CN112420800B - 显示模组以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示模组以及电子设备。该显示模组包括:基板;至少两个显示像素单元,所述显示像素单元用于发射可见光,所述至少两个显示像素单元阵列式设置于所述基板上,至少部分相邻的所述显示像素单元之间形成间隙;至少一个红外光像素单元,所述红外像素单元设置于所述间隙,所述红外像素单元包括相邻设置的红外发射子单元和红外接收子单元,其中,所述红外发射子单元用于发射红外光,所述红外接收子单元用于接收红外光,并将接收的所述红外光转换为光电流;显示芯片,所述显示芯片用于计算所述光电流的电流值,所述至少两个显示像素单元和所述至少一个红外像素单元均与所述显示芯片连接。
Description
技术领域
本申请属于显示设备技术领域,具体涉及一种显示模组以及电子设备。
背景技术
电子设备,例如手机、笔记本电脑或平板电脑,通常会设置红外传感器。红外传感器又叫位移传感器。以手机为例,红外传感器一般设置于手机听筒的两侧或者设置于手机听筒凹槽中。当用户在接听或拨打电话时,将手机靠近头部,红外传感器能够测出头部与手机之间的距离。该距离减小设定值时,手机内的处理器会发出控制信号,以使屏幕背景灯熄灭;在移开手机时,红外传感器感测到的距离大于设定值时,处理器发出通知信号,以再次点亮背景灯,红外传感器会占用电子设备的空间,使得显示屏幕的面积减小,降低了电子设备的屏占比。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种显示模组以及电子设备,能够解决电子设备屏占比低的问题。
为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提出了一种显示模组,包括:基板;至少两个显示像素单元,所述显示像素单元用于发射可见光,所述至少两个显示像素单元阵列式设置于所述基板上,至少部分相邻的所述显示像素单元之间形成间隙;至少一个红外光像素单元,所述红外像素单元设置于所述间隙,所述红外像素单元包括相邻设置的红外发射子单元和红外接收子单元,其中,所述红外发射子单元用于发射红外光,所述红外接收子单元用于接收红外光,并将接收的所述红外光转换为光电流;显示芯片,所述显示芯片用于计算所述光电流的电流值,所述至少两个显示像素单元和所述至少一个红外像素单元均与所述显示芯片连接。
第二方面,本申请实施例提出了一种电子设备,包括:处理器和本申请提供的显示模组;所述处理器用于:获取所述光电流的电流值;在所述光电流的电流值大于或等于预设阈值的情况下,向所述显示芯片发出控制信号;其中,所述控制信号包括第一控制信号或第二控制信号,所述第一控制信号用于控制显示模组发光或熄灭,所述第二控制信号用于调整所述显示模组的亮度。
在本申请的实施例中,显示模组在基板上设有显示像素单元和红外光像素单元,红外光像素包括红外发射子单元和红外接收子单元。该显示模组不仅能够发射可见光以用于图像显示,还能够发射和接收红外光。显示芯片能够计算红外接收子单元转换的光电流的电流值,从而为显示模组所在的电子设备提供参考。设置有该显示模组的电子设备不需要在显示屏一侧另外设置红外发传感器,从而可以提高电子设备的屏占比。
附图说明
图1是根据本发明实施例的红外像素单元的剖视图;
图2是根据本发明实施例的显示模组的局部剖视图;
图3是根据本发明实施例的红外接收子单元的剖视图;
图4是根据本发明实施例的像素阵列的电路图;
图5是根据本发明实施例的红外像素单元的示意图;
图6是根据本发明实施例的像素阵列的示意图;
图7是根据本发明实施例的环境光的调节方法的流程图;
图8是根据本发明实施例的接近光的调节方法的流程图;
图9是根据本发明实施例的显示像素的局部剖视图。
附图标记:
10:基板;11:缓冲层;12:第一N型半导体;13:表层;14:本征半导体;15:第一P型半导体;16:金属负极;17:通孔;18:准直层;19:第三N型半导体层;20:源极走线;21:第三P型半导体层;22:第二N型半导体层;23:栅极走线;24:反射层;25:第二P型半导体层;26:金属正极;27:走线层;28:红外接收子单元;29:红外发射子单元;30:遮光层;31:红色像素单元;32:绿色像素单元;33:蓝色像素单元;34:漏极走线;35:显示芯片;36:遮蔽层;37:栅极绝缘层;38:层间介质层;39:像素阳极层;40:平坦化层;41:阳极绝缘层;42:OLED;43:像素阴极层;45:半导体结构;46:第一驱动电路;47:第二驱动电路;48:第三驱动电路。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合图1-图9描述根据本发明实施例的显示模组。
如图2,图6所示,根据本发明一些实施例的显示模组。该显示模组包括:基板10、至少两个显示像素单元、至少一个红外像素单元和显示芯片35。显示像素单元和红外像素单元位于显示模组的显示区域。
具体地,基板10用于支撑各种元器件,例如显示像素单元、红外像素单元、走线层27等。各种元器件可以直接地设置于基板10上,也可以间接地设置于基板10上。在该实施例中,基板10的材质为玻璃等,当然,基板10的材质不限于此,本领域技术人员可以根据实际需要进行设置。
显示像素单元用于发射可见光。可见光是指人的眼睛可以感知的电磁波。显示像素单元能将电能转换为可见光。所述多个显示像素单元阵列式设置于所述基板10上,至少部分相邻的所述显示像素单元之间形成间隙。
红外像素单元设置于所述间隙。如图1所示,所述红外像素单元包括相邻设置的红外发射子单元29和红外接收子单元28。其中,所述红外发射子单元29用于发射红外光。红外光为频率介于微波与可见光之间的电磁波,红外光属于不可见光。红外发射子单元29用于将电能转换为红外光。所述红外接收子单元28用于接收红外光并转换为光电流。
该接收的红外光可以是外界环境的红外光,也可以是由红外发射子单元29发出并被外界环境反射回来的红外光,还可以是上述两种红外光叠加的红外光。
所述显示芯片35用于计算所述光电流的电流值,至少两个显示像素单元和至少一个红外像素单元均与所述显示芯片35连接。显示芯片35是提供显示功能的芯片。显示芯片35用于计算红外接收子单元28转换成的光电流的电流值。
根据本发明实施例的显示模组,在基板10上设有显示像素单元和红外光像素单元,红外光像素包括红外发射子单元29和红外接收子单元28。该显示模组不仅能够发射可见光以用于图像显示,还能够发射和接收红外光。显示芯片35能够计算红外接收子单元28转换的光电流的电流值,从而为显示模组所在的电子设备提供参考。
例如,电子设备可以根据光电流的电流值进行显示模组的亮度调节、屏幕点亮或熄灭操作等。这使得电子设备不需要在显示屏一侧另外设置红外传感器,从而可以提高电子设备的屏占比。
此外,红外光像素单元可以设置在显示模组的显示区域的任意位置,这使得显示模组对于红外光的感测更精确,显示模组具备感测功能的区域的面积更大。
图2是根据本发明实施例的显示模组的局部剖视图。如图2所示,基板10上设置有走线层27。显示像素单元、红外像素单元和显示芯片35位于基板10上。显示像素单元的驱动电路以及红外像素单元的驱动电路位于走线层27。显示像素单元和红外像素单元通过各自的驱动电路进行驱动。
如图4,图9所示,显示像素单元包括第一驱动电路46和用于显示的发光层。发光层例如是OLED42(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)或者液晶。第一驱动电路46包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)和至少一个电容。其中,图4是以第一驱动电路46为2T1C结构,即包括两个TFT,例如T1和T2,以及一个电容C为例进行的说明。
在该例子中,第一驱动电路46包括源级走线、栅极走线23、寻址TFT(即T1),存储电容(即C),发光TFT(即T2)以及为OLED42提供正电源的ELVDD信号元件(即OLED42驱动电压)和提供负电源的ELVSS(即低电平电源电压)信号元件。
其中,源极走线20沿第一方向,栅极走线23沿第二方向,例如第一方向和第二方向垂直。寻址TFT的栅极与栅极走线23连接。寻址TFT的源极与源极走线20连接。寻址TFT的漏极与发光TFT的栅极连接。存储电容的一个电极与发光TFT的栅极连接,另一个电极与发光TFT的源极连接。发光TFT的源极与ELVDD信号元件连接,发光TFT的漏极与OLED42连接。
图9是根据本发明实施例的显示像素的局部剖视图。图9示出了发光TFT与OLED42的结构。发光TFT包括栅极绝缘层37、形成正在栅极绝缘层37内的半导体结构45、设置于栅极绝缘层37上的层间介质层38、形成在层间介质层38内的走线区(其中,走线区包括栅极走线23、源极走线20以及漏极走线34)、设置于层间介质层38上的阳极绝缘层41、设置于阳极绝缘层41上的平坦化层40。半导体结构45形成PN节。在阳极绝缘层41上形成有像素阴极层43,在平坦化层40上形成有像素阳极层39。OLED42位于像素阴极层43和像素阳极层39之间。像素阳极层39与漏极走线34连接。OLED42包括叠设的空穴注入层、发光层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层与像素阳极层39连接。电子注入层与像素阴极层43连接。
可选地,显示像素单元包括红色像素单元31、蓝色像素单元33、绿色像素单元32、黄色像素单元等。当然,显示像素单元不限于上述颜色,本领域技术人员可以根据实际需要选择颜色组合。各颜色的像素单元在基板10上成行(例如,沿X轴方向)、成列(例如,沿Y轴方向)的排列,以形成阵列式排布。间隙为基板10上未设置显示像素单元的区域。
根据本发明的一些实施例,所述显示像素单元与所述红外光像素单元在所述基板10上投影的面积相同。例如,显示像素单元与红外像素单元在基板10上的投影均为长方形。如图6所示,显示像素单元与红外像素单元的长度相等,并且宽度也相等。这种设置方式,各个像素单元的排列更均匀,显示模组的成像效果更细腻。
当然,所述显示像素单元与所述红外光像素单元的形状不限于此,只要两种像素单元在基板10上的投影的形状、面积相同即可。
根据本发明的一些实施例,所述红外发射子单元29包括第三驱动电路48。第三驱动电路48与第一驱动电路46不同。如图4所示,第三驱动电路48包括寻址TFT和电容,第一驱动电路46中发光TFT的位置被红外发射子单元29替换。红外发射子单元29与显示像素单元共用栅极走线23和源极走线20,这使得显示模组的电路布图更简单,加工工艺更简单。
例如,红外发射子单元29和红外接收子单元28均为半导体器件。如图5所示,红外发射子单元29位于整个红外像素单元的中部位置或者靠近中部的位置。红外接收子单元28位于整个红外像素单元的边缘位置或角部位置。红外发射子单元29在基板10上的投影面积大于红外接收子单元28的投影面积。红外发射子单元29通常具有相对复杂的驱动电路。这种布置方式不会影响显示模组的整体显示效果。
此外,红外发射子单元29和显示像素单元的驱动电路接近,这种设置方式便于红外发射子单元29的驱动电路的设置。
根据本发明的一些实施例,相邻的至少两个所述显示像素单元之间形成多个所述间隙,所述间隙呈阵列式分布。阵列式分布是指多个间隙在X轴方向和Y轴方向均有分布,从而使得在整个显示区域内,均设有红外像素单元。通过这种方式,红外像素单元能进行能红外发射和红外接收的区域的面积更大,红外像素单元的感测能更准确。
根据本发明的一些具体实施例,相同颜色的至少两个显示像素单元成行或成列排列,所述间隙位于相同颜色的显示像素单元之间;或者
不同颜色的至少两个显示像素单元构成像素组,所述间隙位于相邻的所述像素组之间。
具体地,成行是指沿X轴排列,成列是指沿Y轴排列。如图6(a)所示,显示像素单元包括红色像素单元31、绿色像素单元32和蓝色像素单元33。在X轴方向上,多个像素单元有规律的排列。在Y轴方向上,红色像素单元31与间隙间隔设置。在间隙上设置有红外像素单元。在Y轴方向上,红外像素单元与红色像素单元31交替设置,绿色像素单元32和蓝色像素单元33连续设置;或者,如图6(b)所示,在Y轴方向上,红外像素单元与蓝色像素单元33交替设置,红色像素单元31和绿色像素单元32连续设置;或者,如图6(c)所示,在Y轴方向上,红外像素单元与绿色像素单元32交替设置,红色像素单元31和蓝色像素单元33连续设置。
也可以是,在Y轴方向上,多个像素单元有规律的排列。在X轴方向上,红色像素单元31与间隙间隔设置。在间隙上设置有红外像素单元。在X轴方向上,红外像素单元与红色像素单元31交替设置,绿色像素单元32和蓝色像素单元33连续设置;或者,在X轴方向上,红外像素单元与蓝色像素单元33交替设置,红色像素单元31和绿色像素单元32连续设置;或者,在X轴方向上,红外像素单元与绿色像素单元32交替设置,红色像素单元31和蓝色像素单元33连续设置。
还可以是,红色像素单元31、绿色像素单元32和蓝色像素单元33构成像素组。在像素组内,在X轴方向上,按照红色像素单元31、绿色像素单元32、蓝色像素单元33排列(如图6(d)所示);或者,按照绿色像素单元32、蓝色像素单元33、红色像素单元31排列(如图6(e)所示);或者,按照蓝色像素单元33、红色像素单元31、绿色像素单元32排列(如图6(f)所示)。间隙位于相邻的像素组之间,在间隙上设置有红外像素单元。其中,不同行的多个红外像素单元,可以位于同一列也可以位于不同列。
也可以是,在Y轴方向上,按照红色像素单元31、绿色像素单元32、蓝色像素单元33排列;或者,按照绿色像素单元32、蓝色像素单元33、红色像素单元31排列;或者,按照蓝色像素单元33、红色像素单元31、绿色像素单元32排列。红外像素单元位于相邻的像素组之间。不同列的多个红外像素单元,可以位于同一行也可以位于不同行。
优选地,多个红外像素单元位于不同列或者不同行,这种设置方式能够避免显示区域出现杂颜色的线,从而保证显示模组的显示效果良好。
当然,红外像素单元和显示像素单元的排列方式不限于上述实施例,本领域技术人员可以根据实际需要进行设置。
根据本发明的一些实施例,如图2所示,所述红外发射子单元29和所述红外接收子单元28之间设置有遮蔽层36。例如遮蔽层36为遮蔽油墨,或者红外光无法穿过的其他物质。遮蔽层36能有效地避免红外发射子单元29发出的红外光干扰红外接收子单元28的接收效果,从而使得红外接收子单元28的感测能够更精确。
根据本发明的一些实施例,如图3所示,光电二极管包括第一P型半导体15、第一N型半导体12和本征半导体14,所述第一P型半导体15、所述第一N型半导体12和所述本征半导体14并列地设置于所述基板10上,所述本征半导体14位于所述第一P型半导体15和所述第一N型半导体12之间。
在该例子中,并列地设置于基板10上是指上述三种半导体均位于基板10的一个表面上。例如通过沉积的方式形成在该表面上。通过这种方式,光电二极管的感光面积能够更大。光电二极管为PIN二极管结构,即在第一P型半导体15和第一N型半导体12之间加入一层低掺杂的本征半导体14,从而增大了耗尽区的宽度,提高了光电转换率。在光电二极管外设有透红外光的表层13。
如图3所示,第一P型半导体15和第一N型半导体12分别通过金属电极与第二驱动电路47连接。金属电极包括与第一P型半导体15连接的金属负极16,和与第一N型半导体12连接的金属正极26。
在该例子中,红外光穿过表层13后照射到光电二极管上,红外光在本征半导体14内被吸收并产生大量的电子-空穴对,从而并形成光电流。该光电流由两个金属电极输出至第二驱动电路47。该光电二极管的结构简单,转换效率高。
此外,所述第一P型半导体15、所述第一N型半导体12和所述本征半导体14并列地设置于所述基板10上,这使得光电二极管接收红外光的面积更大,提高了光电二极管的感测效率。
在其他示例中,金属电极也可以由基板10引出。金属电极的设置方式不限于上述实施例,本领域技术人员可以根据实际需要进行设置。光电二极管结构不限于上述实施例,本领域技术人员可以根据实际需要进行设置。
根据本发明的一些具体实施例,如图3所示,在所述红外接收子单元28与所述基板10之间设置有缓冲层11。在所述缓冲层11的至少局部与所述基板10之间设置有遮光层30,所述遮光层30的至少局部与所述本在征半导体相对设置。
例如,缓冲层11的材质为二氧化硅、碳化硅、氮化硅等。遮光层30为不能穿透红外光的材料,例如遮蔽油墨等。在该例子中,通过设置遮光层30能有效地避免来自基板10的红外光对光电二极管造成干扰,进一步提高了红外接收子单元28的感测精度。
此外,通过设置缓冲层11能够调整红外接收子单元28相对于基板10的距离,从而保持红外接收子单元28和红外发射子单元29的远离基板10一侧的表面平齐。
根据本发明的一些实施例,如图4所示,所述红外接收子单元28包括第二驱动电路47。所述第一驱动电路46和第二驱动电路47共用栅极走线23。
例如,第二驱动电路47包括光电TFT(即,T3)。该光电TFT的栅极与第一驱动电路46的栅极走线23连接。第二驱动电路47还包括独立设置的收集电路,光电TFT通过收集电路与显示芯片35连接,以将光电二极管的光电流传输至显示芯片35。在该例子中,由于第一驱动电路46和第二驱动电路47共用栅极走线23,故使得红外收集子单元的电路布图变得简单。
根据本发明的一些实施例,所述红外发射子单元29包括垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)。VCSEL为一种半导体器件。该激光器在通电的条件下能发出红外光等激光,并且电-光转换效率高。
根据本发明的一些实施例,如图1所示,所述垂直腔面发射激光器包括设置于所述基板10上的第二P型半导体层25、设置于所述第二P型半导体层25上的第二N型半导体层22、设置于所述第二N型半导体层22上的第三P型半导体层21和设置于所述第三P型半导体层21上的第三N型半导体层19、设置于所述第三N型半导体层19上的准直层18,所述准直层18开设有通孔17,所述第三P型半导体内设有栅极走线23。
在该例子中,所述第二P型半导体层25形成凸出部,所述凸出部位于所述第二N形半导体层内,以将第二N型半导体层22分为源极区和漏极区,所述栅极走线23与所述凸出部相对设置。第三P型半导体层21内形成有栅极走线23,第二N型半导体层22内形成有源极走线20和漏极走线34。施加在栅极和源极的电压被转换为红外光。红外光由开设在准直层18的通孔17辐射出。栅极走线23和源极走线20可以由基板10或者准直层18引出,再连接至外部电路。该垂直腔面发射激光器的结构简单,电光转换效率高。
当然,垂直腔面发射激光器的具体结构不限于上述实施例,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
根据本发明的一些具体实施例,如图1所示,在所述基板10与所述第二P型半导体层25之间设置有反射层24,所述反射层24用于反射红外光。例如,反射层24为金属材料。反射层24能有效地避免红外光照射到基板10上,从而使得从准直层18射出的红外光强度更高。
在一个例子中,反射层24的局部通过刻蚀形成电路布图,在栅极走线23、源极走线20通过电路布图。通过这种方式,能够充分利用反射层24的空间。
根据本发明的一些具体实施例,所述红外接收子单元28用于接收来自外界环境的红外光并转换为光电流;或者
所述红外接收子单元28用于接收所述红外发射子单元29发射出并被外界环境反射回来的红外光并转换为光电流。
在该例子中,红外接收子单元28可以单独,也可以与红外发射子单元29配合使用。例如,在红外像素单元感测的光电流用于调整显示模组的亮度时,红外接收子单元28为单独使用;在红外像素单元感测的光电流用于点亮或熄灭显示模组时,红外接收子单元28需要与红外发射子单元29配合使用。
根据本发明一些实施例的电子设备。电子设备可以是但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、一体式计算机、台式计算机、学习机、游戏机、智慧屏幕、智能音箱、车载显示器等。
该电子设备包括:处理器和上述的显示模组。处理器用于:获取所述光电流的电流值;在所述光电流的电流值大于或等于预设阈值的情况下,向所述显示芯片35发出控制信号。
其中,所述控制信号包括第一控制信号或第二控制信号,所述第一控制信号用于控制显示模组发光或熄灭,所述第二控制信号用于调整所述显示模组的亮度。
在一个例子中,如图7所示,该电子设备的环境光的调节方法包括:
步骤101、红外像素单元中的红外接收子单元28接收外界环境的红外光,并转换为光电流。
步骤102、显示芯片35计算光电流的电流值。例如,每间隔1秒钟计算一次光电流的电流值。
步骤103、处理器获取所述光电流的电流值,并与预存的光电流的预设阈值进行比对,在所述光电流的电流值大于或等于预设阈值的情况下,处理器根据与外界环境的亮度对应的显示模组的亮度值生成第一控制信号,并发送至显示芯片35。在未达到阈值的条件下,则处理器不发出第一控制信号,显示模组的亮度保持不变。
步骤104、显示芯片35获取第一控制信号,并根据第一控制信号调整显示模组的亮度。
该电子设备能够通过显示模组和处理器的配合实现亮度的调节。
在另一个例子中,如图8所示,该电子设备的接近光的调节方法包括:
步骤201、红外像素单元中的红外发射子单元29向外界环境发射红外光,该红外光被外部环境中的物体反射回来,例如被人体或者衣服等反射回来。
步骤202、红外像素单元中的红外接收子单元28接收被外界环境反射回来的红外光,并转换为光电流。
步骤203、显示芯片35计算光电流的电流值。例如,每间隔1秒钟计算一次光电流的电流值。
步骤204、处理器获取所述光电流的电流值,并与预存的光电流预设阈值进行比对,在所述光电流的电流值大于或等于预设阈值的情况下,发出第二控制信号,例如点亮显示模组或者使显示模组熄灭。在未达到阈值的条件下,则处理器不发出第二控制信号,显示模组的状态保持不变。
步骤205、显示芯片35获取第二控制信号,并根据第二控制信号点亮显示模组或者使显示模组熄灭。
该电子设备能够通过显示模组和处理器的配合实现显示模组的电量或者熄灭。
在本发明实施例中,显示模组包括红外像素单元,红外像素单元能够发射红外光以及接收红外光并转换成光电流,显示芯片35能够计算光电流的电流值,处理器能够根据光电流的电流值发出控制信号(例如,第一控制信号或第二控制信号),来控制显示模组的亮度、点亮或熄灭等。这样,电子设备不需要另外设置环境光和接近光传感器,从而节省了电子设备的显示模组一侧的空间,电子设备的屏占比能进一步提升。
此外,红外像素单元可以位于显示模组的任意区域,故能够根据实际需要设置红外像素单元的位置,以保证红外像素单元感测的精确度。
根据本发明实施例的显示模组的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的,这里不再详细描述。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的条件下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (11)
1.一种显示模组,其特征在于,包括:
基板(10);
至少两个显示像素单元,所述显示像素单元用于发射可见光,所述至少两个显示像素单元阵列式设置于所述基板(10)上,至少部分相邻的所述显示像素单元之间形成间隙;
至少一个红外光像素单元,所述红外光 像素单元设置于所述间隙,所述红外光 像素单元包括相邻设置的红外发射子单元(29)和红外接收子单元(28),其中,所述红外发射子单元(29)用于发射红外光,所述红外接收子单元(28)用于接收红外光,并将接收的所述红外光转换为光电流;
显示芯片(35),所述显示芯片(35)用于计算所述光电流的电流值,所述至少两个显示像素单元和所述至少一个红外光 像素单元均与所述显示芯片(35)连接;
所述红外发射子单元(29)包括垂直腔面发射激光器;
所述垂直腔面发射激光器包括设置于所述基板(10)上的第二P型半导体层(25)、设置于所述第二P型半导体层(25)上的第二N型半导体层(22)、设置于所述第二N型半导体层(22)上的第三P型半导体层(21)和设置于所述第三P型半导体层(21)上的第三N型半导体层(19)、设置于所述第三N型半导体层(19)上的准直层,所述准直层开设有通孔(17),所述第二P型半导体层(25)形成凸出部,所述凸出部位于所述第二N型 半导体层内,所述第三P型半导体内设有栅极走线(23 ),所述栅极走线(23 )与所述凸出部相对设置;
在所述基板(10)与所述第二P型半导体层(25)之间设置有反射层(24),所述反射层(24)用于反射红外光。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,相邻的至少两个所述显示像素单元之间形成多个所述间隙,多个所述间隙呈阵列式分布。
3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,相同颜色的至少两个显示像素单元成行或成列排列,所述间隙位于相同颜色的显示像素单元之间;或者
不同颜色的至少两个显示像素单元构成像素组,所述间隙位于相邻的所述像素组之间。
4.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述红外发射子单元(29)和所述红外接收子单元(28)之间设置有遮蔽层(36)。
5.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示像素单元与所述红外光像素单元在所述基板(10)上投影的面积相同。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示模组,其特征在于,所述红外接收子单元(28)为光电二极管。
7.根据权利要求6所述的显示模组,其特征在于,所述光电二极管包括第一P型半导体(15)、第一N型半导体(12)和本征半导体(14),所述第一P型半导体(15)、所述第一N型半导体(12)和所述本征半导体(14)并列地设置于所述基板(10)上,所述本征半导体(14)位于所述第一P型半导体(15)和所述第一N型半导体(12)之间。
8.根据权利要求7所述的显示模组,其特征在于,在所述红外接收子单元(28)与所述基板(10)之间设置有缓冲层,在所述缓冲层的至少局部与所述基板(10)之间设置有遮光层(30),所述遮光层(30)的至少局部与所述本征半导体(14)相对设置。
9.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示像素单元包括第一驱动电路(46),所述红外接收子单元(28)包括第二驱动电路,所述第一驱动电路(46)和第二驱动电路(47)共用栅极走线(23 )。
10.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述红外接收子单元(28)用于接收来自外界环境的红外光并转换为光电流;或者
所述红外接收子单元(28)用于接收所述红外发射子单元(29)发射出并被外界环境反射回来的红外光并转换为光电流。
11.一种电子设备,其特征在于,包括:处理器和如权利要求1-10任一项所述的显示模组;
所述处理器用于:获取所述光电流的电流值;在所述光电流的电流值大于或等于预设阈值的情况下,向所述显示芯片(35)发出控制信号;
其中,所述控制信号包括第一控制信号或第二控制信号,所述第一控制信号用于控制显示模组发光或熄灭,所述第二控制信号用于调整所述显示模组的亮度。
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