CN112363372A - 一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、opc模型及电子设备 - Google Patents

一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、opc模型及电子设备 Download PDF

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Abstract

发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备，包括步骤：S1、将光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，生成单元刚度矩阵，获得整体刚度矩阵；S3、获得关于一晶格单元的等效节点力，获得整体节点力矩阵；S4、对整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解，求出关于光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将整体节点位移转化为光场强度，利用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行分析，同时将光场对光刻胶的作用等效为作用力的形式，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性。

Description

一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模 型及电子设备
【技术领域】
发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备。
【背景技术】
光刻工艺是现代极大规模集成电路制造过程中最重要的制造工艺，即通过光刻机将掩模上集成电路的设计图形转移到硅片上的重要手段。随着特征尺寸的逐渐缩小，可用于制造的工艺窗口越来越小，整个光刻工艺过程都需要做到精准控制，对计算光刻精确程度的要求也越来越高。准确的计算光刻模型是从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。
而目前比较先进的光刻胶技术均为负向显影技术，负向显影技术在建模的过程中有别于正向显影技术。在正向显影技术中，光刻胶的形变主要取决于光刻胶经过光照反应后的酸的分布，也就是光场的分布。由于计算光刻的成像光学仿真过程可以较为准确的基于物理成像模型计算出，所以对于正向显影的光刻胶建模容易得到较为准确的结果。而在负向显影的光刻胶中，由于后烘过程光刻胶的热收缩效应，光刻胶会产生超出光场分布的额外形变，而这部分形变是难以捕捉的，而这种效应对于负向显影光刻胶的建模又是十分重要的，因此急需要一种严格的计算方法去计算这种效应，从而实现负向显影光刻胶的精确建模，提高现有模型的准确性和实用性。
【发明内容】
为克服现有光刻技术中对负向显影光刻胶进行模拟仿真的准确性差的技术问题，本发明提供一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种负显影光刻工艺的仿真方法，包括如下步骤：S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将所述整体节点位移转化为光场强度。
优选地，在上述步骤S2中获得的单元刚度矩阵如下：
Figure BDA0002787652280000021
公式中，E为杨氏模量，μ为泊松比，εi，ηj为节点两个方向对应的相对坐标；h为晶格的厚度；kij为节点坐标对应的刚度系数。
优选地，在上述步骤S4中，步骤S4具体包括如下步骤：S41、设定边界条件对所述整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解；S42、利用如下公式基于所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵求解出整体节点力位移，整体刚度矩阵*整体节点位移＝整体节点力矩阵。
优选地，上述步骤S41的具体过程如下：先求出关于一晶格单元的单元刚度矩阵，然后基于有限元分析方法获得整体刚度矩阵；先求出一晶格单元的等效节点力，然后基于有限元分析方法获得整体节点力矩阵。
优选地，所述晶格单元为正方形结构，其边长尺寸范围为3-10nm。
优选地，在上述步骤S5中，通过线性差值方法将所述每个节点的节点位移转化为光场分布，所述步骤S5具体包括如下步骤：S51、获得两个节点之间的原始距离以及每个节点的原始光场强度；S52、设定每个晶格单元的节点的原始光场强度不变，晶格单元之间的距离随着节点位移的移动而改变，对两个节点之间的光场差和位移差求出导数，利用所述导数乘以两个节点之间的原始距离以获得新的光场强度。
优选地，负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤S6、通过求解器求出杨氏模量E，和泊松比μ。
为了解决上述技术问题，还提供一种负显影光刻胶模型，其包括如上所述的负显影光刻工艺的仿真方法以及如下步骤获得：S7、基于所述步骤S5获得的光场强度作为变量建立负显影光刻胶模型，设定光场分布为E(x,y)，且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，即S(x,y)＝F(E(x,y))。
为了解决上述技术问题，还提供一种OPC模型，提供初始OPC模型并加入如权利要求8所述的负显影光刻胶模型。
为了解决上述技术问题，还提供一种电子设备，其包括一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如上所述的负显影光刻工艺的仿真方法。
与现有技术相比，S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将所述整体节点位移转化为光场强度，利用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行分析，同时将光场对光刻胶的作用等效为作用力的形式，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性，同时，采用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行等效分析，提高计算速度以及准确性。
在上述步骤S4中，步骤S4具体包括如下步骤：
S41、设定边界条件对所述整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解；S42、利用如下公式基于所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵求解出整体节点力位移，整体刚度矩阵*整体节点位移＝整体节点力矩阵，由于整体刚度矩阵为奇异矩阵，设定边界条件对刚度矩阵进行求解，以获得准确性较高的结果。
本发明提供的负显影光刻胶模型、OPC模型以及电子设备同样具有如上所述的有益效果。
【附图说明】
图1是本发明第一实施例中提供的负显影光刻工艺的仿真方法的流程图；
图2是本发明第一实施例中提供的负显影光刻工艺的仿真方法中步骤S4的细节流程图；
图3是本发明第一实施例中提供的负显影光刻工艺的仿真方法中步骤S5的细节流程图；
图4是本发明第一实施例中提供的负显影光刻工艺的仿真方法变形实施例中的流程图；
图5是本发明第四实施例中提供的电子设备的模块示意图；
图6是适于用来实现本发明实施例的服务器的计算机系统的结构示意图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种负显影光刻工艺的仿真方法，包括如下步骤：
S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；
S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；
S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；
S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及
S5、将所述整体节点位移转化为光场强度。
负向显影技术是一种图像反转的显影技术，它与传统的显影技术相反，通过使用特殊的有机溶剂显影可以借助由传统的正型光刻胶来得到负向的图像。该技术中所使用的光刻胶组合物含有树脂和光产酸剂，其中，树脂结构具有酸不稳定或者酸可裂解的有机基团，在曝光后的烘焙中，曝光区域在光产酸剂受到光照所产生的酸的作用下，树脂中不稳定基团或酸可裂解基团断裂，由疏水性转变为亲水性，从而使得其在有机溶剂中溶解度降低，而未曝光部分仍保持在有机溶剂中溶解度高的性质，因而在显影过程中能够被有机溶剂制成的显影液除去。因此，与传统的正型光刻胶显影过程中曝光部分被溶解相反，该技术使得正型光刻胶在显影时非曝光部分被溶解，曝光部分被保留。因此，可以获知曝光之后的图像分布和形状与酸的分布直接关联，而酸的分布直接关联于光场的分布情况。
在步骤S1中，所述晶格单元为正方形结构，其边长尺寸范围为3-10nm；可选地，其边长尺寸范围还可以为：4-8nm或者5-6nm；可选地，其边长尺寸范围还可以为：3.5nm、4.5nm、5.5nm、7.5nm和8.5nm。作为一种示例：选定的光刻胶区域大小为800nm-1200nm，图片像素大小为200*200。因此，每个晶格单元的每个平面包括4个节点。
请再次参阅图1，负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤：
S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵。
在本步骤中，光刻胶通常为包括高分子的树脂材料，其具有一定的弹性，因此，可以设定光刻胶为具有一定弹性的弹性体材料，从而设定光刻胶在后烘过程中的热收缩效应为弹性形变。而光刻胶弹性的形变主要是基于光场的照射而发生的，因此将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力的形式，基于弹性力学对一晶格单元进行受力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，然后再基于有限元分析方法基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵。
在本步骤中，通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵是基于现有的弹性力学公式推导获得的，因此不再对其具体的过程进行展示。在上述步骤S2中获得的单元刚度矩阵如下：
Figure BDA0002787652280000071
公式中，E为杨氏模量，μ为泊松比，εi，ηj为节点两个方向对应的相对坐标；h为晶格的厚度；kij为节点坐标对应的刚度系数。
请再次参阅图1，负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤：
S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵。
在本步骤中，关于等效节点力的获得以及整体节点力矩阵的获得均是现有的有限元分析方法中比较成熟的技术，因此不再详细的描述。
请再次参阅图1，负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤：
S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移。
请参阅图2，步骤S4具体包括如下步骤：
S41、设定边界条件对所述整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解；
S42、利用如下公式基于所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵求解出整体节点力位移，
整体刚度矩阵*整体节点位移＝整体节点力矩阵。
在上述步骤S41中，由于整体刚度矩阵是奇异矩阵，因此需要设定合适的边界条件方可对其进行求解。边界条件的设定可以基于光刻胶实际的物理性质进行设定或者选用一些边界设定方法进行设定，比如完美匹配层。
上述步骤S41的具体过程如下：
对于整体刚度矩阵的求解过程如下：先求出关于一晶格单元的单元刚度矩阵，然后基于有限元分析方法获得整体刚度矩阵。
对于整体节点力矩阵的求解过程如下：
先求出一晶格单元的等效节点力，然后基于有限元分析方法获得整体节点力矩阵。
请参阅图3，在上述步骤S5中，通过线性差值方法将所述每个节点的节点位移转化为光场分布，所述步骤S5具体包括如下步骤：
S51、获得两个节点之间的原始距离以及每个节点的原始光场强度；
S52、设定每个晶格单元的节点的原始光场强度不变，晶格单元之间的距离随着节点位移的移动而改变，对两个节点之间的光场差和位移差求出导数，利用所述导数乘以两个节点之间的原始距离以获得新的光场强度。
请参阅图4，负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤：S6、通过求解器求出杨氏模量E，和泊松比μ。
具体地，可以通过solver求解器求解获得。
本发明第二实施例提供一种负显影光刻胶模型，其基于如第一实施例提供的负显影光刻工艺的仿真方法以及如下步骤获得：S7、基于所述步骤S5获得的光场强度作为变量建立负显影光刻胶模型，设定光场分布为E(x,y)，且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，即S(x,y)＝F(E(x,y))。
本发明第三实施例提供一种OPC模型，其包括初始OPC模型和如第二实施例所提供的负显影光刻胶模型。一般初始OPC模型包括背景光强度分布函数、光强梯度函数、光强曲线函数、光碱分布函数、以及光酸分布函数等。加入如上所述的负显影光刻胶模型之后，其能很好的适应于负性光刻胶工艺，能很好的模拟和计算负型光刻胶的热收缩效应，提高光刻工艺的准确性。
请参阅图5，本发明的第四实施提供一种电子装置300，其包括一个或多个处理器302；
存储装置301，用于存储一个或多个程序，
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器302执行，使得所述一个或多个处理器302实现如第一实施提供的负显影光刻工艺的仿真方法。
下面参考图6，其示出了适于用来实现本发明实施例的终端设备/服务器的计算机系统800的结构示意图。图6示出的终端设备/服务器仅仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图6所示，计算机系统800包括中央处理单元(CPU)801，其可以根据存储在只读存储器(ROM)802中的程序或者从存储部分808加载到随机访问存储器(RAM)803中的程序而执行各种适当的动作和处理。在RAM 803中，还存储有系统800操作所需的各种程序和数据。CPU 801、ROM 802以及RAM 803通过总线804彼此相连。输入/输出(I/O)接口805也连接至总线804。
以下部件连接至I/O接口805：包括键盘、鼠标等的输入部分806；包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)等以及扬声器等的输出部分807；包括硬盘等的存储部分808；以及包括诸如LAN卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分809。通信部分809经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器810也根据需要连接至I/O接口805。可拆卸介质811，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器810上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分808。
根据本公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本公开的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分809从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质811被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)801执行时，执行本发明的方法中限定的上述功能。需要说明的是，本发明所述的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是—但不限于—电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD－ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本申请的操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
附图中的流程图和框图，图示了按照本发明各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被该装置执行时，使得该装置执行如下步骤：S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将所述整体节点位移转化为光场强度。
与现有技术相比，S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将所述整体节点位移转化为光场强度，利用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行分析，同时将光场对光刻胶的作用等效为作用力的形式，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性，同时，采用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行等效分析，提高计算速度以及准确性。
在上述步骤S4中，步骤S4具体包括如下步骤：
S41、设定边界条件对所述整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解；S42、利用如下公式基于所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵求解出整体节点力位移，整体刚度矩阵*整体节点位移＝整体节点力矩阵，由于整体刚度矩阵为奇异矩阵，设定边界条件对刚度矩阵进行求解，以获得准确性较高的结果。
本发明提供的负显影光刻胶模型、OPC模型以及电子设备同样具有如上所述的有益效果。
以上所述仅为本发明较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；
S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；
S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；
S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及
S5、将所述整体节点位移转化为光场强度。
2.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：在上述步骤S2中获得的单元刚度矩阵如下：
Figure FDA0002787652270000011
公式中，E为杨氏模量，μ为泊松比，εi，ηj为节点两个方向对应的相对坐标；h为晶格的厚度；kij为节点坐标对应的刚度系数。
3.如权利要求2所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：在上述步骤S4中，步骤S4具体包括如下步骤：
S41、设定边界条件对所述整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解；
S42、利用如下公式基于所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵求解出整体节点力位移，整体刚度矩阵*整体节点位移＝整体节点力矩阵。
4.如权利要求3所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：
上述步骤S41的具体过程如下：
先求出关于一晶格单元的单元刚度矩阵，然后基于有限元分析方法获得整体刚度矩阵；
先求出一晶格单元的等效节点力，然后基于有限元分析方法获得整体节点力矩阵。
5.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：所述晶格单元为正方形结构，其边长尺寸范围为3-10nm。
6.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：在上述步骤S5中，通过线性差值方法将所述每个节点的节点位移转化为光场分布，所述步骤S5具体包括如下步骤：
S51、获得两个节点之间的原始距离以及每个节点的原始光场强度；
S52、设定每个晶格单元的节点的原始光场强度不变，晶格单元之间的距离随着节点位移的移动而改变，对两个节点之间的光场差和位移差求出导数，利用所述导数乘以两个节点之间的原始距离以获得新的光场强度。
7.如权利要求2所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤：
S6、通过求解器求出杨氏模量E，和泊松比μ。
8.一种负显影光刻胶模型，其特征在于：其包括如权利要求1-7中任一项所述的负显影光刻工艺的仿真方法以及步骤：
S7、基于所述步骤S5获得的光场强度作为变量建立负显影光刻胶模型，设定光场分布为E(x,y)，且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，即S(x,y)＝F(E(x,y))。
9.一种OPC模型，其特征在于：提供初始OPC模型并加入如权利要求8所述的负显影光刻胶模型。
10.一种电子设备，其特征在于：其包括一个或多个处理器；
存储装置，用于存储一个或多个程序，
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-7中任一项所述的负显影光刻工艺的仿真方法。
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