CN112323019A - 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 - Google Patents
一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112323019A CN112323019A CN202011296270.3A CN202011296270A CN112323019A CN 112323019 A CN112323019 A CN 112323019A CN 202011296270 A CN202011296270 A CN 202011296270A CN 112323019 A CN112323019 A CN 112323019A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vapor deposition
- deposition mask
- mask
- surface side
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 60
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 60
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 56
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 86
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 86
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 20
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种蒸镀掩模,所述蒸镀掩模在蒸镀材料向蒸镀基板的蒸镀中被使用,所述蒸镀掩模包括:第一面侧、第二面侧及贯通孔,其特征在于,所述第一面侧包括第一凹部和第一支撑部,所述第一凹部围绕所述贯通孔,所述第一支撑部为平面,所述第一支撑部围绕所述第一凹部,所述第二面侧包括若干个第二凹部和若干个第二支撑部,所述第二凹部与所述第一凹部相贯穿形成贯通孔,所述第二支撑部为平面,且所述第二支撑部至所述第一支撑部的厚度T,满足关系式:10um≤T≤40um;使得金属掩模既保持刚性,又减小蒸镀时阴影影响,最终实现无混色的优良有机EL基板。
Description
【技术领域】
本发明涉及光学掩模板技术领域,尤其涉及一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置。
【背景技术】
近年来,智能手机和平板电脑等移动终端上使用的显示器要求非常精细(像素数:400ppi以上)。未来,面向移动终端将被要求使用ultra high difinision(UHD,超高清分辨率),并且预计将要求更高精细(像素数:800ppi)的OLED面板。OLED面板制造中需要使用蒸镀掩模,为了对应OLED面板的高精细化,蒸镀掩模也需要高精细化,蒸镀掩模的厚度太大会在被蒸镀工件上留下未被蒸镀充分的阴影,影响蒸镀效果,采用厚度更小的蒸镀掩模有利于提高精细化,但厚度太小会降低刚性而引起形变,因此有必要提供一种蒸镀时受阴影影响小且保持优秀刚性的蒸镀掩模。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种蒸镀时受阴影影响小且保持优秀刚性的蒸镀掩模。
本发明的技术方案如下:一种蒸镀掩模,所述蒸镀掩模在蒸镀材料向蒸镀基板的蒸镀中被使用,所述蒸镀掩模包括:
第一面侧,其构成所述蒸镀掩模面对所述蒸镀基板的一侧;
第二面侧,其构成所述蒸镀掩模与所述第一面侧相反的一侧;及
贯通孔,其贯穿所述第一面侧与所述第二面侧,
所述第一面侧包括第一凹部和第一支撑部,所述第一凹部围绕所述贯通孔,所述第一支撑部为平面,所述第一支撑部围绕所述第一凹部,
所述第二面侧包括若干个第二凹部和若干个第二支撑部,所述第二凹部与所述第一凹部相贯穿形成贯通孔,所述第二支撑部为平面,且所述第二支撑部至所述第一支撑部的厚度T,满足关系式:10um≤T≤40um;
所述第二凹部包括第二开口及第二刻蚀面,所述第二开口与所述第二支撑部相连,且所述第二刻蚀面连接所述第二开口与所述贯通孔,相邻的两个第二刻蚀面相交形成凸起部,所述凸起部沿背离所述第一面侧的方向凸起;定义所述凸起部至所述第一支撑部的厚度为H2,则满足关系式:0.3T≤H2≤0.8T。
更优地,所述贯通孔包括多个横向贯通孔和多个纵向贯通孔,所述横向贯通孔沿所述蒸镀掩模的板面横向等间隔排列,所述纵向贯通孔沿所述蒸镀掩模的板面纵向等间隔排列;所述横向贯通孔与所述纵向贯通孔交叉分布形成网格状阵列。
更优地,定义所述第一面侧的任意两个相邻且交叉分布的所述横向第一凹部与纵向第一凹部之间的距离为W1,且满足关系式:
0.4W1≤H2≤0.9W1+5um。
更优地,所述第一凹部包括横向第一凹部和纵向第一凹部,所述横向第一凹部与所述横向贯通孔相对应,所述纵向第一凹部与所述纵向贯通孔相对应。
更优地,所述第二凹部包括横向第二凹部和纵向第二凹部,所述横向第二凹部与所述横向贯通孔相对应,所述纵向第二凹部与所述纵向贯通孔相对应。
