CN112323033B - 一种渐变色薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种渐变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：a）提供渐变色薄膜膜系参数，所述膜系参数包括膜层数、单层膜厚度、渐变色各颜色的目标伞差；b）调整磁控溅射镀膜机中挡条位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到渐变色薄膜。本发明提供的方法进行磁控溅射镀膜后获得均匀渐变的渐变色；同理，进行其他颜色渐变色镀膜时，按照上述方法调整挡条位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与目标伞差一致，即可实现制备均匀渐变的其他渐变色薄膜。

Description

一种渐变色薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，尤其是涉及一种渐变色薄膜的制备方法。
背景技术
随着5G时代的到来，智能手机、智能手表等电子产品的广泛普及，消费者对电子产品的要求不仅仅局限于性能、寿命，对视觉效果及外观的要求也越来越高，目前非金属材质的手机后盖已成为多数消费电子产品厂商中高端机型所追求的设计方向之一，渐变色是CMF设计中非常青睐的主流的颜色设计方案。
现有技术公开了多种制备渐变色薄膜的方法，例如，申请号为201810920348 .0的发明专利公开了一种手机后盖PVD渐变色的镀膜工艺，主要包括以下步骤：选择基板材料后利用膜设计软件设计颜色膜程序，之后将程序换算单位输入真空镀膜机固定程序文件夹中，镀膜机中放入需要的蒸镀材料和特制修正板（即挡板），之后将基本材料放入到机器伞叶上，启动真空镀膜机运行程序镀膜，之后在基板材料的真空蒸镀面上丝印黑色油墨，烤干后曝光显影，所述特制修正板具体为将原来均匀的若干块修正板进行破坏，从而减少蒸镀材料的物理膜厚来实现颜色的渐变性。但是，该方法只能实现相邻颜色的渐变色制作，例如蓝紫渐变，实现其他颜色尤其是三色等多种颜色的渐变色制作时，难以保证颜色的均匀过渡。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种渐变色薄膜的制备方法，本发明提供的制备方法可以获得均匀渐变的渐变色。
本发明提供了一种渐变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：
a）提供渐变色薄膜膜系参数，所述膜系参数包括膜层数、单层膜厚度、渐变色各颜色的目标伞差；
b）调整磁控溅射镀膜机中挡条位置至渐变膜中各层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到渐变色薄膜。
本发明首先提供渐变色薄膜膜系参数，所述膜系参数包括膜层数、单层膜厚度、渐变色各颜色的目标伞差。
具体而言，本发明根据需要的渐变色，采用膜系设计软件TFC设计膜系参数，计算出包括膜层数、单层膜厚度、渐变色各颜色的目标伞差A。在本发明中，所述目标伞差按照以下方式计算：
目标伞差A=短波颜色对应膜厚（nm）/长波颜色对应膜厚（nm）。
本发明调整磁控溅射镀膜机中挡条位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到渐变色薄膜。
具体而言，本发明按照以下步骤调整磁控溅射镀膜机中挡条位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致：
b1）按照经验在磁控溅射镀膜机中安装参考mask挡条，所述参考mask挡条包括左短挡条、右短挡条、左长挡条和右长挡条；
b2）采用步骤b1）所述的磁控溅射镀膜机，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到参考单层膜；
b3）根据公式（I）计算步骤b2）得到的参考单层膜的实际伞差：
B=N/M 公式（I）；
公式（I）中，B为实际伞差，N为长挡条对应部分的膜厚，单位为nm，M为短挡条对应部分的膜厚，单位为nm；
b4）比较步骤b3）得到的实际伞差步骤a）的目标伞差，若两者不一致，则根据公式（II），计算长挡条需要移动的距离，并以步骤b1）中参考mask挡条位置为参考点移动长挡条：
L=(B-A)*5/△ 公式（II）；
公式（II）中，L为长挡条需要移动的距离，单位mm；B为步骤b3）获得的实际伞差；A为步骤a）获得的目标伞差；△为长挡条单位移动量对膜厚的变化量，单位为nm/mm，按照公式（III）计算：
Figure 684813DEST_PATH_IMAGE001
公式（III）；
公式（III）中，N为长挡条对应部分的膜厚，单位为nm，M为短挡条对应部分的膜厚，单位为nm，a与c分别为左短挡条和右短挡条的长度，单位为mm，b与d分别为左长挡条和右长挡条的长度，单位为mm，（b+d）-（a+c）≠0；
在上述调整过程中，短挡条位置相对固定，只调整长挡条需要移动的距离，即L。在本发明中，当L〉0，则长挡条需向外拉L距离，反之，则长挡条向内缩L距离。
b5）以移动后的长、短挡条作为参考mask挡条，重复步骤b2）~b4）至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致。
具体而言，所述实际伞差与步骤a）的目标伞差一致为实际伞差与目标伞差相差0.5%以内。
调整磁控溅射镀膜机中挡条位置至渐变膜中各层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致，即可以此时的长挡条和短挡条的位置为准，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜。本发明对所述磁控溅射镀膜的工艺参数没有任何限制，可以根据步骤a）获得的膜层数、膜厚、靶材等进行调整。
在本发明的一个实施例中，所述步骤b）中，进行磁控溅射镀膜时，基材横向放置。
如图2所示，图2中，改造前为将基材纵向放置在挂板上，改造后为将基材横向放置在挂板上。实现横向颜色渐变时，每个颜色之间变化距离窄、颜色跳跃性强、挡条之间长短跨度大，实现颜色的渐变较为困难。而根据上述方法调整挡板位置即可实现横向渐变色的均匀变色。
在一个实施例中，所述渐变色薄膜为橙黄绿三色渐变。
在一个实施例中，所述渐变色薄膜为5层膜，依次为氧化铌/氧化硅/氧化铌/氧化硅/氧化铌。
在一个实施例中，所述氧化铌/氧化硅/氧化铌/氧化硅/氧化铌膜的厚度依次为：
80~140nm/75~115nm/95~135nm/75~115nm/15~40nm。
在一个实施例中，所述氧化铌/氧化硅/氧化铌/氧化硅/氧化铌膜的厚度依次为：
105~115nm/80~90nm/110~120nm/80~90nm/20~30nm。
在一个实施例中，所述基材选自玻璃、宝石、陶瓷或PET。
本发明以磁控溅射镀膜的方法制备渐变色薄膜，首先根据需要的渐变色颜色，例如橙黄绿，进行膜系参数设计，包括膜层数、单层膜厚、各颜色的目标伞差；然后通过调整磁控溅射镀膜机中挡条位置使单层膜的实际伞差与目标伞差一致，获得实际挡条位置，进行磁控溅射镀膜后获得均匀渐变的渐变色。同理，进行其他颜色渐变色镀膜时，按照上述方法调整挡条位置使单层膜的实际伞差与目标伞差一致，也可实现获得均匀渐变的其他渐变色薄膜。进一步的，本发明提供的方法能够解决基材横向设置导致颜色渐变幅度大、调试难度大的问题，获得均匀渐变的横向渐变色薄膜。
附图说明
图1为本发明实施例提供的膜系设计曲线；
图2为本发明实施例提供的挡条设置示意图；
图3为本发明提供的实施例中基材在挂板上的放置示意图；
图4为本发明提供的实施例中基材与挡条的位置关系示意图；
图5为本发明提供的制备方法得到的渐变色镀膜的效果示意图；
图6为本发明比较例1得到的渐变色镀膜的效果示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种渐变色薄膜的制备工艺，本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都属于本发明保护的范围。本发明的方法及应用已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本发明内容、精神和范围内对本文的方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本发明技术。
镀膜机内在靶材和基材挂板之间设有挡板主体，挡板主体上设有若干修正挡条（以下简称挡条），镀膜机工作时，长度越长的挡条对应的位置，对溅射靶材挡得越多，在基材上沉积得越少，因此所镀膜层膜厚越薄，反之，长度越短的挡条对应的位置，镀膜越厚。
波长在400-700nm之间的光为可见光，在可见光波段内，不同的波长有着不同的颜色。当某些波长的光能在物体上被反射出来时，物体有不同的颜色，而不同的材质能反射的波长不一样。因此镀膜机在基材上镀靶材，通过选取高折射率材料和低折射率材料作为靶材，这样交错搭配可以得到不同颜色，而通过移动挡条的位置可以控制镀膜膜厚，进而实现镀渐变色。
本发明主要解决的问题：
在现有技术中，通常会将相邻两种颜色中较短波长对应膜厚除以较长波长对应膜厚的比值定义为伞差A，伞差A能反应相邻两种颜色的膜厚变化程度，进而反应相邻两种颜色的渐变，也即颜色的均匀性和一致性，一种渐变色对应一个伞差A。
现有的渐变色制备方法中，大多数人都是采用色度图作为所镀颜色的参考对比工具，先对一端颜色，然后通过拉另一端挡条来调整颜色，没有一个精准的计算方法，是靠估计来修正伞差，浪费时间且没有效率，修正也不精准。
而且，在现有的镀膜机内，每一片挡条的宽度是固定的20mm，倘若是同一伞差的竖向三色渐变，玻璃盖板基片（以下简称基片）的长度约为156mm，竖向放置的挡条的数量需要8对（156<20*8、每一对包括左右两片），挡条的可活动范围宽，颜色渐变幅度小，调试难度也小。但如果要进行横向三色渐变，如图4所示，挡条只有4对，同一伞差下，可活动的挡条数量少，每个颜色之间变化距离窄（例如要实现橙黄绿三色渐变，橙和黄之间的距离更窄、黄和率之间的距离也更窄）、颜色跳跃性强、挡条之间长短跨度大，因此在安装挡条时要用最小的活动空间、最少的调试变量来实现最极限的三色渐变，极其困难，每次都得进行精准计算并大幅移动挡条，且移动之后也难以得到目标伞差，因此现有的渐变色薄膜制备方法仅适用于制备竖向渐变色薄膜。
实施例1
本案为了实现制备出颜色均匀性良好的横向渐变色薄膜，提出的渐变色薄膜的制备方法包括以下步骤：
以长宽高尺寸为：156.22±0.08*72.94±0.08*0.6±0.02mm的手机后盖3D玻璃为基材（因此需要4对挡条，但在其他实施方式中也可不限定是4对），按照以下具体工艺步骤进行制作横向橙黄绿三色渐变色薄膜：
a）膜系设计
根据所需颜色，采用TFC软件进行膜系设计，确定各参数：
选择膜系材料为低折射率材料（具有高反射率）二氧化硅、高折射率材料氧化铌或氮化硅（氧化铌可由折射率近似的材料替代，如非金属氮化物氮化硅），
通过软件输出结果包括：膜层结构、膜系设计光谱曲线，膜层结构为氧化铌/氧化硅/氧化铌/氧化硅/氧化铌 5层，
膜层结构中各层膜系膜厚参数如表1所示：
表1 本发明实施例中渐变膜的各层膜厚度
Figure 362657DEST_PATH_IMAGE002
膜系设计光谱曲线如图1所示，图1为本发明实施例提供的膜系设计光谱曲线（为光谱反射率曲线），其中，曲线A是橙色曲线，曲线B是黄色曲线，曲线C是绿色曲线；
根据软件输出的短波颜色对应膜厚和长波颜色对应膜厚，通过公式（IV）：伞差A=短波颜色对应膜厚（nm）/长波颜色对应膜厚（nm），计算得到橙黄绿三色渐变的目标伞差A0（N0/M0）为0.78（用短波波峰波长除以长波波峰波长也为0.78）。
b）调整磁控溅射镀膜机中档条位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到渐变色薄膜。具体步骤如下：
b1) 根据经验安装参考mask挡条，以参考mask挡条作为后续调整长挡条的长度的参照物或参考点。参考mask挡条为随机设置的一套挡条（具体在本实施方式中，一套挡条包括4对挡条，如图2所示，图2为本发明实施例提供的挡条设置示意图），如左右短挡条长度为20mm、左右长挡条长度为70mm（在其它实施例中也可以随机设定为左右短挡条长度为10mm、左右长挡条长度为70或80mm），参考mask挡条确定后，其中的短挡条的长度一般不去随意改动，因此调整挡条长度实际上指的是调整长挡条的长度；
渐变色渐变的实质是膜层厚度的渐变，因此短挡条对应膜厚较厚的颜色位置，过渡挡条对应膜厚稍薄的颜色位置，长挡条对应膜厚最薄颜色位置，而一般均匀性修正时，短挡条固定不动，通过调整过渡挡条与长挡条长度来达到所需伞差。
具体在本实施方式中，一套参考mask挡条包括四对挡条，在后续步骤修正伞差时，最短的挡条是固定不动的，调整移动的是最长的挡条，位于最短挡条和最长挡条之间的过渡挡条可以选择性地去根据长挡条的移动距离做适应性移动。
b2）安装参考mask挡条后，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，电镀出参考单层膜（在修正伞差时仅需通过镀单层膜来调节均匀性，调节好单层膜的均匀性即能保证镀多层膜的均匀性，均匀性不受多层膜的层数多少和各层厚度的影响，均匀性修正好之后，镀膜则由表1中所述膜层逐层堆叠镀制而成）。
b3）计算所述单层膜的当前实际伞差，测试单层膜的均匀性，具体为：
利用TFC软件模拟，计算出短mask挡条对应基片的膜厚M1、长mask挡条对应基片的膜厚N1（此时短挡条的长度为a+c、长挡条的长度为b+d），计算出参考单层膜的实际伞差B1，B1为根据公式（I）计算得到：
B=N/M 公式（I）；
公式（I）中，B为实际伞差，N为左长挡条和右长挡条对应部分的膜厚，单位为nm，M为左短挡条和右短挡条对应部分的膜厚，单位为nm；
由于M0、N0是软件设计出的目标膜厚，而M1、N1是根据实际的挡条长度计算出的对应的膜厚，因此计算出的单层膜的实际伞差B1与目标伞差A0可能有差异，当两者一致时，则可直接进行电镀多层膜系；若两者不一致，则需要调整挡条长度，以对伞差B进行修正，即计算长挡条需移动距离L，并以步骤b1）中参考mask挡条位置为参考点移动长挡条，具体步骤如下：
b41)按照公式（III）计算长挡条单位移动量对应膜厚的变化量∆，
Figure 309884DEST_PATH_IMAGE001
公式（III）；
公式（III）中，N为长挡条对应部分的膜厚，单位为nm，M为短挡条对应部分的膜厚，单位为nm，a与c分别为左右短挡条的长度，单位为mm，b与d分别为左右长挡条的长度，单位为mm，a/b/c/d为通过钢尺测得的挡条实际尺寸，（b+d）-（a+c）≠0；
N 为步骤c)中的N1，M为步骤c)中的M1，
b42)根据公式（II），计算长挡条需移动距离L：
L=(B-A)*5/△ 公式（II）；
公式（II）中，L为长挡条需要移动的距离，单位mm；B为步骤b2）获得的实际伞差；A取A0，即步骤a）获得的目标伞差；△为挡条单位移动量对应膜厚的变化量，单位为nm/mm，5是根据实际经验得出的系数（一般当铌靶材处的一个挡条移动1mm会影响1.5nm的膜厚，硅靶材处的一个挡条移动1mm会影响1nm的膜厚)；
上述调整过程中，短挡条固定不动，若L〉0，则长挡条需向外拉L距离，反之，则长挡条向内缩L距离；调整过程见表2,表2中(Nb2O5和SiO2都是单层膜的修正，并不是指表1中的第一层和第二层)。
b5）将长挡条移动L后，以移动后的长、短挡条作为参考mask挡条，重复步骤b2）~b4）直至单层膜的实际伞差B与步骤a）的目标伞差A0一致；
这样不断地将实际伞差调整为与目标伞差一致或非常接近，以此时的长挡条和短挡条的位置为准，进行镀膜，从而确保横向镀膜的膜层颜色均匀性非常好。
表2 长挡条的调整参数
Figure 891038DEST_PATH_IMAGE003
c）将基材利用平板清洗机清洁干净，喷镀缓冲层OC0有机物后正面黏贴耐高温膜，背面作为待镀区；将基材在台车的挂板上横向放置，如图3和图4所示，图3为本发明提供的实施例中基材在挂板上的放置示意图，其中，改造前为现有技术常规的放置方式，即纵向放置；改造后为实施例1的放置方式，即横向放置；图4为本发明提供的实施例中基材与挡条的位置关系示意图，其中，左侧为现有技术中纵向放置基材的位置关系示意图，右侧为实施例1横向放置基材的位置关系示意图；
将基材由纵向设置在挂板上改成横向设置在挂板上之后，镀膜机内的挂板由原17块改为14块，但产能由每挂板9PCS提升至12PCS。改善前产能：17*9=153pcs，改善后产能：14*12=168pcs，单炉产能提升约10%，缓解了镀膜机产能不足的瓶颈；而且，将基材横向设置在挂板上，同时通过修正伞差的方式调整长挡条的长度，能够解决基材横向设置导致颜色渐变幅度大、调试难度大的问题。
将检验OK的基材通过台车推入光驰1650磁控溅射镀膜机粗抽腔LL室，抽真空至9.9E-1Pa，粗抽腔LL室与镀膜腔PR室之间的DV真空门打开，开启自动搬运程序；待自动搬运结束，DV真空门关闭，PR室抽真空至3.0E-3Pa后，开始运行步骤a）获得的膜系材料、膜结构及各层膜厚以及步骤b）确定的各层膜镀膜时挡板长度参数进行镀膜，过程如下：
启动磁控溅射镀膜机，离子源清洁参数如表3所示：
表3 磁控溅射镀膜时离子源清洁参数
Figure 695046DEST_PATH_IMAGE004
其中，TG2/TG3/TG4分别氧化铌靶位/氧化硅靶位/氧化硅靶位，ICP为离子源，Ar(sccm)、O2(sccm)分别为氩气流量、氧气流量：起始真空为：3.0E-3Pa，温度：约80摄氏度。
第一层氧化铌镀膜工艺参数如表4所示：
氧化铌膜层沉积速率：0.28nm/s：
表4 第一层氧化铌镀层工艺参数
Figure 158388DEST_PATH_IMAGE005
第二层氧化硅(SiO2)镀膜工艺参数如表5所示：
氧化硅膜层沉积速率：0.69nm/s
表5 第二层氧化硅镀层工艺参数
Figure 407842DEST_PATH_IMAGE006
第三层氧化铌(Nb2O5)镀膜工艺参数如表6所示：
氧化铌膜层沉积速率：0.28nm/s：
表6 第三层氧化铌镀层工艺参数
Figure 640240DEST_PATH_IMAGE007
第四层氧化硅(SiO2) 镀膜工艺参数如表7所示：
氧化硅膜层沉积速率：0.69nm/s
表7 第四层氧化硅镀层工艺参数
Figure 83991DEST_PATH_IMAGE008
第五层氧化铌(Nb2O5) 镀膜工艺参数如表8所示：
氧化铌膜层沉积速率：0.28nm/s：
表8 第五层氧化铌镀层工艺参数
Figure 769050DEST_PATH_IMAGE009
将镀膜后产品贴合已经喷涂白色油墨的银色菲林片，效果示意图如图5所示，图5为本发明提供的制备方法得到的渐变色镀膜的效果示意图，反光色为橙黄绿，透过色为绿蓝粉色。其中，绿蓝粉均匀渐变，且过渡自然。
将镀膜后产品贴合已经喷涂白色油墨的银色菲林片，信赖性测试结果参见表9。
表9 本发明提供的银色菲林片的信赖性测试结果
Figure 323659DEST_PATH_IMAGE010
水煮百格：5B。纯水煮沸后，放入镀膜的产品，持续沸腾30分钟后，测试百格（在膜层上面划100个1*1mm的小格子），无掉膜现象；
热循环：将镀膜的产品从60°C到-40°C，升温-降温循环6次，持续72小时后，测试百格，无掉膜现象；
热冲击：将镀膜的产品升温至60°C，持续72小时后，测试百格，无掉膜现象；
耐UV测试：将镀膜的产品紫外线照射，持续72小时后，测试百格，无掉膜现象。
比较例1
以长宽高尺寸为：156.22±0.08*72.94±0.08*0.6±0.02mm的手机后盖3D玻璃为基材，进行制作纵向橙黄绿三色渐变色薄膜，与实施例1的区别在于，不进行步骤b），直接按照经验进行挡条的安装，然后进行镀膜；将镀膜后产品贴合已经喷涂白色油墨的银色菲林片，效果示意图如图6所示，图6为本发明比较例1得到的渐变色镀膜的效果示意图，其为绿蓝粉三块拼凑渐变，颜色过渡不自然。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种渐变色薄膜的制备方法，包括以下步骤：
a）提供渐变色薄膜膜系参数，所述膜系参数包括膜层数、单层膜厚度、渐变色各颜色的目标伞差；其中，目标伞差=短波颜色对应膜厚（nm）/长波颜色对应膜厚（nm）；
b）调整磁控溅射镀膜机中挡条位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到渐变色薄膜；
其中，实际伞差按照公式（I）计算：
B=N/M 公式（I）；
公式（I）中，B为实际伞差，N为长挡条对应部分的膜厚，单位为nm，M为短挡条对应部分的膜厚，单位为nm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述调整磁控溅射镀膜机中挡板位置至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致具体包括以下步骤：
b1）在磁控溅射镀膜机中安装参考mask挡条，所述参考mask挡条包括左短挡条、右短挡条、左长挡条和右长挡条；
b2）采用步骤b1）所述的磁控溅射镀膜机，根据步骤a）所述的膜系参数在基材上进行磁控溅射镀膜，得到参考单层膜；
b3）根据公式（I）计算步骤b2）得到的参考单层膜的实际伞差；
b4）比较步骤b3）得到的实际伞差步骤a）的目标伞差，若两者不一致，则根据公式（II）计算长挡条需要移动的距离，并以步骤b1）中参考mask挡条位置为参考点移动长挡条：
L=(B-A)*5/△ 公式（II）；
公式（II）中，L为长挡条需要移动的距离，单位mm；B为步骤b3）获得的实际伞差；A为步骤a）获得的目标伞差；△为长挡条单位移动量对膜厚的变化量，单位为nm/mm，按照公式（III）计算：
Figure 554989DEST_PATH_IMAGE002
公式（III）；
公式（III）中，N为长挡条对应部分的膜厚，单位为nm，M为短挡条对应部分的膜厚，单位为nm，a与c分别为左短挡条和右短挡条的长度，单位为mm，b与d分别为左长挡条和右长挡条的长度，单位为mm，（b+d）-（a+c）≠0；
b5）以移动后的长、短挡条作为参考mask挡条，重复步骤b2）~b4）至渐变膜中单层膜的实际伞差与步骤a）的目标伞差一致。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述实际伞差与步骤a）的目标伞差一致为实际伞差与目标伞差相差0.5%以内。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中，进行磁控溅射镀膜时，基材横向放置。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述渐变色薄膜为橙黄绿三色渐变。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a）中，所述渐变色薄膜为5层膜，依次为氧化铌/氧化硅/氧化铌/氧化硅/氧化铌。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铌/氧化硅/氧化铌/氧化硅/氧化铌膜的厚度依次为：
80~140nm/75~115nm/95~135nm/75~115nm/15~40nm。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述基材选自玻璃、宝石、陶瓷或PET。
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