CN112310290A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112310290A
CN112310290A CN201910678973.3A CN201910678973A CN112310290A CN 112310290 A CN112310290 A CN 112310290A CN 201910678973 A CN201910678973 A CN 201910678973A CN 112310290 A CN112310290 A CN 112310290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
dot light
layer
emitting layer
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910678973.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112310290B (zh
Inventor
程陆玲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Research America Inc
Original Assignee
TCL Research America Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Research America Inc filed Critical TCL Research America Inc
Priority to CN201910678973.3A priority Critical patent/CN112310290B/zh
Publication of CN112310290A publication Critical patent/CN112310290A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112310290B publication Critical patent/CN112310290B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的二巯基化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置。本发明提供的量子点发光二极管包括设置在量子点发光层和电子传输层之间的二巯基化合物，所述二巯基化合物可实现将量子点发光层和电子传输层交联在一起从而形成交联界面，所述交联后的界面能够给电荷传输提供传输通道，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
在新型显示技术领域，量子点显示被誉为下一代显示技术的重要方向。目前针对量子点发光二极管器件的研究已经有了大量的科技成果，然而距离量子点显示真正能够应用到工业生产商还有一定的距离。
基于量子点发光二极管技术中依然有很多问题需要解决，诸如寿命、效率、稳定性等问题；在量子点发光二极管中，无论是哪一种问题都会涉及到量子点发光器件中膜与膜之间的界面问题。量子点发光器件中不同界面之间会产生界面电阻，尤其是发光量子点与电荷传输层之间会产生界面电阻进而影响器件效率以及器件寿命。
因此，现有技术还有待于改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决由于现有量子点发光二极管由于存在界面电阻而导致量子点发光二极管的器件效率较低以及寿命较短的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，其中，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的二巯基化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置。
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
在阳极基板上制备量子点发光层；
采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述交联修饰剂为由二巯基化合物和单氨基化合物混合形成的络合分子；
对所述经过修饰处理的量子点发光层进行加热处理，并在经过加热处理的量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，在阴极基板上制备电子传输层；
采用交联修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述交联修饰剂为由二巯基化合物和单氨基化合物混合形成的络合分子；
对所述经过修饰处理的电子传输层进行加热处理，并在经过加热处理的电子传输层上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
有益效果：本发明提供的量子点发光二极管包括设置在量子点发光层和电子传输层之间的二巯基化合物，所述二巯基化合物可实现将量子点发光层和电子传输层交联在一起从而形成交联界面，所述交联后的界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施方式中一种正型结构量子点发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施一些方式中正型结构量子点发光二极管制备方法的流程图。
图3为本发明实施一些方式中反型结构量子点发光二极管制备方法的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法的制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的一些实施方式，提供一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的二巯基化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置。
本实施例量子点发光二极管中的量子点发光层和电子传输层通过二巯基化合物交联在一起，可有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率并提升其使用寿命。实现上述效果的机理具体如下：