更优地,定义所述第一面侧的任意两个相邻的所述横向第一凹部之间或任意两个相邻的所述纵向第一凹部之间的距离为W2,定义所述第二面侧的任意两个相邻的所述横向第二凹部之间或任意两个相邻的所述纵向第二凹部之间的距离为W3,且满足关系式:
W3<W2;
0.5W2≤T≤0.9(W2-W3)+5um。
更优地,满足关系式:
10um≤W2;
3um≤W3。
更优地,所述蒸镀掩模由镍铁合金制成。
一种蒸镀掩模组件,包括上述任一所述的蒸镀掩模。
一种蒸镀掩模装置,包括所述的蒸镀掩模组件。
一种有机显示装置,该有机显示装置通过所述的蒸镀掩模装置进行蒸镀获得。
本发明的有益效果在于:通过控制蒸镀掩模板的厚度及贯通孔的形状尺寸,既保持金属掩模版的刚性,又实现蒸镀时阴影影响较小,最终实现无混色的优良有机EL基板。
【附图说明】
图1为本发明的蒸镀掩模装置结构示意图;
图2为本发明的蒸镀掩模组件结构示意图;
图3为本发明的蒸镀掩模掩模的第一面侧朝上的结构示意图;
图4为本发明的蒸镀掩模掩模的第二面侧朝上的结构示意图;
图5为图3中A-A处截面示意图;
图6为图3中B-B处截面示意图;
图7为本发明的蒸镀掩模制造方法流程示意图;
图8为本发明的第一贴合设备的结构示意图;
图9为本发明的曝光设备的结构示意图;
图10为本发明的显影设备的结构示意图;
图11为本发明的金属卷材在制造装置内的输送顺序流程示意图;
图12为本发明的步骤S20对应的蒸镀掩模结构剖视图;
图13为本发明的步骤S40对应的蒸镀掩模结构剖视图;
图14为本发明的步骤S50对应的蒸镀掩模结构剖视图;
图15为本发明的步骤S60对应的蒸镀掩模结构剖视图;
图16为本发明的步骤S70对应的蒸镀掩模结构剖视图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
(蒸镀掩模装置4000)
本实施例提供一种蒸镀掩模装置4000,参见图1,所述蒸镀掩模装置4000包括:蒸镀掩模组件1000、蒸镀组件2000及蒸镀基板3000,蒸镀组件2000加热产生气化或升华的蒸镀材料2300并通过蒸镀掩模组件1000蒸镀于蒸镀基板3000上。
更优地,参见图2,所述蒸镀掩模组件1000包括蒸镀掩模100和框架200,所述框架200的中部设有贯通的贯通区域210,所述蒸镀基板3000设置于所述贯通区域210内,所述蒸镀掩模100固定于所述框架200并与所述蒸镀基板3000相紧密贴合,蒸镀材料2300通过所述蒸镀掩模100附着于与所述蒸镀掩模100相贴合的蒸镀基板3000上。
更优地,蒸镀基板3000为由玻璃材料制成,本实施例中,所述蒸镀基板3000具体为设置有电极的电极玻璃。
更优地,所述蒸镀组件2000包括加热器2100、坩埚2200及蒸镀材料2300,所蒸镀材料2300放置于坩埚2200内,所述加热器2100用于对坩埚2200加热。具体地,所述蒸镀材料2300为有机发光材料。加热器2100加热坩埚2200使蒸镀材料2300发声气化或升华而上升,并通过蒸镀掩模100紧密附着于蒸镀基板3000面向蒸镀组件2000的一面。本实施例中,蒸镀基板3000为电极玻璃,电极玻璃的电极吸附气化的蒸镀材料2300,以提高蒸镀效果。
(蒸镀掩模组件1000)
本实施例提供一种蒸镀掩模组件1000,用于构成所述的蒸镀掩模装置4000的一部分,参见图2,所述蒸镀掩模组件1000包括框架200和蒸镀掩模100,所述蒸镀掩模100的数量为若干个,本实施例中,所述蒸镀掩模100的数量为7个,7个条状的蒸镀掩模100间隔固定于框架200上。
更优地,所述框架200为内部贯通形成贯通区域210的矩形结构,所述蒸镀掩模100通过张网焊接于框架200上,且蒸镀掩模100的有效区域110置于框架200的贯通区域210内,框架200对蒸镀掩模100起到支撑作用。本实施例中,所述框架200采用可被磁性吸附固定的金属材质。
更优地,所述蒸镀掩模100包括有效区域110、周围区域120及固定区域130,一个条状的蒸镀掩模100上配置有若干个有效区域110,本实施例中,5个有效区域110间隔排列于蒸镀掩模100上,所述周围区域120围绕所述有效区域110,其主要起到支撑有效区域110的作用,所述固定区域130与所述周围区域120相连,所述固定区域130与所述框架200相固定。
更优地,参见图3和图4,所述有效区域110配置有若干贯通孔30,蒸镀材料2300通过所述贯通孔30紧密附着于蒸镀基板3000,贯通孔30可以根据实际需求设计成若干任意大小、任意形状并有机排列组合以获得需要的图案,蒸镀材料2300向蒸镀基板3000附着的过程可以理解为实际需要的图案通过蒸镀掩模100的有效区域110转移至蒸镀基板3000的过程。
(蒸镀掩模100)
本实施例提供一种蒸镀掩模100,用于构成所述的蒸镀掩模组件1000的一部分,参见图2,所述蒸镀掩模100包括有效区域110、周围区域120及固定区域130,一个条状的蒸镀掩模100上配置有若干个有效区域110,所述周围区域120围绕所述有效区域110,所述固定区域130与所述周围区域120相连。所述蒸镀掩模100由金属卷材40经刻蚀而成,本实施例中,所述金属卷材40具体为镍铁合金,又称因瓦合金(invar),所述镍铁合金为热膨胀系数约1ppm/℃为特征的36%含镍的铁合金。
更优地,参见图3和图4,,所述有效区域110包括第一面侧10、第二面侧20及贯通孔30,所述第一面侧10构成了所述蒸镀掩模100面对所述蒸镀基板3000的一侧,所述第二面侧20构成了所述蒸镀掩模100与所述第一面侧10相反的一侧,本实施例中,所述第二面侧20面向所述蒸镀组件2000,所述贯通孔30沿所述蒸镀掩模100的厚度方向贯穿所述第一面侧10与第二面侧20。
