CN112259479B - 工艺腔室及半导体工艺设备 - Google Patents
工艺腔室及半导体工艺设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112259479B CN112259479B CN202011149186.9A CN202011149186A CN112259479B CN 112259479 B CN112259479 B CN 112259479B CN 202011149186 A CN202011149186 A CN 202011149186A CN 112259479 B CN112259479 B CN 112259479B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- temperature control
- process chamber
- chamber
- accommodating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备。该工艺腔室用于半导体工艺设备，工艺腔室用于与半导体工艺设备的传输腔室连接，其包括：腔体及控温装置；腔体上形成有并列设置的多个容置腔，容置腔用于容置待加工件以执行处理工艺；控温装置设置于腔体的壁体内，用于对容置腔进行加热；腔体上还具有散热部，散热部设置于相邻两个容置腔之间的壁体内，散热部用于隔绝两个相邻的容置腔之间的热量传递。本发明实现了有效隔绝两个容置腔之间的热量传递，因此可以避免两个容置腔之间出现热量堆积，从而提高了工艺腔室的温度均匀性。另外，散热部还避免控温装置对两个相邻的容置腔造成影响，从而进一步提高了工艺腔室的温度均匀性。
Description
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。
背景技术
目前，氨气-氟化氢干法刻蚀的工艺过程为，晶圆进入工艺腔室后由基座带动以升至工艺位置，开始进行工艺腔室的控压，氮气(N2)通过设置于工艺腔室内的匀流板进行第一次匀流，然后通过喷淋装置进入工艺腔室，待工艺腔室压力达到工艺压力后，晶圆温度也升至工艺温度，之后开始通入特殊气体，氨气(NH3)和稀释气体氮气(N2)预先进入工艺腔室中，在晶圆表面进行预先吸附(presoak)，之后氟化氢(HF)、氨气(NH3)和稀释气体氮气(N2)混合后形成高活性反应物氟化铵(NH4F)，当氟化铵气体进入工艺腔室内与二氧化硅(SiO2)发生反应，并生成固态副产物。经过退火(Anneal)腔室热处理后副产物挥发，最终达到刻蚀二氧化硅(SiO2)的目的。
现在主流的原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺设备，其主要包括前端模块、传输腔室和工艺腔室，其中传输腔室内配置有机械手，由于高温氨气工艺的产出率低，机械手的传片效率高，所以其产能瓶颈在于工艺腔室。现有技术中为了增大产能，很多公司研发大产能工艺腔室，例如在工艺腔室内设置有双腔或四腔以提高工艺腔室的产能，但是由于双腔双腔的中间部位是双腔相互连接的部位，造成双腔的中间部位与左右边部的壁厚不相同，而且左右边部的两侧是外界大气，而中间部位由于壁厚原因则造成热量堆积效应，因此很难实现中间部位与左右边部温度的一致性，从而容易造成晶圆工艺均匀性较低。另外，由于中间部位的加热器的分布相对于单腔中心线很难做到对称分布，因此加热器会对双腔均造成影响，因此进一步造成中间部位与左右边部的温度差异。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种工艺腔室及半导体工艺设备，用以解决现有技术存在由于工艺腔室温度不一致造成的待加工件工艺均匀性较低的技术问题。
第一个方面，本发明实施例提供了一种工艺腔室，所述工艺腔室用于半导体工艺设备中，所述工艺腔室用于与所述半导体工艺设备的传输腔室连接，所述工艺腔室包括腔体及控温装置；所述腔体上形成有并列设置的多个容置腔，所述容置腔用于容置待加工件以执行处理工艺；所述控温装置设置于所述腔体的壁体内，用于对所述容置腔进行加热；所述腔体上还具有散热部，所述散热部设置于相邻两个所述容置腔之间的所述壁体内，所述散热部用于隔绝两个相邻的所述容置腔之间的热量传递。
于本申请的一实施例中，多个所述控温装置分别对应多个所述容置腔设置，并且相邻两个所述容置腔各自对应设置的所述控温装置相对所述散热部对称。
于本申请的一实施例中，所述容置腔的一侧设置有用于传输待加工件的传片口，所述传片口用于与所述传输腔室连通；所述控温装置包括第一控温组件及第二控温组件，所述第一控温组件靠近所述传片口设置，所述第二控温组件远离所述传片口且靠近所述容置腔设置。
于本申请的一实施例中，所述第一控温组件包括第一加热器及第一传感器，所述第一加热器对称设置于所述传片口的两侧，所述第一传感器位于所述传片口底部居中位置。
于本申请的一实施例中，所述第二控温组件包括第二加热器及第二传感器，多个所述第二加热器环绕所述容置腔设置，所述第二传感器设置于容置腔的底部，并且第二传感器距离多个所述第二加热器之间的距离相同。