在本实施例中，所述二巯基化合物含有两个巯基，其中一个巯基可与量子点发光层中量子点表面的金属原子共价结合，另一个巯基可与电子传输层中金属氧化物表面的金属原子共价结合，所述二巯基化合物可充当量子点发光层和电子传输层之间的桥梁，所述桥梁为量子点发光层和电子传输层提供了电荷传输通道，从而可有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，提升电荷传输效率，进而提升量子点发光二极管的器件效率并提升其使用寿命。
在一些实施方式中，所述二巯基化合物选自二硫醇烷烃、1,2-苯二硫醇、1,3-苯二硫醇、1,4-苯二硫醇、2,6-二巯基嘌呤、甲苯-3,4-二硫酚和甲苯-2,3-二硫酚中的一种或多种，但不限于此；其中，所述二硫醇烷烃的分子式为HS-(CH2)n-HS，n的取值为2-8。在一些具体的实施方式中，所述二巯基化合物为1,8-辛二硫醇，其分子式为：HS-(CH2)8-HS。在一些具体的实施方式中，所述二巯基化合物为1,2-苯二硫醇，其化学结构式为
Figure BDA0002144187530000041
具体的，量子点发光二极管分正型结构和反型结构。正型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，正型结构的阳极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层等电子功能层。进一步的，在一些实施方式中，所述量子点发光二极管包括设置在阳极表面的所述空穴注入层、设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层和设置在所述空穴传输层表面的量子点发光层。如图1所示的一些正型结构器件的实施方式中，所述正型结构器件包括衬底、设置在衬底表面的阳极、设置在阳极表面空穴传输层、设置在空穴传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极，所述量子点发光层和电子传输层之间通过二巯基化合物交联在一起。
反型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，反型结构的阴极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在本发明的一些反型结构器件的实施方式中，所述反型结构器件包括衬底、设置在衬底表面的阴极、设置在阴极表面的电子传输层、设置在电子传输层表面的量子点发光层、设置在量子点发光层表面的空穴传输层和设置在空穴传输层表面的阳极，所述电子传输层和量子点发光层之间通过二巯基化合物交联在一起。
在本发明的各实施方式中，所述各功能层材料为本领域常见的材料，例如：
在一些实施方式中，所述衬底可以为钢性衬底或柔性衬底。
在一些实施方式中，所述阳极可以为ITO、FTO或ZTO。
在一些实施方式中，空穴传输层材料可以是小分子有机物，也可以是高分子导电聚合物，包括TFB、PVK、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS等。
在一些实施方式中，量子点发光层中的量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X、ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS和PbSeXS1-X/ZnS等中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述量子点表面的配体为油酸(OA)、油胺(OAm)、辛胺，三辛基磷(TOP)、三辛基氧磷(TOPO),十八烷基磷酸(ODPA)和十四烷基磷酸(TDPA)中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，阴极可以为Au、Ag、Al、Cu、Mo或它们的合金。
在一些实施方式中，所述底电极的厚度为20-120nm。
在一些实施方式中，所述空穴传输层的厚度为30-120nm。
在一些实施方式中，所述量子点发光层的厚度为10-200nm。
在一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为5-100nm；所述顶电极的厚度为60-120nm。
本发明的一些实施方式，如图2所示，提供一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，其中，包括如下步骤：
S10、在阳极基板上制备量子点发光层；
S20、采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述交联修饰剂为由二巯基化合物和单氨基化合物混合形成的络合分子；
S30、对所述经过修饰处理的量子点发光层进行加热处理，并在经过加热处理的量子点发光层上制备电子传输层；
S40、在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
在本实施例中，所述二巯基化合物和单氨基化合物按照一定的摩尔比例进行混合后，所述二巯基化合物中的一个巯基容易失去质子而带负电荷，而单氨基化合物中的氨基则容易获取质子而带正电荷，带负电荷的巯基与带正电荷的氨基可发生静电相互作用进而形成络合分子，即制得交联修饰剂，所述交联修饰剂中只含有一个能够与量子点发光层中的量子点表面结合的巯基；利用所述交联修饰剂对量子点发光层进行修饰处理后，再对修饰处理过的量子点发光层进行热处理可破坏二巯基化合物中的巯基与单氨基化合物中的氨基之间的静电结合作用，使得二巯基化合物中的另一个巯基分离出来，使其能够进一步与电子传输层中的金属氧化物表面的金属原子进行共价结合；也就是说，此时的二巯基化合物中，其中一个巯基与量子点发光层中的量子点表面的金属原子共价结合，另一个巯基与电子传输层中的金属氧化物表面的金属原子共价结合，所述二巯基化合物可充当量子点发光层和电子传输层之间的桥梁，所述桥梁为量子点发光层和电子传输层提供了电荷传输通道，从而可有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，提升电荷传输效率，进而提升量子点发光二极管的器件效率并提升其使用寿命。
在一些实施方式中，所述交联修饰剂的制备包括步骤：在封闭环境中，将二巯基化合物和单氨基化合物按照摩尔比为1:1-2的比例混合，使二巯基化合物中的一个巯基与单氨基化合物中的氨基通过静电吸附作用形成络合分子。在本实施例中，可保证二巯基化合物中至少有一个巯基与所述单氨基化合物中的氨基结合，形成络合分子。在一种具体的实施方式中，在封闭环境中，将乙二硫醇和丁胺按照摩尔比为1:1的比例混合，所述乙二硫醇中的一个巯基与丁胺中的氨基通过静电相互作用结合在一起形成分子式为HS-CH2-CH2-HS：NH2-CH2-CH2-CH2-CH3的络合分子。
在一些实施方式中，在封闭环境中，且温度为25-60℃的条件下，将所述二巯基化合物和单氨基化合物按照摩尔比为1:1-2的比例混合，使二巯基化合物中的一个巯基与单氨基化合物中的氨基通过静电吸附作用形成络合分子。在本实施例中，所述二巯基化合物和单氨基化合物可快速高效地生成络合分子。
在一些实施方式中，所述二巯基化合物选自二硫醇烷烃、1,2-苯二硫醇、1,3-苯二硫醇、1,4-苯二硫醇、2,6-二巯基嘌呤、甲苯-3,4-二硫酚和甲苯-2,3-二硫酚中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述单氨基化合物选自丁胺、环丁基胺、仲丁胺、叔丁胺、环丙胺和正丙胺中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述在阳极基板制备量子点发光层的步骤包括：预先将量子点分散在非极性溶剂中，制得浓度为10-100mg/ml的量子点溶液；将所述量子点溶液沉积在所述阳极基板上，即可制得量子点发光层。本实施例中，所述非极性溶剂选自甲苯、氯仿、正己烷、辛烷和四氯化碳中的一种或多种。
在一些实施方式中，所述采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理的步骤包括：将交联修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液；将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间，使所述交联修饰剂结合在所述量子点发光层表面；采用旋涂的方式对所述量子点发光层表面进行干燥处理，并采用极性溶剂对所述经过干燥处理的量子点发光层表面进行冲洗。所述采用交联修饰剂对量子点发光层进行修饰处理的方式包括滴涂、旋涂、浸泡和涂布等多种方式，本实施例优选滴涂加旋涂的处理方式，采用滴涂加旋涂的方式能够有效避免交联修饰剂与量子点发光层反应的不充分而造成的后续的交联不充分。进一步的，所述的滴涂加旋涂的具体方式为先利用滴涂的方式将交联修饰滴涂在量子点发光层上1-30min，然后在利用旋涂的方式使得多余的交联修饰剂甩出量子点发光层，并对量子点发光层也起到一个干燥的作用；最后再利用极性溶剂对量子点发光层进行冲洗，以去除掉未与量子点发光层结合的交联修饰剂。
在一些实施方式中，所述交联溶液的浓度为0.01-5mol/ml。
在一些实施方式中，所述极性溶剂选自乙醇、甲醇、异丙醇、乙腈和四氢呋喃中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述对经过修饰处理的量子点发光层进行加热处理的步骤中，加热温度为60-140℃，加热处理的目的是使交联修饰剂中的二巯基化合物脱离单氨基化合物，使得二巯基化合物中脱离的另一端的巯基(-HS)能够与电子传输层中的金属氧化物表面进行结合，实现量子点发光层与电子传输层的交联。
在一些实施方式中，所述量子点发光层经过加热处理后，可再利用极性溶剂对量子点发光层进行冲洗，以去除掉与二巯基化合物发生脱离的单氨基化合物。
在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述在经过加热处理的量子点发光层上制备电子传输层的步骤包括：预先将电子传输层材料分散在极性溶剂中，制得浓度为10-60mg/ml的金属氧化物溶液；将所述金属氧化物溶液沉积在所述量子点发光层上，制得电子传输层。
本发明各实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
本发明的一些实施方式中，如图3所示，提供一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，其中，包括如下步骤：
S100、在阴极基板上制备电子传输层；
S200、采用交联修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述交联修饰剂为由二巯基化合物和单氨基化合物混合形成的络合分子；
S300、对所述经过修饰处理的电子传输层进行加热处理，并在经过加热处理的电子传输层上制备量子点发光层；
S400、在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
在本实施例中，所述二巯基化合物和单氨基化合物按照一定的摩尔比例进行混合后，所述二巯基化合物中的一个巯基会与单氨基化合物中的氨基发生静电相互作用进而形成络合分子，即制得交联修饰剂，所述交联修饰剂中只含有一个能够与电子传输层中的金属氧化物表面结合的巯基；利用所述交联修饰剂对电子传输层进行修饰处理后，再对修饰处理过的电子传输层进行热处理可促使二巯基化合物中的巯基与单氨基化合物中的氨基分开，使得二巯基化合物中的另一个巯基分离出来，使其能够进一步与量子点发光层中的量子点表面进结合；也就是说，此时的二巯基化合物中，其中一个巯基与量子点发光层中的量子点表面结合，另一个巯基与电子传输层中的金属氧化物表面结合，所述二巯基化合物可充当量子点发光层和电子传输层之间的桥梁，所述桥梁为量子点发光层和电子传输层提供了电荷传输通道，从而可有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，提升电荷传输效率，进而提升量子点发光二极管的器件效率并提升其使用寿命。
下面通过实施例对本发明进行详细说明：
实施例1
1、交联溶液的配置方法：
取5mol的2,3-丁二硫醇和6mol的丁胺同时分散在20ml的乙醇溶液中，然后在室温下和封闭的环境中进行反应30min后，所述2,3-丁二硫醇中的一个巯基可与丁胺中的氨基通过静电相互作用形成络合分子，即交联修饰剂，所述交联修饰剂分散在乙醇溶液中，即制得所述交联溶液。
2、一种量子点发光二极管的制备方法，具体步骤如下：
利用移液枪抽取100ul的CdSe/ZnS(30mg/ml)红色量子点溶液，然后采用旋涂的方式以2000rpm/30s的转速在含有ITO和空穴传输层的衬底上制备旋涂CdSe/ZnS红色量子点溶液，制得量子点固态膜；
利用移液枪抽取100ul的交联溶液滴涂到量子点固态膜上铺展5min，然后在利用2000rpm/30s的转速对衬底进行空转进行干燥，随后再利用移液枪抽取200ul的乙醇试剂对量子点固态膜采用旋涂的方式(2000rpm/30s)进行冲洗，最后再对所述量子点固态膜进行90℃热处理，使交联修饰剂中的2,3-丁二硫醇与丁胺发生脱离；
称取60mg的ZnO纳米颗粒分散在2ml的乙醇溶液当中，均匀分散后利用移液枪抽取100ul的ZnO纳米颗粒溶液在经过热处理后的CdSe/ZnS红色量子点固态膜上采用旋涂的方式制备一层电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极，即制得所述量子点发光二极管。
实施例2
1、交联溶液的配置方法：
取4mol的1,2-乙二硫醇和6mol的丙胺同时分散在5ml的乙醇溶液中，然后在室温下和封闭的环境中进行反应20min后，所述1,2-乙二硫醇中的一个巯基可与丙胺中的氨基通过静电相互作用形成络合分子，即交联修饰剂，所述交联修饰剂分散在乙醇溶液中，即制得所述交联溶液。
2、一种量子点发光二极管的制备方法，具体步骤如下：
称取50mg的TiO2纳米颗粒分散在2ml的乙醇溶液当中，均匀分散后利用移液枪抽取100ul的TiO2纳米颗粒溶液在含有ITO的衬底上采用旋涂的方式制备一层电子传输层；
利用移液枪抽取100ul的交联溶液滴涂到电子传输层上铺展5min，然后在利用2000rpm/30s的转速对衬底进行空转进行干燥，随后再利用移液枪抽取200ul的乙醇试剂对电子传输层采用旋涂的方式(2000rpm/30s)进行冲洗，最后再对所述电子传输层进行90℃热处理，使交联修饰剂中的1,2-乙二硫醇与丙胺发生脱离；
利用移液枪抽取100ul的CdSe/ZnS(30mg/ml)红色量子点溶液，然后采用旋涂的方式以2000rpm/30s的转速在所述经过热处理的电子传输层上旋涂CdSe/ZnS红色量子点溶液，制得量子点固态膜；
在所述量子点固态膜上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
综上所述，本发明提供的量子点发光二极管包括设置在量子点发光层和电子传输层之间的二巯基化合物，所述二巯基化合物可实现将量子点发光层和电子传输层交联在一起从而形成交联界面，所述交联后的界面能够给电荷传输提供传输通道(桥梁)，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的二巯基化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述二巯基化合物中，其中一个巯基与量子点发光层中量子点表面的金属原子共价结合，另一个巯基与电子传输层中金属氧化物表面的金属原子共价结合。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述二巯基化合物选自二硫醇烷烃、1,2-苯二硫醇、1,3-苯二硫醇、1,4-苯二硫醇、2,6-二巯基嘌呤、甲苯-3,4-二硫酚和甲苯-2,3-二硫酚中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述量子点发光二极管，其特征在于，所述二硫醇烷烃的分子式为HS-(CH2)n-HS，n的取值为2-8。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种；或者，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种。
6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在阳极基板上制备量子点发光层；
采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述交联修饰剂为由二巯基化合物和单氨基化合物混合形成的络合分子；
对所述经过修饰处理的量子点发光层进行加热处理，并在经过加热处理的量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，在阴极基板上制备电子传输层；
采用交联修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述交联修饰剂为由二巯基化合物和单氨基化合物混合形成的络合分子；
对所述经过修饰处理的电子传输层进行加热处理，并在经过加热处理的电子传输层上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
7.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述交联修饰剂的制备包括步骤：
在封闭环境中，将二巯基化合物和单氨基化合物按照摩尔比为1:1-2的比例混合，使二巯基化合物中的一个巯基与单氨基化合物中的氨基通过静电吸附作用形成络合分子。
8.根据权利要求6-7任一所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在温度为25-60℃的条件下，将所述二巯基化合物和单氨基化合物在封闭环境中混合，使二巯基化合物中的一个巯基与单氨基化合物中的氨基通过静电吸附作用形成络合分子。
9.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述经过修饰处理的量子点发光层或电子传输层进行加热处理的步骤中，加热温度为60-140℃。
10.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述采用交联修饰剂对所述量子点发光层或电子传输层进行修饰处理的步骤包括：
将交联修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液；
将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层或电子传输层上并静置预定时间，使所述交联修饰剂结合在所述量子点发光层或电子传输层表面；
对所述量子点发光层或电子传输层表面进行干燥处理，并采用极性溶剂对所述经过干燥处理的量子点发光层或电子传输层表面进行冲洗。
CN201910678973.3A 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法 Active CN112310290B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910678973.3A CN112310290B (zh) 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910678973.3A CN112310290B (zh) 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112310290A true CN112310290A (zh) 2021-02-02
CN112310290B CN112310290B (zh) 2022-08-05

Family

ID=74328801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910678973.3A Active CN112310290B (zh) 2019-07-25 2019-07-25 一种量子点发光二极管及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112310290B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024088181A1 (zh) * 2022-10-26 2024-05-02 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601925A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN109935724A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层及其制备方法和应用
CN109935708A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 发光二极管器件及其制备方法
CN109935661A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601925A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN109935724A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层及其制备方法和应用
CN109935708A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 发光二极管器件及其制备方法
CN109935661A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024088181A1 (zh) * 2022-10-26 2024-05-02 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112310290B (zh) 2022-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9425411B2 (en) Organic electroluminescent element
Chaturvedi et al. All slot‐die coated non‐fullerene organic solar cells with PCE 11%
US8344357B2 (en) 3-terminal electronic device and 2-terminal electronic device including an active layer including nanosheets
US8941151B2 (en) Patterning method, method of manufacturing organic field effect transistor, and method of manufacturing flexible printed circuit board
JP5589271B2 (ja) 半導体薄膜の形成方法及び電子デバイスの製造方法
US20080169464A1 (en) Metal-insulator- metal (MIM) devices and their methods of fabrication
US20120322214A1 (en) Method and structure for establishing contacts in thin film transistor devices
Abate et al. Surface modification of TiO2 layer with phosphonic acid monolayer in perovskite solar cells: Effect of chain length and terminal functional group
WO2017031021A1 (en) Perovskite solar cells including semiconductor nanomaterials
CN112310290B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN110649167A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289938B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289937B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289960B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
KR102261523B1 (ko) 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법
CN112289936B (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2010034815A1 (en) Method for forming self-aligned electrodes
CN112310291A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112310289A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN117322156A (zh) 电子设备
WO2024104139A1 (zh) 复合材料、包含其的发光器件及其制备方法
KR102689038B1 (ko) 초균일 양자점 박막을 통한 중파장 적외선 초고감도 광검출기 개발
KR102568182B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
WO2022249648A1 (ja) 組成物およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
CN118256867A (zh) 薄膜及其制备方法、光电器件及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL Corp.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant