CN112359322A

CN112359322A - 一种真空蒸镀方法

Info

Publication number: CN112359322A
Application number: CN202011024093.3A
Authority: CN
Inventors: 李同裕
Original assignee: Yangzhou Jishan Jintian Optoelectronics Technology Co ltd
Current assignee: Yangzhou Jishan Jintian Optoelectronics Technology Co ltd
Priority date: 2020-09-25
Filing date: 2020-09-25
Publication date: 2021-02-12

Abstract

本发明公开了一种真空蒸镀方法，属于真空蒸镀领域。它包括：一、提供蒸镀腔室；二、提供若干蒸镀台，将蒸镀台设置于蒸镀腔室内底部，每个蒸镀台的顶部设置不同的蒸发源，设置不同蒸发源的蒸镀材料不同；三、提供若干基板，将基板设置在蒸镀腔室内顶部，其中一个基板水平设置，其余基板倾斜设置且环绕于水平设置的基板周围。本发明通过环绕式设置多个基板，配合多个蒸镀台，能对基板进行不同材料的同时蒸镀，且蒸镀台的蒸发源散发处的材料分子可更大面积的被基板朝向蒸镀台的待镀面接收，从而降低了对材料的浪费。

Description

一种真空蒸镀方法

技术领域

本发明属于真空蒸镀领域，更具体地说，涉及一种真空蒸镀方法。

背景技术

目前，蒸镀工艺被广泛地应用于电子器件的镀膜生产过程中，其原理是将待成膜的源材料放置于真空环境中，通过电阻加热或电子束加热使源材料加热到一定温度发生蒸发或升华，气化后的源材料凝结沉积在待成膜的基板表面而完成镀膜。

现有的真空蒸镀方法，在蒸镀过程中，有大量的蒸镀材料会附着在蒸镀腔室的内壁上，从而造成材料的浪费，同时，针对多种材料同时蒸镀的情况，容易出现基板待镀面部分区域镀膜较薄，导致产品质量造成影响。

经检索，中国专利公开号：CN 104451554 B；公开日：2019年07月02日；公开了一种真空蒸镀设备及真空蒸镀方法，真空蒸镀设备包括蒸镀腔室和设置在所述蒸镀腔室内的M个相互独立的蒸发源装置，M为大于1的整数，所述蒸发源装置包括：子腔室；位于所述子腔室内的蒸发源；位于所述蒸发源上方、能够阻挡蒸发源的源材料排出的第一挡板；位于所述第一挡板上方的第一晶振片；位于所述第一晶振片上方、能够阻挡蒸发源的源材料排出的第二挡板，其中，所述第一挡板和第二挡板均具有与所述蒸发源对应的用于使蒸镀物质通过的挡板开口。该申请案的真空蒸镀设备虽然能提高对蒸镀物质的回收率从而降低对材料的浪费，但仍无法解决多种材料同时蒸镀时，产品质量易受影响的缺陷。

另，中国专利公开号：CN 108642453 A；公开日：2018年10月12日；公开了一种真空蒸镀腔室及真空蒸镀设备，真空蒸镀腔室，其包括：腔体，腔体内的底部设置有蒸发源，腔体的顶部设置有用于放置基板的安放机构，安放机构能够带动基板转动，并且安放机构的转动轴心与基板的中心同轴；转动驱动机构，转动驱动机构的驱动端设置在安放机构的下方，与安放机构的转动轴心相对；调节片，调节片的长度小于等于基板对角线长度的一半，调节片水平的设置在安放机构的下方，并且调节片的一端与驱动端连接，调节片与基板之间的距离在预设范围内；其中，转动驱动机构能够驱动调节片与安放机构同轴转动。该申请案的设备虽然能在基板上形成均匀的镀膜，确保产品质量，但无法解决蒸镀过程中对材料的浪费问题。

发明内容

为了解决上述技术问题至少之一，根据本发明的一方面，提供了一种真空蒸镀方法，包括：

一、提供蒸镀腔室；

二、提供若干蒸镀台，将蒸镀台设置于蒸镀腔室内底部，每个蒸镀台的顶部设置不同的蒸发源，设置不同蒸发源的蒸镀材料不同；

三、提供若干基板，将基板设置在蒸镀腔室内顶部，其中一个基板水平设置，其余基板倾斜设置且环绕于水平设置的基板周围。

本方案设置了蒸镀腔室，在蒸镀腔室内设置了多处蒸镀台，不同的蒸镀台负责不同材料种类的蒸镀，蒸镀台设置在蒸镀腔室内的底部，靠近中间位置处，进一步地，本方案还设置了若干个基板，若干基板布置后，呈类似半球形状罩在蒸发源上方，通过此方式，蒸镀台的蒸发源散发处的材料分子可更大面积的被基板朝向蒸镀台的待镀面接收，从而降低了对材料的浪费，提高对材料分子的利用率，设置多个蒸镀台还能完成对不同材料的同时蒸镀。

根据本发明实施例的真空蒸镀方法，可选地，步骤二中，在蒸发源外设置半球罩体，并在半球罩体上开设若干通孔，设置通孔数量与基板数量相同，且设置每个通孔均对正不同的基板待镀面。

通过半球罩体罩在蒸发源外，可限制蒸发源向外发散材料分子的范围，同时针对性的在半球罩体上开设通孔，每个通孔均朝向正对不同的基板待镀面，由此，可保证经由通孔中散发出的材料分子，可朝向基板方向运动，从而减少材料分子附着在蒸镀腔室壁面上的概率，对于半球罩体内表面的材料可定期进行收集回收，从而节约材料成本。

根据本发明实施例的真空蒸镀方法，可选地，步骤三中，设置每个基板均相切于对应通孔所在的球面。

由于蒸发源外罩有半球罩体，因此本方案的基板布置方式能便于半球罩体上对应通孔朝向位置的开设，进一步确保对蒸镀材料分子的接收，提高材料分子的利用率，降低生产成本。

根据本发明实施例的真空蒸镀方法，可选地，步骤二中，在半球罩体的每个通孔外均设置有角度限制罩，并通过角度限制罩的开口面积限制蒸发源通过通孔在对应基板上的蒸镀面积。

角度限制罩为两端开口的罩体，一端固定在通孔周围，另一端开口朝向通孔朝向的基板，经由通孔发散处的材料分子沿直线向上运动，在角度限制罩的限制下，仅有一定范围内的材料分子能穿过角度限制罩上端的开口继续运动直至附着，因此，通过设置角度限制罩的开口面积，能有效的控制发散出的材料分子的范围，从而进一步确保材料分子能准确有效的附着在对应的基板待镀面上，通过不同蒸镀台上角度限制罩的配合，能使得不同的材料均能有效准确的对对应基板进行蒸镀，进而提高产品的蒸镀质量。

根据本发明实施例的真空蒸镀方法，可选地，步骤一中，在蒸镀腔室顶部设置通气孔，真空泵通过通气孔，形成蒸镀腔室内的真空环境，提供若干个通气孔，不同通气孔对正不同的基板。

真空蒸镀过程中，需要真空泵对蒸镀腔室进行不断的抽气，以维持真空蒸镀过程的真空状态，而真空泵在抽气时，对应的通气孔处会发生压强变化，从而对附近的气压及材料分子的浓度产生一定扰动，因此，本方案对应每个基板处，均在其背面设置有通气孔，进而使得真空蒸镀过程中每个基板处的工况条件相同，从而确保产品质量的一致性。

有益效果

（1）本发明的真空蒸镀方法，通过环绕式设置多个基板，配合多个蒸镀台，能对基板进行不同材料的同时蒸镀，且蒸镀台的蒸发源散发处的材料分子可更大面积的被基板朝向蒸镀台的待镀面接收，从而降低了对材料的浪费；

（2）本发明的真空蒸镀方法，通过半球罩体及其上针对性开设的通孔，可限制蒸镀过程中材料分子的运动范围，减少材料分子附着在蒸镀腔室壁面上的概率，对于半球罩体内表面的材料可定期进行收集回收，从而节约材料成本；

（3）本发明的真空蒸镀方法，通过设置基板与半球罩体的相切，使若干基板呈类似半球形状罩在蒸发源上方，进一步确保对蒸镀材料分子的接收，提高材料分子的利用率，降低生产成本；

（4）本发明的真空蒸镀方法，通过设置角度限制罩的开口面积，能有效的控制发散出的材料分子的范围，从而进一步确保材料分子能准确有效的附着在对应的基板待镀面上，通过不同蒸镀台上角度限制罩的配合，能使得不同的材料均能有效准确的对对应基板进行蒸镀，进而提高产品的蒸镀质量；

（5）本发明的真空蒸镀方法，对应每个基板处，均在其背面设置有通气孔，进而使得真空蒸镀过程中每个基板处的工况条件相同，从而确保产品质量的一致性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1示出了本发明的真空蒸镀方法所形成设备的结构示意图；

图2示出了图1所示设备的局部结构示意图；

图3示出了本发明的角度限制罩的剖视图；

图4为本发明的真空蒸镀方法的流程图；

附图标记：

1、蒸镀腔室；10、通气孔；

2、蒸镀台；20、蒸发源；200、半球罩体；201、通孔；

3、角度限制罩；

4、基板。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

本实施例的真空蒸镀方法，包括：

一、提供蒸镀腔室1；

二、提供若干蒸镀台2，将蒸镀台2设置于蒸镀腔室1内底部，每个蒸镀台2的顶部设置不同的蒸发源20，设置不同蒸发源20的蒸镀材料不同；

三、提供若干基板4，将基板4设置在蒸镀腔室1内顶部，其中一个基板4水平设置，其余基板4倾斜设置且环绕于水平设置的基板4周围。

在真空蒸镀过程中，蒸发源20处的材料分子会以蒸发源20为中心，不断向四周散发，在散发过程中，材料分子一般为直线运动，现有的真空蒸镀设备，通常一个蒸镀腔室1内设有一个基板4进行蒸镀，这就使得大量的材料分子会附着在蒸镀腔室1内壁上，从而造成蒸镀材料的浪费，针对此，本实施例作出改进：

如图4所示，本实施例设置了蒸镀腔室1，在蒸镀腔室1内设置了多处蒸镀台2，不同的蒸镀台2负责不同材料种类的蒸镀，蒸镀台2设置在蒸镀腔室1内的底部，靠近中间位置处，进一步地，本实施例还设置了若干个基板4，若干基板4布置后，呈类似半球形状罩在蒸发源20上方，通过此方式，蒸镀台2的蒸发源20散发处的材料分子可更大面积的被基板4朝向蒸镀台2的待镀面接收，从而降低了对材料的浪费，提高对材料分子的利用率，设置多个蒸镀台2还能完成对不同材料的同时蒸镀，通过本实施例的方法形成的设备结构如图1所示。

实施例2

本实施例的真空蒸镀方法，在实施例1的基础上做进一步改进，步骤二中，在蒸发源20外设置半球罩体200，并在半球罩体200上开设若干通孔201，设置通孔数量与基板4数量相同，且设置每个通孔201均对正不同的基板4待镀面。

如图2和图3所示，通过半球罩体200罩在蒸发源20外，可限制蒸发源20向外发散材料分子的范围，同时针对性的在半球罩体200上开设通孔201，每个通孔201均朝向正对不同的基板4待镀面，由此，可保证经由通孔201中散发出的材料分子，可朝向基板4方向运动，从而减少材料分子附着在蒸镀腔室1壁面上的概率，对于半球罩体200内表面的材料可定期进行收集回收，从而节约材料成本。

实施例3

本实施例的真空蒸镀方法，在实施例2的基础上做进一步改进，步骤三中，设置每个基板4均相切于对应通孔201所在的球面。

由于蒸发源20外罩有半球罩体200，因此本实施例的基板4布置方式能便于半球罩体200上对应通孔201朝向位置的开设，进一步确保对蒸镀材料分子的接收，提高材料分子的利用率，降低生产成本。

实施例4

本实施例的真空蒸镀方法，在实施例3的基础上做进一步改进，步骤二中，在半球罩体200的每个通孔201外均设置有角度限制罩3，并通过角度限制罩3的开口面积限制蒸发源20通过通孔201在对应基板4上的蒸镀面积。

如图2和图3所示，角度限制罩3为两端开口的罩体，一端固定在通孔201周围，另一端开口朝向通孔201朝向的基板4，经由通孔201发散处的材料分子沿直线向上运动，在角度限制罩3的限制下，仅有一定范围内的材料分子能穿过角度限制罩3上端的开口继续运动直至附着，因此，通过设置角度限制罩3的开口面积，能有效的控制发散出的材料分子的范围，从而进一步确保材料分子能准确有效的附着在对应的基板4待镀面上，通过不同蒸镀台2上角度限制罩3的配合，能使得不同的材料均能有效准确的对对应基板4进行蒸镀，进而提高产品的蒸镀质量。

实施例5

本实施例的真空蒸镀方法，在实施例4的基础上做进一步改进，步骤一中，在蒸镀腔室1顶部设置通气孔10，真空泵通过通气孔10，形成蒸镀腔室1内的真空环境，提供若干个通气孔10，不同通气孔10对正不同的基板4。

真空蒸镀过程中，需要真空泵对蒸镀腔室1进行不断的抽气，以维持真空蒸镀过程的真空状态，而真空泵在抽气时，对应的通气孔10处会发生压强变化，从而对附近的气压及材料分子的浓度产生一定扰动，因此，本实施例对应每个基板4处，均在其背面设置有通气孔10，进而使得真空蒸镀过程中每个基板4处的工况条件相同，从而确保产品质量的一致性。

本发明所述实例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明构思和范围进行限定，在不脱离本发明设计思想的前提下，本领域工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明的保护范围。

Claims

1.一种真空蒸镀方法，其特征在于，包括：

一、提供蒸镀腔室；

2.根据权利要求1所述的一种真空蒸镀方法，其特征在于：步骤二中，在蒸发源外设置半球罩体，并在半球罩体上开设若干通孔，设置通孔数量与基板数量相同，且设置每个通孔均对正不同的基板待镀面。

3.根据权利要求2所述的一种真空蒸镀方法，其特征在于：步骤三中，设置每个基板均相切于对应通孔所在的球面。

4.根据权利要求3所述的一种真空蒸镀方法，其特征在于：步骤二中，在半球罩体的每个通孔外均设置有角度限制罩，并通过角度限制罩的开口面积限制蒸发源通过通孔在对应基板上的蒸镀面积。

5.根据权利要求4所述的一种真空蒸镀方法，其特征在于：步骤一中，在蒸镀腔室顶部设置通气孔，真空泵通过通气孔，形成蒸镀腔室内的真空环境，提供若干个通气孔，不同通气孔对正不同的基板。