CN112420554A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；支承单元，其在所述工艺空间中支承所述基板；加热构件，其加热支承于所述支承单元上的所述基板；和排放单元，其抽排所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元，所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域。

Description

用于处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0103785的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法。
背景技术
执行诸如清洁、沉积、涂覆、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体元件。在这些工艺中，沉积工艺和涂覆工艺用于在基板上形成膜。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体来形成膜的工艺，而涂覆工艺是通过将处理液施用到基板来形成液膜的工艺。
在基板上形成膜之前和之后，在基板上执行烘烤工艺(bake process)。烘烤工艺是在诸如烘烤腔室的密封空间中将基板加热到工艺温度或更高的工艺。在烘烤工艺中，基板的整个区域被均匀地加热，或者基板的各个区域的温度由操作员调节。
烘烤工艺中产生的烟尘(fume)通过连接到烘烤腔室的排放管(exhaust duct)释放，从而释放烘烤腔室中的气氛(atmosphere)。在烟尘流过排放管的情况下，烟尘沉积在排放管的内壁上。特别地，在邻近排放管与烘烤腔室连接的点的区域中，烟尘的沉积量显著增加。
由于沉积在排放管上的烟尘，排放压力无法维持在设定压力，这会导致工艺不良。使用各种方法来防止烟尘沉积在排放管上。然而，这些方法在防止烟尘的沉积方面无效，或者单独消耗了大量的热能。
发明内容
本发明构思的实施方案提供一种用于将排放管维持在高温下的装置和方法。
本发明构思的实施方案提供一种用于防止烟尘在排放管上的沉积的装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；支承单元，其在所述工艺空间中支承所述基板；加热构件，其加热支承于所述支承单元上的所述基板；和排放单元(exhaust unit)，其抽排(evacuate)所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元(heat retention unit)，所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域(adjacent area)。
根据一实施方案，所述热量保持单元可以包括由隔热材料形成的壳体，并且在所述壳体中具有所述保持空间。
根据一实施方案，所述排放管可以耦合到所述工艺腔室的上壁，所述壳体可以附接到所述工艺腔室的所述上壁，并且所述邻近区域可以是邻近所述工艺腔室的所述上壁和所述排放管的区域。
根据一实施方案，所述壳体可以包括上壁和从所述上壁向下延伸的环形侧壁，并且所述侧壁可以直接耦合到所述工艺腔室。
根据一实施方案，当从上方观察时，所述壳体可以具有与所述工艺腔室相对应的尺寸。
根据一实施方案，所述热量保持单元还可以包括维持所述壳体的上壁的形状的形状保持构件(shape-retaining member)。
根据一实施方案，所述形状保持构件可以包括增强板(reinforcing plate)，所述增强板耦合到所述上壁的底表面以在所述上壁和所述形状保持构件之间形成内部空间。
根据一实施方案，所述增强板可以具有形成在其底表面上的径向延伸的槽。
根据一实施方案，所述内部空间可以填充有气体。
根据一实施方案，所述内部空间可以设置为所述气体到外部的流动被中断的状态。
根据一实施方案，所述气体可以是空气。
根据一实施方案，所述热量保持单元还可以包括在所述邻近区域中围绕所述排放管的盖。
根据一实施方案，所述装置还可以包括：气板(gas plate)，其设置在所述工艺空间中以面对支承于所述支承单元上的所述基板；以及遮蔽板(shielding plate)，其设置在所述气板的顶侧上，并且所述排放管可以包括耦合到所述气板的第一管和耦合到所述遮蔽板的第二管。
根据一实施方案，所述气板可以具有孔，气体通过所述孔供应以在所述工艺空间中产生向下的气流。
根据一实施方案，对所述基板的处理可以是烘烤工艺。
根据示例性实施方案，一种用于处理基板的方法包括：将所述基板设置在工艺空间中；和在所述工艺空间中通过加热所述基板来处理所述基板。在处理所述基板的情况下，通过排放管释放所述工艺空间中的气氛。在所述工艺空间的外部，设置保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间、和在所述保持空间中形成密封空间的内部空间。所述排放管设置成穿过所述保持空间，并且所述排放管的穿过所述保持空间的区域被保持在所述保持空间和所述内部空间中的热量加热。
根据一实施方案，所述保持空间可以通过壳体设置，所述壳体由隔热材料形成。
根据一实施方案，所述内部空间可以填充有气体。
根据一实施方案，所述排放管可以被盖围绕。
根据一实施方案，对所述基板的处理可以是在所述基板上执行热处理的烘烤工艺。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备(equipment)的平面图；
图2是示出了当沿方向A-A观察时图1的设备的视图；
图3是示出了当沿方向B-B观察时图1的设备的视图；
图4是示出了当沿方向C-C观察时图1的设备的视图；
图5是示出了图1的加热单元的截面图；
图6是示出了图5的加热构件和安置板的平面图；
图7是示出了根据本发明构思的实施方案的壳体的立体图；
图8是沿图7的线A-A截取的截面图；
图9是示出了根据本发明构思的实施方案的壳体耦合到工艺腔室的状态的视图；
图10是示出了根据本发明构思的实施方案的壳体和盖的视图；
图11是示出了根据本发明构思的另一实施方案的排放单元的视图；以及
图12是示出了根据本发明构思的另一实施方案的壳体的视图。
具体实施方式
以下，将参照附图更加详细地描述本发明构思的实施方案。可以对本发明构思的实施方案进行各种修改和变型，并且本发明构思的范围不应解释为受限于本文中阐述的实施方案。提供这些实施方案使得本发明构思彻底且完善，并且将本发明构思的范围完全传达给本领域的技术人员。因此，在附图中，为了清楚说明，夸大了部件的形状。
本发明构思的基板处理设备可以用于在诸如半导体晶圆或平板显示面板的基板上执行光刻工艺。特别地，本发明构思的基板处理设备可以连接到步进器，并且可以用于在基板上执行涂覆工艺和显影工艺。然而，本发明构思可应用于在处理基板的密封空间中形成气流的各种装置。在以下描述中，将例示圆形晶圆用作基板。
图1是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的示意性平面图。图2是示出了当沿方向A-A观察时图1的设备的视图。图3是示出了当沿方向B-B观察时图1的设备的视图。图4是示出了当沿方向C-C观察时图1的设备的视图。
参照图1至图4，基板处理设备1包括装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块(coating and developing module)400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块(pre/post-exposure treatment module)600和接口模块700。装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700沿一个方向依序设置成排。
在下文中，设置装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700的方向被称为第一方向12。从上面观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，且垂直于第一方向12和第二方向14的方向被称为第三方向16。
以接收在盒(cassette)20中的状态移动基板W。盒20具有可以从外部密封的结构。例如，各自在前部具有门的前开式晶圆盒(FOUP，front open unified pods)可以用作盒20。
在下文中，将详细描述装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。
装载端口100具有多个安装台120，其中接收有基板W的盒20放置在安装台120上。安装台120沿着第二方向14设置成排。在图2中，设置四个安装台120。
索引模块200在放置于装载端口100的安装台120上的盒20与第一缓冲模块300之间传送基板W。索引模块200具有框架210、索引机械手220和导轨230。框架210具有基本矩形的平行六面体形状(rectangular parallelepipedshape)，内部具有空的空间，并且该框架210设置在装载端口100和第一缓冲模块300之间。索引模块200的框架210可以设置在比将在下面描述的第一缓冲模块300的框架310更低的位置。索引机械手220和导轨230设置在框架210中。索引机械手220具有能够四轴驱动的结构，使得直接处理基板W的手(hand)221在第一方向12、第二方向14和第三方向16上是可移动的，并且绕其中心轴线是可旋转的。
索引机械手220具有手221、臂222、支承杆223和基座224。手221固定地附接至臂222。臂222设置为可伸缩且可旋转的结构。支承杆223设置成使得其纵向方向平行于第三方向16。臂222耦合至支承杆223以便沿支承杆223为可移动的。支承杆223固定地耦合至基座224。导轨230设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。基座224耦合至导轨230以便沿导轨230为可直线移动的。此外，尽管未示出，但是在框架210中另外设置有用于打开和关闭盒20的门的开门器(door opener)。
第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却腔室350和第一缓冲机械手360。框架310具有矩形的平行六面体形状，内部具有空的空间，并且该框架310设置在索引模块200与涂覆和显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却腔室350和第一缓冲机械手360位于框架310中。冷却腔室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320沿第三方向16向上依序设置。第一缓冲器320位于与将在下面描述的涂覆和显影模块400的涂覆模块401相对应的高度处，而第二缓冲器330和冷却腔室350位于与将在下面描述的涂覆和显影模块400的显影模块402相对应的高度处。第一缓冲机械手360定位成在第二方向14上与第二缓冲器330、冷却腔室350和第一缓冲器320间隔开预定距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330各自临时存储多个基板W。第二缓冲器330具有壳体331和多个支承件332。支承件332设置在壳体331中并沿第三方向16彼此间隔开。各支承件332上放置一个基板W。
壳体331具有分别面对设置索引机械手220、第一缓冲机械手360和显影器机械手482的方向的开口(未示出)，使得索引机械手220、第一缓冲机械手360和将在下面描述的显影模块402的显影器机械手482将基板W装载到壳体331中的支承件332上，或者将基板W从壳体331中的支承件332卸载。第一缓冲器320具有与第二缓冲器330的结构基本相似的结构。
然而，第一缓冲器320的壳体321具有面对设置第一缓冲机械手360和位于涂覆模块401中的涂覆器机械手432的方向的开口。第一缓冲器320中设置的支承件332的数量可以与第二缓冲器330中设置的支承件332的数量相同或不同。根据一实施方案，第二缓冲器330中设置的支承件332的数量可以大于第一缓冲器320中设置的支承件332的数量。
第一缓冲机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送基板W。第一缓冲机械手360具有手361、臂362和支承杆363。手361固定地附接至臂362。臂362具有可伸缩的结构，并且使手361能够沿第二方向14移动。臂362耦合至支承杆363以便在第三方向16上沿支承杆363为可直线移动的。支承杆363具有从对应于第二缓冲器330的位置延伸至对应于第一缓冲器320的位置的长度。支承杆363还可向上或向下延伸。第一缓冲机械手360可以设置成使得手361仅简单地沿第二方向14和第三方向16执行2轴驱动。