具体地,所述贯通孔30的数量为多个,多个所述贯通孔30根据实际需求以一定的间隔排列于有效区域110内,根据贯通孔30的大小、形状及各贯通孔30之间有机排列组合的方式以将蒸镀材料2300蒸镀于蒸镀基板3000上获得需要的图案。
具体地,参见图3,所述第一面侧10包括第一凹部11和第一支撑部12,所述第一凹部11围绕所述贯通孔30,所述第一支撑部12为平面,所述第一支撑部12围绕所述第一凹部11,且所述第一支撑部12用于与所述蒸镀基板3000相贴合。
具体地,参见图4,所述第二面侧20包括第二凹部21和第二支撑部22,所述第二凹部21围绕所述贯通孔30,所述第二凹部21的数量为多个。所述第二支撑部22为平面,所述第二支撑部22至所述第一面侧10的厚度等于金属卷材40的厚度T,第二支撑部22形成于多个所述第二凹部21之间,且所述第二支撑部22在第一面侧10的投影位于第一支撑部12内,本实施例中,4个所述第二凹部21围绕形成1个第二支撑部22,且所述第二支撑部22向背离所述第一面侧10的方向延伸,所述第二支撑部22至第一面侧10的第一支撑部12的厚度与用于刻蚀形成蒸镀掩模100板的金属卷材40的厚度相等。
具体地,所述蒸镀掩模100由金属卷材40通过刻蚀形成,本发明构思中,所述金属卷材40的厚度T,满足关系式:10um≤T≤40um。
具体地,参见图5和图6,所述第一凹部11包括第一开口111及第一刻蚀面112,所述第一开口111位于所述第一面侧10,所述第一刻蚀面112为自所述第一开口111向所述第二面侧20凹陷形成的弧面。且,所述第一开口111与所述第一支撑部12相连,所述第一刻蚀面112自所述第一开口111向贯通孔30方向弯曲延伸,且所述第一刻蚀面112连接所述第一开口111与所述贯通孔30。
具体地,参见图5和图6,所述第二凹部21包括第二开口211及第二刻蚀面212,所述第二开口211与所述第二支撑部22相连,所述第二刻蚀面212自所述第二开口211向贯通孔30方向弯曲延伸,且所述第二刻蚀面212连接所述第二开口211与所述贯通孔30。
更优地,参见图6,所述第二刻蚀面212连接所述第二开口211与所述贯通孔30,相邻的两个第二刻蚀面212相交形成凸起部213,所述凸起部213沿背离所述第一面侧10的方向凸起;
更优地,所述贯通孔30包括多个横向贯通孔31和多个纵向贯通孔32,所述横向贯通孔31沿所述金属卷材40的板面横向x等间隔排列,所述纵向贯通孔32沿所述金属卷材40的板面纵向y等间隔排列;所述横向贯通孔31与所述纵向贯通孔32交叉分布形成网格状阵列。
所述第一凹部11包括横向第一凹部11x和纵向第一凹部11y,所述横向第一凹部11x与所述横向贯通孔31相对应,所述纵向第一凹部11y与所述纵向贯通孔32相对应;所述第二凹部包括横向第二凹部21x和纵向第二凹部21y,所述横向第二凹部21x与所述横向贯通孔31相对应,所述纵向第二凹部21y与所述纵向贯通孔32相对应;
定义所述凸起部213至所述第一支撑部12的厚度为H2,且满足关系式:
定义所述第一面侧10的任意两个相邻且交叉分布的所述横向第一凹部11x与纵向第一凹部11y之间的距离为W1,且满足关系式:
定义所述第一面侧10的任意两个相邻的所述横向第一凹部11x之间或任意两个相邻的所述纵向第一凹部11y之间的距离为W2,
定义所述第二面侧20的任意两个相邻的所述横向第二凹部21x之间或任意两个相邻的所述纵向第二凹部21y之间的距离为W3,且满足关系式:
10um≤T≤40um;
W3<W2;
0.5W2≤T≤0.9(W2-W3)+5um;
10um≤W2;
3um≤W3;
0.4W1≤H2≤0.9W1+5um;
0.3T≤H2≤0.8T;
当满足上述关系式时,可以避免蒸镀掩模张网时发生褶皱,防止贯通孔的位置精度降低;避免蒸镀掩模不紧贴蒸镀基板;避免蒸镀过程中蒸镀材料潜入到蒸镀掩模下方而蒸镀到隔壁的像素引起的面板点亮不良;避免蒸镀掩模手提时容易发生塑性变形不良。
(蒸镀掩模100制造方法)
本实施例提供一种蒸镀掩模100的制造方法,用于制造所述蒸镀掩模100,参见图7~图16,所述制造方法包括:
步骤S10:提供一金属卷材40。
具体地,所述金属卷材40包括上表面41及下表面42,所述上表面41与所述下表面42相对,所述金属卷材40的厚度T即为所述上表面41至所述下表面42的厚度,且,满足关系式:10um≤T≤40um;
更优地,金属卷材40用于刻蚀形成蒸镀掩模100,本实施例中,所述金属卷材40具体为镍铁合金,又称因瓦合金(invar),所述镍铁合金为热膨胀系数约1ppm/℃为特征的36%含镍的铁合金。
更优地,金属卷材40刻蚀前需要对上表面41和下表面42进行常规的酸洗清洁及检查。具体地,对所述金属卷材40的上表面41及下表面42用酸碱进行喷洒,金属卷材40可以通过收卷机61释放缓慢经过清洗装置,清洗后再收卷以便于之后的工序。由此,能够除去附着在金属卷材40表面上的异物或者金属粉。
步骤S20:分别在所述金属卷材40的上表面41及下表面42真空贴合干膜光阻50。
具体地,所述干膜光阻50包括第一干膜光阻51和第二干膜光阻52,所述第一干膜光阻51贴合于所述金属卷材40的上表面41,所述第二干膜光阻52贴合于所述金属卷材40的下表面42。