于本申请的一实施例中，所述工艺腔室还包括有隔热板，所述隔热板开设有与所述传片口对应的开口，所述腔体通过所述隔热板与所述传输腔室连接，用于隔绝所述腔体的热量传递。
于本申请的一实施例中，所述散热部为形成在所述壁体内的贯通孔，所述贯通孔沿垂直于相邻两个所述容置腔的中心连线的方向延伸，且所述贯通孔的延伸长度不小于所述容置腔在所述贯通孔内壁上的投影长度。
于本申请的一实施例中，所述容置腔的中心轴两侧的所述壁体厚度相同。
于本申请的一实施例中，所述贯通孔在所述壁体内的延伸宽度大于10毫米。
第二个方面，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备，包括传输腔室及如第一个方面提供的工艺腔室。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本发明实施例通过在两个相邻的容置腔之间设置有散热部，由于散热部可以有效隔绝两个容置腔之间的热量传递，因此可以避免两个容置腔之间出现热量堆积，从而提高了工艺腔室的温度均匀性。另外，由于两个相邻的容置腔之间设置有散热部，由此实现了控温装置单独对某个容置腔的温度进行控制，从而避免控温装置对两个相邻的容置腔造成影响，从而进一步提高了工艺腔室的温度均匀性，进而在提高待加工件产能的同时有效提高了工艺均匀性。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明实施例提供的一种工艺腔室与传输腔室配合的俯视示意图；
图2为图1中示出的工艺腔室的横向剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种工艺腔室的俯视示意图；
图4为本发明实施例提供的一种工艺腔室示出控温区域的俯视示意图；
图5为图1中示出的工艺腔室的纵向剖视示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本发明实施例提供了一种工艺腔室100，工艺腔室100用于半导体工艺设备中，工艺腔室用于与半导体工艺设备的传输腔室200连接，该工艺腔室100的结构示意图如图1所示，包括：腔体1及控温装置2；腔体1上形成有并列设置的多个容置腔11，用于容置待加工件(图中未示出)以执行处理工艺；控温装置2设置于腔体1的壁体内，用于对容置腔11进行加热；腔体1上还具有散热部3，散热部3设置于相邻两个容置腔11之间的壁体内，散热部3用于隔绝两个相邻的容置腔11之间的热量传递。
如图1所示，工艺腔室100与半导体工艺设备的传输腔室200连接，工艺腔室100可以位于传输腔室200的下侧，但是本发明实施例并不以此为限，例如多个工艺腔室100围绕在传输腔室200的外周，传输腔室200内的机械手201可以用于将待加工件传输至各工艺腔室100内，该待加工件具体可以为晶圆，而该工艺腔室100则具体可以用于对晶圆执行工艺。腔体1例如采用铝材质制成的长方体结构，并且沿图1中左右方向上形成有两个并列的容置腔11，但是本发明实施例并不以此为限，例如可以沿图1左右方向形成两个以上的容置腔11。可以理解的是，并列设置的容置腔11为容置腔11在腔体1内横向或者纵向排列，且各容置腔11的中心位于一条直线上。容置腔11具体可以是圆柱形的空腔，以用于容置待加工件且执行工艺。控温装置2具体设置于腔体1的壁体内，壁体具体为腔体1的主体结构，并且合围以形成容置腔11。控温装置2具体可以控制各容置腔11升温或降温。腔体1内还具有散热部3，散热部3具体设置于两个容置腔11之间的壁体上，例如散热部3可以沿图1中的上下方向延伸设置。在实际应用时，控温装置2用于控制各容置腔11升温，散热部3可以隔绝两个容置腔11之间热量传递，从而避免两个容置腔11相互影响，由此提高了工艺腔室100的温度均匀性。
本发明实施例通过在两个相邻的容置腔之间设置有散热部，由于散热部可以有效隔绝两个容置腔之间的热量传递，因此可以避免两个容置腔之间出现热量堆积，从而提高了工艺腔室的温度均匀性。另外，由于两个相邻的容置腔之间设置有散热部，由此实现了控温装置单独对某个容置腔的温度进行控制，从而避免控温装置对两个相邻的容置腔造成影响，从而进一步提高了工艺腔室的温度均匀性，进而在提高待加工件产能的同时有效提高了工艺均匀性。
需要说明的是，本发明实施例并不限定工艺腔室100的具体材质，例如工艺腔室100可以采用不锈钢材质制成。因此本发明实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，多个控温装置2分别对应多个容置腔11设置，并且相邻两容置腔11各自对应设置的两个控温装置2相对散热部3对称。具体来说，工艺腔室100可以包括两个左右对称设置的容置腔11，由于散热部3设置于两个容置腔11之间，因此两个容置腔11可以相对于该散热部3对称设置。两个控温装置2分别对应于两个容置腔11设置，并且相对于散热部3对称设置，以用于分别对两个容置腔11的温度进行控制。由于每个控温装置2对每个容置腔11的温度进行控制，并且由于两个容置腔11之间设置有散热部3，因此进一步避免两个容置腔11之间相互影响，从而使得工艺腔室100整体的温度均匀性一致，进而大幅提高待加工件工艺的均匀性。
需要说明的是，本发明实施例并不限定容置腔11的数量及排布方式，只要任意两个相邻的容置腔11之间具有散热部3，并且每个容置腔11对应设置一个控温装置2即可。因此本发明实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，容置腔11的一侧设置有用于传输待加工件的传片口12，传片口12用于与传输腔室200连通；控温装置2包括第一控温组件21及第二控温组件22，第一控温组件21靠近传片口12设置，第二控温组件22远离传片口12且靠近容置腔11设置。
如图1及图3所示，腔体1靠近传输腔室200的一侧形成有两个传片口12，两个传片口12分别与两个容置腔11连通，传输腔室200内的机械手201可以通过该传片口12向容置腔11内传输待加工件，但是本申请实施并不限定传片口12的具体数量，只要每个容置腔11对应设置有一个传片口12即可。如图3所示，控温装置2具体可以包括第一控温组件21及第二控温组件22，第一控温组件21靠近传片口12设置，以用于对传片口12附近的温度进行控制，例如在执行工艺过程中，第一控温组件21对传片口12附近进行加热，以避免机械手201传输待加工件过程中造成的热量流失，从而进一步提高工艺腔室100的温度的均匀性。第二控温组件22则远离传片口12且靠近容置腔11设置，用于对容置腔11的温度进行控制。采用上述设计，通过两个独立的控温组件，可以单独控制传片口12处的温度，从而降低了因传输待加工件而造成工艺腔室100的温度差异。
于本申请的一实施例中，如图3及图4所示，第一控温组件21包括第一加热器231及第一传感器232，第一加热器231对称设置于传片口12的两侧，第一传感器232位于传片口12底部居中位置。
如图3及图4所示，由于两个容置腔11的传片口12均位于腔体1的同一侧，在实际应用时传片口12附近的温度要求一致，因此可以将两个传片口12区域划分为第一控温区域5，具体参照如图4中所示的虚线框区域，第一控温组件21设置于该第一控温区域5内。具体来说，第一控温组件21包括有第一加热器231及第一传感器232，两个第一加热器231分别设置于传片口12的左右两侧，并且相对于传片口12左右对称设置，以提高传片口12处的温度均匀性。第一传感器232设置于传片口12的底部居中位置，设置于传片口12的底部可避免影响与机械手201发生干涉，而设置于传片口12居中位置，用于检测传片口12的温度数据，从而进一步提高传片口12处的温度均匀性。采用上述设计，由于第一控温区域5设置有第一控温组件21，使得第一控温组件21可以单独对第一控温区域5的温度进行控制，从而进一步提高工艺腔室100的温度均匀性。
需要说明的是，本发明实施例并不限定第一加热器231的具体数量，只要第一加热器231对称设置于传片口12的两侧即可。因此本发明实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图3及图4所示，第二控温组件22包括第二加热器241及第二传感器242，多个第二加热器241环绕容置腔11设置，第二传感器242设置于容置腔11的底部，并且第二传感器242距离多个第二加热器241之间的距离相同。
如图3及图4所示，由于两个容置腔11的传片口12均位于腔体1的同一侧，两个容置腔11也位于同一侧，在实际应用时容置腔11附近的温度要求一致，因此可以将两个容置腔11的区域划分为第二控温区域6，具体参照如图4中所示的虚线框区域，第二控温组件22设置于该第二控温区域6内。具体来说，第二控温组件22包括有第二加热器241及第二传感器242，多个第二加热器241可以环绕容置腔11设置，并且可以相对于容置腔11的左右对称设置，以提高容置腔11内的温度均匀性。第二传感器242设置于容置腔11的底部位置，以避免对容置腔11内的基座13造成干涉。进一步的，第二传感器242距离多个第二传感器242的之间的距离相同，以用于检测容置腔11内温度数据，从而进一步提高容置腔11内的温度均匀性。采用上述设计，由于第二控温区域6设置有第二控温组件22，使得第二控温组件22可以单独对第二控温区域温度进行控制，从而进一步提高工艺腔室100的温度均匀性。
需要说明的是，本发明实施例并不限定第二加热器241的具体数量，只要多个第二加热器241环绕容置腔11设置即可。因此本发明实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1、图3及图4所示，工艺腔室100还包括有隔热板4，隔热板4开设有与传片口12对应的开口41，腔体1通过隔热板4与传输腔室200连接，用于隔绝腔体1的热量传递。
如图1、图3及图4所示，隔热板4具体可以采用不锈钢材质制成的板状结构，隔热板4的具体尺寸可以与腔体1的侧面对应设置，并且隔热板4上设置有两个开口41，以分别对应两个传片口12设置。腔体1可以通过该隔热板4与传输腔室200连接，传输腔室200内的机械手201依次通过开口41及传片口12向容置腔11内传输待加工件。采用上述设计，不仅可以防止腔体1的热量流失，从而降低控温装置2的能耗以及提高工艺腔室100的温度均匀性，并且由于隔热板4能避免腔体1的热量传递至传输腔室200，从而能有效避免热量对传输腔室200造成影响。
