CN112366180A - Led封装方法及led封装装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种LED封装方法及LED封装装置，该LED封装方法包括以下步骤：提供显示驱动背板，显示驱动背板上设有多个开关元件和多个过孔；在显示驱动背板上形成导电层；在导电层上形成光刻胶层，并将光刻胶层进行图案化处理；对导电层进行刻蚀，从而在过孔内形成导电凸点；去除导电凸点上的光刻胶层；将LED元件的电极与导电凸点对位连接，从而将LED元件电性连接至开关元件。本LED封装方法及LED封装装置中，通过在显示驱动背板上设置导电凸点，可以批量地封装微型LED，工艺简单，效果高，可实现微型LED的高效巨量封装，生产良率较高。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，特别是涉及一种LED封装方法及LED封装装置。
背景技术
微型LED技术是指以高密度集成在基板上的小尺寸LED阵列。高质量的微型LED将对已经投放市场的传统显示产品(如LCD/OLED)产生深远的影响。尽管最近已经显示出可以批量生产尺寸为几十微米(μm)的LED片，但是当使用电流拾取技术时，难以拾取微型LED(μLED)芯片以将其放到PCB上。除此之外，芯片的尺寸越小，连接焊盘的面积越小。因此，需要一种将微型LED芯片安装在PCB的几微米位置上的技术，使用当前技术难以实现高质量的将微型LED芯片安装在显示面板上。例如，生产4K UHD显示面板需要大约2500万个微型LED，即使以99.99％(100ppm)的成品率进行管理，也需要进行2500次返工，并且目前无法实现一种技术来移除以几十微米间隔安装的微型LED芯片并再次单独地安装它。
一种微型LED的制备方法中，通过以下步骤实现：S01、形成导电接触器阵列；S02、固定第一丝印网板，第一丝印网板上的若干个通孔与导电接触器一一对应；S03、将第一包覆体填充在导电接触器的周围；S04、将RGB芯片组放置于固晶材料上，完成固晶；S05、将第二丝印网板固定于第一丝印网板上，第二丝印网板上的通孔与第一丝印网板上的通孔一一对应；S06、将第二包覆体填充在的RGB芯片组周围，烘烤固化；S07、将第三丝印网板固定于第二丝印网板上，第三丝印网板上的通孔与第二丝印网板上的通孔一一对应；S08、将保护层覆盖RGB芯片组和第二包覆体，烘烤固化保护层；S09、移除第一丝印网板、第二丝印网板和第三丝印网板，即可得到多个微型LED发光器件。然而，该微型LED的制备方法中，使用的固晶机焊头吸取芯片的精度范围在±10μm，对于在几十微米甚至更小尺寸的微型LED来说对位难度较大，固晶过程中的高温有可能会使导电接触器熔融导致正负极的短路。
发明内容
本发明的目的是提供一种可高效、批量封装LED且良率较高的LED封装方法及LED封装装置。
本发明提供一种LED封装方法，包括以下步骤：
提供显示驱动背板，所述显示驱动背板上设有多个开关元件，所述显示驱动背板上还开设有多个过孔；
在所述显示驱动背板上形成导电层；
在所述导电层上形成光刻胶层，并将所述光刻胶层进行图案化处理，图案化处理后的所述光刻胶层仅剩余所述过孔位置的所述光刻胶层，其余位置的所述光刻胶层被去除；
对所述导电层进行刻蚀，从而在所述过孔内形成导电凸点；
去除所述导电凸点上的所述光刻胶层；
将LED元件的电极与所述导电凸点对位连接，从而将所述LED元件电性连接至所述开关元件。
其中一实施例中，所述显示驱动背板包括基板、栅极金属层、由所述栅极金属层形成的栅极、有源层、源极和漏极，所述栅极和所述有源层间隔绝缘设置，所述源极和所述漏极间隔设置，且所述源极和所述漏极分别和所述有源层接触，所述源极通过与所述栅极金属层电性连接实现与所述栅极的电性连接。
其中一实施例中，所述过孔包括多个第一过孔和多个第二过孔，每组所述第一过孔和所述第二过孔对应设置一个所述开关元件；所述导电凸点包括多个第一导电凸点和多个第二导电凸点，所述第一过孔和所述第二过孔内分别形成所述第一导电凸点和所述第二导电凸点；所述LED元件的数量为多个，每个所述LED元件包括第一电极和第二电极，每个所述LED元件的所述第一电极和所述第二电极分别与所述第一导电凸点和所述第二导电凸点对位，并将各所述LED元件的所述第一电极和所述第二电极与一组所述第一导电凸点和所述第二导电凸点分别连接在一起。
其中一实施例中，在所述对导电层进行刻蚀，从而在过孔内形成导电凸点的步骤中，去除未覆盖有所述光刻胶层的所述导电层，而保留有所述光刻胶层覆盖的所述导电层。
其中一实施例中，在所述将LED元件的电极与所述导电凸点对位，并将所述LED元件的所述电极与所述导电凸点连接在一起，从而将所述LED元件电性连接至所述开关元件的步骤中，具体包括：提供临时转移基板，所述LED元件附着在所述临时转移基板上，将所述临时转移基板与所述显示驱动背板对位贴合，使所述LED元件的所述电极和与所述导电凸点对位，并将所述LED元件的所述电极与所述导电凸点连接在一起。
其中一实施例中，所述临时转移基板上还设有应力缓冲层，所述LED元件附着在所述应力缓冲层上。
其中一实施例中，所述LED封装方法还包括步骤：移除所述临时转移基板。
其中一实施例中，将LED元件的所述电极与所述导电凸点连接在一起时，通过调控温度将所述电极与所述导电凸点焊接在一起。
本发明还提供一种LED封装装置，包括显示驱动背板和多个LED元件，所述显示驱动背板上设有多个开关元件，所述显示驱动背板上开设有多个过孔，所述过孔内形成有导电凸点，每个所述LED元件包括电极，每个所述LED元件的所述电极与所述导电凸点电性接触和连接。
其中一实施例中，所述过孔包括多个第一过孔和多个第二过孔，每组所述第一过孔和所述第二过孔对应设置一个所述开关元件；所述导电凸点包括多个第一导电凸点和多个第二导电凸点，所述第一过孔和所述第二过孔内分别形成所述第一导电凸点和所述第二导电凸点；所述LED元件的数量为多个，每个所述LED元件包括第一电极和第二电极，每个所述LED元件的所述第一电极和所述第二电极分别与一组所述第一导电凸点和所述第二导电凸点电性接触和连接。
本LED封装方法及LED封装装置中，通过在显示驱动背板上设置导电凸点，可以批量地封装微型LED，工艺简单，效果高，可实现微型LED的高效巨量封装，生产良率较高。
附图说明
图1为本发明一实施例的LED封装方法的流程示意图。
图2为图1所示LED封装方法的S11步骤中的结构示意图。
图3为图1所示LED封装方法的S13步骤中的结构示意图。
图4为图1所示LED封装方法的S15步骤中的一结构示意图。
图5为图1所示LED封装方法的S15步骤中的另一结构示意图。
图6为图1所示LED封装方法的S17步骤中的结构示意图。
图7为图1所示LED封装方法的S19步骤中的结构示意图。
图8为图1所示LED封装方法的S21步骤中的一结构示意图。
图9为图1所示LED封装方法的S21步骤中的另一结构示意图。
图10为图1所示LED封装方法的S23步骤中的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参图1，本发明一实施例的LED封装方法包括以下步骤：
S11，提供显示驱动背板61。请参图2，显示驱动背板61包括基板611、栅极金属层613、由栅极金属层613形成的栅极615、有源层617、源极619和漏极623，栅极615和有源层617间隔绝缘设置，源极619和漏极623间隔设置，且源极619和漏极623分别和有源层617接触。源极619通过与栅极金属层613电性连接实现与栅极615的电性连接。栅极615、源极619和漏极623构成晶体管，显示驱动背板61包括多个晶体管，多个晶体管呈阵列排布。显示驱动背板61上开设有第一过孔625和第二过孔627，第一过孔625从显示驱动背板61远离基板611的顶面贯穿至漏极623，第二过孔627从显示驱动背板61远离基板611的顶面贯穿至栅极金属层613，第一过孔625和第二过孔627形成一组过孔，第一过孔625和第二过孔627的数量均为多个，且第一过孔625和第二过孔627的数量相等，且第一过孔625的数量一般与晶体管的数量相等。具体地，显示驱动背板61还包括栅极绝缘层629、第一保护层631和第二保护层633，栅极绝缘层629覆盖于栅极615和基板611上，有源层617设于栅极绝缘层629上，第一保护层631覆盖于源极619和漏极623和栅极绝缘层629上，第二保护层633覆盖于第一保护层631上。可以理解，晶体管也可由其他开关元件代替，只要能通过开关元件控制各LED元件69(见图8)的开关即可。可以理解，显示驱动背板61上开设的每组过孔的过孔数量根据需要与LED元件69电性连接的触点数量确定，可以为其他数量，例如如果一个LED元件69的电极数为三个，则每组开孔的数量为三个。
S13，请参图3，在显示驱动背板61的顶面上形成导电层64。具体地，导电层64的材料可为锡(Sn)、金(Au)、Ag(银)或铟(In)等，也可为合金，还可为金属材料以外的其他导电材料。导电层64可通过蒸镀、溅射、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等工艺方法形成。在第一过孔625和第二过孔627的位置，导电层64形成在第一过孔625和第二过孔627的底部，在第一过孔625和第二过孔627以外的其他位置，导电层64形成在第二保护层633的表面。
S15，请参图4和图5，在导电层64上形成光刻胶层65，并将光刻胶层65进行图案化处理。具体地，图案化处理后的光刻胶层65仅剩余第一过孔625和第二过孔627位置的光刻胶层65，其余位置的光刻胶层65被去除。具体地，对光刻胶层65进行图案化处理时，具体包括：利用掩模板对光刻胶层65进行曝光、显影、蚀刻。
