JP2010102767A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 リファレンスセルにおける抵抗素子の抵抗値判別を容易にする機能を持つ半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】 選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置に適用され、互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプRA0〜RA7を設け、テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧Vrarを前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧Vra0〜Vra7のそれぞれと比較し、複数の比較結果をデータ入出力端子DQ0〜DQ7から出力する。
【選択図】 図1
【解決手段】 選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置に適用され、互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプRA0〜RA7を設け、テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧Vrarを前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧Vra0〜Vra7のそれぞれと比較し、複数の比較結果をデータ入出力端子DQ0〜DQ7から出力する。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体メモリ装置に関する。
近年、高速で高集積な不揮発性メモリとして相変化メモリが注目されており、例えば特許文献1に開示されている。
相変化メモリなどに代表される抵抗変化メモリにおいては、電気的にメモリ素子の組成を変化させ、高抵抗もしくは低抵抗の状態をそれぞれストアデータに割り当てデータを記憶する半導体記憶装置である。その様な記憶装置においては、以下の1)〜3)が必要である。
1)読み出しスピードを満足できるメモリ素子の抵抗値の設定。
2)上記抵抗値を得るための最適プログラム電圧・電流・パルス幅の調整。
3)リファレンスセル(基準セル)の持つ抵抗素子の最適抵抗値設定。
2)上記抵抗値を得るための最適プログラム電圧・電流・パルス幅の調整。
3)リファレンスセル(基準セル)の持つ抵抗素子の最適抵抗値設定。
しかしながら、ウェハ状態もしくは半導体メモリ装置として組立て後、プログラムされた抵抗値を直接測定することができず、メモリ素子及びリファレンスセルの抵抗素子の最適抵抗値設定は困難である。特に、読み出しの基準となるリファレンスセルの抵抗素子の抵抗値が不明確であると、読み出しマージンに関わる最適化が困難となり、製品特性に大きな支障をきたす。
そこで、本発明は、リファレンスセルの抵抗素子の抵抗値判別を容易にする機能を持つ半導体メモリ装置を提供しようとするものである。
本発明は、不揮発性メモリ、特に抵抗変化プログラム方式のメモリ装置において、読み出しに関わる基準電圧を発生するリファレンスアンプに関し、基準電圧を生成するリファレンスセルにおける可変抵抗素子の抵抗値の判別を行なうために、テストモードを使用することで、外部端子に抵抗値判別用の出力を行い、高速に抵抗値判別をすることができる判別手段を提供する。
本発明の態様によれば、選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置において、互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプを設け、テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧を前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧のそれぞれと比較し、複数の比較結果を抵抗値判別用のデータとしてデータ入出力端子から出力するようにした半導体メモリ装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置において、互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプを用意し、テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧を前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧のそれぞれと比較し、複数の比較結果に基づいて前記リファレンスセルの持つ抵抗素子に対するテストを行なうようにした半導体メモリ装置のテスト方法が提供される。
このテスト方法においては、前記複数の抵抗測定基準アンプはそれぞれ固有の抵抗値を持つ抵抗素子に接続され、複数の前記固有の抵抗値と、前記リファンレンスセルの持つ抵抗素子の抵抗値として想定される複数種類の抵抗値と、前記複数の比較結果との対応関係を示すテーブルがあらかじめ作成され、前記複数の比較結果を基に前記テーブルを参照して前記リファレンスセルの前記抵抗素子の抵抗値を判別するようにされることが望ましい。
本発明によるリファレンスセルの抵抗素子の抵抗値測定においては、抵抗値をアナログ的に時間をかけて測定するのではなく、複数の固定抵抗素子を参照抵抗素子としてそれぞれ接続した複数の抵抗測定基準アンプにおける複数の参照抵抗素子の抵抗値とリファレンスセルの抵抗素子の抵抗値とを電圧にて比較し、複数の比較結果をデータ入出力端子に出力することで、1サイクル内にコードとして抵抗値判別用の出力を行なうことができる。その結果、高速かつ容易にリファレンスセルの抵抗素子の抵抗値を測定することができる。
[実施例の構成]
図1を参照して本発明を不揮発性の半導体メモリ装置に適用した場合の実施例について説明する。
図1を参照して本発明を不揮発性の半導体メモリ装置に適用した場合の実施例について説明する。
本半導体メモリ装置は、通常の読み出しモード時に必要な要素として、基準電圧を発生するためのリファレンスアンプ11と、記憶されたデータを読み出す複数のセンスアンプSA0〜SA7と、センスアンプSA0〜SA7に対応して設けられた複数のコンパレータCP0〜CP7を備える。複数のコンパレータCP0〜CP7は、リファレンスアンプ11からの信号Vrasと、対応したセンスアンプからの信号Vsa0〜Vsa7とを比較しそれぞれの比較結果に応じて”0”(ローレベル)あるいは”1”(ハイレベル)の信号Sout0〜Sout7を端子DQ0〜DQ7にそれぞれ出力する。メモリの読み出し、書き込み動作及びそのために必要な上記以外の具体的構成については、本発明の要旨ではないので詳しい説明は省略する。いずれにしても、センスアンプSA0〜SA7とコンパレータCP0〜CP7の組合せはメモリモジュールの一部として作用する。
本半導体メモリ装置はまた、テストモード時に必要な要素として、複数の抵抗測定基準アンプRA0〜RA7と、抵抗測定基準アンプRA0〜RA7に対応して設けられた複数のコンパレータCA0〜CA7を備える。複数のコンパレータCA0〜CA7は、リファレンスアンプ11からの信号Vrarと、対応した抵抗測定基準アンプからの信号Vra0〜Vra7とを比較しそれぞれの比較結果に応じて”0”(ローレベル)あるいは”1”(ハイレベル)の信号Rout0〜Rout7を端子DQ0〜DQ7にそれぞれ出力する。後述するように、抵抗測定基準アンプRA0〜RA7はそれぞれ、参照抵抗素子として、固有の抵抗値Rx0〜Rx7を持つ抵抗素子に接続されている。抵抗測定基準アンプRA0〜RA7とコンパレータCA0〜CA7との組合せは比較判別部と総称されても良い。
なお、通常の読み出し時には読み出しモード信号TBが”1”とされ、テストモード時にはテストモード信号TTが”1”とされる。信号TB、TTの一方が”1”の時、他方は”0”であることは言うまでも無い。このような読み出しモードとテストモードでの動作切り替えのために、リファレンスアンプ11とコンパレータCP0〜CP7との間にはトランスファー回路12が設けられ、リファレンスアンプ11とコンパレータCA0〜CA7との間にはトランスファー回路13が設けられる。
トランスファー回路12は読み出しモード信号TBが”1”の時オン状態となり、リファンレンスアンプ11からの信号Vraを信号VrasとしてコンパレータCP0〜CP7に伝達する一方、テストモード信号TTが”1”の時にはオフ状態でリファンレンスアンプ11からの信号Vraを伝達しない。
逆に、トランスファー回路13はテストモード信号TTが”1”の時オン状態となり、リファンレンスアンプ11からの信号Vraを信号VrarとしてコンパレータCA0〜CA7に伝達する一方、読み出しモード信号TBが”1”の時にはオフ状態でリファンレンスアンプ11からの信号Vraを伝達しない。トランスファー回路12、13は入力側モード切替え部と呼ばれても良い。
更に、コンパレータCP0〜CP7と端子DQ0〜DQ7との間にはそれぞれ、トランスファー回路TR0〜TR7が設けられる。トランスファー回路TR0〜TR7はそれぞれ、読み出しモード信号TBが”1”の時オン状態になって、対応するコンパレータCP0〜CP7の出力を伝達し、テストモード信号TTが”1”の時にはオフ状態でコンパレータCP0〜CP7の出力は伝達しない。
一方、コンパレータCA0〜CA7と端子DQ0〜DQ7との間にはそれぞれ、トランスファー回路TA0〜TA7が設けられる。トランスファー回路TA0〜TA7はそれぞれ、テストモード信号TTが”1”の時オン状態となって、対応するコンパレータCA0〜CA7の出力を伝達し、読み出しモード信号TBが”1”の時にはオフ状態でコンパレータCA0〜CA7の出力は伝達しない。トランスファー回路TR0〜TR7及びTA0〜TA7は出力側モード切替え部と呼ばれても良い。
[実施例の動作の説明]
次に、図2、図4をも参照して動作について説明する。
次に、図2、図4をも参照して動作について説明する。
1)通常読み出しモード
図2は、通常読み出しのための要素として、リファレンスアンプ11と、センスアンプSA0及びこれに対応したコンパレータCP0を示し、便宜上、トランスファー回路12は図示を省略している。リファレンスアンプ11は、トランジスタ素子11−11、可変抵抗素子11−12からなるリファレンスセル11−1に接続されている。
図2は、通常読み出しのための要素として、リファレンスアンプ11と、センスアンプSA0及びこれに対応したコンパレータCP0を示し、便宜上、トランスファー回路12は図示を省略している。リファレンスアンプ11は、トランジスタ素子11−11、可変抵抗素子11−12からなるリファレンスセル11−1に接続されている。
メモリセルMC0は、トランジスタ素子N0と記憶素子R0を直列接続した構成である。メモリセルMC0にストアされたデータを読み出すための増幅回路であるセンスアンプSA0は、記憶素子MC0に直列接続したトランジスタ素子N1を有し、更にトランジスタ素子N1と直列に接続し、その共通接点21の電位Vsa0をゲート入力とするトランジスタ素子P1とからなる。トランジスタ素子P1の一端は電源電圧Vddと接続している。ここでトランジスタ素子P1のようにそのゲートとドレインを共通接続した回路構成を一般的に負荷回路と呼び、抵抗素子と同等の働きを持っている。その出力電圧は、最大でも電源電圧Vddとトランジスタ素子P1の閾値電圧Vtpとの差分が供給できる。
なお、図2においては、メモリセルMC0がセンスアンプSA0の中に描かれているが、センスアンプSA0の破線ブロックとは別の破線ブロック内に示していることから明らかなように、メモリセルMC0がセンスアンプSA0に含まれることを示すものではない。これは、リファレンスアンプ、図3に示された抵抗測定基準アンプにおいても同様である。
次に、トランジスタ素子N1のゲート電位はVclampという電圧が供給される。例えば本発明の一例としている相変化メモリ装置の場合、電圧Vclampは0.3V〜0.5V程度の一定電圧として設定される。これは、メモリセルMC0すなわち、ビット線に掛かる電圧を一定(0.3V〜0.5V)とするためである。その理由は、例えば相変化メモリ装置やReRAMなどのように電流・電圧を供給することによりその抵抗値を変化させ、データをストアするようなメモリ装置においては、過大な電流・電圧供給による読み出しを行おうとする場合、メモリセルに流れる電流により擬似的な書き込み状態となるため、ストアデータの破壊を引き起こす可能性がある。このような理由から、過剰な電流・電圧を制限する必要がある。トランジスタ素子N0のゲート電位Vxはワード線電圧である。
簡単に読み出しの動作原理について説明する。
読み出し動作は、ワード線電圧Vxがハイレベルとなりトランジスタ素子N0がオンの状態となる。今、記憶素子R0が低抵抗の場合、トランジスタ素子P1及びN1により制限された電流IMC0が記憶素子R0、トランジスタ素子N0を介して流れる。そのため、共通接点21の電位レベルは凡そVL(=電源電圧Vdd−閾値電圧Vtp−抵抗素子R0の抵抗値*電流IMC0)まで引き下げられる。一方、記憶素子R0が高抵抗の場合、トランジスタ素子N0を通して電流を流すことが困難となるため、記憶素子R0を介して電流は流れにくくなる。そのため、接点21は電圧降下を起こすことがなくなるので、その電位レベルはVH(電源電圧Vdd−閾値電圧Vtp)まで引き上げられる。
一方、リファレンスアンプ11は、センスアンプと同様の構成となっているが、リファレンスセル11−1を構成する可変抵抗素子11−12は、メモリセルの抵抗素子と同一材料・構成で形成されることが望ましい。もしくは、通常の抵抗素子のようなもので良く、複数の抵抗素子を持ち合わせ、ヒューズ手段などにより選択可能とするものでも良い。
例えばリファレンスセル11−1の可変抵抗素子11−12の抵抗値は、メモリセルMC0に書き込まれる抵抗素子R0の抵抗値が高い場合と低い場合とのちょうど中間の抵抗値として設定することができる。リファレンスレベルである電位Vrasは前述したセンスアンプの検出電位VLとVHとのちょうど中間値となる一定したレベルを出力する。すなわちこのリファレンスレベルVrasに対して接点21の電位レベルVsa0が超えるかあるいは以下のレベルであるかを、コンパレータCP0にて判別を行い、センス出力Sout0として出力される。
他のセンスアンプ及びこれに対応したコンパレータも同様の構成を持つ。
通常読み出し時には、テストモード信号TTは”0”(ローレベル)で、読み出しモード信号TBが”1”(ハイレベル)となる。
繰り返し説明すると、リファレンスアンプ11からの信号Vraは、オン状態にあるトランスファー回路(図1の12)を経由して信号Vrasとなる。この信号Vrasと、メモリセルMC0に書き込まれたデータを判別するセンスアンプSA0の増幅信号Vsa0とを、比較判別用のコンパレータCP0に入力する。コンパレータCP0からの比較判別結果を示す信号Sout0は、オン状態にあるトランスファー回路TR0(図1)を経由して端子DQ0に伝送される。他のセンスアンプSA1〜SA7及びコンパレータCP1〜CP7も同様に動作する。
上記比較判別は、センスアンプ側からの信号レベルVsaがリファレンスアンプ11側からの信号レベルVrasより高い場合(Vsa>Vras)は、各コンパレータは”1”レベルを出力し、信号レベルVsaが信号レベルVras以下の場合(Vsa≦Vras)には各コンパレータは”0”レベルを出力する。
2)テストモード(リファレンスセルの抵抗測定)
図3は、テストモードのための要素として、リファレンスアンプ11と、抵抗測定基準アンプRA0及びこれに対応したコンパレータCA0を示し、便宜上、トランスファー回路13は図示を省略している。抵抗測定基準アンプRA0は、抵抗値Rx0の基準抵抗素子(参照抵抗素子)に接続されている。他の抵抗測定基準アンプ及びこれに対応したコンパレータも同様の構成を持つ。以下では、抵抗測定基準アンプRA1〜RA7における基準抵抗素子の抵抗値をそれぞれRx1〜Rx7とする。すなわち、抵抗測定基準アンプRA0〜RA7はそれぞれ、固有の固定抵抗素子(例えば、ここでは8状態の抵抗とし、Rx0=10KΩ、Rx1=20KΩ、Rx2=30KΩ、Rx3=50KΩ、Rx4=70KΩ、Rx5=100KΩ、Rx6=150KΩ、Rx7=200KΩ)に接続されている。
図3は、テストモードのための要素として、リファレンスアンプ11と、抵抗測定基準アンプRA0及びこれに対応したコンパレータCA0を示し、便宜上、トランスファー回路13は図示を省略している。抵抗測定基準アンプRA0は、抵抗値Rx0の基準抵抗素子(参照抵抗素子)に接続されている。他の抵抗測定基準アンプ及びこれに対応したコンパレータも同様の構成を持つ。以下では、抵抗測定基準アンプRA1〜RA7における基準抵抗素子の抵抗値をそれぞれRx1〜Rx7とする。すなわち、抵抗測定基準アンプRA0〜RA7はそれぞれ、固有の固定抵抗素子(例えば、ここでは8状態の抵抗とし、Rx0=10KΩ、Rx1=20KΩ、Rx2=30KΩ、Rx3=50KΩ、Rx4=70KΩ、Rx5=100KΩ、Rx6=150KΩ、Rx7=200KΩ)に接続されている。
テストモード時には、テストモード信号TTが”1”レペルで、読み出しモード信号TBは”0”レベルとなる。
これにより、リファレンスアンプ11からコンパレータCP0〜CP7ヘの信号経路及びコンパレータCP0〜CP7から端子DQ0〜DQ7への信号経路は断たれる。
リファレンスアンプ11からの信号Vraは、オン状態になったトランスファー回路13を経由して信号VrarとしてコンパレータCA0に入力される。また、固有の固定抵抗素子(ここでは、Rx0=10KΩ)に接続されている抵抗測定基準アンプRA0の出力信号Vra0がコンパレータCA0に入力される。コンパレータCA0の比較結果である出力Rout0は、トランスファー回路TA0を介して端子DQ0に伝達される。他の抵抗測定基準アンプRA1〜RA7及びコンパレータCA1〜CA7も同様に動作する。
上記比較判別は、リファレンスアンプ11側からの信号レベルVrarが抵抗測定基準アンプ側からの信号レベルVraより高い場合(Vrar>Vra)は、各コンパレータは”1”レベルを出力し、信号レベルVrarが信号レベルVra以下の場合(Vrar≦Vra)には各コンパレータは”0”レベルを出力する。
以下の表1に、テストモードにおいて参照されるテーブルの一例を示す。表1は、リファレンスアンプ11のリファレンスセル11−1の持つ抵抗素子11−12の抵抗値として想定される複数種類の抵抗値Rrefと、抵抗測定基準アンプRA0〜RA7のそれぞれに接続された固定抵抗素子の抵抗値Rx0〜Rx7及び端子DQ0〜DQ7に出力されるデータとの関係を示す。
図4及び表1を参照しながら、動作について説明する。
抵抗測定基準アンプRA0〜RA7における固定抵抗素子の抵抗値を表1のRx0〜Rx7に従った設定とする。
図4を参照すると、上記抵抗値Rx0〜Rx7に従った各々の抵抗測定基準アンプから発生される基準電圧信号の信号レベルは、Vra0〜Vra7の8つの固定レベルとして発生される。読み出しモード信号TBがローレベル、テストモード信号TTがハイレベルになるとリファレンスセルが選択され、その出力レベルVrarが確定する。
ここで、リファレンスセル11−1の抵抗素子11−12の値が50KΩであった場合、出力レベルVrarは、図4に示すように、信号レベルVra3と同じレベルとなる。信号レベルVra0、Vra1、Vra2を基準電位とするコンパレータCA0、CA1、CA2は、前記出力レベルVrarとのレベル差を検出し、出力レベルVrarが信号レベルVra0、Vra1、Vra2より高い電圧であるため、出力Rout0、Rout1、Rout2としてそれぞれ”1”レベルを出力する。
一方、コンパレータCA3〜CA7は、出力レベルVrarが各々の信号レベルVra3〜Vra7以下のレベルであるため、出力Rout3〜Rout7としてそれぞれ”0”レベルを出力する。
以上のようにして、端子DQ0〜DQ7に現れる出力はそれらの並びに従い”11100000”なるデータとなる。ここで、あらかじめこのリファレンスセル11−1の抵抗素子11−12の値として予測される複数の抵抗値Rrefと、抵抗測定基準アンプRA0〜RA7における固定抵抗素子の抵抗値Rx0〜Rx7と、端子DQ0〜DQ7に現れる出力データの対応関係を示す表1のような比較コード表が作成されている。そして、テストモードにエントリーした際には、図示しない判別手段、例えばメモリテスタが端子DQ0〜DQ7に現れるデータに基づいて比較コード表を参照することにより、1回の読み出しによりリファレンスセルにおける抵抗素子の抵抗値を判別することができる。つまり、表1で言えば、データ”11100000”の場合、抵抗値Rrefは50KΩと判別される。ちなみに、表1によれば、データ”00000000”の場合、抵抗値Rrefは5KΩ、データ”10000000”の場合、抵抗値Rrefは20KΩ、データ”11111100”の場合、抵抗値Rrefは110KΩと判別される。
以上のようにして、本実施例によれば、リファレンスアンプにおけるリファレンスセルのプログラム抵抗値を、直接内部測定することなく、外部端子より判別することが可能となる。判別の結果、抵抗値が所望の値と異なるような場合には、例えばトリミングなどの手法を用いてリファレンスセルのプログラム抵抗値の調整が行なわれる。
[変形実施例]
上記実施例に比べて精度良く測定する方法として、たとえば抵抗値Rx0とRx1の間の抵抗値を持つ抵抗素子を得ることができるように、抵抗値Rx0を有する抵抗素子に接続した抵抗測定基準アンプRA0に、更に抵抗素子を追加接続するようにしても良い。
上記実施例に比べて精度良く測定する方法として、たとえば抵抗値Rx0とRx1の間の抵抗値を持つ抵抗素子を得ることができるように、抵抗値Rx0を有する抵抗素子に接続した抵抗測定基準アンプRA0に、更に抵抗素子を追加接続するようにしても良い。
または、擬似的にアンプのあらかじめ設けられた負荷MOSをテスト信号により選択し、電流レシオを変化させて読み出すこともできる。
更に、データ入出力端子が一つの場合、またはデータ入出力端子の数よりも抵抗測定基準アンプの数が多い場合には、比較判別部における複数の比較判別用コンパレータの比較結果を共通の端子から時分割で出力するようにしても良い。
なお、本発明は不揮発性メモリ、特に相変化メモリのような抵抗変化プログラム方式のメモリ装置への適用が考えられるが、この種のメモリ装置以外の半導体メモリ装置(ReRAM、MRAMなど)にも適用可能であることは言うまでもない。
12、13、TR0〜TR7、TA0〜TA7 トランスファー回路
TB 読み出しモード信号
TT テストモード信号
TB 読み出しモード信号
TT テストモード信号
Claims (8)
- 選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置において、
互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプを設け、テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧を前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧のそれぞれと比較し、当該比較結果をデータ入出力端子から出力するようにした半導体メモリ装置。 - 前記リファレンスセルに応じた電圧を前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧のそれぞれと比較する手段として前記複数の抵抗測定基準アンプに対応した複数のコンパレータを備え、該複数のコンパレータの比較結果を1つ以上のデータ入出力端子から出力するようにした請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記リファレンスセルに接続されたリファレンスアンプと前記複数のコンパレータとの間に、前記テストモード動作時のみ、前記リファレンスセルに応じた電圧を前記複数のコンパレータに伝達する入力側切替え手段を設けた請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記データ入出力端子と前記複数のコンパレータとの間に、前記テストモード動作時のみ、前記複数のコンパレータの比較結果を前記データ入出力端子に伝達する出力側切替え手段を設けた請求項2または3に記載の半導体メモリ装置。
- 選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置のテスト方法において、
互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプを用意し、
テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧を前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧のそれぞれと比較し、
複数の比較結果に基づいて前記リファレンスセルの持つ抵抗素子に対するテストを行なうようにした半導体メモリ装置のテスト方法。 - 前記複数の抵抗測定基準アンプはそれぞれ固有の抵抗値を持つ抵抗素子に接続され、複数の前記固有の抵抗値と、前記リファンレンスセルの持つ抵抗素子の抵抗値として想定される複数種類の抵抗値と、前記複数の比較結果との対応関係を示すテーブルがあらかじめ作成され、前記複数の比較結果を基に前記テーブルを参照して前記リファレンスセルの前記抵抗素子の抵抗値を判別するようにした請求項5に記載の半導体メモリ装置のテスト方法。
- 選択されたメモリセルのストアデータに応じた電圧をリファレンスセルに応じた電圧と比較して当該ストアデータを検出する半導体メモリ装置において、
テストモード動作時に、前記リファレンスセルに応じた電圧と、複数種類の抵抗測定用基準電圧との比較を行ない、複数の比較結果を出力する比較判別手段を備えた半導体メモリ装置。 - 前記比較判別手段は、
互いの抵抗値が異なる抵抗素子にそれぞれが接続された複数の抵抗測定基準アンプと、
前記リファレンスセルに応じた電圧を、前記複数の抵抗測定基準アンプからの電圧のそれぞれと比較する、前記複数の抵抗測定基準アンプに対応した複数のコンパレータとを含み、
該複数のコンパレータの比較結果を1つ以上のデータ入出力端子から出力するようにした請求項7に記載の半導体メモリ装置。
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JP2016177859A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性記憶装置、ドライバー、電気光学装置、電子機器及び不揮発性記憶装置の検査方法 |
US12009020B2 (en) | 2021-04-16 | 2024-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device generating optimal write voltage based on size of memory cell and initial write voltage |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120110 |