冷却腔室350冷却基板W。冷却腔室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有其上放置基板W的上表面和冷却基板W的冷却工具(cooling means)353。诸如通过冷却水进行冷却、通过热电元件进行冷却等的各种方法可以用于冷却工具353。此外，冷却腔室350可以包括将基板W定位在冷却板352上的升降销组件(未示出)。壳体351具有分别面对设置索引机械手220和显影器机械手482的方向的开口(未示出)，使得索引机械手220和设置在显影模块402中的显影器机械手482将基板W装载到冷却板352上，或者将基板W从冷却板352卸载。此外，冷却腔室350可以包括打开和关闭上述开口的门(未示出)。
涂覆和显影模块400在曝光工艺之前执行用光刻胶涂覆基板W的工艺，在曝光工艺之后在基板W上执行显影工艺。涂覆和显影模块400具有基本矩形的平行六面体形状。涂覆和显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402设置在不同的层板(floor)上以便彼此分开。根据一实施方案，涂覆模块401位于显影模块402上方。
涂覆模块401执行用诸如光刻胶的光敏液涂覆基板W的工艺，并且在刻胶(resist)涂覆工艺之前和之后在基板W上执行诸如加热或冷却的热处理工艺。涂覆模块401具有刻胶涂覆单元410、烘烤单元800和传送腔室430。刻胶涂覆单元410、烘烤单元800和传送腔室430沿第二方向14依序设置。因此，刻胶涂覆单元410和烘烤单元800在第二方向14彼此间隔开，其间具有传送腔室430。刻胶涂覆单元410布置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置六个刻胶涂覆单元410的实施例。烘烤单元800布置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置六个烘烤单元800的实施例。然而，可以设置更多或更少数量的烘烤单元800。
传送腔室430沿第一方向12与第一缓冲模块300的第一缓冲器320并排定位。涂覆器机械手432和导轨433位于传送腔室430中。传送腔室430具有基本矩形的形状。涂覆器机械手432在烘烤单元800、刻胶涂覆腔室400、第一缓冲模块300的第一缓冲器320和将在下面描述的第二缓冲模块500的第一冷却腔室530之间传送基板W。
导轨433设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨433导引涂覆器机械手432在第一方向12的直线运动。涂覆器机械手432具有手434、臂435、支承杆436和基座437。手434固定地附接至臂435。臂435具有可伸缩的结构，并且使手434能够在水平方向移动。支承杆436设置成使得其纵向方向平行于第三方向16。臂435耦合至支承杆436以便沿支承杆436在第三方向16上为可直线移动的。支承杆436固定地耦合至基座437，并且基座437耦合至导轨433以便沿导轨433为可移动的。
刻胶涂覆单元410都具有相同结构。然而，在各个刻胶涂覆单元410中使用的光敏液的类型可以彼此不同。例如，化学增幅型刻胶(chemical amplification resist)可以用作光敏液。各刻胶涂覆单元410用光敏液涂覆基板W。刻胶涂覆单元410具有壳体411、支承板412和喷嘴413。壳体411具有带开放顶部的杯形。支承板412位于壳体411中并支承基板W。支承板412设置为可旋转的。
喷嘴413将光敏液分配到放置在支承板412上的基板W上。喷嘴413可以具有圆管形的形状，并且可以将光敏液分配到基板W的中心上。可选择地，喷嘴413可以具有对应于基板W的直径的长度，并且喷嘴413的分配开口可以具有缝的形状。另外，刻胶涂覆单元410还可以包括喷嘴414，该喷嘴414分配诸如去离子水的清洁溶液，以清洁涂覆有光敏液的基板W的表面。
各烘烤单元800在基板W上执行热处理。烘烤单元800包括冷却板830和加热单元1000。冷却板830可以冷却由加热单元1000加热的基板W。冷却板830具有圆板的形状。诸如冷却水或热电元件的冷却工具设置在冷却板830内部。例如，放置在冷却板830上的基板W可以被冷却到与室温相同或接近室温的温度。
加热单元1000由加热基板W的基板处理装置实施。加热单元1000在大气压或低于大气压的减压气氛下加热基板W。
图5是示出了图1的加热单元的截面图。参照图5，加热单元1000包括工艺腔室1100、支承单元1300、加热构件1400和排放单元1800。
工艺腔室1100在其中具有工艺空间1110，在该工艺空间中加热基板W。工艺空间1110从外部密封。工艺腔室1100包括上主体1120、下主体1140和密封构件1160。
上主体1120具有底部开放的容器的形状。例如，上主体1120可具有圆柱形的形状。上主体1120具有形成在其上壁中的开口。开口可以形成在与上主体1120的中心轴线相对应的区域中。
下主体1140具有顶部开放的容器的形状。例如，下主体1140可具有圆柱形的形状。下主体1140位于上主体1120的下方。上主体1120和下主体1140定位成在上下方向上彼此面对。上主体1120和下主体1140彼此组合以在内部形成工艺空间1110。上主体1120和下主体1140定位成使得上主体1120和下主体1140的中心轴线在上下方向上彼此对齐。下主体1140可以具有与上主体1120相同的直径。即，下主体1140的上端可以定位成面对上主体1120的下端。
上主体1120和下主体1140中的一个通过升降构件1130移动到打开位置或闭合位置，而另一个固定在适当的位置。根据一实施方案，下主体1140的位置可以是固定的，并且上主体1120可以通过升降构件1130在打开位置和闭合位置之间移动。在此，打开位置是工艺空间1110打开的位置，上主体1120和下主体1140彼此间隔开。闭合位置是通过下主体1140和上主体1120将工艺空间1110从外部密封的位置。
密封构件1160填充上主体1120与下主体1140之间的间隙。密封构件1160位于上主体1120的下端与下主体1140的上端之间。密封构件1160可以是具有环形形状的O形环构件1160。密封构件1160可以固定地耦合到下主体1140的上端。
支承单元1300支承工艺空间1110中的基板W。支承单元1300固定地耦合到下主体1140。支承单元1300包括安置板1320和升降销1340。
图6是示出了图5的加热构件和安置板的平面图。参照图5和图6，安置板1320支承工艺空间1110中的基板W。安置板1320具有圆板的形状。基板W安置在安置板1320的上表面上。安置板1320的上表面的中心区域用作安置表面，基板W安置在该安置表面上。安置板1320具有多个形成在其安置表面中的销孔1322。当从上方观察时，销孔1322布置成围绕安置表面的中心。销孔1322布置成沿圆周方向彼此间隔开。销孔1322定位成以相同的间隔彼此间隔开。升降销1340分别位于销孔1322中。升降销1340在上下方向移动。升降销1340将基板W从安置板1320上抬起，或者将基板W向下放置在安置板1320上。例如，可以设置三个销孔1322。
加热构件1400加热安置在安置板1320上的基板W。加热构件1400位于安置板1320内部。加热构件1400包括多个加热器1420。加热器1420位于安置板1320内部。加热器1420位于同一平面上。加热器1420加热安置板1320的不同区域。当从上方观察时，安置板1320的与各个加热器1420相对应的区域可以设置为加热区。各个加热器1420的温度是可独立调节的。例如，可以设置15个加热区。各加热区的温度由传感器(未示出)测量。加热器1420可以是热电元件或加热丝。可选择地，加热器1420可以安装在安置板1320的底表面上。
再次参照图5，排放单元1800包括排放管1540、热量保持单元1700和减压构件1792。排放管1540释放工艺空间1110中的气氛。排放管1540耦合到工艺腔室1100的上壁。热量保持单元1700围绕工艺腔室1100上方的排放管1540。热量保持单元1700防止在由加热构件1400加热的工艺空间1110中的气氛通过排放管1540释放的过程中的热损失。减压构件1792降低排放管线1794中的压力。由压力减小引起的排放力被传递到工艺空间1110，以释放外部空气。
热量保持单元1700包括由隔热材料形成壳体1720，并在该壳体中具有保持空间1740。保持空间1740围绕排放管1540与工艺腔室1100之间的邻近区域A。邻近区域A是邻近工艺腔室1100的上壁和排放管1540的区域。在邻近区域A中，热损失通过工艺腔室1100的上壁和排放管1540的最外部发生。
图7和图9是示出了根据本发明构思的实施方案的壳体1720的立体图，并且图8是沿图7的线A-A截取的截面图。参照图7至图9，壳体1720包括上壁1722和从上壁1722向下延伸的环形侧壁1728。侧壁1728直接耦合到工艺腔室1100。壳体1720附接到工艺腔室1100的上壁。
壳体1720具有在排放管1540与壳体1720之间形成的保持空间1740。保持空间1740保持从排放管1540释放或传递的热量。保持空间1740可以包含隔热材料。
壳体1720还可以包括形状保持构件1723，该形状保持构件1723维持上壁1722的形状。形状保持构件1723防止上壁1722下垂或塌陷。形状保持构件1723可以包括增强板1725，该增强板1725耦合到上壁1722的底表面以在上壁1722与形状保持构件1723之间形成内部空间1724。
在一实施方案中，径向延伸的槽1727可以形成在增强板1725的底表面上。形成在增强板1725的底表面上的槽1727防止增强板1725下垂或塌陷。根据一实施方案，可以通过增强板1725的形成来形成槽1727。
内部空间1724填充有气体。内部空间1724被密封，使得气体向外部的流动被中断。气体没有在内部空间1724中流动，因此在保持空间1740与壳体1720的外部之间的热传递被中断。根据一实施方案，该气体是空气。
当从上方观察时，壳体1720可具有与工艺腔室1100的尺寸相对应的尺寸。壳体1720的底部设置成与工艺腔室1100的上壁相对应。因此，有效地防止了通过工艺腔室1100的上壁的热损失。
参照图10，热量保持单元1700还可以包括盖1760，该盖1760在邻近区域A中围绕排放管1540。在邻近区域A中，排放管1540通过盖1760和壳体1720保存排放管1540和工艺腔室1100的上壁的热量。
盖1760可以由隔热材料形成。排放管1540的热量首先通过盖1760保存。根据一实施方案，盖1760可以围绕排放管1540而不密封排放管1540。即使盖1760围绕排放管1540，也可能通过盖1760和工艺腔室1100发生热损失。
盖1760首先隔离从排放管1540损失的热量。此外，内部空间1724中断了壳体1720的外部与保持空间1740之间的热传递，并且壳体1720保存了排放管1540和工艺腔室1100的上壁的热量。因此，再次防止了来自排放管1540的热损失。
在上述实施方案中，已经描述了保持空间1740仅保持从排放管1540释放的热量。然而，壳体1720可以在工艺腔室1100上方形成密封空间，并且与内部空间1724相同，保持空间1740可以保持气体。
在上述实施方案中，排放管1540已经被描述为单个管。然而，根据另一实施方案，如图11所示，排放管1540可以用两个或两个以上的管实施。
气板1630和遮蔽板1620可以设置在工艺空间1110中。气板1630和遮蔽板1620设置为使得工艺空间1110的面对基板W中心区域的区域和工艺空间1110的面对基板W边缘区域的区域单独地被抽排。
气板1630设置在工艺空间1110中，以面对支承于支承单元1300上的基板W。遮蔽板1620设置在气板1630的顶侧上。
气板1630具有形成于其中的孔1640。从流入孔1520引入的外部空气可以通过孔1640引入到工艺空间1110中。通过孔1640引入的外部空气在工艺空间1110中产生向下的气流。第一管1544耦合到气板1630。
遮蔽板1620的面对气板1630的表面被阻挡，并且在遮蔽板1620的面对基板W的边缘区域的表面中形成孔1610。第二管1542耦合到遮蔽板1620。基板W边缘区域上方的气氛可以通过形成在边缘板1650中的孔1660和第二管1542释放，边缘板1650耦合到气板1630。
在上述实施方案中，已经描述了槽1727径向形成于增强板1725上。然而，根据另一实施方案，如图12所示，槽1727可以形成为直线的形状。
如上所述，本发明构思中断了空气在排放管1540与壳体1720之间的移动，从而防止了由空气的移动引起的热传递。因此，本发明构思的优点在于，减少通过排放管1540和工艺腔室1100的热损失。
此外，本发明构思的优点在于，通过使用具有低密度的空气而不是盖1760外部上的固体材料来隔离排放管1540和工艺腔室1100的上壁，从而减少排放管1540的热损失而不显著增加基板处理装置的重量。
而且，本发明构思的优点在于，通过减少排放管1540的热损失来防止烟尘沉积在排放管1540的内部上。
另外，根据本发明构思，用于防止形状保持构件1723的变形的槽1727通过成形而形成在形状保持构件1723上。因此，本发明构思的优点在于，防止壳体1720在没有单独的增强构件的情况下下垂。
再次参照图1至图4，显影模块402执行显影工艺和热处理工艺，该显影工艺通过供应显影溶液来去除光刻胶的一部分以在基板W上获得图案，该热处理工艺在显影工艺之前或之后加热和冷却基板W。显影模块402具有显影单元460、烘烤单元470和传送腔室480。显影单元460、烘烤单元470和传送腔室480沿第二方向14依序设置。因此，显影单元460和烘烤单元470在第二方向14彼此间隔开，其间具有传送腔室480。显影单元460布置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置六个显影单元460的实施例。烘烤单元470布置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置六个烘烤单元470的实施例。然而，可以设置更多数量的烘烤单元470。
传送腔室480在第一方向12上与第一缓冲模块300的第二缓冲器330并排定位。显影器机械手482和导轨483位于传送腔室480中。传送腔室480具有基本矩形的形状。显影器机械手482在烘烤单元470、显影单元460、第一缓冲模块300的第二缓冲器330和冷却腔室350、以及第二缓冲模块500的第二冷却腔室540之间传送基板W。导轨483设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨483导引显影器机械手482在第一方向12的直线运动。显影器机械手482具有手484、臂485、支承杆486和基座487。手484固定地附接至臂485。臂485具有可伸缩的结构，并且使手484能够在水平方向移动。支承杆486设置成使得其纵向方向平行于第三方向16。臂485耦合至支承杆486以便沿支承杆486在第三方向16上为可直线移动的。支承杆486固定地耦合至基座487。基座487耦合至导轨483以便沿导轨483为可移动的。
显影单元460都具有相同结构。然而，在各个显影单元460中使用的显影溶液的类型可以彼此不同。各显影单元460去除基板W上的光刻胶的曝光区域。这时，还去除了保护膜的曝光区域。可选择地，根据所使用的光刻胶的类型，可以仅去除光刻胶和保护膜的掩盖区域(masked region)。
显影单元460具有壳体461、支承板462和喷嘴463。壳体461具有带开放顶部的杯形。支承板462位于壳体461中并支承基板W。支承板462设置为可旋转的。喷嘴463将显影溶液分配到放置在支承板462上的基板W上。喷嘴463可以具有圆管形的形状，并且可以将显影溶液分配到基板W的中心上。可选择地，喷嘴463可以具有与基板W的直径相对应的长度，并且喷嘴463的分配开口可以具有缝的形状。另外，显影单元460还可以包括喷嘴464，该喷嘴464分配诸如去离子水的清洁溶液，以清洁显影溶液分配到的基板W的表面。
显影模块402的烘烤单元470在基板W上执行热处理。例如，烘烤单元470在显影工艺之前执行加热基板W的后烘烤工艺，在显影工艺之后执行加热基板W的硬烘烤工艺，以及在烘烤工艺之后执行冷却基板W的冷却工艺。各烘烤单元470具有冷却板471或加热单元472。诸如冷却水或热电元件的冷却工具473设置在冷却板471内部。可替代地，诸如加热丝或热电元件的加热工具474设置在加热单元472内部。冷却板471和加热单元472可以设置在一个烘烤单元470中。可选择地，一些烘烤单元470可以仅包括冷却板471，而其他烘烤单元470可以仅包括加热单元472。显影模块402的烘烤单元470具有与涂覆模块401的烘烤单元800相同的构造，因此将省略对其的详细描述。
第二缓冲模块500用作通道，通过该通道，基板W在涂覆和显影模块400与曝光前/曝光后处理模块600之间运送。另外，第二缓冲模块500在基板W上执行预定工艺，诸如冷却工艺或边缘曝光工艺。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560。腔室510具有矩形的平行六面体形状。缓冲器520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550设置在与涂覆模块401相对应的高度处。第二冷却腔室540设置在与显影模块402相对应的高度处。缓冲器520、第一冷却腔室530和第二冷却腔室540沿第三方向16依序设置成排。当从上方观察时，缓冲器520沿第一方向12与涂覆模块401的传送腔室430并排设置。边缘曝光腔室550在第二方向14上与缓冲器520或第一冷却腔室530间隔开预定距离。
第二缓冲机械手560在缓冲器520、第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550之间运送基板W。第二缓冲机械手560位于边缘曝光腔室550与缓冲器520之间。第二缓冲机械手560可以具有与第一缓冲机械手360的结构类似的结构。第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550在涂覆模块401中处理的基板W上执行随后的工艺。第一冷却腔室530冷却在涂覆模块401中处理的基板W。第一冷却腔室530具有与第一缓冲模块300的冷却腔室350的结构类似的结构。边缘曝光腔室550在第一冷却腔室530中经受冷却工艺的基板W上执行边缘曝光工艺。在边缘曝光腔室550中处理的基板W被传送到将在下面描述的前处理模块601之前，缓冲器520临时存储基板W。在将在下面描述的后处理模块602中处理的基板W被传送到显影模块402之前，第二冷却腔室540冷却基板W。第二缓冲模块500还可以包括在与显影模块402相对应的高度处的另外的缓冲器。在这种情况下，在后处理模块602中处理的基板W可以在被临时存储于另外的缓冲器中之后，被传送到显影模块402。
在步进器900执行液体浸渍光刻(liquid immersion lithography)工艺的情况下，曝光前/曝光后处理模块600可以执行用保护膜来涂覆基板W的工艺，该保护膜在液体浸渍光刻工艺期间保护基板W上的光刻胶膜。此外，曝光前/曝光后处理模块600可以在曝光工艺之后执行清洁基板W的工艺。另外，在使用化学增幅型刻胶执行涂覆工艺的情况下，曝光前/曝光后处理模块600可以执行曝光后烘烤工艺。
曝光前/曝光后处理模块600具有前处理模块601和后处理模块602。前处理模块601在曝光工艺之前执行处理基板W的工艺，而后处理模块602在曝光工艺之后执行处理基板W的工艺。前处理模块601和后处理模块602设置在不同的层板上以便彼此分开。根据一实施方案，前处理模块601位于后处理模块602上方。前处理模块601位于与涂覆模块401相同的高度处。后处理模块602位于与显影模块402相同的高度处。前处理模块601具有保护膜涂覆单元610、烘烤单元620和传送腔室630。保护膜涂覆单元610、传送腔室630和烘烤单元620沿第二方向14依序设置。因此，保护膜涂覆单元610和烘烤单元620在第二方向14上彼此间隔开，其间具有传送腔室630。保护膜涂覆单元610沿第三方向16竖直地布置。可替代地，保护膜涂覆单元610可以布置在第一方向12和第三方向16上。烘烤单元620沿第三方向16竖直地布置。可选择地，烘烤单元620可以布置在第一方向12和第三方向16上。
传送腔室630在第一方向12上与第二缓冲模块500的第一冷却腔室530并排定位。前处理机械手632位于传送腔室630中。传送腔室630具有基本正方形或矩形的形状。前处理机械手632在保护膜涂覆单元610、烘烤单元620、第二缓冲模块500的缓冲器520、以及将在下面描述的接口模块700的第一缓冲器720之间传送基板W。前处理机械手632具有手633、臂364和支承杆635。手633固定地附接至臂634。臂634设置为可伸缩且可旋转的结构。臂634耦合至支承杆635以便沿支承杆635在第三方向16上为可直线移动的。
各保护膜涂覆单元610用保护膜涂覆基板W，该保护膜在液体浸渍光刻期间保护刻胶膜。保护膜涂覆单元610具有壳体611、支承板612和喷嘴613。壳体611具有带开放顶部的杯形。支承板612位于壳体611中并支承基板W。支承板612设置为可旋转的。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液分配到放置在支承板612上的基板W上。喷嘴613可以具有圆管形的形状，并且可以将保护液分配到基板W的中心上。可选择地，喷嘴613可以具有与基板W的直径相对应的长度，并且喷嘴613的分配开口可以具有缝的形状。在这种情况下，支承板612可以设置成固定状态。保护液包含发泡材料。对光刻胶和水具有低亲和性的材料可以用作保护液。例如，保护液可以包括氟类溶剂。在旋转放置在支承板612上的基板W的情况下，保护膜涂覆单元610将保护液分配到基板W的中心区域上。
各烘烤单元620在涂覆有保护膜的基板W上执行热处理。烘烤单元620具有冷却板621或加热板622。诸如冷却水或热电元件的冷却工具623设置在冷却板621内部。可替代地，诸如加热丝或热电元件的加热工具624设置在加热板622内部。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤单元620中。可选择地，一些烘烤单元620可以仅包括加热板622，而其他烘烤单元620可以仅包括冷却板621。
后处理模块602具有清洁腔室660、曝光后烘烤单元670和传送腔室680。清洁腔室660、传送腔室680和曝光后烘烤单元670沿第二方向14依序设置。因此，清洁腔室660和曝光后烘烤单元670在第二方向14上彼此间隔开，其间具有传送腔室680。清洁腔室660可以沿第三方向16竖直地布置。可选择地，清洁腔室660可以布置在第一方向12和第三方向16上。曝光后烘烤单元670可以沿第三方向16竖直地布置。可选择地，曝光后烘烤单元670可以布置在第一方向12和第三方向16上。
当从上方观察时，传送腔室680在第一方向12上与第二缓冲模块500的第二冷却腔室540并排定位。传送腔室680具有基本正方形或矩形的形状。后处理机械手682位于传送腔室680中。后处理机械手682在清洁腔室660、曝光后烘烤单元670、第二缓冲模块500的第二冷却腔室540、和将在下面描述的接口模块700的第二缓冲器730之间传送基板W。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以具有与设置在前处理模块601中的前处理机械手632相同的结构。
在曝光工艺之后，各清洁腔室660在基板W上执行清洁工艺。清洁腔室660具有壳体661、支承板662和喷嘴663。壳体661具有带开放顶部的杯形。支承板662位于壳体661中并支承基板W。支承板662设置为可旋转的。喷嘴663将清洁溶液分配到放置在支承板662上的基板W上。诸如去离子水的水可以用作清洁溶液。在旋转放置在支承板662上的基板W的情况下，清洁腔室660将清洁溶液分配到基板W的中心区域上。可选择地，在旋转基板W的情况下，喷嘴663可从基板W的中心区域线性移动或摆动到基板W的边缘区域。
各曝光后烘烤单元670通过使用远紫外线来加热经受曝光工艺的基板W。曝光后烘烤工艺加热基板W以通过曝光工艺放大在光刻胶中产生的酸，从而完成光刻胶性质的改变。曝光后烘烤单元670具有加热板672。诸如加热丝或热电元件的加热工具674设置在加热板672内部。曝光后烘烤单元670还可以在其中包括冷却板671。诸如冷却水或热电元件的冷却工具673设置在冷却板671内部。可选择地，可以另外设置仅具有冷却板671的烘烤单元。
如上所述，在曝光前/曝光后处理模块600中，前处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。此外，前处理模块601的传送腔室630和后处理模块602的传送腔室680可以具有相同尺寸，并且可以当从上方观察时彼此完全覆盖。此外，保护膜涂覆单元610和清洁腔室660可以具有相同尺寸，并且可以当从上方观察时彼此完全覆盖。另外，烘烤单元620和曝光后烘烤单元670可以具有相同尺寸，并且可以当从上方观察时彼此完全覆盖。
接口模块700在曝光前/曝光后处理模块600与步进器900之间传送基板W。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710中。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此竖直地间隔开预定距离。第一缓冲器720设置在比第二缓冲器730更高的位置。第一缓冲器720位于与前处理模块601相对应的高度处，而第二缓冲器730设置在与后处理模块602相对应的高度处。从上方观察时，第一缓冲器720与前处理模块601的传送腔室630一起沿第一方向12设置成排，而第二缓冲器730与后处理模块602的传送腔室680一起沿第一方向12设置成排。
接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和步进器900之间传送基板W。接口机械手740具有基本上与第二缓冲机械手560的结构类似的结构。
在前处理模块601中处理的基板W移动到步进器900之前，第一缓冲器720临时存储基板W。在步进器900中处理的基板W移动到后处理模块602之前，第二缓冲器730临时存储基板W。第一缓冲器720具有壳体721和多个支承件722。支承件722设置在壳体721中并沿第三方向16彼此间隔开。每个支承件722上放置一个基板W。壳体721具有分别面对设置接口机械手740和前处理机械手632的方向的开口(未示出)，使得接口机械手740和前处理机械手632将基板W装载到壳体721中的支承件722上，或者将基板W从壳体721中的支承件722卸载。第二缓冲器730具有与第一缓冲器720的结构基本上类似的结构。然而，第二缓冲器730的壳体在设置接口机械手740和后处理机械手682的方向上没有开口。接口模块700可以仅包括如上所述的缓冲器和机械手，而不包括用于在基板上执行预定工艺的腔室。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，排放管可以维持在高温下。
另外，根据本发明构思的实施方案，可以防止烟尘沉积在排放管上。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；
支承单元，其配置成在所述工艺空间中支承所述基板；
加热构件，其配置成加热支承于所述支承单元上的所述基板；和
排放单元，其配置成抽排所述工艺空间，
其中，所述排放单元包括：
排放管；和
热量保持单元，其具有保持空间，所述保持空间配置成保持从所述工艺空间释放的热量，并且
其中，所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述热量保持单元包括壳体，在所述壳体中具有所述保持空间，所述壳体由隔热材料形成。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述排放管耦合到所述工艺腔室的上壁，
其中，所述壳体附接到所述工艺腔室的所述上壁，并且
其中，所述邻近区域是邻近所述工艺腔室的所述上壁和所述排放管的区域。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述壳体包括：
上壁；和
从所述上壁向下延伸的环形侧壁，并且
其中，所述侧壁直接耦合到所述工艺腔室。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，当从上方观察时，所述壳体具有与所述工艺腔室相对应的尺寸。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的装置，其中，所述热量保持单元还包括形状保持构件，所述形状保持构件配置为维持所述壳体的上壁的形状。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述形状保持构件包括增强板，所述增强板耦合到所述上壁的底表面以在所述上壁和所述形状保持构件之间形成内部空间。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述增强板具有形成在其底表面上的径向延伸的槽。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述内部空间填充有气体。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述内部空间设置为所述气体到外部的流动被中断的状态。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述气体为空气。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中，所述热量保持单元还包括配置为在所述邻近区域中围绕所述排放管的盖。
13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括：
气板，其设置在所述工艺空间中以面对支承于所述支承单元上的所述基板；以及
遮蔽板，其设置在所述气板的顶侧上，并且
其中，所述排放管包括：
耦合到所述气板的第一管；和
耦合到所述遮蔽板的第二管。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述气板具有孔，气体通过所述孔供应以在所述工艺空间中产生向下的气流。
15.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中，对所述基板的处理是烘烤工艺。
16.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
将所述基板设置在工艺空间中；和
在所述工艺空间中通过加热所述基板来处理所述基板，
其中，在处理所述基板的情况下，通过排放管释放所述工艺空间中的气氛，
其中，在所述工艺空间的外部，设置保持空间和内部空间，所述保持空间配置为保持从所述工艺空间释放的热量，所述内部空间配置为在所述保持空间中形成密封空间，并且
其中，所述排放管设置成穿过所述保持空间，并且所述排放管的穿过所述保持空间的区域被保持在所述保持空间和所述内部空间中的热量加热。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述保持空间通过壳体设置，所述壳体由隔热材料形成。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其中，所述内部空间填充有气体。
19.根据权利要求16或17所述的方法，其中，所述排放管被盖围绕。
20.根据权利要求16或17所述的方法，其中，对所述基板的处理是在所述基板上执行热处理的烘烤工艺。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220158515A (ko) * 2021-05-24 2022-12-01 에이디알씨 주식회사 스프레이 코터 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5817156A (en) * 1994-10-26 1998-10-06 Tokyo Electron Limited Substrate heat treatment table apparatus
US6534750B1 (en) * 1999-09-30 2003-03-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment unit and heat treatment method
US20070169373A1 (en) * 2006-01-25 2007-07-26 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
KR20080046436A (ko) * 2006-11-22 2008-05-27 삼성전자주식회사 베이크 장치
KR20090059903A (ko) * 2007-12-07 2009-06-11 주식회사 에이디피엔지니어링 보강구조체를 이용한 기판합착장치
CN106971960A (zh) * 2015-10-27 2017-07-21 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
KR20180076410A (ko) * 2016-12-27 2018-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20190096716A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 Tokyo Electron Limited Heating treatment apparatus and heating treatment method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148422A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Mitsubishi Materials Shilicon Corp ウェーハ収納容器の係止構造
KR0181908B1 (ko) * 1996-06-13 1999-04-15 김광호 반도체 제조용 베이크 장치
JP3589929B2 (ja) * 2000-02-22 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
US6838115B2 (en) * 2000-07-12 2005-01-04 Fsi International, Inc. Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices
JP4887293B2 (ja) * 2005-08-09 2012-02-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理方法
KR101526505B1 (ko) * 2013-06-20 2015-06-09 피에스케이 주식회사 냉각 유닛 및 이를 이용한 냉각 방법, 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP6385748B2 (ja) 2014-07-24 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP5916909B1 (ja) 2015-02-06 2016-05-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6855687B2 (ja) * 2015-07-29 2021-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体
US20170032983A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, maintenance method of substrate processing apparatus, and storage medium
KR101802167B1 (ko) 2016-06-21 2017-12-04 선문대학교 산학협력단 반도체 제조설비의 배기라인 구조

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5817156A (en) * 1994-10-26 1998-10-06 Tokyo Electron Limited Substrate heat treatment table apparatus
US6534750B1 (en) * 1999-09-30 2003-03-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment unit and heat treatment method
US20070169373A1 (en) * 2006-01-25 2007-07-26 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
KR20080046436A (ko) * 2006-11-22 2008-05-27 삼성전자주식회사 베이크 장치
KR20090059903A (ko) * 2007-12-07 2009-06-11 주식회사 에이디피엔지니어링 보강구조체를 이용한 기판합착장치
CN106971960A (zh) * 2015-10-27 2017-07-21 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
KR20180076410A (ko) * 2016-12-27 2018-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20190096716A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 Tokyo Electron Limited Heating treatment apparatus and heating treatment method

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