S17，请参图6，对导电层64进行刻蚀，从而在第一过孔625和第二过孔627内形成第一导电凸点642和第二导电凸点644，一个第一导电凸点642和一个第二导电凸点644组成一组第一导电凸点642和一个第二导电凸点644，以与一个LED元件69的两个电极对应。具体地，对导电层64进行刻蚀时，将去除未覆盖有光刻胶层65的导电层64，而保留有光刻胶层65覆盖的导电层64，也就是说，去除了导电层64除了第一过孔625和第二过孔627内以外的其他部分，由此形成第一导电凸点642和第二导电凸点644。第一导电凸点642与漏极623电性连接，第二导电凸点644通过与栅极金属层613电性连接实现与栅极615的电性连接。具体地，对导电层64进行刻蚀的方法可为湿法刻蚀方法。第一导电凸点642和第二导电凸点644可以为金属凸点，也可为非金属凸点，能导电即可。对应于过孔数量，导电凸点的数量也可根据需要而定。
S19，请参图7，去除第一导电凸点642和第二导电凸点644上的光刻胶层65。具体地，可通过掩模板对光刻胶层65进行曝光、显影、蚀刻将第一导电凸点642和第二导电凸点644上的光刻胶层65去除。
S21，请参图8，提供临时转移基板67，多个LED元件69附着在临时转移基板67上，每个LED元件69包括第一电极692和第二电极694，请一并参照图9，将临时转移基板67与显示驱动背板61对位贴合，使LED元件69的第一电极692和第二电极694分别与第一导电凸点642和第二导电凸点644对位连接，由此实现LED元件69与显示驱动背板61之间的电路连接。具体地，通常临时转移基板67上的LED元件69是同一种颜色的LED，分三次将不同颜色的LED元件69通过临时转移基板67与显示驱动背板61贴合而连接，三种不同颜色的LED元件69分别为蓝色、红色和绿色，蓝色、红色和绿色的LED元件69交替排布。具体地，将各LED元件69的第一电极692和第二电极694与一组第一导电凸点642和第二导电凸点644分别连接在一起时，可通过调节温度实现第一电极692与第一导电凸点642的焊接和第二电极694与第二导电凸点644的焊接，在此，温度可调控至约200摄氏度即可实现焊接。
可以理解，在步骤S21中，也可采用其他方式将LED元件69的第一电极692和第二电极694分别与第一导电凸点642和第二导电凸点644对位，并将各LED元件69的第一电极692和第二电极694与一组第一导电凸点642和第二导电凸点644分别连接在一起，例如，可通过真空吸头吸附LED元件69，并将LED元件69的第一电极692和第二电极694分别对准第一导电凸点642和第二导电凸点644，并进行连接。
具体地，临时转移基板67上还设有应力缓冲层672，LED元件69附着在应力缓冲层672上。通过设置应力缓冲层672可防止LED元件69发生破裂。LED元件69可为Mirco LED，也可为Mini LED，尺寸一般在1μm-1000μm。
以下说明将LED元件69附着在临时转移基板67上的方法。提供基础基板，并在基础基板上设置失粘层，批量生产的LED元件69通过失粘层粘附在基础基板上。在基础基板远离临时转移基板67的一侧设置光罩，光罩上有对应一种颜色需要安装位置的透光区，从光罩远离基础基板的一侧照射紫外光，使得失粘层对应透光区的位置失去粘性或粘性降低，使对应位置的LED元件69附着到临时转移基板67上，而不对应透光区位置粘性保持，该位置的LED元件69则仍附着在基础基板上。
具体地，失粘层可为UV(紫外)辐射失粘层，其材料可为UV辐射失粘胶，其具体可包括以下重量百分比组分：UV胶粘剂38％-80％、固化添加剂0.5％-2.5％、乙酯9％-20％以及甲苯10％-40％。UV辐射失粘层在紫外光照射下会失去粘性或粘性减小，以达到转移LED元件69的目的。
S23，请参图10，移除临时转移基板67，形成LED封装装置，即完成大批量或巨量LED元件的封装。
本实施例的LED封装方法中，通过在显示驱动背板上设置导电凸点，可以批量地封装微型LED，工艺简单，效果高，可实现微型LED的高效巨量封装，生产良率较高。
请再次参照图10，本发明还提供一种LED封装装置，其包括显示驱动背板61和多个LED元件69，显示驱动背板61上开设有多个第一过孔625和多个第二过孔627，第一过孔625和第二过孔627内分别形成有第一导电凸点642和第二导电凸点644。每个LED元件69包括第一电极692和第二电极694，每个LED元件69的第一电极692和第二电极694分别与一个第一导电凸点642和一个第二导电凸点644电性接触和连接。可以理解，LED元件69可为任意数量，根据需要设置即可。
本实施例中，显示驱动背板61包括基板611、栅极金属层613、由栅极金属层613形成的栅极615、有源层617、源极619和漏极623，栅极615和有源层617间隔绝缘设置，源极619和漏极623间隔设置，且源极619和漏极623分别和有源层617接触。源极619和栅极金属层613电性连接。栅极615、源极619和漏极623构成晶体管，显示驱动背板61包括多个晶体管，多个晶体管呈阵列排布。第一过孔625从显示驱动背板61远离基板611的顶面贯穿至漏极623，第一导电凸点642和漏极623电性连接，第二过孔625从显示驱动背板61远离基板611的顶面贯穿至栅极金属层613，第二导电凸点644与栅极金属层613电性连接。
具体地，显示驱动背板61还包括栅极绝缘层629、第一保护层631和第二保护层633，栅极绝缘层629覆盖于栅极615和基板611上，有源层617设于栅极绝缘层629上，第一保护层631覆盖于源极619和漏极623和栅极绝缘层629上，第二保护层633覆盖于第一保护层631上。
本实施例的LED封装装置，通过在显示驱动背板上设置导电凸点，可以批量地封装微型LED，工艺简单，效果高，可实现微型LED的高效巨量封装，生产良率较高。
以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供显示驱动背板(61)，所述显示驱动背板(61)上设有多个开关元件，所述显示驱动背板(61)上还开设有多个过孔；
在所述显示驱动背板(61)上形成导电层(64)；
在所述导电层(64)上形成光刻胶层(65)，并将所述光刻胶层(65)进行图案化处理，图案化处理后的所述光刻胶层(65)仅剩余所述过孔位置的所述光刻胶层(65)，其余位置的所述光刻胶层(65)被去除；
对所述导电层(64)进行刻蚀，从而在所述过孔内形成导电凸点；
去除所述导电凸点上的所述光刻胶层(65)；
将LED元件(69)的电极与所述导电凸点对位连接，从而将所述LED元件(69)电性连接至所述开关元件。
2.如权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述显示驱动背板(61)包括基板(611)、栅极金属层(613)、由所述栅极金属层(613)形成的栅极(615)、有源层(617)、源极(619)和漏极(623)，所述栅极(615)和所述有源层(617)间隔绝缘设置，所述源极(619)和所述漏极(623)间隔设置，且所述源极(619)和所述漏极(623)分别和所述有源层(617)接触，所述源极(619)通过与所述栅极金属层(613)电性连接实现与所述栅极(615)的电性连接。
3.如权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述过孔包括多个第一过孔(625)和多个第二过孔(627)，每组所述第一过孔(625)和所述第二过孔(627)对应设置一个所述开关元件；所述导电凸点包括多个第一导电凸点(642)和多个第二导电凸点(644)，所述第一过孔(625)和所述第二过孔(627)内分别形成所述第一导电凸点(642)和所述第二导电凸点(644)；所述LED元件(69)的数量为多个，每个所述LED元件(69)包括第一电极(692)和第二电极(694)，每个所述LED元件(69)的所述第一电极(692)和所述第二电极(694)分别与所述第一导电凸点(642)和所述第二导电凸点(644)对位，并将各所述LED元件(69)的所述第一电极(692)和所述第二电极(694)与一组所述第一导电凸点(642)和所述第二导电凸点(644)分别连接在一起。
4.如权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，在所述对导电层(64)进行刻蚀，从而在过孔内形成导电凸点的步骤中，去除未覆盖有所述光刻胶层(65)的所述导电层(64)，而保留有所述光刻胶层(65)覆盖的所述导电层(64)。
5.如权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，在所述将LED元件(69)的电极与所述导电凸点对位，并将所述LED元件(69)的所述电极与所述导电凸点连接在一起，从而将所述LED元件(69)电性连接至所述开关元件的步骤中，具体包括：提供临时转移基板(67)，所述LED元件(69)附着在所述临时转移基板(67)上，将所述临时转移基板(67)与所述显示驱动背板(61)对位贴合，使所述LED元件(69)的所述电极和与所述导电凸点对位，并将所述LED元件(69)的所述电极与所述导电凸点连接在一起。
6.如权利要求5所述的LED封装方法，其特征在于，所述临时转移基板(67)上还设有应力缓冲层(672)，所述LED元件(69)附着在所述应力缓冲层(672)上。
7.如权利要求5所述的LED封装方法，其特征在于，所述LED封装方法还包括步骤：移除所述临时转移基板(67)。
8.如权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，将LED元件(69)的所述电极与所述导电凸点连接在一起时，通过调控温度将所述电极与所述导电凸点焊接在一起。
9.一种LED封装装置，其特征在于，包括显示驱动背板(61)和多个LED元件(69)，所述显示驱动背板(61)上设有多个开关元件，所述显示驱动背板(61)上开设有多个过孔，所述过孔内形成有导电凸点，每个所述LED元件(69)包括电极，每个所述LED元件(69)的所述电极与所述导电凸点电性接触和连接。
10.如权利要求9所述的LED封装装置，其特征在于，所述过孔包括多个第一过孔(625)和多个第二过孔(627)，每组所述第一过孔(625)和所述第二过孔(627)对应设置一个所述开关元件；所述导电凸点包括多个第一导电凸点(642)和多个第二导电凸点(644)，所述第一过孔(625)和所述第二过孔(627)内分别形成所述第一导电凸点(642)和所述第二导电凸点(644)；所述LED元件(69)的数量为多个，每个所述LED元件(69)包括第一电极(692)和第二电极(694)，每个所述LED元件(69)的所述第一电极(692)和所述第二电极(694)分别与一组所述第一导电凸点(642)和所述第二导电凸点(644)电性接触和连接。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101060130A (zh) * | 2006-04-20 | 2007-10-24 | 中华映管股份有限公司 | 有源式有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN104217995A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板 |
| CN104465702A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-03-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板的制作方法 |
| CN104701460A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种反射电极及其制备方法和应用 |
| CN109768174A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-17 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性发光装置及其制作方法 |
| CN110197814A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-03 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置 |
| US20200286921A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof and display device |
| US20200312831A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
-
2020
- 2020-11-09 CN CN202011242384.XA patent/CN112366180A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101060130A (zh) * | 2006-04-20 | 2007-10-24 | 中华映管股份有限公司 | 有源式有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN104701460A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种反射电极及其制备方法和应用 |
| CN104217995A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板 |
| CN104465702A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-03-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板的制作方法 |
| CN109768174A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-17 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性发光装置及其制作方法 |
| US20200286921A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof and display device |
| US20200312831A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
| CN110197814A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-03 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置 |
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