CN112382206A - 背板及led面板 - Google Patents

背板及led面板 Download PDF

Info

Publication number
CN112382206A
CN112382206A CN202011269903.1A CN202011269903A CN112382206A CN 112382206 A CN112382206 A CN 112382206A CN 202011269903 A CN202011269903 A CN 202011269903A CN 112382206 A CN112382206 A CN 112382206A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
buffer layer
opening
reflective
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011269903.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112382206B (zh
Inventor
李兰艳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202011269903.1A priority Critical patent/CN112382206B/zh
Priority to PCT/CN2020/137789 priority patent/WO2022099862A1/zh
Priority to US17/434,774 priority patent/US20220406965A1/en
Publication of CN112382206A publication Critical patent/CN112382206A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112382206B publication Critical patent/CN112382206B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请提供一种背板及LED面板，在所述背板中，缓冲层设置在驱动基板上；反射层设置在缓冲层上。本申请通过在驱动基板上设置缓冲层，进而在进行反射层的丝印工艺中起到保护驱动基板的作用。

Description

背板及LED面板
技术领域
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种背板及LED面板。
背景技术
在Mini-LED或Micro-LED基板的制程中，通常需要在基板上形成一白油层。而白油工艺一般采用丝印工艺或喷印工艺。其中丝印工艺精度较高，但对基板存在直接接触，容易刮伤基板，导致金属层出现短路现象；喷印工艺可避免与基板直接接触，能有效避免刮伤基板，但是其印刷精度难以保证，容易出现白油溢流至与LED绑定的焊盘区域，引起焊盘发生氧化变色，导致上锡异常，LED无法进行正常打件。
发明内容
本申请实施例提供一种背板及LED面板，以解决现有的LED基板采用丝印工艺制备白油反射层时，容易刮伤基板的技术问题。
本申请实施例提供了一种背板，其包括：
驱动基板；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述驱动基板上；以及
反射层，所述反射层设置在所述缓冲层上。
在本申请实施例的背板中，所述缓冲层包括基层和设置在所述基层内的孔洞结构和/或柔性粒子。
在本申请实施例的背板中，所述柔性粒子的柔性大于所述基层的柔性。
在本申请实施例的背板中，所述孔洞结构包括气体空间。
在本申请实施例的背板中，所述孔洞结构还包括外壳，所述外壳包裹所述气体空间。
在本申请实施例的背板中，所述基层靠近所述反射层的一侧设置有孔隙，所述孔隙连通于所述气体空间。
在本申请实施例的背板中，所述缓冲层的材料包括光阻材料。
在本申请实施例的背板中，所述驱动基板包括基底和设置在所述基底上的导电垫；所述缓冲层上开设有沟道和开口；所述开口暴露出所述导电垫，所述沟道围绕所述开口设置；
所述缓冲层包括挡墙，所述挡墙设置在所述沟道和所述开口之间，所述挡墙围绕所述开口设置。
在本申请实施例的背板中，所述导电垫包括反射金属层，所述挡墙与所述反射金属层的部分重叠设置。
在本申请实施例的背板中，所述沟道具有底切结构，所述底切结构向所述挡墙的方向延伸；自所述驱动基板向所述挡墙的方向上，所述底切结构的宽度递减；所述反射层延伸入所述底切结构。
在本申请实施例的背板中，所述反射层填充所述沟道。
在本申请实施例的背板中，所述驱动基板还包括依次设置在所述基底上的第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第二金属层包括所述导电垫，所述开口贯穿所述钝化层。
本申请实施例还涉及一种LED面板，其包括LED芯片和上述实施例所述的背板；所述LED芯片设置在所述背板上。
本申请的背板及LED面板通过在驱动基板上设置缓冲层，进而在进行反射层的丝印工艺时，起到保护驱动基板的作用；另外，在缓冲层上设置沟道和形成围绕开口的挡墙，以在进行反射层的喷印工艺时，避免反射层的材料溢流至开口裸露的导电垫上。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请第一实施例的背板的俯视结构示意图；
图2为本申请第一实施例的背板的剖视结构示意图；
图3为本申请第一实施例的背板的缓冲层的结构示意图；
图4为本申请第二实施例的背板的结构示意图；
图5为本申请第二实施例的背板的缓冲层的结构示意图；
图6为本申请第三实施例的背板的俯视结构示意图；
图7为本申请第三实施例的背板的剖视结构示意图；
图8为本申请第三实施例的背板的另一剖视结构示意图；
图9为本申请第四实施例的背板的结构示意图；
图10为本申请实施例的LED面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
请参照图1和图2，图1为本申请第一实施例的背板的俯视结构示意图；图2为本申请第一实施例的背板的剖视结构示意图。
本申请实施例提供了一种背板100，其包括驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述缓冲层12设置在所述驱动基板11上。所述反射层13设置在所述缓冲层12上。
在本第一实施例的背板100中，在驱动基板11上设置一层缓冲层12；当本第一实施例采用丝印工艺在缓冲层12上形成反射层13时，刮刀跟缓冲层12接触，缓冲层12吸收刮刀施加在其上的作用力，从而保护了驱动基板11。
所述缓冲层12上开设有开口12a。所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。需要说明的是，所述驱动基板11还包括有源层和平坦层等其它膜层。由于驱动基板11的层级结构是现有技术，故此处不再赘述。
具体的，所述第二金属层114包括导电垫114a和信号走线。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。所述开口12a暴露出所述导电垫114a。
所述开口12a在垂直截图的形状呈上宽下窄的结构，如倒梯形。这样的设置便于后续绑定时，LED芯片快速地穿过所述开口12a与所述导电垫114a绑定。
如图3，在本第一实施例的背板100中，所述缓冲层12包括基层121和设置在所述基层121内的孔洞结构122。所述孔洞结构122包括外壳12b和气体空间12c。所述外壳12b包裹所述气体空间12c。
在所述反射层13的丝印制程中，刮刀接触缓冲层12，所述孔洞结构122起到吸收刮刀作用力的效果，进而避免了刮刀损伤所述驱动基板11。
需要说明的是，所述气体空间12c由可热分解和/或光分解的材质分解为气体形成。因此，所述外壳12b起到保护和密封气体空间12c的作用，避免气体撑破所述基层121，进而保证缓冲层12表面的平整性，为反射层13的形成提供平整的基础面。
此外，“可热分解和/或光分解的材质”下文简称为“可分解材质”。
在一些实施例中，所述缓冲层12包括设置在所述基层121内的柔性粒子；即采用柔性粒子替换孔洞结构122。其中，所述柔性粒子的柔性大于所述基层121的柔性。所述柔性粒子起到吸收刮刀作用的作用。
在一些实施例中，所述缓冲层12还包括设置在所述基层121内的柔性粒子；即孔洞结构122和柔性粒子同时存在所述基层121内。其中，所述柔性粒子的柔性大于所述基层121的柔性。
在第一实施例的背板100中，所述反射层13形成在所述缓冲层12上。所述反射层13的材料可以是白色油墨，或其他可用于丝印工艺的反射性材料。
可选的，所述缓冲层12的材料包括光阻材料。具体的，所述缓冲层12的基层121的材料可以是聚苯乙烯(PS)或可溶性聚四氟乙烯(PFA)等光阻材料。
可选的，所述缓冲层12的厚度大于或等于3微米，且小于或等于10微米。需要说明的是，若所述缓冲层12的厚度小于3微米，则其起不到较好的防刮效果；若所述缓冲层12的厚度大于10微米，一方面增大成本，另一方面不便于LED芯片进行绑定。
当所述反射层13采用丝印工艺时，本第一实施例的背板100的制备过程如下：
首先，提供一基底111，并在所述基底111上依次形成第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115，以形成薄膜晶体管阵列结构，即驱动基板11；
然后，提供光刻胶混合了粒子的混合材料。所述粒子包括所述外壳12b和可分解材质，所述外壳12b包裹所述可分解材质。
接着，在所述驱动基板11上涂布所述混合材料，形成混合材料层。对所述混合材料层通过曝光、显影和烘烤处理，以及分解所述粒子内的可分解材质，以形成具有所述孔洞结构122的所述缓冲层12。
其次，采用丝印工艺在所述缓冲层12上形成所述反射层13。
最后，按照产品需求进行切割。
这样便完成了本第一实施例的背板100的制备过程。
请参照图4，图4为本申请第二实施例的背板的结构示意图。本第二实施例的背板200包括依次设置的驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。
所述第二金属层114包括导电垫114a。所述缓冲层12上开设有开口12a。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。所述开口12a暴露出所述导电垫114a。
本第二实施例的背板200与第一实施例的背板100的不同之处在于：如图5所示，所述基层121靠近所述反射层13的一侧设置有孔隙12d。
所述孔隙12d的作用在于进一步吸收刮刀对所述缓冲层12的作用力。
可选的，所述缓冲层12中至少部分的孔洞结构122连通于所述孔隙12d。
需要说明的是，可分解材质在分解后产生的气体撑破所述基层121，以形成孔隙12d。由于可分解材质处在所述基层121的不同深度，导致不同深度的可分解材质所受的束缚力不同；因此当可分解材质被分解为气体后，若气体空间12c的内部压力大于所述基层121对其的束缚力时，便会突破所述基层121形成所述孔隙12d；若气体空间12c的内部压力小于所述基层121对其的束缚力时，所述气体空间12c便完整的束缚在所述基层121内。
在本第二实施例的背板200中，所述孔洞结构122可以包括外壳12b。所述外壳12b上设置有被气体撑破而形成的开口。
另外，在一些实施例中，所述孔洞结构122也可以仅包括气体空间12c。可分解材质被分解为气体，以形成所述气体空间12c，其中，该气体撑破所述基层121的表面，以在所述基层121形成所述孔隙12d。
请参照图6和图7，图6为本申请第三实施例的背板的俯视结构示意图；图7为本申请第三实施例的背板的剖视结构示意图。
本第三实施例的背板300包括依次设置的驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。
所述第二金属层114包括导电垫114a。所述缓冲层12上开设有开口12a。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。所述开口12a暴露出所述导电垫114a。
本第三实施例的背板300与第一实施例的背板100或第二实施例的背板200的不同之处在于：
在第一实施例的背板100或第二实施例的背板200的基础上，所述缓冲层12上还开设有沟道12f。所述沟道12f围绕所述开口12a设置。
所述缓冲层12包括挡墙123，所述挡墙123设置在所述沟道12f和所述开口12a之间，所述挡墙123围绕所述开口12a设置。
在本第三实施例的背板300中，在驱动基板11上设置一层缓冲层12，并在所述缓冲层12上形成所述沟道12f，进而形成挡墙123。
当本第三实施例的背板300采用喷印工艺形成所述反射层13时，流体材料喷涂在所述缓冲层12除所述挡墙123之外的部分上，且溢流至所述沟道12f内，并被所述挡墙123阻挡，避免流体材料溢流至导电垫114a上造成不良。即所述反射层13覆盖所述沟道12f，如图8所示。
当本第三实施例的背板300采用丝印工艺形成所述反射层13时，反射性材料不仅形成在所述缓冲层12上，还会在刮刀的作用下进入所述沟道12f，即所述反射层13覆盖所述缓冲层12和所述沟道12f，如图7所示。
可选的，所述导电垫114a包括反射金属层。所述挡墙123与所述反射金属层的部分重叠设置。需要说明的是，在本第三实施例中，“重叠设置”为间接重叠设置。
由于所述挡墙123与所述反射金属层重叠设置，因此在后续制成的LED面板中，LED芯片发出的光穿过所述挡墙123辐射至所述反射金属层，并在所述反射金属层发生反射，进而提高了LED面板的光利用率。
可选的，所述导电垫114a可以是至少两层结构，其中所述反射金属层位于靠近所述挡墙123的一侧。
可选的，所述导电垫114a也可以是单层结构，即所述导电垫114a由所述反射金属层构成。反射金属可以是银或铝等。
另外，在所述缓冲层12的制程中，所述沟道12f和所述开口12a采用同一道光罩制成。
请参照图9，图9为本申请第四实施例的背板的结构示意图。本第四实施例的背板400包括依次设置的驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。
所述第二金属层114包括导电垫114a。所述缓冲层12上开设有开口12a。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。所述开口12a暴露出所述导电垫114a。
本第四实施例的背板400与第三实施例的背板300的不同之处在于：所述沟道12f具有底切结构f1，所述底切结构f1向所述挡墙123的方向延伸。自所述驱动基板11向所述挡墙123的方向上，所述底切结构f1的宽度递减。所述反射层13延伸入所述底切结构f1。
本第四实施例示出采用喷印工艺形成反射层13。所述反射层13的材料填充整个所述沟道12f，即所述反射层13延伸入所述底切结构f1内。因此在后续制成的LED面板中，LED芯片发出的光穿过所述挡墙123辐射至所述底切结构f1内的反射层13，并在所述反射层13发生反射，进而提高了LED面板的光利用率。
当反射层13采用丝印工艺形成时，相较于第四实施例，反射层13还覆盖挡墙123。
请参照图10，图10为本申请实施例的LED面板的结构示意图。本申请实施例还涉及一种LED面板1000，其包括LED芯片EL和背板BL。所述LED芯片EL设置在所述背板BL上。背板BL为上述任意一个实施例所述的背板(100、200、300、400)。
需要说明的是，LED为发光二极管芯片。其可以是Mini-LED、Mirco-LED或其他LED。
本申请的背板及LED面板通过在驱动基板上设置缓冲层，进而在进行反射层的丝印工艺时，起到保护驱动基板的作用；另外，在缓冲层上设置沟道和形成围绕开口的挡墙，以在进行反射层的喷印工艺时，避免反射层的材料溢流至开口裸露的导电垫上。
以上对本申请实施例所提供的一种背板及LED面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种背板，其特征在于，包括：
驱动基板；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述驱动基板上；以及
反射层，所述反射层设置在所述缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述缓冲层包括基层和设置在所述基层内的孔洞结构和/或柔性粒子。
3.根据权利要求2所述的背板，其特征在于，所述柔性粒子的柔性大于所述基层的柔性。
4.根据权利要求2所述的背板，其特征在于，所述孔洞结构包括气体空间。
5.根据权利要求4所述的背板，其特征在于，所述孔洞结构还包括外壳，所述外壳包裹所述气体空间。
6.根据权利要求4或5所述的背板，其特征在于，所述基层靠近所述反射层的一侧设置有孔隙，所述孔隙连通于所述气体空间。
7.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括光阻材料。
8.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述驱动基板包括基底和设置在所述基底上的导电垫；所述缓冲层上开设有沟道和开口，所述开口暴露出所述导电垫，所述沟道围绕所述开口设置；
所述缓冲层包括挡墙，所述挡墙设置在所述沟道和所述开口之间，所述挡墙围绕所述开口设置。
9.根据权利要求8所述的背板，其特征在于，所述导电垫包括反射金属层，所述挡墙与所述反射金属层的部分重叠设置。
10.根据权利要求8所述的背板，其特征在于，所述沟道具有底切结构，所述底切结构向所述挡墙的方向延伸；自所述驱动基板向所述挡墙的方向上，所述底切结构的宽度递减；所述反射层延伸入所述底切结构。
11.根据权利要求8所述的背板，其特征在于，所述反射层填充所述沟道。
12.根据权利要求8所述的背板，其特征在于，所述驱动基板还包括依次设置在所述基底上的第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第二金属层包括所述导电垫，所述开口贯穿所述钝化层。
13.一种LED面板，其特征在于，包括LED芯片和如权利要求1-12任意一项所述的背板；所述LED芯片设置在所述背板上。
CN202011269903.1A 2020-11-13 2020-11-13 背板及led面板 Active CN112382206B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011269903.1A CN112382206B (zh) 2020-11-13 2020-11-13 背板及led面板
PCT/CN2020/137789 WO2022099862A1 (zh) 2020-11-13 2020-12-18 背板及led面板
US17/434,774 US20220406965A1 (en) 2020-11-13 2020-12-18 Backplane and light emitting diode panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011269903.1A CN112382206B (zh) 2020-11-13 2020-11-13 背板及led面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112382206A true CN112382206A (zh) 2021-02-19
CN112382206B CN112382206B (zh) 2022-07-12

Family

ID=74582262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011269903.1A Active CN112382206B (zh) 2020-11-13 2020-11-13 背板及led面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220406965A1 (zh)
CN (1) CN112382206B (zh)
WO (1) WO2022099862A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112909145A (zh) * 2021-01-20 2021-06-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法

Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040101658A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Charles Kannankeril High strength high gas barrier cellular cushioning product
KR20060095829A (ko) * 2005-02-28 2006-09-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
TWI269467B (en) * 2005-07-01 2006-12-21 Epitech Technology Corp Light-emitting diode
CN101090128A (zh) * 2007-06-20 2007-12-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Led阵列微显示器件及制作方法
CN101946317A (zh) * 2008-02-13 2011-01-12 精工电子有限公司 电子元器件、电子设备及底座构件制造方法
US20120018759A1 (en) * 2010-07-26 2012-01-26 Asahi Glass Company, Limited Substrate for mounting light-emitting element, production process thereof and light-emitting device
WO2013018783A1 (ja) * 2011-08-01 2013-02-07 株式会社Ｓｔｅｑ 半導体装置及びその製造方法
CN203151858U (zh) * 2013-03-25 2013-08-21 乐健科技（珠海）有限公司 带有陶瓷反光层的金属基印刷电路板及led发光模块
CN203317814U (zh) * 2013-04-12 2013-12-04 艾迪美国股份有限公司 一种贴附式移动电子设备的外壳保护膜
CN103474583A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN105098091A (zh) * 2015-06-15 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装结构及其封装方法
CN105405521A (zh) * 2015-12-24 2016-03-16 昆山安胜达微波科技有限公司 防开裂半硬电缆
CN106129089A (zh) * 2016-07-21 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN106165131A (zh) * 2014-01-29 2016-11-23 At&S奥地利科技与系统技术股份公司 电路板生产方法
US20170062671A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
CN207329193U (zh) * 2017-08-21 2018-05-08 林楠泓 一种防碰撞包装袋
CN108549499A (zh) * 2018-03-30 2018-09-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109244111A (zh) * 2018-08-31 2019-01-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN109390286A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法
CN109445179A (zh) * 2018-10-22 2019-03-08 青岛海信电器股份有限公司 发光二极管灯板、其防护封装方法、背光模组及显示装置
CN110231727A (zh) * 2019-05-14 2019-09-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 膜结构及其制备方法
WO2020015413A1 (zh) * 2018-07-20 2020-01-23 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
US20200058829A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light source unit
CN111146163A (zh) * 2019-12-25 2020-05-12 苏州通富超威半导体有限公司 一种芯片组件及制备方法
CN111477653A (zh) * 2020-04-22 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN111477618A (zh) * 2020-04-23 2020-07-31 恩利克（浙江）智能装备有限公司 一种量子点全彩Micro/Mini-LED显示屏结构及其制造方法
CN111524927A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 驱动基板及其制备方法和显示装置
WO2020184778A1 (ko) * 2019-03-08 2020-09-17 존스미디어 주식회사 디지털프린팅소재를 겸비한 장식패널

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9029880B2 (en) * 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
CN106057822A (zh) * 2016-07-29 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN108591974A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 驱动基板、制备方法及微型led阵列发光背光模组
US11362246B2 (en) * 2019-02-20 2022-06-14 Nichia Corporation Method of manufacturing display device with lateral wiring
CN111524931A (zh) * 2020-05-11 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种Mini LED显示面板及其制备方法和显示装置

Patent Citations (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040101658A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Charles Kannankeril High strength high gas barrier cellular cushioning product
KR20060095829A (ko) * 2005-02-28 2006-09-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
TWI269467B (en) * 2005-07-01 2006-12-21 Epitech Technology Corp Light-emitting diode
CN101090128A (zh) * 2007-06-20 2007-12-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Led阵列微显示器件及制作方法
CN101946317A (zh) * 2008-02-13 2011-01-12 精工电子有限公司 电子元器件、电子设备及底座构件制造方法
US20120018759A1 (en) * 2010-07-26 2012-01-26 Asahi Glass Company, Limited Substrate for mounting light-emitting element, production process thereof and light-emitting device
WO2013018783A1 (ja) * 2011-08-01 2013-02-07 株式会社Ｓｔｅｑ 半導体装置及びその製造方法
CN203151858U (zh) * 2013-03-25 2013-08-21 乐健科技（珠海）有限公司 带有陶瓷反光层的金属基印刷电路板及led发光模块
CN203317814U (zh) * 2013-04-12 2013-12-04 艾迪美国股份有限公司 一种贴附式移动电子设备的外壳保护膜
CN103474583A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN106165131A (zh) * 2014-01-29 2016-11-23 At&S奥地利科技与系统技术股份公司 电路板生产方法
CN105098091A (zh) * 2015-06-15 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装结构及其封装方法
US20170062671A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
CN105405521A (zh) * 2015-12-24 2016-03-16 昆山安胜达微波科技有限公司 防开裂半硬电缆
CN106129089A (zh) * 2016-07-21 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109390286A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法
CN207329193U (zh) * 2017-08-21 2018-05-08 林楠泓 一种防碰撞包装袋
CN108549499A (zh) * 2018-03-30 2018-09-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2020015413A1 (zh) * 2018-07-20 2020-01-23 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
US20200144543A1 (en) * 2018-07-20 2020-05-07 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Display panels and display devices
US20200058829A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light source unit
CN109244111A (zh) * 2018-08-31 2019-01-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN109445179A (zh) * 2018-10-22 2019-03-08 青岛海信电器股份有限公司 发光二极管灯板、其防护封装方法、背光模组及显示装置
WO2020184778A1 (ko) * 2019-03-08 2020-09-17 존스미디어 주식회사 디지털프린팅소재를 겸비한 장식패널
CN110231727A (zh) * 2019-05-14 2019-09-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 膜结构及其制备方法
CN111146163A (zh) * 2019-12-25 2020-05-12 苏州通富超威半导体有限公司 一种芯片组件及制备方法
CN111477653A (zh) * 2020-04-22 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN111477618A (zh) * 2020-04-23 2020-07-31 恩利克（浙江）智能装备有限公司 一种量子点全彩Micro/Mini-LED显示屏结构及其制造方法
CN111524927A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 驱动基板及其制备方法和显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
谭明: ""一种芯片级封装形式LED的制备与研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *
谭明: ""一种芯片级封装形式LED的制备与研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, 31 May 2017 (2017-05-31), pages 135 - 90 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112909145A (zh) * 2021-01-20 2021-06-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220406965A1 (en) 2022-12-22
CN112382206B (zh) 2022-07-12
WO2022099862A1 (zh) 2022-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112396979B (zh) 背板及led面板
US9935281B2 (en) Flexible display
CN112786577B (zh) 显示装置及其制造方法
CN108538897B (zh) 具有微盖层的显示装置及其制造方法
CN107004617B (zh) 具有桥接配线迹线的柔性显示装置
US9854668B2 (en) Display device
CN112382206B (zh) 背板及led面板
CN110993817B (zh) Oled显示面板
CN110993775B (zh) 一种背板及其制作方法、背光模组、显示面板
US20230144891A1 (en) Backlight module, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device
CN109860143B (zh) 阵列基板、显示装置及制备方法、拼接显示装置
CN114203879A (zh) 背光模组及背光模组的制备方法
JP2019174807A (ja) 電子装置
WO2020237593A1 (zh) 电路板、制备方法及背光板
JP2013157341A (ja) Ｌｅｄ照明装置
TWI631695B (zh) 顯示面板的製作方法
CN211184397U (zh) 具有抗雷射填缝层的电路结构
JP6524533B2 (ja) 半導体素子搭載用基板、半導体装置及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2010171082A (ja) 回路モジュール及び電子機器
CN111129042B (zh) 显示面板及显示面板制作方法
US20240120442A1 (en) Substrate and Light-Emitting Substrate
CN110244879B (zh) 触控显示面板
KR20130038690A (ko) 블랑켓 일체형 방열회로기판의 제조 방법 및 그에 이용되는 패턴 마스크
KR102096083B1 (ko) 보강판 패널 및 이의 제조 방법
KR102096763B1 (ko) 연성 회로 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant