CN112331776B - 量子点发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

量子点发光器件及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及量子点发光器件及其制备方法、显示装置。其中，量子点发光器件包括阳极、发光层和阴极；发光层设置在阳极和阴极之间，发光层包括量子点材料及掺杂于量子点材料的p型掺杂剂。该量子点发光器件能够有效地提高发光器件的效率和使用寿命。

Description

量子点发光器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及电子显示技术领域，特别涉及量子点发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，例如：在没有特殊光提取层的前提下，红、绿QLED已报道的最高外量子效率均已超过20％，接近理论极限，蓝光QLED的最高外量子效率也接近20％。但是QLED在寿命方面的表现却差强人意，尤其是蓝光QLED。目前，主流的观点认为电子和空穴不平衡是QLED寿命低下的主要原因，这是由量子点独特的能级结构以及量子点发光层与阴阳极之间不对称的电荷注入势垒(空穴注入势垒远大于电子注入势垒)造成的。再加上常用的空穴传输材料的HOMO能级或价带顶能级与量子点价带顶能级之间存在明显的空穴势垒，不能够有效地注入空穴。因此，有效地促进电荷平衡对于提高QLED的效率和寿命至关重要。
为了解决这个问题，科研工作者已经从多个角度着手，例如：设计type-I型量子点结构，通过增加壳厚或者选择足够宽带隙的壳层材料以阻止电子注入，但同时也阻止了空穴的注入；对ZnO电子传输层进行掺杂以减小其电子导电性；在ZnO电子传输层和量子点发光层之间嵌入绝缘层以阻挡部分电子传输；等等。这些方法基本上都致力于减少电子数目，以促进电荷平衡，进而达到提高QLED的效率和寿命的目的，但效果仍不是很显著。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够有效地提高发光器件的效率和使用寿命的量子点发光器件及其制备方法、显示装置。
一种量子点发光器件，包括阳极、发光层和阴极，其中，所述发光层设置在所述阳极和阴极之间，所述发光层包括量子点材料及掺杂于所述量子点材料的p型掺杂剂。
在其中一实施例中，所述量子点发光器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述阳极和所述发光层之间，所述空穴传输层包括空穴传输材料和掺杂于所述空穴传输材料的p型掺杂剂。
在其中一实施例中，所述p型掺杂剂的LUMO能级大于5eV。
在其中一实施例中，所述p型掺杂剂为金属有机复合物。
在其中一实施例中，所述金属有机复合物包括(Mo(tfd-COCF3)3和Ni(tfd)2中的一种或多种。
一种量子点发光器件的制备方法，包括以下步骤：
形成阳极；
形成发光层，所述发光层包括量子点材料及掺杂于所述量子点材料的p型掺杂剂；
在所述发光层上形成阴极。
在其中一实施例中，在所述形成阳极的步骤后，所述形成发光层的步骤前还包括形成空穴传输层的步骤，且所述空穴传输层设置在所述阳极和所述发光层之间，所述空穴传输层包括空穴传输材料和掺杂于所述空穴传输材料的p型掺杂剂。
在其中一实施例中，所述形成空穴传输层的步骤包括：使p型掺杂剂溶液与空穴传输材料接触并形成于所述阳极上；
所述形成发光层的步骤中包括：使p型掺杂剂溶液与量子点材料接触并形成于所述空穴传输层上。
在其中一实施例中，所述形成空穴传输层的步骤中，采用的所述p型掺杂剂溶液的浓度大于或等于0.1mg/ml量级；
所述形成发光层的步骤中，采用的所述p型掺杂剂溶液的浓度小于或等于0.01mg/ml量级。
一种显示装置，包括上述量子点发光器件或上述量子点发光器件的制备方法制备而成的量子点发光器件。
上述量子点发光器件改变传统“减少电子数目”的思路，从空穴的角度出发，创新性地采用p型掺杂剂对发光层中的量子点材料进行掺杂处理，如此，通过调节p型掺杂剂的浓度，可以提高量子点材料自身的空穴浓度，提高量子点的空穴传导能力，进而，有效地提高了量子点发光器件的电荷平衡水平，达到提高其稳定性和使用寿命的目的。同时也为量子点发光器件的进一步研究提供了一种全新的思路。
附图说明
图1为本发明一实施方式的量子点发光器件的示意图；
图2为p型掺杂剂作用量子点以及无机空穴传输材料的机制示意图；
图3为p型掺杂剂处理量子点时，量子点能带及费米能级变化示意图；
图4为p型掺杂剂处理空穴传输材料时，空穴传输材料能带及费米能级变化示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施方式的量子点发光器件10，包括阳极101、发光层103和阴极104。其中，发光层103设置在阳极101和阴极104之间，发光层103包括量子点材料及掺杂于量子点材料的p型掺杂剂。在一实施例中，量子点发光器件10还包括空穴传输层102，空穴传输层102设置在阳极101和发光层103之间，且空穴传输层102包括空穴传输材料和掺杂于空穴传输材料的p型掺杂剂。
其中，阳极101可以为常用的阳极材料，如ITO，IZO，Au等高功函数金属及金属氧化物。阴极104可以为常用的阴极材料，如Al，Ag，MgAg合金等，在此不做特别限定。
可理解的，本发明中，p型掺杂剂对空穴传输材料和量子点材料分别进行掺杂处理，掺杂方法无特别限定，只要能够使待处理材料和p型掺杂剂接触即可，例如可以采用直接混合的方法，即将p型掺杂剂和待处理材料直接混合，然后以混合物的形式沉积形成所需功能层；也可以采用掺杂剂溶液处理的方法，即先沉积待处理材料，再在待处理材料上添加p型掺杂剂溶液，静置一段时间，干燥，除去溶剂即可。优选在惰性气体的氛围下干燥，以避免空气中水分、氧气等的影响。
本发明中，发光层103中的量子点材料经p型掺杂材料掺杂处理，优选采用掺杂剂溶液处理方法，以扩大材料的选择范围，降低掺杂难度，同时还可以提高掺杂的均一性。因为部分量子点材料和p型掺杂剂较难溶解于同一溶剂中，混合掺杂的方法会增大溶剂筛选的难度，增大制备难度，且若未充分溶解，容易导致掺杂均一性降低，进而影响器件性能。
通过采用p型掺杂材料对量子点材料进行掺杂处理，可以有效地提高量子点自身的空穴浓度，提高量子点的空穴传导能力。如图2所示，由于p型掺杂剂B的LUMO能级较大，与量子点A的价带顶能级接近，在热能或电场的作用下，量子点A价带的电子会跃迁到p型掺杂剂B的LUMO能级上，在量子点价带产生空穴，从而达到提高量子点的空穴浓度的目的。
进一步地，优选采用浓度小于或等于0.01mg/ml量级的p型掺杂剂溶液处理量子点材料。其中，“量级”应该理解为本领域的通常含义，0.01mg/ml量级可以表示为a*10-2的形式，a可为1-9的整数。在一实施例中，采用浓度小于或等于0.1mg/ml的p型掺杂剂溶液处理量子点材料。更进一步地，优选采用浓度0.0001mg/ml量级～0.01mg/ml量级的p型掺杂剂溶液处理量子点材料。在一实施例中，采用浓度0.001mg/ml～0.09mg/ml的p型掺杂剂溶液处理量子点材料。发明人在研究中发现，对量子材料处理的掺杂剂溶液的浓度对量子点的导带和价带位置具有一定的影响，如图3所示，费米能级位置随着掺杂剂的浓度提高而向价带方向移动，空穴浓度增加。
另外，p型掺杂剂优选其电子亲核能大于5eV，或LUMO能级大于5eV。在一实施例中，p型掺杂剂为金属有机复合物，由于金属阳离子能够键合量子点表面未配对的阴离子，故其还可以起到钝化量子点缺陷的作用，进而能够减少缺陷以及由此而来的非辐射复合，进一步有助于提高QLED的效率和寿命。
更进一步地，p型掺杂剂为molybdenum tris(1-(trifluoroacetyl)-2-(trifluoromethyl)ethane-1,2-dithiolene)，简写为(Mo(tfd-COCF3)3，其电子亲合能为5.8eV；Nickel bis(1,2-bis(trifluoromethyl)ethane-1,2-dithiolene)，简写为Ni(tfd)2，其电子亲合能为5.6eV。
量子点材料无特别限定，可以是II-VI族化合物半导体，例如：CdSe、ZnCdS、CdSeS、ZnCdSeS、CdSe/ZnS、CdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，例如：InP、InP/ZnS等；可以是I-III-VI族化合物半导体，例如：CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等；可以是钙钛矿量子点，例如：CsPbM3(M＝Cl、Br、I)等。
在一实施例中，空穴传输层102中的空穴传输材料经p型掺杂剂掺杂处理。经p型掺杂剂处理的空穴传输层和经p型掺杂剂处理后的发光层能够协同作用，一方面可以提高量子点材料自身的空穴浓度，提高量子点的空穴传导能力；另一方面可以增大空穴传输层表面的价带和费米能级，减小空穴传输层至量子点发光层之间的空穴势垒，有效地提高了量子点发光器件的电荷平衡水平，达到提高其稳定性和使用寿命的目的。
如图4所示，对空穴传输材料处理的掺杂剂溶液的浓度对空穴传输层的导带和价带位置具有一定的影响。优选，空穴传输层进行掺杂处理时的p型掺杂剂溶液的浓度大于量子点材料进行掺杂处理时的p型掺杂剂溶液的浓度。
发明人在研究中发现，当p型掺杂剂溶液的浓度大于或等于0.1mg/ml量级时，量子点表面会形成偶极层，引起真空能级下移，即量子点的导带、费米能级、价带都明显下移，有利于减小至量子点发光层的空穴势垒，同时提升空穴浓度，故优选空穴传输材料处理的掺杂剂溶液的浓度大于或等于0.1mg/ml量级。在一实施例中，采用浓度为大于或等于0.1mg/ml的掺杂剂溶液处理空穴传输材料。在一实施例中，采用浓度为0.1mg/ml～2mg/ml的掺杂剂溶液处理空穴传输材料。
经p型掺杂剂掺杂处理后，空穴传输层中的p型掺杂剂的质量百分含量优选为0.5％-10％，以减小至量子点发光层的空穴势垒。可理解的，本发明中空穴传输层102中的p型材料和发光层103中的p型材料可以相同或不同，具体p型材料的选择如上所述，在此不再进行赘述。
空穴传输材料可以为无机半导体空穴传输材料，例如：NiO、Cu2O、石墨烯量子点等，在此不做特别限定。
另外，可理解的，量子点发光器件还可以包括空穴注入层、电子传输层、电子注入层等，各功能层的相对位置及其材料选择可以采用本领域常规选择，在此不做特别限定。例如：量子点发光器件包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
其中，电子传输材料可以是无机半导体，例如：ZnO、TiO2、SnO2等；可以是有机半导体，例如：TPBi、Bphen、TmPyPb、B3PYMPM、BCP等。
空穴注入材料可以是导电聚合物，例如：PEDOT:PSS；也可以是高功函数的n型半导体，例如：HAT-CN、MoO3、WO3、V2O5、Rb2O等。
电子注入材料可以是碱金属盐，例如：LiF、NaF、CsF、Cs2CO3等；可以是低功函数金属，例如：Mg、Mg:Ag合金、Yb等。
本发明还提供了一种量子点发光器件的制备方法，包括以下步骤：
S101：形成阳极。
步骤S101可以采用现有的方法制备阳极，在此步骤特别限定；
S102：在阳极上形成空穴传输层，空穴传输层包括空穴传输材料和掺杂于空穴传输材料的p型掺杂剂。
需要说明的是，当无需设置空穴传输层时，可以省略该步骤。在本发明中，优选设置经p型掺杂剂处理的空穴传输层。因为经p型掺杂剂处理的空穴传输层和经p型掺杂剂处理后的发光层能够协同作用，一方面可以提高量子点材料自身的空穴浓度，提高量子点的空穴传导能力；另一方面可以增大空穴传输层表面的价带和费米能级，减小空穴传输层至量子点发光层之间的空穴势垒，有效地提高了量子点发光器件的电荷平衡水平，达到提高其稳定性和使用寿命的目的。
可理解的，步骤S102中包括采用p型掺杂剂和空穴传输材料接触进行掺杂处理的步骤，具体地，可以采用直接混合的方法或p型掺杂剂溶液处理的方法。更进一步地，优选p型掺杂剂溶液处理的方法。
具体地，直接混合的方法包括以下步骤：
将空穴传输材料、p型掺杂剂和溶剂混合，得到混合溶液，采用溶液沉积法将混合溶液沉积在阳极上，干燥即可。优选经所述p型掺杂剂掺杂处理后，空穴传输层中的p型掺杂剂的质量百分含量为0.5％-10％；
p型掺杂剂溶液处理的方法包括以下步骤：
S1021：获取所需浓度的p型掺杂剂溶液；
配制p型掺杂剂溶液的溶剂无特别限定，仅需能够溶解p型掺杂剂且易挥发干燥即可，优选采用乙腈溶液等。
S1022：在阳极上沉积空穴传输材料，形成待处理空穴传输层；
可采用溶液沉积法沉积空穴传输材料，在此步骤特别限定。
S1023：在待处理空穴传输层上添加p型掺杂剂溶液，进行处理；
步骤S1023中，添加的p型掺杂剂溶液的体积无特别限定，仅需覆盖整个待处理空穴传输层表面即可。优选所添加的p型掺杂剂溶液覆盖待处理空穴传输层的表面。更进一步地，优选p型掺杂剂溶液浓度为大于或等于0.1mg/mL量级；在一实施例中，p型掺杂剂溶液浓度大于0.1mg/mL；在一实施例中，p型掺杂剂溶液浓度为0.1mg/mL～2mg/mL。
S1024：干燥，制得空穴传输层。
步骤S1024中，优选在惰性气体下进行干燥，例如采用氮气吹拂的方法。
S103：形成发光层，发光层中包括量子点材料及掺杂于量子点材料的p型掺杂剂。
可理解的，当设置了空穴传输层，可以在形成空穴传输层后，将发光层层叠在空穴传输层上。
步骤S103中，包括采用p型掺杂剂和量子点材料接触进行掺杂处理的步骤。更进一步地，优选将p型掺杂剂配制成所需浓度的p型掺杂剂溶液，使p型掺杂剂溶液与量子点材料接触，进行掺杂处理。优选p型掺杂剂溶液的浓度小于或等于0.01mg/ml量级；更进一步地，优选采用浓度0.0001mg/ml量级～0.01mg/ml量级的p型掺杂剂溶液处理量子点材料。在一实施例中，采用浓度0.001mg/ml～0.09mg/ml的p型掺杂剂溶液处理量子点材料。具体地可以包括以下步骤：
S1031：获取所需浓度的p型掺杂剂溶液；
配制p型掺杂剂溶液的溶剂无特别限定，仅需能够溶剂p型掺杂剂且易挥发干燥即可，优选采用乙腈溶液等。
S1032：在空穴传输层上沉积量子点材料，形成待处理发光层；
步骤S1032中，可以采用溶液沉积法沉积量子点材料，在此不做特别限定。
S1033：在待处理发光层上添加p型掺杂剂溶液，进行处理；
步骤S1033中，滴加的p型掺杂剂溶液的体积无特别限定，仅需覆盖整个待处理发光层表面即可；优选所添加的p型掺杂剂溶液覆盖待处理发光层的表面。
S1034：干燥，制得发光层。
步骤S1034中，优选在惰性气体下进行干燥，例如采用氮气吹拂的方法。
本发明通过采用p型掺杂剂对量子点进行处理，通过控制p型掺杂剂的浓度，可以提高量子点材料自身的空穴浓度、提高其空穴传导能力，以达到提高QLED电荷平衡水平，提高器件稳定性和使用寿命的目的。
下面列举具体实施方式对本发明进行说明。
实施例1
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒:(Mo(tfd-COCF3)3混合物(质量比为96:4)作为空穴传输层，厚度为30nm；
(3)在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS/ZnS量子点作为发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上滴满(Mo(tfd-COCF3)3·乙腈溶液(浓度为0.02mg/ml)，处理3分钟；
(5)3分钟后用乙腈溶剂清洗量子点发光层表面，然后用微弱的氮气流吹干表面；
(6)在量子点发光层上利用利用溶液法沉积ZnO纳米颗粒作为电子传输层，厚度为40nm；
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极，厚度为100nm。
实施例2
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒作为空穴传输层，厚度为30nm；
(3)在空穴传输层上滴满(Mo(tfd-COCF3)3·乙腈溶液(浓度为1mg/ml)，处理2分钟；
(4)2分钟之后用乙腈溶剂清洗空穴传输层表面，然后用微弱的氮气流吹干表面；
(5)随后，在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS/ZnS量子点作为发光层，厚度为25nm；
(6)在量子点发光层上滴满(Mo(tfd-COCF3)3·乙腈溶液(浓度为0.02mg/ml)，处理3分钟；
(7)3分钟后用乙腈溶剂清洗量子点发光层表面，然后用微弱的氮气流吹干表面；
(8)随后，在量子点发光层上利用利用溶液法沉积ZnO纳米颗粒作为电子传输层，厚度为40nm；
(9)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极，厚度为100nm。
实施例3
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnO纳米颗粒作为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS/ZnS量子点作为发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上滴满(Mo(tfd-COCF3)3·乙腈溶液(浓度为0.02mg/ml)，处理3分钟；
(5)3分钟后用乙腈溶剂清洗量子点发光层表面，然后用微弱的氮气流吹干表面；
(6)随后，在量子点发光层上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒:(Mo(tfd-COCF3)3混合物(质量比为96:4)作为空穴传输层，厚度为30nm；
(7)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(8)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为100nm。
对比例1
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒作为空穴传输层，厚度为30nm；
(3)在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS/ZnS量子点作为发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用利用溶液法沉积ZnO纳米颗粒作为电子传输层，厚度为40nm；
(5)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极，厚度为100nm。
对比例2
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒作为空穴传输层，厚度为30nm；
(3)在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS/ZnS量子点作为发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上滴满(Mo(tfd-COCF3)3·乙腈溶液(浓度为0.02mg/ml)，处理3分钟；
(5)3分钟后用乙腈溶剂清洗量子点发光层表面，然后用微弱的氮气流吹干表面；
(6)在量子点发光层上利用利用溶液法沉积ZnO纳米颗粒作为电子传输层，厚度为40nm；
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极，厚度为100nm。
对比例3
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒:(Mo(tfd-COCF3)3混合物(质量比为96:4)作为空穴传输层，厚度为30nm；
(3)在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS/ZnS量子点作为发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用利用溶液法沉积ZnO纳米颗粒作为电子传输层，厚度为40nm；
(5)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极，厚度为100nm。
性能测试
将上述实施例1-实施例3和对比例1-对比例3的量子点发光器件进行最大量子效率和使用寿命测试，具体结构如表1。
其中，外量子效率表示发射到器件外面的光子数与注入到器件的电子数的比值。通过对实施例1-实施例3、对比例1-对比例2的量子点发光器件进行电流-电压-亮度的测试，得到电流-电压-亮度数据，同时获得外量子效率-电压曲线，曲线的顶点即为最大外量子效率；
T90@1000cd/m2表示器件以1000cd/m2为初始亮度一直点亮，直至亮度衰减到900cd/m2(初始亮度的90％)时所持续的时间，其中，cd/m2为亮度的单位。
表1
从表1可以看出，实施例1-实施例3的量子点发光器件具有较好的量子效率和使用寿命，明显优于对比例1-对比例3。其中，对比例1-对比例3与实施例1基本相同，不同之处在于，对比例1的空穴传输材料和发光层均未采用p型掺杂剂进行掺杂处理；对比例2的空穴传输材料未采用p型掺杂剂进行掺杂处理；对比例3的量子点材料未采用p型掺杂剂进行掺杂处理。可以看出，相比于实施例1，无论是最大外量子效率，还是T90@1000cd/m2，对比例1-对比例3均具有不同程度地降低，说明经p型掺杂剂处理后的空穴传输材料和经p型掺杂剂处理后的量子点材料能够协同作用，提高QLED电荷平衡水平，进而达到提高器件效率和使用寿命的目的。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括阳极、空穴传输层、发光层和阴极；其中，所述发光层设置在所述阳极和阴极之间，所述发光层包括量子点材料及掺杂于所述量子点材料的p型掺杂剂，所述空穴传输层设置在所述阳极和所述发光层之间，所述空穴传输层包括空穴传输材料和掺杂于所述空穴传输材料的p型掺杂剂，所述空穴传输材料为无机半导体，所述p型掺杂剂为金属有机复合物，所述发光层中p型掺杂剂与所述空穴传输层中的p型掺杂剂相同；所述p型掺杂剂满足以下特征的一项或两项：(1)所述p型掺杂剂的LUMO能级大于5eV；(2)所述p型掺杂剂的电子亲核能大于5eV。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自NiO、Cu2O和石墨烯量子点中的一种或多种。
3.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述p型掺杂剂的LUMO能级大于5eV。
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述p型掺杂剂的电子亲核能大于5eV。
5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属有机复合物选自Mo(tfd-COCF3)3和Ni(tfd)2中的一种或多种。
6.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成阳极；
在所述阳极上形成空穴传输层，所述空穴传输层包括空穴传输材料和掺杂于所述空穴传输材料的p型掺杂剂，所述空穴传输材料为无机半导体；
在所述空穴传输层上形成发光层，所述发光层包括量子点材料及掺杂于所述量子点材料的p型掺杂剂，所述p型掺杂剂为金属有机复合物，所述发光层中p型掺杂剂与所述空穴传输层中的p型掺杂剂相同；所述p型掺杂剂满足以下特征的一项或两项：(1)所述p型掺杂剂的LUMO能级大于5eV；(2)所述p型掺杂剂的电子亲核能大于5eV；
在所述发光层上形成阴极。
7.根据权利要求6所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料选自NiO、Cu2O和石墨烯量子点中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述形成空穴传输层的步骤包括：使p型掺杂剂溶液与空穴传输材料接触并形成于所述阳极上；
所述形成发光层的步骤中包括：使p型掺杂剂溶液与量子点材料接触并形成于所述空穴传输层上。
9.根据权利要求8所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述形成空穴传输层的步骤中，采用的所述p型掺杂剂溶液的浓度要求大于或等于0.1mg/ml量级；
所述形成发光层的步骤中，采用的所述p型掺杂剂溶液的浓度要求小于或等于0.01mg/ml量级。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件或权利要求6-9任一项所述的量子点发光器件的制备方法制备而成的量子点发光器件。
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