具体地,所述干膜光阻50通过热压贴合于所述金属卷材40的上表面41及下表面42。热压贴合前,所述金属卷材40收卷于收卷机61内,所述金属卷材40经收卷机61释放缓缓通过预加热装置623,预加热装置623对所述金属卷材40的上表面41和下表面42预加热,预加热后的金属卷材40缓缓通过热压滚轮625与干膜光阻50相贴合。热压贴合前,干膜光阻50收卷于另一收卷机61内,本实施例的干膜光阻50还至少覆盖有用于承载及保护干膜光阻50的基材层53,干膜光阻50从收卷机61缓缓释放并剥离基材层53,剥离基材层53的干膜光阻50通过热压滚轮625与金属卷材40相贴合,贴合有干膜光阻50的金属卷材40收卷于收卷机61以便于转移至下一工序。
更优地,所述干膜光阻50热压贴合于所述金属卷材40的过程在真空环境内进行,避免干膜光阻50与金属卷材40上表面41和下表面42之间卷入气泡,以提高附着紧密度。
步骤S30:通过曝光显影将所述干膜光阻50图案化。
具体地,所述干膜光阻50用于曝光显影形成图案化的干膜光阻50,并以图案化的干膜光阻50作为掩模将设计的图案转移至金属卷材40上,以用于刻蚀形成所需的第一面侧10、第二面侧20及贯通孔30的大小及形状。
具体地,曝光显影分别在曝光设备63和显影设备64中进行。
具体地,所述曝光设备63至少包括若干收卷机61、若干搬送滚轮632及曝光机633。本实施例中,所述曝光机633为竖立式曝光机633,贴合有干膜光阻50的所述金属卷材40收卷于收卷机61内。金属卷材40从收卷机61释放,并通过若干搬送滚轮632传动,从而自上而下通过曝光机633。更优地,也可以在曝光前释放输送时的张力,由此,金属卷材40上的拉伸力消失,使得蒸镀掩膜的长尺寸精度提高。
具体地,所述曝光机633至少包括曝光灯6331、曝光机框架6332、真空密封件6333、第一曝光掩模6334及第二曝光掩模6335,所述曝光机框架6332成对设置,所述第一曝光掩模6334和第二曝光掩模6335分别设置于曝光机框架6332内,且所述第一曝光掩模6334和第二曝光掩模6335分别位于金属卷材40的两侧。具体地,所述第一曝光掩模6334位于所述金属卷材40贴合有第一干膜光阻51的一侧,所述第二掩模位于所述金属卷材40贴合有第二干膜光阻52的一侧,第一曝光掩模6334与第二曝光掩模6335正对且间隔设置。
曝光之前,所述第一曝光掩模6334与所述第二曝光掩模6335先进行位置对准。所述第一曝光掩模6334与所述第二曝光掩模6335通过2um以下的对准精度进行位置对准。由此,孔尺寸精度提高的同时,孔断面精度提高,蒸镀精度提高。
曝光之时,通过所述真空密封件6333使得第一曝光掩模6334与第二曝光掩模6335之间形成真空环境,令所述金属卷材40在真空环境下曝光。此时,对于蒸镀掩模100而言,所述第一曝光掩模6334正对所述蒸镀掩模100的第一面侧10,所述第二曝光掩模6335正对所述蒸镀掩模100的第二面侧20,且所述第一曝光掩模6334与所述第二曝光掩模6335的周围环境温度t控制在:-2℃≤t≤2℃。由此,孔尺寸精度提高的同时,孔断面精度提高,蒸镀精度提高。
具体地,本实施例中,所述曝光掩模为以铬形成图案化的玻璃基材,所述曝光掩模为钠钙玻璃或石英玻璃中的一种,本实施例中,所述曝光掩模为钠钙玻璃,铬具体为设置于玻璃基材上的隔膜及设置于隔膜上的氧化隔膜。曝光之后,所述金属卷材40收卷于收卷机61内。
具体地,所述显影设备64采用公知的显影设备64,曝光后的金属卷材40在显影设备64内完成图案化,以将设计的图案转移至干膜光阻50。具体地,图案化的第一干膜光阻51用于刻蚀所述金属卷材40的上表面41以形成蒸镀掩模100的第一面侧10,图案化的第二干膜光阻52用于刻蚀所述金属卷材40的下表面42以形成蒸镀掩模100的第二面侧20及贯通孔30。
步骤S40:通过图案化的所述干膜光阻50刻蚀所述上表面41形成第一面侧10;
具体地,所述干膜光阻50包括第一干膜光阻51和第二干膜光阻52,本步骤中,通过图案化的第一干膜光阻51刻蚀所述上表面41形成第一面侧10。具体地,以图案化的所述第一干膜光阻51作为刻蚀用的掩模,将设计的图案转移至金属卷材40的上表面41,形成所设计的第一面侧10。
具体地,所述第一面侧10至少包括若干第一凹部11,所述第一凹部11包括第一开口111及第一刻蚀面112,所述第一开口111位于所述上表面41,所述第一开口111与所述上表面41平齐,所述第一刻蚀面112为自所述第一开口111向所述下表面42凹陷形成的曲面。可以理解为,所述第一开口111为第一凹部11在所述上表面41形成的开口轮廓,所述第一刻蚀面112为第一凹部11向下表面42凹陷过程中形成的曲面。
具体地,在进行步骤S40之前,为了获取实际刻蚀时的刻蚀条件,先进行蚀刻条件调教工序。
具体地,为了获取实际刻蚀时的刻蚀条件,先将导向板通过刻蚀装置,本实施例中,导向板采用0.3mm的PET材料(聚对苯二甲酸乙二醇脂),在导向板的下面粘贴用于第一次刻蚀的刻蚀面,本实施例中,所述金属卷材40的上表面41为第一次刻蚀的刻蚀面,通过刻蚀测试结合计算机模拟获得各项刻蚀条件。
具体地,刻蚀条件提取结束后,将实际用于刻蚀的金属卷材40设置于刻蚀设备内,将导向板与实际用于刻蚀的金属卷材40相连接。本实施例中,将所述上表面41朝下并对所述上表面41进行刻蚀,刻蚀液通过图案化的第一干膜光阻51刻蚀所述上表面41形成第一面侧10。本实施例中,通过限定第一开口111的结构尺寸控制刻蚀的程度,具体工艺参数可以根据实际情况具体设定,以最终形成的第一开口111结构尺寸为标准调试工艺参数。刻蚀完成后用纯水充分清洗、干燥后收卷。
步骤S50:在所述第一面侧10真空贴合树脂70以填埋所述第一凹部11;
具体地,在真空环境下以树脂70填埋所述第一凹槽,本实施例中,所述树脂70以贴合的方式覆盖所述第一面侧10,并填埋第一面侧10的第一凹部11。采用真空环境有利于提高树脂70与第一凹槽填埋的紧密程度,以避免刻蚀液通过贯通孔30进入第一凹部11。本实施例中,所述树脂70为热可塑性耐酸树脂70。
步骤S60:通过图案化的所述干膜光阻50刻蚀所述下表面42形成第二面侧20;
具体地,本步骤中,通过图案化的第二干膜光阻52刻蚀所述下表面42形成第二面侧20。具体地,以图案化的所述第二干膜光阻52作为刻蚀用的掩模,将设计的图案转移至金属卷材40的下表面42,形成所设计的第二面侧20。
具体地,所述第二面侧20至少包括若干第二凹部21,所述第二凹部21向所述上表面41凹陷,所述第二凹部21与所述第一凹部11相贯穿形成贯通孔30,且所述第一刻蚀面112连接所述第一开口111与所述贯通孔30;可以理解为,若干个第一凹部11一一对应若干个第二凹部21,且贯穿形成若干个贯通孔30。
具体地,本实施例中,将所述下表面42朝下并对所述下表面42进行刻蚀,刻蚀液通过图案化的第二干膜光阻52刻蚀所述下表面42形成第二面侧20。本实施例中,通过限定贯通孔30的结构尺寸控制刻蚀的程度,具体工艺参数可以根据实际情况具体设定,以最终形成的贯通孔30的结构尺寸为标准调试工艺参数。刻蚀完成后用纯水充分清洗、干燥后收卷。
步骤S70:剥离所述树脂70及所述干膜光阻50;
将金属卷材40释放进入剥离装置,剥离所述树脂70、第一干膜光阻51及第二干膜光阻52,并用纯水充分洗净。本实施例中,通过无机碱或有机碱中的一种或两种的组合实现剥离处理。
步骤S80:完成剥离后裁剪所述金属卷材40形成若干金属片材。
具体地,将金属卷材40沿金属卷材40的收卷方向的垂直方向裁剪,形成若干片状的金属片材。
步骤S90:剪裁所述金属片材形成若干条状的蒸镀掩模100。
具体地,根据设计的蒸镀掩模100,将所述金属片材裁剪为条状的蒸镀掩模100。
更优地,获得条状的蒸镀掩模100后,根据实际需要进行相应的检查工序。
具体地,自动外观检查工序,通过与检查对象通孔的外周的贯通孔30比较,对分离剪裁出的蒸镀掩模100内的所有贯通孔30进行了自动检查;通过图像处理将外周贯通孔30的平均值与对象贯通孔30进行比较;比较检查是通过比较通孔的面积,以及最短尺寸,最长尺寸来进行
具体地,确认检查工序,调出异常的贯通孔30,实施不良判定。
具体地,外观选别工序,按照实际要求挑选出合格的蒸镀掩模100和不良的蒸镀掩模100。
具体地,尺寸检查工序,放置合格的蒸镀掩模100,采用蒸镀掩模测定机测定手段测定蒸镀掩模100的尺寸参数。
具体地,尺寸选别工序,根据实际要求挑选出合格的蒸镀掩模100和不良的蒸镀掩模100。
具体地,目视外观工序,放置合格的蒸镀掩模100,采用蒸镀掩模目视检查台检查蒸镀掩模100的异物变形等情况。
具体地,目视外观选别工序,根据实际要求挑选出合格的蒸镀掩模100和不良的蒸镀掩模100。
具体地,包装工序,将经过上述工序筛选合格的蒸镀掩模100按规定数量配置在真空包装中。
本实施例中,蒸镀掩模100板及工艺过程涉及的关键参数如下:
其中,T为金属卷材的厚度;H2为所述凸起部213至所述上表面41的厚度;W1为所述上表面41的任意两个相邻且交叉分布的所述横向第一凹部11x与纵向第一凹部11y之间的距离;W2为所述上表面41的任意两个相邻的所述横向第一凹部11x之间或任意两个相邻的所述纵向第一凹部11y之间的距离;W3为所述下表面42的任意两个相邻的所述横向第二凹部21x之间或任意两个相邻的所述纵向第二凹部21y之间的距离。
参数 | 尺寸 | 单位 |
T | 10 | um |
H2 | 7 | um |
W1 | 10 | um |
W2 | 20 | um |
W3 | 3 | um |
作为另一种示例,还可以采用以下参数如下:
参数 | 尺寸 | 单位 |
T | 25 | um |
H2 | 17 | um |
W1 | 18 | um |
W2 | 40 | um |
W3 | 8 | um |
作为又一种示例,还可以采用以下参数:
参数 | 尺寸 | 单位 |
T | 40 | um |
H2 | 25 | um |
W1 | 20 | um |
W2 | 50 | um |
W3 | 10 | um |
(蒸镀掩模制造装置60)
本实施例提供一种蒸镀掩模制造装置60,用于实现所述的蒸镀掩模100制造方法,参见图8~图16,所述制造装置60包括:收卷机61、第一贴合设备62、曝光设备63、显影设备64、第一刻蚀设备65、第二贴合设备66、第二刻蚀设备67、剥离设备68、第一裁剪设备691及第二裁剪设备692,金属卷材40通过收卷机61传送依次通过第一贴合设备62、曝光设备63、显影设备64、第一刻蚀设备65、第二贴合设备66、第二刻蚀设备67、剥离设备68、第一裁剪设备691及第二裁剪设备692。
更优地,收卷机61用于收卷或释放金属卷材40;
具体地,所述收卷机61的数量为若干个,应用于第一贴合设备62、曝光设备63、显影设备64、第一刻蚀设备65、第二贴合设备66、第二刻蚀设备67、剥离设备68、以及适用第一裁剪设备691,所述收卷机61成对使用,一收卷机61释放缠绕其上的金属卷材40,另一收卷机61收卷金属卷材40使之缠绕其上,使得金属卷材40缓慢通过相应的工艺设备,收卷机61的设置可以根据实际需求配合搬送滚轮632、张紧轮等灵活使用。
更优地,第一贴合设备62用于在金属卷材40的上表面41及下表面42真空贴合干膜光阻50。
具体地,所述第一贴合设备62包括真空腔体621、第一收卷机622、预加热装置623、第二收卷机624及热压滚轮625。所述第一收卷机622、预加热装置623、第二收卷机624及热压滚轮625设置于真空腔体621内,所述第一收卷机622成对设置,其用于传送金属卷材40,使之依次缓慢通过预加热装置623和热压滚轮625。所述第二收卷机624与第一收卷机622和热压滚轮625配合使用,其用于传送干膜光阻50,使之在热压滚轮625的位置贴合于金属卷材40的上表面41和下表面42。本实施例中,所述干膜光阻50设置有基材层53,所述第二收卷机624将干膜光阻50贴合于金属卷材40之前先剥离所述基材层53,所述剥离的工艺可以采用公知的剥离方法。
具体地,热压贴合前,所述金属卷材40收卷于第一收卷机622内,所述金属卷材40经第一收卷机622释放缓缓通过预加热装置623,预加热装置623对所述金属卷材40的上表面41和下表面42预加热,预加热后的金属卷材40缓缓通过热压滚轮625与干膜光阻50相贴合。热压贴合前,干膜光阻50收卷于第二收卷机624内,干膜光阻50从第二收卷机624缓缓释放并剥离基材层53,剥离基材层53的干膜光阻50通过热压滚轮625与金属卷材40相贴合,贴合有干膜光阻50的金属卷材40收卷于第一收卷机622以便于转移至下一工序。
具体地,真空腔体621形成了真空环境,所述干膜光阻50热压贴合于所述金属卷材40的过程在真空环境内进行,避免了干膜光阻50与金属卷材40上表面41和下表面42之间卷入气泡,以提高附着紧密度。
更优地,所述曝光设备63用于对干膜光阻50曝光。所述曝光设备63包括第三收卷机631、搬送滚轮632、曝光机633。所述第三收卷机631成对设置,其用于传送金属卷材40,使之缓慢通过曝光机633,所述搬送滚轮632与所述第三收卷机631配合传送所述金属卷材40。本实施例中,所述曝光机633为竖立式曝光机633,所述金属卷材40通过曝光机633时先释放张紧力。
具体地,所述曝光机633包括曝光灯6331、曝光机框架6332、真空密封件6333、第一曝光掩模6334及第二曝光掩模6335,所述曝光机框架6332成对设置,所述第一曝光掩模6334和第二曝光掩模6335分别设置于曝光机框架6332内,且所述第一曝光掩模6334和第二曝光掩模6335分别位于金属卷材40的两侧。具体地,所述第一曝光掩模6334位于所述金属卷材40贴合有第一干膜光阻51的一侧,所述第二掩模位于所述金属卷材40贴合有第二干膜光阻52的一侧,第一曝光掩模6334与第二曝光掩模6335正对且间隔设置。
具体地,所述显影设备64用于对干膜光阻50显影以实现图案化,本实施例中,所述显影设备64包括显影装置641和第四收卷机642,所述第四收卷机642成对设置,其用于传送金属卷材40,使之缓慢通过显影装置641。所述显影装置641采用公知的用于实现显影的装置。
具体地,所述第一刻蚀设备65通过图案化的所述干膜光阻50刻蚀所述上表面41形成第一面侧10。
具体地,所述第一面侧10至少包括若干第一凹部11,所述第一凹部11包括第一开口111及第一刻蚀面112,所述第一开口111与所述上表面41平齐,所述第一刻蚀面112为自所述第一开口111向所述下表面42凹陷形成的面。本实施例中,所述第一刻蚀面112为曲面。
具体地,所述第二贴合设备66用于在所述第一面侧10真空贴合树脂70以填埋所述第一凹部11。
具体地,所述第二刻蚀设备67通过图案化的所述干膜光阻50刻蚀所述下表面42形成第二面侧20。
具体地,所述第二面侧20至少包括若干第二凹部21,所述第二凹部21向所述上表面41凹陷,所述第二凹部21与所述第一凹部11相贯穿形成贯通孔30,且所述第一刻蚀面112连接所述第一开口111与所述贯通孔30。
具体地,所述剥离设备68用于剥离所述树脂70及所述干膜光阻50,本实施例中,所述剥离设备68通过无机碱或有机碱中的一种或两种的组合实现剥离处理;
具体地,所述第一裁剪设备691用于裁剪所述金属卷材40形成若干金属片材。
具体地,所述第二裁剪设备692用于剪裁所述金属片材形成若干条状的蒸镀掩模100。
(有机显示装置)
本实施例提供一种有机显示装置,该有机显示装置通过所述蒸镀掩模装置4000进行蒸镀制作获得。
借此,通过控制蒸镀掩模板的厚度及贯通孔的形状尺寸,可以避免蒸镀掩模张网时出现孔洞而导致贯通孔精度降低;避免蒸镀掩模不紧贴蒸镀基板;避免蒸镀过程中蒸镀材料潜入到蒸镀掩模下方而蒸镀到隔壁的像素引起的面板点亮不良;避免蒸镀掩模手提时容易发生塑性变形不良。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不驱使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (11)
1.一种蒸镀掩模,所述蒸镀掩模在蒸镀材料向蒸镀基板的蒸镀中被使用,所述蒸镀掩模包括:
第一面侧,其构成所述蒸镀掩模面对所述蒸镀基板的一侧;
第二面侧,其构成所述蒸镀掩模与所述第一面侧相反的一侧;及
贯通孔,其贯穿所述第一面侧与所述第二面侧,
其特征在于,
所述第一面侧包括第一凹部和第一支撑部,所述第一凹部围绕所述贯通孔,所述第一支撑部为平面,所述第一支撑部围绕所述第一凹部,
所述第二面侧包括若干个第二凹部和若干个第二支撑部,所述第二凹部与所述第一凹部相贯穿形成贯通孔,所述第二支撑部为平面,且所述第二支撑部至所述第一支撑部的厚度T,满足关系式:10um≤T≤40um;
所述第二凹部包括第二开口及第二刻蚀面,所述第二开口与所述第二支撑部相连,且所述第二刻蚀面连接所述第二开口与所述贯通孔,相邻的两个第二刻蚀面相交形成凸起部,所述凸起部沿背离所述第一面侧的方向凸起;定义所述凸起部至所述第一支撑部的厚度为H2,则满足关系式:0.3T≤H2≤0.8T。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,所述贯通孔包括多个横向贯通孔和多个纵向贯通孔,所述横向贯通孔沿所述蒸镀掩模的板面横向等间隔排列,所述纵向贯通孔沿所述蒸镀掩模的板面纵向等间隔排列;所述横向贯通孔与所述纵向贯通孔交叉分布形成网格状阵列。
3.根据权利要求2所述的蒸镀掩模,其特征在于,定义所述第一面侧的任意两个相邻且交叉分布的所述横向第一凹部与纵向第一凹部之间的距离为W1,且满足关系式:
0.4W1≤H2≤0.9W1+5um。
4.根据权利要求3所述的蒸镀掩模,其特征在于,所述第一凹部包括横向第一凹部和纵向第一凹部,所述横向第一凹部与所述横向贯通孔相对应,所述纵向第一凹部与所述纵向贯通孔相对应。
5.根据权利要求4所述的蒸镀掩模,其特征在于,所述第二凹部包括横向第二凹部和纵向第二凹部,所述横向第二凹部与所述横向贯通孔相对应,所述纵向第二凹部与所述纵向贯通孔相对应。
6.根据权利要求5所述的蒸镀掩模,其特征在于,定义所述第一面侧的任意两个相邻的所述横向第一凹部之间或任意两个相邻的所述纵向第一凹部之间的距离为W2,定义所述第二面侧的任意两个相邻的所述横向第二凹部之间或任意两个相邻的所述纵向第二凹部之间的距离为W3,且满足关系式:
W3<W2;
0.5W2≤T≤0.9(W2-W3)+5um。
7.根据权利要求6所述的蒸镀掩模,其特征在于,满足关系式:
10um≤W2;
3um≤W3。
8.根据权利要求7所述的蒸镀掩模,其特征在于,所述蒸镀掩模由镍铁合金制成。
9.一种蒸镀掩模组件,其特征在于,包括如权利要求1-6任一所述的蒸镀掩模。
10.一种蒸镀掩模装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的一种蒸镀掩模组件。
11.一种有机显示装置,其特征在于,该有机显示装置通过如权利要求10所述的蒸镀掩模装置进行蒸镀获得。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011296270.3A CN112323019A (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011296270.3A CN112323019A (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112323019A true CN112323019A (zh) | 2021-02-05 |
Family
ID=74322637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011296270.3A Pending CN112323019A (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112323019A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115305439A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-08 | 浙江众凌科技有限公司 | 一种高强度金属遮罩 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5459632B1 (ja) * | 2013-01-08 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク |
CN207313683U (zh) * | 2016-10-07 | 2018-05-04 | 大日本印刷株式会社 | 中间产品和蒸镀掩模 |
CN109778114A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 大日本印刷株式会社 | 用于制造蒸镀掩模的金属板和金属板的制造方法以及蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
CN111188007A (zh) * | 2017-01-17 | 2020-05-22 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及其制造方法、蒸镀掩模装置以及蒸镀方法 |
CN213866388U (zh) * | 2020-11-18 | 2021-08-03 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 |
-
2020
- 2020-11-18 CN CN202011296270.3A patent/CN112323019A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5459632B1 (ja) * | 2013-01-08 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク |
CN207313683U (zh) * | 2016-10-07 | 2018-05-04 | 大日本印刷株式会社 | 中间产品和蒸镀掩模 |
CN111188007A (zh) * | 2017-01-17 | 2020-05-22 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及其制造方法、蒸镀掩模装置以及蒸镀方法 |
CN109778114A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 大日本印刷株式会社 | 用于制造蒸镀掩模的金属板和金属板的制造方法以及蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
CN213866388U (zh) * | 2020-11-18 | 2021-08-03 | 匠博先进材料科技(广州)有限公司 | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115305439A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-08 | 浙江众凌科技有限公司 | 一种高强度金属遮罩 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7222376B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法 | |
JP6620899B2 (ja) | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法および有機半導体素子の製造方法 | |
CN213866388U (zh) | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 | |
CN213866390U (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模组件、蒸镀掩模装置及显示装置 | |
CN112323019A (zh) | 一种蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 | |
CN213866389U (zh) | 蒸镀掩模、组件、装置及有机显示装置 | |
CN115627443A (zh) | 蒸镀掩模、组件、装置、显示装置及其制造方法和装置 | |
CN114300640B (zh) | 掩模制造方法及掩模 | |
WO2022030612A1 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
KR102390841B1 (ko) | 고해상도 fmm을 위한 fmm 프로세스 | |
TWI814999B (zh) | 蒸鍍遮罩之製造方法、顯示裝置之製造方法、及蒸鍍遮罩中間體 | |
CN115627442B (zh) | 蒸镀掩模、组件、装置、显示装置及其制造方法和装置 | |
CN112323020A (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模组件、蒸镀掩模装置及显示装置 | |
CN110164948B (zh) | 一种像素界定层、制作方法和显示面板 | |
CN112501551A (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模组件、蒸镀掩模装置及显示装置 | |
CN112458462A (zh) | 蒸镀掩模制造方法、蒸镀掩模、组件、装置及显示装置 | |
CN101435990B (zh) | 掩模板及其制造方法 | |
CN206736346U (zh) | 掩膜版 | |
US4656107A (en) | Photographic printing plate for use in a vacuum printing frame | |
JP2023009088A (ja) | 枠体 | |
US4664996A (en) | Method for etching a flat apertured mask for use in a cathode-ray tube | |
KR20220071891A (ko) | Oled 화소 형성용 마스크 및 프레임 일체형 마스크 | |
JP2004225077A (ja) | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク | |
JP2013235087A (ja) | ペリクルの製造方法 | |
TW202108790A (zh) | 掩模支撐模板、掩模支撐模板的製造方法及框架一體型掩模的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |