再盖上盖玻片。保证步骤2-1中所述两束激光I1、I2持续辐照直至倒置的正四边形玻璃棱台上表面沉积的银纳米颗粒阵列厚度为80nm时停止激光辐照。
步骤2-3.去掉盖玻片，将沉积的样品用去离子水清洗即可得到金属纳米颗粒线阵列。银纳米颗粒线阵列示意图如图3所示。
步骤3.银纳米颗粒阵列表面间隔层制备
利用化学气相沉积法在步骤2中所制备的银纳米颗粒线阵列表面沉积20nm厚的Si3N4作为银纳米颗粒线阵列与半导体量子棒之间的间隔层。
步骤4.
在玻璃基片上表面旋涂一层聚合物PI(聚酰亚胺)，通过定向擦拭以产生具有定向沟槽的取向层。再用掺有直径为30um的二氧化硅小球的紫外固化胶NOA-65旋涂在该玻璃基片上表面边沿，与沉积有银纳米颗粒线阵列的棱台上表面粘合以形成一个缝隙为30um的腔体。最后使用注射器向该腔体中注射半导体量子棒溶液，进行干燥。贵金属纳米颗粒线阵列-定向半导体量子棒复合结构发光器件制作完成，结构如图4所示。
图5为利用FDTD软件模拟的银纳米颗粒线阵列局域场，入射光是波长为448nm的平面波，入射光的偏振方向与银纳米颗粒阵列的方向夹角分别为0°，30°，60°，当入射光的偏振方向与银纳米颗粒平行，局域场增强最强，随着入射光偏振方向与银纳米颗粒阵列的方向夹角变大，局域场增强效果减弱。该特性与量子棒的偏振发射与偏振选择特性结合，可动态调控该器件的荧光强度。
图6为用FDTD软件模拟量子棒发光与银纳米颗粒阵列耦合，局域场增强示意图。图6中的三幅图分别代表了波长为638nm偏振方向沿y轴方向的偶极子源激发下贵金属纳米颗粒——量子棒阵列复合结构中的量子棒周围局域场、银纳米颗粒阵列xy平面局域场和复合器件xz平面局域场。
图7为利用FDTD模拟银纳米颗粒阵列增强量子棒周围局域场。激发光为波长为448nm的平面波，极化方向与银纳米颗粒方向平行，银纳米颗粒阵列存在，有效增强了量子棒周围的局域场。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，本说明书中所公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换；所公开的所有特征、或所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以任何方式组合；本领域的技术人员根据本发明技术方案的技术特征所做出的任何非本质的添加、替换，均属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤1.制备银纳米颗粒胶体溶液；
配置硝酸银与柠檬酸钠溶液，利用光化学还原反应制备直径为20±5nm的银纳米颗粒胶体溶液；
步骤2.激光倏逝驻波聚焦沉积银纳米颗粒线阵列基底；
步骤2-1.构建用于沉积银纳米颗粒线阵列的激光倏逝驻波光场：将满足相干条件的两束激光I1、I2分别垂直于倒置的正四边形棱台相对的两侧面表面相向入射，使两束光在倒置的正四边形棱台上表面内侧同一位置发生全反射，在倒置的正四边形棱台上表面形成倏逝驻波光场，此时两束激光I1、I2全反射形成的明亮光斑在所述倒置的正四边形棱台的上表面完全重合；
步骤2-2.在所述倒置的正四边形棱台的上表面两束激光所形成的明亮光斑处滴加步骤1中所制备的银纳米颗粒胶体溶液，使银纳米颗粒胶体溶液覆盖整个明亮光斑区域，在银纳米颗粒胶体溶液表面放置盖玻片，保持激光I1、I2持续辐照直到沉积形成周期为180nm，厚度为80nm的银纳米颗粒线阵列；
步骤2-3.去掉盖玻片，用去离子水清洗所得的沉积样品，即可得到银纳米颗粒线阵列基底；
步骤3.化学气相沉积法制备间隔层；
利用化学气相沉积法，在步骤2中制备的银纳米颗粒线阵列基底上表面沉积20nm厚的氮化硅Si3N4间隔层；
步骤4.配置半导体量子棒溶液；
将预先购置的长径比为7：1的CdSe/CdS核壳结构的半导体量子棒溶于正己烷，配置浓度为5mg/ml的量子棒溶液；
步骤5.制备上层定向层
在载玻片上表面旋涂一层聚合物聚酰亚胺PI，通过定向擦拭产生定向沟槽，形成PI取向层，再用掺有直径为30um的二氧化硅小球的紫外固化胶NOA-65旋涂在该载玻片上表面边沿，与沉积有间隔层的银纳米颗粒线阵列基底上表面粘合以形成一个缝隙为30um的腔体，同时保证银纳米颗粒线阵列方向与PI取向层的上表面定向沟槽方向平行，形成封装好的取向盒，最后使用注射器将步骤4所配置的量子棒溶液注射到封装好的取向盒中。
2.根据权利要求1所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述步骤1中所述的柠檬酸钠与硝酸银溶液的浓度均为0.005mol/L。
3.根据权利要求2所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述步骤2-1中相干条件具体指两束激光I1、I2在相遇区域，频率相同，相位差恒定，振动方向一致。
4.根据权利要求3所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述步骤2-2所述两束激光I1、I2的波长为532nm，单光束功率为20～30mw，持续辐照时间为10～15min。
5.根据权利要求4所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述两束激光I1、I2均为TE偏振。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述正四边形棱台在使用前应依次放入重铬酸钾洗液、酒精、去离子水中进行超声清洗，保持洁净。
7.根据权利要求6所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述正四边形棱台采用的玻璃折射率为1.8～2.1，粗糙度小于0.01um，通透性高于99.5％。
8.根据权利要求7所述的贵金属纳米颗粒-量子棒阵列的偏振器件制备方法，其特征在于，所述步骤1制备的银纳米颗粒胶体溶液的纳米颗粒形状为圆形或椭球形。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114674470A (zh) * 2022-03-21 2022-06-28 云南师范大学 一种基于碳量子点的透明压力探测装置
CN114924431A (zh) * 2022-06-02 2022-08-19 山西大学 一种增强棒状量子点偏振发射的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105301828A (zh) * 2015-11-18 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其制作方法
CN106654028A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 天津市中环量子科技有限公司 一种主动增亮膜及其制备方法
CN106773281A (zh) * 2016-11-21 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 显示器
CN106847797A (zh) * 2017-01-17 2017-06-13 电子科技大学 一种贵金属纳米颗粒‑量子点阵列发光器件制备方法
US20170343712A1 (en) * 2014-12-15 2017-11-30 Merck Patent Gmbh A polarized light emissive device
CN107513304A (zh) * 2017-08-23 2017-12-26 南方科技大学 一种基于量子棒定向排列的荧光偏振薄膜的制备方法
CN107861185A (zh) * 2017-11-29 2018-03-30 昆山龙腾光电有限公司 一种偏振片及其制作方法、液晶显示面板
CN108873480A (zh) * 2018-08-01 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种led光源、背光源及显示装置
CN109298562A (zh) * 2018-11-26 2019-02-01 昆山龙腾光电有限公司 量子棒薄膜及其制作方法、液晶显示装置
CN111290160A (zh) * 2020-03-31 2020-06-16 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示结构和显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170343712A1 (en) * 2014-12-15 2017-11-30 Merck Patent Gmbh A polarized light emissive device
CN105301828A (zh) * 2015-11-18 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其制作方法
CN106773281A (zh) * 2016-11-21 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 显示器
US20190384097A1 (en) * 2016-11-21 2019-12-19 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device
CN106654028A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 天津市中环量子科技有限公司 一种主动增亮膜及其制备方法
CN106847797A (zh) * 2017-01-17 2017-06-13 电子科技大学 一种贵金属纳米颗粒‑量子点阵列发光器件制备方法
CN107513304A (zh) * 2017-08-23 2017-12-26 南方科技大学 一种基于量子棒定向排列的荧光偏振薄膜的制备方法
CN107861185A (zh) * 2017-11-29 2018-03-30 昆山龙腾光电有限公司 一种偏振片及其制作方法、液晶显示面板
CN108873480A (zh) * 2018-08-01 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种led光源、背光源及显示装置
CN109298562A (zh) * 2018-11-26 2019-02-01 昆山龙腾光电有限公司 量子棒薄膜及其制作方法、液晶显示装置
CN111290160A (zh) * 2020-03-31 2020-06-16 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示结构和显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114674470A (zh) * 2022-03-21 2022-06-28 云南师范大学 一种基于碳量子点的透明压力探测装置
CN114924431A (zh) * 2022-06-02 2022-08-19 山西大学 一种增强棒状量子点偏振发射的方法

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