CN112289256A - 一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法。所述像素电路包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述像素驱动单元电路用于驱动对应的像素，每个所述感光驱动单元电路用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号；其中，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号。本发明通过在原有的像素电路中增加一个感光驱动单元电路，所述感光驱动单元电路可以复用原有像素电路的时序，实现感光识别，由于本发明是在原有的像素电路中内嵌一个感光驱动单元电路，对制程工艺改变较小，容易实现量产，可实现远距离触控的检测。

Description

一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法。
背景技术
常见的触摸屏根据技术种类可以分为电阻式触摸屏，电容式触摸屏，超声波式触摸屏，光学式触摸屏和电磁式触摸屏。目前触摸屏的驱动电路基本都是集成在显示面板内部，导致显示面板的集成电路设计难度大，成本较高，难以实现量产。故，有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法，用于解决现有技术的触摸屏，其驱动电路设计难度大，成本较高，难以实现量产的技术问题。
本发明实施例提供一种像素电路，包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路。每个所述像素驱动单元电路用于驱动对应的像素。每个所述感光驱动单元电路用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号。其中，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号。
在本发明实施例提供的像素电路中，每个所述感光驱动单元电路包括信号读取线。所述信号读取线用于读取所述电流信号。所述电流信号用以指示第一坐标，所述第二扫描信号用以指示第二坐标，所述第一坐标与所述第二坐标组合形成触控点位。
在本发明实施例提供的像素电路中，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管。
其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接。
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接。
所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述信号读取线电连接。
所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接。
在本发明实施例提供的像素电路中，每个所述像素驱动单元电路包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第二存储电容以及发光二极管。
其中，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述固定电压电连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与第二节点电连接。
所述第五薄膜晶体管的栅极与控制信号电连接，所述第五薄膜晶体管的源极与第三节点电连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与电源正电压电连接。
所述第六薄膜晶体管的栅极与所述控制信号电连接，所述第六薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的正极电连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与第四节点电连接。
所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第二节点电连接，所述第七薄膜晶体管的源极与所述第四节点电连接，所述第七薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接。
所述第八薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第八薄膜晶体管的源极与数据信号电连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接。
所述第九薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第九薄膜晶体管的源极与所述第二节点电连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述第四节点电连接。
所述第二存储电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第二存储电容的第二端与所述电源正电压电连接。
所述发光二极管的负极接地。
在本发明实施例提供的像素电路中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供，所述控制信号由外部时序控制器提供。
在本发明实施例提供的像素电路中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管以及所述第九薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
在本发明实施例提供的像素电路中，所述外部栅极驱动器和所述外部时序控制器用以提供像素重置阶段、像素补偿阶段以及像素发光阶段的信号。在所述像素重置阶段，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号和所述控制信号为高电位。在所述像素补偿阶段，所述第二扫描信号为低电位，所述第一扫描信号和所述控制信号为高电位。在所述像素发光阶段，所述控制信号为低电位，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号为高电位。
本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底基板以及上述的像素电路。其中，所述像素电路设置于所述衬底基板上。
本发明实施例还提供一种显示面板的光学式触控识别方法，包括步骤：
提供一显示面板，其中，所述显示面板包括衬底基板以及像素电路，所述像素电路设置于所述衬底基板上，所述像素电路包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号，其中，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与信号读取线电连接；所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接；
进入像素重置阶段，其中，所述第一扫描信号提供低电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管导通，所述第三薄膜晶体管截止，所述电源负电压传输至所述第一节点；
进入像素补偿阶段，其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供低电位，所述第一薄膜晶体管截止，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管导通；所述感光二极管若被激光照射，会形成电流信号，所述信号读取线读取所述电流信号，其中，所述电流信号为第一坐标，所述第二扫描信号为第二坐标，所述第一坐标和所述第二坐标组合形成触控点位；以及
进入像素发光阶段，其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管截止。
在本发明实施例提供的显示面板的光学式触控识别方法中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供。
有益效果：本发明实施例提供的一种像素电路，通过在原有的像素电路中增加一个感光驱动单元电路，所述感光驱动单元电路与原有的像素电路共用扫描线，即所述感光驱动单元电路可以复用原有像素电路的时序，实现感光识别，由于本发明是在原有的像素电路中内嵌一个感光驱动单元电路，对制程工艺改变较小，容易实现量产，且能提高产品的附加值和区别度，降低成本，模组结构简单，可实现远距离触控的检测。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例提供的像素电路的结构框图。
图2是本发明实施例提供的像素电路的电路图。
图3是本发明实施例提供的像素电路的时序波形示意图。
图4是本发明实施例提供的像素电路的像素重置阶段t1的状态示意图。
图5是本发明实施例提供的像素电路的像素补偿阶段t2的状态示意图。
图6是本发明实施例提供的像素电路的像素发光阶段t3的状态示意图。
图7是本发明实施例提供的感光驱动单元电路的另一结构示意图。
图8是本发明实施例提供的显示面板的光学式触控识别方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在附图中，为了清晰及便于理解和描述，附图中绘示的组件的尺寸并未按照比例。
如图1所示，为本发明实施例提供的像素电路100的结构框图，所述像素电路100包括多个像素驱动单元电路101和多个感光驱动单元电路102(图1仅绘示一个像素驱动单元电路101和一个感光驱动单元电路102为例)。每个所述像素驱动单元电路101用于驱动对应的像素。每个所述感光驱动单元电路102用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号。其中，每个所述感光驱动单元电路102与每个所述像素驱动单元电路101共用第一扫描信号Scan(n-1)和第二扫描信号Scan(n)。
其中，所述像素驱动单元电路101还接收外部时序控制器提供的控制信号EM和外部源极驱动器提供的数据信号Vdata。可以理解的是，所述多个像素驱动单元电路101排列成阵列，所述第一扫描信号Scan(n-1)用于打开阵列中的第(n-1)行的像素通道，所述第二扫描信号Scan(n)用于打开阵列中的第n行的像素通道，n大于1。所述控制信号EM为所述像素驱动单元电路101的使能信号，当所述控制信号EM为低电平时，可以控制所述像素驱动单元电路101中的发光二极管(图未绘示)发光。所述数据信号Vdata用于控制所述像素驱动单元电路101中的发光二极管的亮度，即子像素的灰阶值。即所述数据信号Vdata提供灰阶数据，使得子像素的亮度不同，其灰阶范围例如为0～255。
需要说明的是，本发明实施例通过在原有的像素电路中增加一个感光驱动单元电路102，即将像素电路100分为像素驱动单元电路101和感光驱动单元电路102，且所述感光驱动单元电路102可以复用所述像素驱动单元电路101的时序，实现感光识别。由于本发明是在原有的像素电路中内嵌一个感光驱动单元电路102，对制程工艺改变较小，容易实现量产，且能提高产品的附加值和区别度，降低成本，模组结构简单，可实现远距离触控的检测。
在一种实施例中，每个所述感光驱动单元电路102包括信号读取线RW。所述信号读取线RW用于读取所述感光驱动单元电路102产生的电流信号。其中，所述电流信号用以指示第一坐标X，所述第二扫描信号Scan(n)用以指示第二坐标Y，所述第一坐标X与所述第二坐标Y组合形成触控点位(X，Y)。具体地，当有光学式触控信号(例如：激光)照射所述感光驱动单元电路102时，所述感光驱动单元电路102会接收上述光学式触控信号，并将上述光学式触控信号转换为电流信号，此时信号读取线RW会读取所述电流信号并发送至处理器(图未绘示)，处理器会将所述电流信号对应的列数标记为第一坐标X，将此时的第二扫描信号Scan(n)对应的行数n标记为第二坐标Y，从而获得此时的触控点位(X，Y)，其中，X表示被照射的列数，Y表示被照射的行数，即X表示触控点位的横坐标，Y表示触控点位的纵坐标。
具体地，当使用者在远距离讲解时，可通过使用激光笔照射具有所述像素电路100的显示装置，实现点击按钮，划线等一些触控操作，方便讲解，而当用激光笔照射具有所述像素电路100的显示装置时，内嵌在像素电路100中的感光驱动单元电路102就会反馈触控点位(X，Y)达到触控报点的效果。
需要说明的是，本发明的像素电路100分为像素驱动单元电路101和感光驱动单元电路102。其中，常见的像素驱动单元电路有6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等结构，因本发明不限制所述像素驱动单元电路101的具体结构，以下以6T1C的结构为例进行说明，其他实施例中对所述像素驱动单元电路101所做的替换或改变都属于本发明的保护范围内。
请参阅图2，为本发明实施例提供的像素电路100的电路图，所述像素电路100分为多个像素驱动单元电路101和多个感光驱动单元电路102(图2仅绘示一个像素驱动单元电路101和一个感光驱动单元电路102为例)。
其中，每个所述感光驱动单元电路102包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第一存储电容C1以及感光二极管VDP。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极与所述第一扫描信号Scan(n-1)电连接，所述第一薄膜晶体管T1的源极与电源负电压VEE电连接，所述第一薄膜晶体管T1的漏极与第一节点P电连接。在一种实施例中，所述电源负电压VEE的参考值为-4.5伏。
所述第二薄膜晶体管T2的栅极与所述第一节点P电连接，所述第二薄膜晶体管T2的源极与所述电源负电压VEE电连接，所述第二薄膜晶体管T2的漏极与所述感光二极管VDP的负极电连接。
所述第三薄膜晶体管T3的栅极与所述第二扫描信号Scan(n)电连接，所述第三薄膜晶体管T3的源极与所述感光二极管VDP的正极电连接，所述第三薄膜晶体管T3的漏极与所述信号读取线RW电连接。
所述第一存储电容C1的第一端与所述第一节点P电连接，所述第一存储电容C1的第二端与固定电压V1电连接。在一种实施例中，所述固定电压V1的参考值范围为-2.5伏至-4伏。
其中，每个所述像素驱动单元电路101包括第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8、第九薄膜晶体管T9、第二存储电容C2以及发光二极管D1。
所述第四薄膜晶体管T4的栅极与所述第一扫描信号Scan(n-1)电连接，所述第四薄膜晶体管T4的源极与所述固定电压V1电连接，所述第四薄膜晶体管T4的漏极与第二节点Q电连接。
所述第五薄膜晶体管T5的栅极与控制信号EM电连接，所述第五薄膜晶体管T5的源极与第三节点S电连接，所述第五薄膜晶体管T5的漏极与电源正电压VDD电连接。在一种实施例中，所述电源正电压VDD的参考值为6.5伏。
所述第六薄膜晶体管T6的栅极与所述控制信号EM电连接，所述第六薄膜晶体管T6的源极与所述发光二极管D1的正极电连接，所述第六薄膜晶体管T6的漏极与第四节点R电连接。
所述第七薄膜晶体管T7的栅极与所述第二节点Q电连接，所述第七薄膜晶体管T7的源极与所述第四节点R电连接，所述第七薄膜晶体管T7的漏极与所述第三节点S电连接。
所述第八薄膜晶体管T8的栅极与所述第二扫描信号Scan(n)电连接，所述第八薄膜晶体管T8的源极与数据信号Vdata电连接，所述第八薄膜晶体管T8的漏极与所述第三节点S电连接。在一种实施例中，所述数据信号Vdata的参考值范围为0.5伏至4伏。
所述第九薄膜晶体管T9的栅极与所述第二扫描信号Scan(n)电连接，所述第九薄膜晶体管T9的源极与所述第二节点Q电连接，所述第九薄膜晶体管T9的漏极与所述第四节点R电连接。
所述第二存储电容C2的第一端与所述第二节点Q电连接，所述第二存储电容C2的第二端与所述电源正电压VDD电连接。
所述发光二极管D1的负极接地。
可以理解的是，所述第一扫描信号Scan(n-1)控制所述第一薄膜晶体管T1、所述第四薄膜晶体管T4的导通或截止；所述第二扫描信号Scan(n)控制所述第三薄膜晶体管T3、所述第八薄膜晶体管T8、所述第九薄膜晶体管T9的导通或截止；所述控制信号EM控制所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6的导通或截止。
在一种实施例中，所述第一扫描信号Scan(n-1)、所述第二扫描信号Scan(n)由外部栅极驱动器提供，所述控制信号EM由外部时序控制器提供。具体地，请参阅图3，为本发明实施例提供的像素电路的时序波形示意图，本发明实施例提供的像素电路的时序包括三个阶段：像素重置阶段t1、像素补偿阶段t2以及像素发光阶段t3。其中，在所述像素重置阶段t1，所述第一扫描信号Scan(n-1)为低电位，所述数据信号Vdata、所述第二扫描信号Scan(n)以及所述控制信号EM为高电位。在所述像素补偿阶段t2，所述第二扫描信号Scan(n)和所述数据信号Vdata为低电位，所述第一扫描信号Scan(n-1)和所述控制信号EM为高电位。在所述像素发光阶段t3，所述控制信号EM为低电位，所述数据信号Vdata、所述第一扫描信号Scan(n-1)以及所述第二扫描信号Scan(n)为高电位。
在一种实施例中，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6、所述第七薄膜晶体管T7、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9均为P型薄膜晶体管。即所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6、所述第七薄膜晶体管T7、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9均为低电位导通、高电位截止。其中，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9为开关晶体管，所述第七薄膜晶体管T7为驱动晶体管。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6、所述第七薄膜晶体管T7、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9均为P沟道增强型MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体)晶体管。
在一种实施例中，所述外部栅极驱动器和所述外部时序控制器用以提供像素重置阶段t1、像素补偿阶段t2以及像素发光阶段t3的信号。
其中，如图4所示，为本发明实施例提供的像素电路100的像素重置阶段t1的状态示意图，在所述像素重置阶段t1，所述第一扫描信号Scan(n-1)为低电位，所述第二扫描信号Scan(n)和所述控制信号EM为高电位。使所述第一薄膜晶体管T1、所述第四薄膜晶体管T4导通，所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9截止。其中，所述电源负电压VEE通过所述第一薄膜晶体管T1传输至第一节点P(所述第二薄膜晶体管T2的栅极)，所述固定电压V1通过所述第四薄膜晶体管T4传输至第二节点Q(所述第七薄膜晶体管T7的栅极)，完成第一节点P和第二节点Q的电压重置。其中，所述电源负电压VEE和所述固定电压V1是低电平，可以将所述第二薄膜晶体管T2、所述第七薄膜晶体管T7打开，但由于所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9截止，所以所述第二薄膜晶体管T2、所述第七薄膜晶体管T7没有电流经过。
接下来请参阅图5，为本发明实施例提供的像素电路100的像素补偿阶段t2的状态示意图，在所述像素补偿阶段t2，所述第二扫描信号Scan(n)为低电位，所述第一扫描信号Scan(n-1)和所述控制信号EM为高电位。使所述第三薄膜晶体管T3、所述第八薄膜晶体管T8、所述第九薄膜晶体管T9导通，所述第一薄膜晶体管T1、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6截止。由于所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3导通，此时若没有强光照射，所述感光二极管VDP会有很小的反向漏电流；若受到激光笔的照射时，所述反向漏电流增大形成回路，此时所述信号读取线RW会读取电流信号确定坐标X，然后根据所述第二扫描信号Scan(n)可确定坐标Y，这样就可以确定激光笔射向的地方，即触控点位(X，Y)，完成触控报点，即可实现远距离触控操作。
其中，在所述像素补偿阶段t2，由于所述第七薄膜晶体管T7、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9导通，使数据信号Vdata为所述第七薄膜晶体管T7的栅极(第二节点Q)充电，由于薄膜晶体管特性，所述第七薄膜晶体管T7的栅极(第二节点Q)的电压将充至(Vdata+Vth)后保持，所述第二存储电容C2会存储所述第七薄膜晶体管T7的栅极(第二节点Q)的电压(Vdata+Vth)。
接下来请参阅图6，为本发明实施例提供的像素电路100的像素发光阶段t3的状态示意图，在所述像素发光阶段t3，所述控制信号EM为低电位，所述第一扫描信号Scan(n-1)以及所述第二扫描信号Scan(n)为高电位。使所述第五薄膜晶体管T5和所述第六薄膜晶体管T6导通，所述第一薄膜晶体管T1、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第八薄膜晶体管T8以及所述第九薄膜晶体管T9截止。由于所述第一薄膜晶体管T1和所述第三薄膜晶体管T3截止，所述感光驱动单元电路102中没有电流产生，即所述感光二极管VDP停止工作，可以减弱所述感光驱动单元电路102对所述像素驱动单元电路101的影响。
其中，在所述像素发光阶段t3，所述第五薄膜晶体管T5、所述第六薄膜晶体管T6导通，所述存储电容C2放电，使得所述第七薄膜晶体管T7持续导通，所述电源正电压VDD的电压经所述第五薄膜晶体管T5、所述第七薄膜晶体管T7、所述第六薄膜晶体管T6给所述发光二极管D1，使得所述发光二极管D1发光，完成显示。
如图7所示，为本发明实施例提供的感光驱动单元电路102的另一结构示意图，所述感光驱动单元电路102包括第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3以及感光二极管VDP，所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3的栅极均与所述第二扫描信号Scan(n)电连接，即所述感光驱动单元电路102与所述像素驱动单元电路(参见图2中的101)仅仅共用第二扫描信号Scan(n)。
其中，所述第二薄膜晶体管T2的源极与电源负电压VEE电连接，所述第二薄膜晶体管T2的漏极与所述感光二极管VDP的负极电连接；所述第三薄膜晶体管T3的源极与所述感光二极管VDP的正极电连接，所述第三薄膜晶体管T3的漏极与信号读取线RW电连接。
可以理解的是，所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3均受所述第二扫描信号Scan(n)的控制，当所述第二扫描信号Scan(n)为低电位时，所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3导通，所述感光二极管VDP开始工作，当所述第二扫描信号Scan(n)为高电位时，所述第二薄膜晶体管T2和所述第三薄膜晶体管T3截止，所述感光二极管VDP停止工作，即所述感光驱动单元电路102仅工作在像素补偿阶段t2(参见图5)。本实施例与上述实施例中提供的感光驱动单元电路相比，需要的元器件更少，结构简单，更加容易实现量产。
本发明实施例提供一种显示面板(图未绘示)，包括衬底基板(图未绘示)以及上述的像素电路。其中，所述像素电路设置于所述衬底基板上。需指出的是，所述像素电路包括像素驱动单元电路和感光驱动单元电路，本发明并不限定所述像素驱动单元电路的具体结构，仅以6T1C的结构进行举例说明，所述感光驱动单元电路的结构参见图2和图7及相关说明。
如图8所示，为本发明实施例提供的显示面板的光学式触控识别方法流程图，所述光学式触控识别方法包括步骤：
S201、提供一显示面板。其中，所述显示面板包括衬底基板以及像素电路，所述像素电路设置于所述衬底基板上，所述像素电路包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号，其中，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与信号读取线电连接；所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接；
S202、进入像素重置阶段。其中，所述第一扫描信号提供低电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管导通，所述第三薄膜晶体管截止，所述电源负电压传输至所述第一节点；
S203、进入像素补偿阶段。其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供低电位，所述第一薄膜晶体管截止，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管导通；所述感光二极管若被激光照射，会形成电流信号，所述信号读取线读取所述电流信号，其中，所述电流信号为第一坐标，所述第二扫描信号为第二坐标，所述第一坐标和所述第二坐标组合形成触控点位；以及
S204、进入像素发光阶段。其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管截止。
其中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板的光学式触控识别方法，通过将像素电路分为像素驱动单元电路和感光驱动单元电路，且所述感光驱动单元电路可以复用所述像素驱动单元电路的时序，在像素补偿阶段，若采用激光照射所述显示面板，所述感光驱动单元电路内的感光二极管会产生电流信号，通过所述电流信号可确定触控点位的横坐标，根据第二扫描信号可确定触控点位的纵坐标，从而可实现远距离触控的检测与识别。
综上所述，本发明实施例提供的一种像素电路，通过在原有的像素电路中增加一个感光驱动单元电路，所述感光驱动单元电路与原有的像素电路共用扫描线，即所述感光驱动单元电路可以复用原有像素电路的时序，实现感光识别，由于本发明是在原有的像素电路中内嵌一个感光驱动单元电路，对制程工艺改变较小，容易实现量产，且能提高产品的附加值和区别度，降低成本，模组结构简单，可实现远距离触控的检测，解决了现有技术的触摸屏，其驱动电路设计难度大，成本较高，难以实现量产的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种像素电路、显示面板及其光学式触控识别方法进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述像素驱动单元电路用于驱动对应的像素，每个所述感光驱动单元电路用于接收光学式触控信号，并将所述光学式触控信号转换为电流信号；
其中，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，每个所述感光驱动单元电路包括信号读取线，所述信号读取线用于读取所述电流信号，所述电流信号用以指示第一坐标，所述第二扫描信号用以指示第二坐标，所述第一坐标与所述第二坐标组合形成触控点位。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管；
其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接；
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接；
所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述信号读取线电连接；
所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，每个所述像素驱动单元电路包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第二存储电容以及发光二极管；
其中，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述固定电压电连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与第二节点电连接；
所述第五薄膜晶体管的栅极与控制信号电连接，所述第五薄膜晶体管的源极与第三节点电连接，所述第五薄膜晶体管的漏极与电源正电压电连接；
所述第六薄膜晶体管的栅极与所述控制信号电连接，所述第六薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的正极电连接，所述第六薄膜晶体管的漏极与第四节点电连接；
所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第二节点电连接，所述第七薄膜晶体管的源极与所述第四节点电连接，所述第七薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
所述第八薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第八薄膜晶体管的源极与数据信号电连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
所述第九薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第九薄膜晶体管的源极与所述第二节点电连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与所述第四节点电连接；
所述第二存储电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第二存储电容的第二端与所述电源正电压电连接；
所述发光二极管的负极接地。
5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供，所述控制信号由外部时序控制器提供。
6.如权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管以及所述第九薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
7.如权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述外部栅极驱动器和所述外部时序控制器用以提供像素重置阶段、像素补偿阶段以及像素发光阶段的信号；
在所述像素重置阶段，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号和所述控制信号为高电位；
在所述像素补偿阶段，所述第二扫描信号为低电位，所述第一扫描信号和所述控制信号为高电位；
在所述像素发光阶段，所述控制信号为低电位，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号为高电位。
8.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及如权利要求1至7任一项所述的像素电路，其中，所述像素电路设置于所述衬底基板上。
9.一种显示面板的光学式触控识别方法，其特征在于，包括步骤：
提供一显示面板，其中，所述显示面板包括衬底基板以及像素电路，所述像素电路设置于所述衬底基板上，所述像素电路包括多个像素驱动单元电路和多个感光驱动单元电路，每个所述感光驱动单元电路与每个所述像素驱动单元电路共用第一扫描信号和第二扫描信号，其中，每个所述感光驱动单元电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一存储电容以及感光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描信号电连接，所述第一薄膜晶体管的源极与电源负电压电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源负电压电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述感光二极管的负极电连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描信号电连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述感光二极管的正极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与信号读取线电连接；所述第一存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第一存储电容的第二端与固定电压电连接；
进入像素重置阶段，其中，所述第一扫描信号提供低电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管导通，所述第三薄膜晶体管截止，所述电源负电压传输至所述第一节点；
进入像素补偿阶段，其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供低电位，所述第一薄膜晶体管截止，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管导通；所述感光二极管若被激光照射，会形成电流信号，所述信号读取线读取所述电流信号，其中，所述电流信号为第一坐标，所述第二扫描信号为第二坐标，所述第一坐标和所述第二坐标组合形成触控点位；以及
进入像素发光阶段，其中，所述第一扫描信号提供高电位，所述第二扫描信号提供高电位，所述第一薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管截止。
10.如权利要求9所述的显示面板的光学式触控识别方法，其特征在于，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号由外部栅极驱动器提供。
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