CN112305450A - 一种漏电检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种漏电检测电路，其特征在于，包括：高压镜像模块、参考模块、存储器模块和检测模块；所述参考模块，用于生成第一电流，向所述高压镜像模块传输所述第一电流；所述存储器模块，用于生成第二电流，向所述高压镜像模块传输所述第二电流；所述高压镜像模块，用于接收所述第一电流，根据所述第一电流生成第一镜像电流，向所述检测模块传输所述第一镜像电流；或者，用于接收所述第二电流，根据所述第二电流生成第二镜像电流，向所述检测模块传输所述第二镜像电流；所述检测模块，用于根据所述第一镜像电流和所述第二镜像电流，确定所述存储器模块的漏电状态。

Description

一种漏电检测电路

技术领域

本发明涉及电子电路领域，特别是涉及一种漏电检测电路。

背景技术

Nand flash是一种非易失性存储器，它通过对存储单元(Memory cell)进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。随着Nand flash存储器的大量使用，对其性能的要求也在不断提高；而随着工艺特征尺寸的逐步降低，Nand flash的单位面积的容量增大，同时字线与字线之间(wordline-wordline)漏电也增大，这可能造成其存储单元处于异常状态，无法正常进行存储，导致非易失性存储器的性能下降。

所以，对于字线与字线之间(wordline-wordline)漏电的测量，确定非易失性存储器的漏电状态成为一个亟待解决的问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种漏电检测电路，用于检测存储器存储单元的漏电状态。

依据本发明的一个方面，提供了一种漏电检测电路，包括：高压镜像模块、参考模块、存储器模块和检测模块；

其中，所述高压镜像模块与所述检测模块连接；当所述高压镜像模块与所述参考模块连接时，所述高压镜像模块与所述存储器模块断开，当所述高压镜像模块与所述存储器模块连接时，所述高压镜像模块与所述参考模块断开；

所述参考模块，用于生成第一电流，向所述高压镜像模块传输所述第一电流；

所述存储器模块，用于生成第二电流，向所述高压镜像模块传输所述第二电流；

所述高压镜像模块，用于接收所述第一电流，根据所述第一电流生成第一镜像电流，向所述检测模块传输所述第一镜像电流；或者，用于接收所述第二电流，根据所述第二电流生成第二镜像电流，向所述检测模块传输所述第二镜像电流；

所述检测模块，用于接收所述第一镜像电流，或者，接收所述第二镜像电流；根据所述第一镜像电流和所述第二镜像电流，确定所述存储器模块的漏电状态。

可选的，所述检测模块包括：反相器与可调电流源；

所述可调电流源，用于产生第三电流；

所述反相器，用于根据所述第一镜像电流与所述第三电流产生第一翻转信号，或者，根据所述第二镜像电流与所述第三电流产生第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定所述存储器模块的漏电状态。

可选的，所述反相器，具体用于：

当所述高压镜像模块与所述参考模块连接时，调节所述可调电流源，控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低，当所述反相器输出所述第一翻转信号时，记录所述第三电流对应的第一当前电流值；

当所述高压镜像模块与所述存储器模块连接时，调节所述可调电流源，控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低，当所述反相器输出所述第二翻转信号时，记录所述第三电流对应的第二当前电流值；

比较所述第一当前电流值与第二当前电流值的大小，确定所述存储器模块的漏电状态。

可选的，所述反相器，具体用于：

当所述第一当前电流值大于所述第二当前电流值时，确定所述存储器模块处于正常状态；

当所述第一当前电流值小于所述第二当前电流值时，确定所述存储器模块处于漏电异常状态。

可选的，所述检测模块，还用于当所述存储器模块处于所述漏电异常状态时，对所述存储器模块进行标记。

可选的，所述漏电检测电路还包括：电流镜像放大模块和低压镜像模块；

所述高压镜像模块与所述电流镜像放大模块连接，所述电流镜像放大模块与所述低压镜像模块连接，所述低压镜像模块与所述检测模块连接；

所述电流镜像放大模块，用于接收所述高压镜像模块传输的所述第一镜像电流，根据所述第一镜像电流生成第一镜像放大电流；或者，接收所述高压镜像模块传输的所述第二镜像电流，根据所述第二镜像电流生成第二镜像放大电流；

所述低压镜像模块，用于接收所述电流镜像放大模块传输的所述第一镜像放大电流或者所述第二镜像放大电流；根据所述第一镜像放大电流产生第三镜像放大电流，或者，根据所述第二镜像放大电流产生第四镜像放大电流；

所述检测模块，用于根据所述第三镜像放大电流与所述第三电流产生所述第一翻转信号，或者，根据所述第四镜像放大电流与所述第三电流，产生所述第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定所述存储器模块的漏电状态。

可选的，所述高压镜像模块包括：第一P型MOS管和第二P型MOS管；

所述第一P型MOS管的漏级连接所述参考模块或者连接所述存储器模块，所述第二P型MOS管的漏级连接所述检测模块；

其中，所述第一P型MOS管与所述第二P型MOS管的源级连接高电平，所述第一P型MOS管的栅极与所述第二P型MOS管的栅极连接。

可选的，所述电流镜像放大模块包括第一N型MOS管和第二N型MOS管；

所述第一N型MOS管的源级与所述高压镜像模块连接，所述第二N型MOS管的源级与所述低压镜像模块连接，所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极连接。

可选的，所述低压镜像模块包括第三P型MOS管和第四P型MOS管；

所述第三P型MOS管的源级连接所述电流镜像放大模块，所述第四P型MOS管的源级连接所述检测模块；所述第三P型MOS管的栅极连接所述第四P型MOS管的栅极。

可选的，所述参考模块，还用于生成第一参考电流；根据所述第一参考电流对所述第一电流进行处理，得到第一处理电流；具体用于向所述高压镜像模块传输所述第一处理电流。

本发明提供的漏电检测电路，通过向高压镜像模块传输参考模块产生的第一电流生成第一镜像电流，或者向高压镜像模块传输存储器模块产生的第二电流生成第二镜像电流；再向检测模块传输第一镜像电流和第二镜像电流，根据第一镜像电流和第二镜像电流来确定存储器模块的漏电状态的方法，有效的对存储器单元漏电状态进行判断，进而对存储器的工作状态进行判断，这样有助于提高存储器存储数据的可靠性，提高存储器的性能。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1为本发明提供的漏电检测电路的一个实施例的结构示意图；

图2为本发明提供的漏电检测电路包括的检测模块的一个实施例的结构示意图；

图3为本发明提供的漏电检测电路的一个应用实例的电路示意图；

图4为本发明提供的漏电检测电路的另一个实施例的结构示意图；

图5为本发明提供的漏电检测电路的另一个应用实例的电路示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

参照图1，示出了本发明实施例的一种漏电检测电路的结构示意图，包括：高压镜像模块100、参考模块200、存储器模块300和检测模块400；

其中，高压镜像模块100与检测模块400连接；当高压镜像模块100与参考模块200连接时，高压镜像模块100与存储器模块300断开，当高压镜像模块100与存储器模块300连接时，高压镜像模块100与参考模块200断开；

参考模块200，用于生成第一电流，向高压镜像模块100传输所述第一电流；

存储器模块300，用于生成第二电流，向高压镜像模块100传输所述第二电流；

高压镜像模块100，用于接收所述第一电流，根据所述第一电流生成第一镜像电流，向检测模块400传输所述第一镜像电流；或者，用于接收所述第二电流，根据所述第二电流生成第二镜像电流，向检测模块400传输所述第二镜像电流；

检测模块400，用于接收所述第一镜像电流，或者，接收所述第二镜像电流；根据所述第一镜像电流和所述第二镜像电流，确定存储器模块300的漏电状态。

可以理解的是，在本发明实施例中，参考模块200可以为模拟电流源，第一电流可以是模拟电流源产生的模拟电流，存储器模块300包括待检测漏电状态的存储器电路，第二电流可以为存储器模块300产生的漏电电流；该模拟电流源产生的模拟电流的电流值，作为漏电电流是否处于异常状态的阈值判断，进而可以确定存储器电路是否正常工作；可选的，模拟电流源的电流值可以根据实际需求进行灵活调整。

其中，高压镜像模块100的作用是为了产生控制支路，根据参考模块200产生的模拟电流生成第一镜像电流，或者根据存储器模块300产生的漏电电流生成第二镜像电流，再向检测模块400传输第一镜像电流或者第二镜像电流。

其中，检测模块400用于根据第一镜像电流和第二镜像电流，来确定存储器模块300的漏电状态；可选的，可以通过第一镜像电流和第二镜像电流的大小来进行判断，当第一镜像电流的电流值大于第二镜像电流的电流值时，存储器模块300则处于正常工作状态，当第一镜像电流的电流值小于第二镜像电流的电流值时，存储器模块300则处于漏电异常状态。

可选的，还可以通过第一镜像电流和第二镜像电流的比值来进行判断，当第一镜像电流与第二镜像电流的比值大于1时，存储器模块300则处于正常工作状态，当第一镜像电流与第二镜像电流的比值小于1时，存储器模块300则处于漏电异常状态。

本发明实施例，目的是为了检测存储器模块300的漏电状态，通过参考模块200产生的第一电流(即模拟电流)和存储器模块300产生的第二电流(即漏电电流)，来对其存储器模块的漏电状态进行判断，进而对存储器电路的工作状态进行检测，这样，有利于对存储器的工作状态进行及时监测，为后续数据存储提供可靠的环境，以此提高数据存储的可靠性，提高存储器的性能。

可选的，在本发明的一些实施例中，参考模块200，还用于生成第一参考电流；根据所述第一参考电流对所述第一电流进行处理，得到第一处理电流；具体用于向所述高压镜像模块传输所述第一处理电流。可以理解的是，对第一处理电流的后续处理过程，可以参考上述对第一电流的处理，此处不再赘述。

示例性的，可以为参考模块添加一个基准电流源，其作用是为了减小噪声，或者减小测试等引起的误差；由于存储器模块漏电电流一般较小，需要对其处理才能提高检测的精度，检测结果才更加可靠。

参照图2，示出了本发明实施例中漏电检测电路包括的检测模块的结构示意图，该检测模块400，包括：反相器500和可调电流源600；

可调电流源600，用于产生第三电流；

反相器500，用于根据所述第一镜像电流与所述第三电流产生第一翻转信号，或者，根据所述第二镜像电流与所述第三电流产生第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定存储器模块300的漏电状态。

可选的，反相器500，具体用于：

当高压镜像模块100与参考模块200连接时，调节可调电流源600，控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低，当反相器500输出所述第一翻转信号时，记录所述第三电流对应的第一当前电流值；

当高压镜像模块100与存储器模块300连接时，调节可调电流源600，控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低，当反相器500输出所述第二翻转信号时，记录所述第三电流对应的第二当前电流值；

比较所述第一当前电流值和所述第二当前电流值大小，确定存储器模块300的漏电状态。

可选的，在本发明的一些实施例中，反相器500，具体用于：

当所述第一当前电流值大于所述第二当前电流值时，确定存储器模块300处于正常状态；

当所述第一当前电流值小于所述第二当前电流值时，确定存储器模块300处于漏电异常状态。

示例性的，当高压镜像模块100与参考模块200连接时，支路中的第一镜像电流流入检测模块400，控制可调电流源600产生的第三电流的电流值从大到小依次降低，在调节过程中，例如当第三电流的电流值为200nA时，反相器500的输出电压相位反转，产生第一翻转信号，记录第一当前电流值为200nA；

当高压镜像模块100与存储器模块300连接时，支路第二镜像电流流入检测模块400，控制可调电流源600产生的第三电流的电流值从大到小依次降低，在调节过程中，例如当第三电流的电流值为300nA时，反相器500的输出电压相位反转，产生第二翻转信号，记录第二当前电流值为300nA；

其中，第一当前电流值为200nA，第二当前电流值为300nA，这表明，要使得反相器500相位反转，模拟电流所需要的第三电流的电流值比漏电电流所需要的第三电流的电流值小，即模拟电流比漏电电流值小，所以漏电电流的电流值已经超过预设阈值，处于漏电异常状态。

若上述第一当前电流值为300nA，第二当前电流值为200nA，这表明要使得反相器500相位反转，模拟电流所需要的第三电流的电流值比漏电电流所需要的第三电流的电流值大，即模拟电流比漏电电流值大，所以漏电电流的电流值未超过预设阈值，处于正常状态。

可选的，在本发明的一些实施例中，检测模块400，还用于当存储器模块300处于所述漏电异常状态时，对存储器模块300进行标记。

可以理解的，当检测模块400检测到存储器模块300处于漏电异常状态，需要对该漏电异常状态进行提醒，具体的可以对处于漏电异常状态的存储单元进行坏块标记，可选的，也可以进行警示提醒、符号标记等，具体不做限定。

在本实施例中，高压镜像模块100传输参考模块200产生的第一电流，生成第一镜像电流；或者传输存储器模块300产生的第二电流，生成第二镜像电流；检测模块400接收所述第一镜像电流或者接收所述第二镜像电流，检测模块400中的反相器模块500通过所述第一镜像电流与第三电流产生第一翻转信号，或者通过所述第二镜像电流与第三电流产生第二翻转信号，通过第一翻转信号对应的第三电流的第一当前电流值与第二翻转信号对应的第二当前电流值的大小，来判断存储器模块的漏电电流是否超过了预设阈值，进而对存储器电路的工作状态进行判断；并且当存储器电路处于漏电异常状态时，对其及时进行标记，这样，可以及时对存储器工作状态进行监测，提高数据存储的可靠性。

可选的，在本发明的一些实施例中，高压镜像模块100包括：第一P型MOS管和第二P型MOS管；

所述第一P型MOS管的漏级连接参考模块200或者连接存储器模块300，所述第二P型MOS管的漏级连接检测模块400；

其中，所述第一P型MOS管与所述第二P型MOS管的源级连接高电平，所述第一P型MOS管的栅极与所述第二P型MOS管的栅极连接。

可选的，高压镜像模块100可包括多对P型MOS管，本方案不限制MOS晶体管的数量，第二对P型MOS管的源级，一个连接第一P型MOS管的漏级，一个连接第二P型MOS管的源级；连接第一P型MOS管漏级的第二对P型MOS管的漏级连接参考模块200或者存储器模块300；连接第二P型MOS管漏级的第二对P型MOS管的漏级连接检测模块400；第二对P型MOS管的栅极互连。

高压镜像模块100是为了给所述漏电检测电路提供一个控制支路，使得支路上的电流与模拟电流以及漏电电流近似相等，然后根据流入检测模块400的支路上的电流，来比较模拟电流与漏电电流的大小。

图3给出了本实施例提供的一种漏电检测电路的一个应用实例的电路示意图。

如图：高压镜像模块100包括：第一P型MOS管M7和第二P型MOS管M10；参考模块200，包括模拟电流源ILEAK；存储器模块300，包括通路开关CGn和NG，以及通路开关连接的存储器内部电路；检测模块400包括：反相器M6与可调电流源M3。

第二P型MOS管M10的漏级连接可调电流源M3，第一P型MOS管M7的漏级连接模拟电流源ILEAK或者连接开关CGn、NG；M7与M10的栅极进行连接，源级都连接高电平；M3、M10和反相器M6三者互连形成节点。

其中，模拟电流源ILEAK，用来产生所述第一电流，即模拟电流；其作用是为了模拟存储器模块300的漏电电流，产生漏电阈值；通过调节该模拟电流源ILEAK的大小，来确定漏电电流的漏电阈值；例如，调节ILEAK为500nA，即存储器模块300的漏电电流最高为500nA，当其超过所述ILEAK的电流值时，则存储器模块300处于漏电异常状态。

其中，存储器模块300，用来产生所述第二电流，即漏电电流；包括通路开关CGn和NG，以及通路开关连接的存储器内部电路；当高压镜像模块100与模拟电流源ILEAK连接时，通路开关CGn和NG关断；高压镜像模块100与模拟电流源ILEAK不连接时，通路开关CGn和NG闭合，使得存储器模块300与高压镜像模块100连接。

其中，高压镜像模块100，用来根据上述第一电流产生第一镜像电流，或者根据上述第二电流产生第二镜像电流。

其中，可调电流源M3，用于产生第三电流。

反相器M6，用于根据所述第一镜像电流与所述第三电流产生第一翻转信号，或者，根据所述第二镜像电流与所述第三电流产生第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定所述存储器模块300的漏电状态。

其中，支路连接M10与M3和M6三者相互连接，形成节点，其中，从M9流出的支路的镜像电流方向为流入节点，M3产生的第三电流的电流方向为流出节点；加入可调电流源M3的作用为，通过控制M3的大小来改变VMON电平；

反相器M6，可以将输入信号的相位反转180度，当VMON电平变化时，反相器的输出电压将发生相位反转，产生翻转信号。

示例性的，M7连接模拟电流源ILEAK，调节可调电流源M3，观察反相器M6的状态，例如当M3当前值为300nA时，反相器M6的输出电压相位翻转，记录该第一当前电流值为300nA；

接着断开模拟电流源ILEAK，闭合开关CGn，调节可调电流源M3，观察反相器M6的状态，例如当M3当前值为200nA时，反相器M6的输出电压相位翻转，记录该第二当前电流值为200nA。

比较第一当前电流值与第二当前电流值的大小，第一当前电流值大于第二当前电流值，这说明漏电电流小于模拟电流，则存储器模块300就处于正常工作状态。

本申请实施例中，通过对检测模块400的第一当前电流值和第二当前电流值的大小判断，来判断存储器漏电电流与模拟电流的大小，进而确定存储器电路漏电电流是否到达预设阈值，当其漏电电流到达预设阈值，即存储器电路处于漏电异常状态时，这样，可以及时对存储器工作状态进行监测，提高数据存储的可靠性。

图4为本发明提供的漏电检测电路的另一个实施例的结构示意图；所述漏电检测电路还包括：电流镜像放大模块700和低压镜像模块800；

高压镜像模块100与电流镜像放大模块700连接，电流镜像放大模块700与低压镜像模块800连接，低压镜像模块800与检测模块400连接；

电流镜像放大模块700，用于接收高压镜像模块100传输的所述第一镜像电流，根据所述第一镜像电流生成第一镜像放大电流；或者，接收高压镜像模块100传输的所述第二镜像电流，根据所述第二镜像电流生成第二镜像放大电流；

低压镜像模块800，用于接收电流镜像放大模块500传输的所述第一镜像放大电流或者所述第二镜像放大电流；根据所述第一镜像放大电流产生第三镜像放大电流，或者，根据所述第二镜像放大电流产生第四镜像放大电流；

检测模块400，用于根据所述第三镜像放大电流与所述第三电流产生所述第一翻转信号，或者，根据所述第四镜像放大电流与所述第三电流，产生所述第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定存储器模块300的漏电状态。

其中，由于第二电流(即存储器漏电电流)一般电流值都很小，导致其灵敏度不高，很难检测，所以在高压镜像模块100产生的支路上增加电流镜像放大模块700，对第一电流和第二电流进行放大，以提高灵敏度。

其中，低压镜像模块800的作用是为了增加一个控制支路，传输电流镜像放大模块700产生第一镜像放大电流或者第二镜像放大电流；根据所述第一镜像放大电流产生第三镜像放大电流，或者，根据所述第二镜像放大电流产生第四镜像放大电流。

可选的，所述电流镜像放大模块700包括第一N型MOS管和第二N型MOS管；

所述第一N型MOS管的源级与高压镜像模块100连接，所述第二N型MOS管的源级与低压镜像模块800连接，所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极连接。

可选的，低压镜像模块800包括第三P型MOS管和第四P型MOS管；

所述第三P型MOS管的源级连接电流镜像放大模块700，所述第四P型MOS管的源级连接检测模块400；所述第三P型MOS管的栅极连接所述第四P型MOS管的栅极。

图5为本发明提供的漏电检测电路的另一个应用实例的电路示意图；

如图：高压镜像模块100包括：第一P型MOS管M7和第二P型MOS管M10；参考模块200，包括模拟电流源ILEAK；存储器模块300，包括通路开关CGn和NG，以及通路开关连接的存储器内部电路；检测模块400包括：反相器M6与可调电流源M3，镜像放大模块700包括：第一N型MOS管M1和第二N型MOS管M2；低压镜像模块800包括第三P型MOS管M5和第四P型MOS管M4。

示例性的，M7连接模拟电流源ILEAK，M10连接M1，M2与M5连接，M4与可调电流源M3、反相器M6连接；

当M7连接模拟电流源ILEAK时，调节可调电流源M3，观察反相器M6的状态，例如当M3当前值为3mA时，反相器M6的输出电压相位翻转，记录该第一当前电流值为3mA；

接着断开模拟电流源ILEAK，闭合开关CGn，调节可调电流源M3，观察反相器M6的状态，例如当M3当前值为4mA时，反相器M6的输出电压相位翻转，记录该第二当前电流值为4mA。

比较第一当前电流值与第二当前电流值的大小，第一当前电流值小于第二当前电流值，这说明漏电电流大于模拟电流，则存储器模块就处于漏电异常状态。

本发明通过对检测模块400的第一当前电流值和第二当前电流值的大小判断，来判断存储器漏电电流与模拟电流的大小，进而确定存储器电路漏电电流是否到达预设阈值，当其漏电电流到达预设阈值，即存储器电路处于漏电异常状态时，则对其进行标记，以提高提高存储器的性能，提高数据存储的可靠性。

上述仅为本发明的较佳实施例及所运用的技术原理。本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行的各种明显变化、重新调整及替代均不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由权利要求的范围决定。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。

本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。

应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

Claims (10)

1.一种漏电检测电路，其特征在于，包括：

高压镜像模块、参考模块、存储器模块和检测模块；

其中，所述高压镜像模块与所述检测模块连接；当所述高压镜像模块与所述参考模块连接时，所述高压镜像模块与所述存储器模块断开，当所述高压镜像模块与所述存储器模块连接时，所述高压镜像模块与所述参考模块断开；

所述参考模块，用于生成第一电流，向所述高压镜像模块传输所述第一电流；

所述存储器模块，用于生成第二电流，向所述高压镜像模块传输所述第二电流；

所述高压镜像模块，用于接收所述第一电流，根据所述第一电流生成第一镜像电流，向所述检测模块传输所述第一镜像电流；或者，用于接收所述第二电流，根据所述第二电流生成第二镜像电流，向所述检测模块传输所述第二镜像电流；

所述检测模块，用于接收所述第一镜像电流，或者，接收所述第二镜像电流；根据所述第一镜像电流和所述第二镜像电流，确定所述存储器模块的漏电状态。

2.如权利要求1所述的漏电检测电路，其特征在于，所述检测模块包括：反相器与可调电流源；

所述可调电流源，用于产生第三电流；

所述反相器，用于根据所述第一镜像电流与所述第三电流产生第一翻转信号，或者，根据所述第二镜像电流与所述第三电流产生第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定所述存储器模块的漏电状态。

3.如权利要求2所述的漏电检测电路，其特征在于，

所述反相器，具体用于：

当所述高压镜像模块与所述参考模块连接时，调节所述可调电流源，控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低，当所述反相器输出所述第一翻转信号时，记录所述第三电流对应的第一当前电流值；

当所述高压镜像模块与所述存储器模块连接时，调节所述可调电流源，控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低，当所述反相器输出所述第二翻转信号时，记录所述第三电流对应的第二当前电流值；

比较所述第一当前电流值与第二当前电流值的大小，确定所述存储器模块的漏电状态。

4.如权利要求3所述漏电检测电路，其特征在于，所述反相器，具体用于：

当所述第一当前电流值大于所述第二当前电流值时，确定所述存储器模块处于正常状态；

当所述第一当前电流值小于所述第二当前电流值时，确定所述存储器模块处于漏电异常状态。

5.如权利要求4所述漏电检测电路，其特征在于，

所述检测模块，还用于当所述存储器模块处于所述漏电异常状态时，对所述存储器模块进行标记。

6.如权利要求1-5中任一项所述的漏电检测电路，其特征在于，所述漏电检测电路还包括：电流镜像放大模块和低压镜像模块；

所述高压镜像模块与所述电流镜像放大模块连接，所述电流镜像放大模块与所述低压镜像模块连接，所述低压镜像模块与所述检测模块连接；

所述电流镜像放大模块，用于接收所述高压镜像模块传输的所述第一镜像电流，根据所述第一镜像电流生成第一镜像放大电流；或者，接收所述高压镜像模块传输的所述第二镜像电流，根据所述第二镜像电流生成第二镜像放大电流；

所述低压镜像模块，用于接收所述电流镜像放大模块传输的所述第一镜像放大电流或者所述第二镜像放大电流；根据所述第一镜像放大电流产生第三镜像放大电流，或者，根据所述第二镜像放大电流产生第四镜像放大电流；

所述检测模块，用于根据所述第三镜像放大电流与所述第三电流产生所述第一翻转信号，或者，根据所述第四镜像放大电流与所述第三电流，产生所述第二翻转信号；根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定所述存储器模块的漏电状态。

7.如权利要求1-5中任一项所述的漏电检测电路，其特征在于，所述高压镜像模块包括：第一P型MOS管和第二P型MOS管；

所述第一P型MOS管的漏级连接所述参考模块或者连接所述存储器模块，所述第二P型MOS管的漏级连接所述检测模块；

其中，所述第一P型MOS管与所述第二P型MOS管的源级连接高电平，所述第一P型MOS管的栅极与所述第二P型MOS管的栅极连接。

8.如权利要求6所述的漏电检测电路，其特征在于，所述电流镜像放大模块包括第一N型MOS管和第二N型MOS管；

所述第一N型MOS管的源级与所述高压镜像模块连接，所述第二N型MOS管的源级与所述低压镜像模块连接，所述第一N型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极连接。

9.如权利要求6所述的漏电检测电路，其特征在于，所述低压镜像模块包括第三P型MOS管和第四P型MOS管；

所述第三P型MOS管的源级连接所述电流镜像放大模块，所述第四P型MOS管的源级连接所述检测模块；所述第三P型MOS管的栅极连接所述第四P型MOS管的栅极。

10.如权利要求1-5中的任一项所述的漏电检测电路，其特征在于，所述参考模块，还用于生成第一参考电流；根据所述第一参考电流对所述第一电流进行处理，得到第一处理电流；具体用于向所述高压镜像模块传输所述第一处理电流。

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