需要说明的是，本发明实施例并不限定隔热板4的必须采用金属材质制成，只要隔热板4采用隔热材质制成即可。因此本发明实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1、图3及图4所示，腔体1包括厚壁区域及薄壁区域，控温装置2在厚壁区域的加热效能大于在薄壁区域的加热效能。
如图1、图3及图4所示，第一加热器231及第二加热器241均可以在为六个，并且第一加热器231及第二加热器241均为加热棒，腔体1上可以对应设置有安装孔，第一加热器231及第二加热器241均设置于安装孔内。第一加热器231应围绕容置腔11的圆周方向均布，但是由于腔体1具体为长方体结构，容置腔11外周的壁体厚度不可能完全相同，因此腔体1上会形成相对较厚的厚壁区域，以及相对较薄的薄壁区域。基于上述结构，第一加热器231及第二加热器241可以根据腔体1的壁厚来调整分布密度，即厚壁区域的分布相对密集，而薄壁区域分布相对稀疏，以使得厚壁区域的加热效能大于薄壁区域的加热效能，从而在提高工艺腔室100温度均匀性的同时降低制造难度，进而降低应用及维护成本。
需要说明的是，本发明实施例并不限定通过第一加热器231及第二加热器241的排布方式来调节加热效能，例如还可以通过调节各第一加热器231及第二加热器241的功率来实现加热效能的调节。因此本发明实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，散热部3为形成在壁体内的贯通孔31，贯通孔31沿垂直于相邻两个容置腔11的中心连线的方向延伸，且贯通孔31的延伸长度不小于容置腔11在贯通孔31内壁上的投影长度。可选地，容置腔11的中心轴两侧的壁体厚度相同。
如图1所示，腔体1具体采用一体结构，并且腔体1内形成两个容置腔11。散热部3具体为贯穿于壁体内的贯通孔31，贯通孔31可心沿垂直于相邻两个容置腔11的中心连线的方向延伸，即由腔体1的顶面贯穿至底面的长方形通孔。换言之，贯通孔31可以沿容置腔11的轴向延伸设置，并且贯通孔31的延伸长度大于容置腔11的轴向长度，即贯通孔31的延伸长度不小于容置腔11在贯通孔31内壁上的投影长度，具体如图2所示。采用上述设计，不仅使得本发明实施例结构简单，从而大幅降低加工制造成本，并且还能大幅提高腔体1内的散热效果。另外，腔体1采用一体结构不仅能提高工艺腔室100的结构稳定性，而且还使得两个容置腔11处于同一水平面上，以便于传输腔室200的机械手201在传输待加工件时定位，从而使得本发明实施例结构设计合理。
进一步的，由于两个相邻的容置腔11之间设置有贯通孔31，以使得单个容置腔11左右边部的厚度一致，即容置腔11的中心轴两侧的壁体厚度相同，使得容置腔11的左右边部散热均匀，以避免两个容置腔11之间形成热量堆积，从而提高了各容置腔11温度均匀性。可选地，贯通孔31在壁体内的延伸长度等于或大于容置腔11的径向长度，即贯通孔31沿图1中的上下方向延伸的长度等于或大于容置腔11沿图1中的上下方向的径向长度，由此可以进一步提高散热部3的散热效果，从而进一步提高各容置腔11的温度均匀性。
于本申请的一实施例中，如图1所示，贯通孔31在壁体内的延伸宽度大于10毫米。具体来说，贯通孔31沿图1中的左右方向的延伸宽度可以大于10毫米，即贯通孔31沿相邻两个容置腔11的中心连线的方向上宽度大于10毫米，但是本申请实施并不限定贯通孔31的延伸宽度的具体数值，贯通孔31的具体宽度可以对应于容置腔11的内径或者工艺类型进行设置。采用上述设计，可以进一步的提高本发明实施例的散热效果及适用性。
于本申请的一实施例中，如图1所示，工艺腔室100还包括有基座13，基座13设置于容置腔11的底部，并且位于容置腔11的居中位置，基座13用于承载待加工件。具体来说，容置腔11底部的腔体1上设置有安装孔，基座13安装于该安装孔内以用于承载待加工件。为了使得待加工件表面均匀性较佳，基座13位于该容置腔11的居中位置，即基座13的外周距离容置腔11的内周距离均为一致，从而提高待加工件的工艺均匀性。如图5所示，容置腔11还具有缓冲腔14及抽气通道15，传片口12及缓冲腔14分别位于容置腔11的相对两侧，例如沿图5中左右方向分布于容置腔11的两侧，而抽气通道15则由腔体1的底部向上延伸以与缓冲腔14连通。采用上述设计，缓冲腔14可以使得容置腔11内的抽气速率降低，从而提高待加工件的工艺均匀性。
如图4所示，在实际执行工艺时，预先在半导体工艺设备的上位机(图中未示出)设定第一控温区域5及第二控温区域6的预设温度，第一控温组件21及第二控温组件22根据该预设温度，以及实时检测第一传感器232及第二传感器242的检测温度，上位机可以根据PID算法以实现对第一控温区域及第二控温区域的温度进行控制，例如控制第一加热器231及第二加热器241的电流通断以及电流大小。当检测温度未达到预设温度时，控制第一加热器231及第二加热器241全功率加热，当检测温度达到预设温度时控制第一加热器231及第二加热器241停止加热。采用上述设计，由于第一控温组件21及第二控温组件22均由上位机控制，从而实现本发明实施例的自动化控制，并且采用PID算法可以实现精确控制各控温区域的温度。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备，包括传输腔室及如上述各实施例提供的工艺腔室。
应用本发明实施例，至少能够实现如下有益效果：
本发明实施例通过在两个相邻的容置腔之间设置有散热部，由于散热部可以有效隔绝两个容置腔之间的热量传递，因此可以避免两个容置腔之间出现热量堆积，从而提高了工艺腔室的温度均匀性。另外，由于两个相邻的容置腔之间设置有散热部，由此实现了控温装置单独对某个容置腔的温度进行控制，从而避免控温装置对两个相邻的容置腔造成影响，从而进一步提高了工艺腔室的温度均匀性，进而在提高待加工件产能的同时有效提高了工艺均匀性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (9)
1.一种工艺腔室，所述工艺腔室用于半导体工艺设备中，所述工艺腔室用于与所述半导体工艺设备的传输腔室连接，其特征在于，所述工艺腔室包括腔体及控温装置；
所述腔体上形成有并列设置的多个容置腔，所述容置腔用于容置待加工件以执行处理工艺；所述控温装置设置于所述腔体的壁体内，所述壁体为所述腔体的主体结构，用于合围形成所述容置腔，所述控温装置用于对所述容置腔进行加热；
所述腔体上还具有散热部，所述散热部设置于相邻两个所述容置腔之间的所述壁体内，所述散热部用于隔绝两个相邻的所述容置腔之间的热量传递；
所述散热部为形成在所述壁体内的贯通孔，所述贯通孔沿垂直于相邻两个所述容置腔的中心连线的方向延伸，且所述贯通孔的延伸长度不小于所述容置腔在所述贯通孔内壁上的投影长度。
2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述控温装置分别对应多个所述容置腔设置，并且相邻两个所述容置腔各自对应设置的所述控温装置相对所述散热部对称。
3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述容置腔的一侧设置有用于传输待加工件的传片口，所述传片口用于与所述传输腔室连通；
所述控温装置包括第一控温组件及第二控温组件，所述第一控温组件靠近所述传片口设置，所述第二控温组件远离所述传片口且靠近所述容置腔设置。
4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一控温组件包括第一加热器及第一传感器，所述第一加热器对称设置于所述传片口的两侧，所述第一传感器位于所述传片口底部居中位置。
5.如权利要求3或4所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二控温组件包括第二加热器及第二传感器，多个所述第二加热器环绕所述容置腔设置，所述第二传感器设置于容置腔的底部，并且第二传感器距离多个所述第二加热器之间的距离相同。
6.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括有隔热板，所述隔热板开设有与所述传片口对应的开口，所述腔体通过所述隔热板与所述传输腔室连接，用于隔绝所述腔体的热量传递。
7.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述容置腔的中心轴两侧的所述壁体厚度相同。
8.如权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述贯通孔在所述壁体内的延伸宽度大于10毫米。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括传输腔室及如权利要求1至8的任意一项所述工艺腔室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011149186.9A CN112259479B (zh) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 工艺腔室及半导体工艺设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011149186.9A CN112259479B (zh) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 工艺腔室及半导体工艺设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112259479A CN112259479A (zh) | 2021-01-22 |
| CN112259479B true CN112259479B (zh) | 2024-06-21 |
Family
ID=74261877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011149186.9A Active CN112259479B (zh) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 工艺腔室及半导体工艺设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112259479B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114250451B (zh) * | 2021-06-01 | 2023-03-07 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 外延生长装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010073562A (ko) * | 2000-01-18 | 2001-08-01 | 윤종용 | 반도체 제조 설비의 공정 챔버 |
| US7029536B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-04-18 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
| US11031252B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. | Heat shield for chamber door and devices manufactured using same |
-
2020
- 2020-10-23 CN CN202011149186.9A patent/CN112259479B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112259479A (zh) | 2021-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101882773B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
| US9378991B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR102181910B1 (ko) | 에칭 방법 및 잔사 제거 방법 | |
| US20110168673A1 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and mechanism for regulating temperature of dielectric window | |
| JP2016018994A (ja) | 処理チャンバの上流の基板をプリベークする装置及び方法 | |
| CN101365823A (zh) | 成膜装置和成膜方法 | |
| US20170186634A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US10186444B2 (en) | Gas flow for condensation reduction with a substrate processing chuck | |
| US10720348B2 (en) | Dual load lock chamber | |
| US6729261B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| CN112259479B (zh) | 工艺腔室及半导体工艺设备 | |
| CN104733352A (zh) | 基板处理装置 | |
| CN104878367A (zh) | 反应腔室以及化学气相沉积设备 | |
| KR100730379B1 (ko) | 화학 기상 증착장치의 히터모듈 | |
| US7923380B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US20120180883A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US20170221681A1 (en) | Substrate processing system and substrate processing apparatus | |
| JP2003037107A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| WO2017195658A1 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2003037108A (ja) | 反応管及び熱処理装置 | |
| JP2003037147A (ja) | 基板搬送装置及び熱処理方法 | |
| CN212303624U (zh) | 一种用于晶圆冷却的冷却腔结构 | |
| US20230245854A1 (en) | Hybrid liquid/air cooling system for tcp windows | |
| JP2009246071A (ja) | 基板処理装置，基板処理方法 | |
| JP2002373890A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |